CN114695161A - 一种半导体设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。本发明公开的半导体设备，解决了现有技术中管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，能够有效降低管线堵塞的概率和使得产能得以提高。

Description

一种半导体设备

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种半导体设备。

背景技术

随着半导体设备的飞速发展，使得晶圆清洗和刻蚀设备也随着飞速发展。晶圆的湿法清洗和湿法腐蚀是最常用的工艺之一。在对晶圆进行湿法腐蚀时，通常使用的是化学试剂，且化学试剂会设置在半导体设备的化学液槽中，再通过排液管路将刻蚀后的化学试剂排出；而在清洗晶圆时，由于使用的是化学试剂或者水，使得对晶圆的清洗后会有化学试剂和清洗反应产物通过排液管线排出。

但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中，发现上述技术至少存在如下技术问题：

在通过排液管线将刻蚀后的化学试剂排出时，由于化学试剂容易结晶会导致排液管线堵塞的概率较高；以及在通过排液管线排出清洗晶圆后的液体时，由于对晶圆的清洗会出现化学试剂和清洗反应产物会导致排液管线堵塞的概率较高。而在排液管线堵塞时，会使得化学液槽中液体溢出导致半导体设备停机，使得产能也会随之降低的问题。此外，人工处理已堵塞的下排管线时，会有直接接触暴露出来的化学试剂的风险，增加安全隐患。

发明内容

本申请实施例通过提供一种半导体设备，解决了现有技术中下排管线堵塞导致半导体设备产能下降的问题，实现了降低下排管线堵塞的概率，有效提高产能的效果。

一方面，本申请通过本申请的一实施例提供如下技术方案：

本发明公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，

所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。

可选的，所述第一管线，用于周期性将预设体积的所述疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第一管线中。

可选的，所述多个开孔均匀分布在所述第一管线上，且所述多个开孔朝向所述第二管线的中空部分。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第一阀门，用于与所述第一管线连接，控制所述疏通剂通过所述第一阀门进入到所述第一管线中。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第二阀门，用于与所述第一管线连接，控制气体通过所述第二阀门进入到所述第一管线中。

可选的，所述半导体设备，所述第一管线和所述第二管线的材质为四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物或聚四氟乙烯。

可选的，所述半导体设备，还包括：

排放管，用于与所述第一管线相连。

可选的，所述半导体设备，所述第二管线与所述半导体设备本体中的化学液槽连通。

可选的，所述半导体设备，还包括：

第一连接头，一端与所述化学液槽连接，另一端套接在所述第二管线上。

可选的，所述半导体设备，还包括：

排液槽，设置在所述第一管线和所述第二管线的下方，且与所述第一管线和所述第二管线连通。

本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

由于第一管线设置在第二管线中，且第一管线上设置有多个开孔，以及第一管线用于将疏通剂通过多个开孔喷射到第二管线中，使得疏通剂能够与第二管线中的排放或残留液体有接触，在疏通剂与第二管线中的液体有接触的情况下，可以使得疏通剂能使得第二管线中的液体结晶产生化学或物理作用，产生化学液反应或分解融化，进而能够降低由于液体结晶而导致第二管线被堵塞的概率。而在第二管线被堵塞的概率降低的情况下，能够有效降低液体因为堵塞导致半导体设备中化学液槽液位异常的概率，如此，能够有效降低因为半导体设备化学液槽液位异常导致半导体设备停机的概率，进而能够提高产能。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例中半导体设备中化学液槽与排液管线的连接结构图；

图2为本发明实施例中排液管线的第一种结构示意图；

图3为本发明实施例中排液管线的第二种结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

实施例一

如图1和图2所示，本说明书实施例一公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体10和设置在半导体设备本体10中的排液管线，其中，排液管线包括第一管线101和第二管线102，其中，第一管线101设置在第二管线102中，且第一管线101上设置有多个开孔1011；第一管线101用于将疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中。

本说明书实施例中，半导体设备可以是晶圆刻蚀设备如湿法腐蚀机等，也可以是晶圆清洗设备如晶圆清洗机等。

具体来讲，疏通剂通常为化学清洗液和去离子水等，可以周期性将疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中，以降低第二管线102被堵塞的概率。

具体地，参见图2，可以周期性将预设体积的疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中，以通过疏通剂对第二管线102中的液体进行疏通，以降低第一管线中的液体结晶导致堵塞的概率。预设体积可以根据第二管线102中的液体流速和液体本身来确定，也可以通过人工或设备进行预设，预设体积例如可以是10毫升(ml)，20ml和30ml等，本说明书不作具体限制。当然，也可以周期性将预设质量的疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中，其中，预设质量可以根据第二管线102中的液体流速和液体本身来确定，也可以通过人工或设备进行预设，本说明书不作具体限制。

具体地，周期性是指每隔设定时间，例如可以每隔1分钟、2分钟、10分钟、15分钟和30分钟等，周期性同样可以根据第二管线102中的液体的流速和液体结晶的时间来确定，本说明书不作具体限制。

本说明书实施例中，参见图2，第一管线101设置在第二管线102的内壁上，多个开孔1011朝向第二管线102的中空部分，且多个开孔1011在第一管线101上均匀排列，以使得通过多个开孔1011喷射出的疏通剂能够与第二管线102中的液体有更大的接触面积，使得疏通剂能去除第二管线102中的液体结晶，能够进一步降低由于液体结晶而导致第二管线102被堵塞的概率。

当然，第一管线101也可以设置在不靠近第二管线102内壁的位置。

本说明书实施例中，参见图2，第一管线101和第二管线102平行，以使得多个开孔1011喷射出的疏通剂能够与第二管线102中的液体有更大的接触面积，能够进一步降低由于液体结晶而导致第二管线102被堵塞的概率。

本说明书实施例中，第一管线101和第二管线102的材质为四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物或聚四氟乙烯等，以防止疏通剂对第一管线101和第二管线102造成损伤的概率，提高第一管线101和第二管线102的使用寿命。

如图1所示，本说明书实施例中，半导体设备本体中设置有化学液槽41，第二管线102与化学液槽41连通，其中，晶圆可以放入化学液槽41中进行清洗或刻蚀。

本说明书实施例中的半导体设备还包括阀门20，其中，阀门20与第一管线101连接，控制疏通剂或气体通过第一阀门20进入到第一管线101中；如此，可以控制阀门20周期性将预设体积的疏通剂或气体通过多个开孔1011喷射到第二管线102中。

本说明书实施例中，气体可以是空气和氮气等；如此，在通过阀门20控制气体进入到第一管线101中时，可以控制气体的气压为设定气压，使得气体能够从第一管线101上的多个开孔1011喷出，进而能够有效降低多个开孔1011被堵塞的概率。

具体地，设定气压根据实际情况进行设定，以使得设定气压的气体能够将液体结晶从第一管线101上的多个开孔1011中喷出，进而能够有效降低多个开孔1011被堵塞的概率。

本说明书实施例中，如图1所示，半导体设备还包括排液槽50，设置在第一管线101和第二管线102的下方，且与第一管线101和第二管线102连通；以使得某些化学液先排放到排液槽50中进行冷却稀释等处理之后再排放，提高化学液排放的安全性能。

上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：

在本说明书实施例中，由于第一管线101设置在第二管线102中，且第一管线101上设置有多个开孔1011，以及第一管线101用于将疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中，使得疏通剂能够与第二管线102中的液体有接触，在疏通剂与第二管线102中的液体有接触的情况下，使得疏通剂能够与第二管线中的排放或残留液体有接触，在疏通剂与第二管线中的液体有接触的情况下，可以使得疏通剂能使得第二管线中的液体结晶产生化学或物理作用，产生化学液反应或分解融化，进而能够降低由于液体结晶而导致第二管线被堵塞的概率。而在第二管线被堵塞的概率降低的情况下，能够有效降低液体因为堵塞导致半导体设备中化学液槽液位异常的概率，如此，能够有效降低因为半导体设备化学液槽液位异常导致半导体设备停机的概率，进而能够提高产能。

实施例二

如图1和图3所示，本说明书实施例二公开了一种半导体设备，包括半导体设备本体10和设置在半导体设备本体中的排液管线，其中，排液管线包括第一管线101和第二管线102，其中，第一管线101设置在第二管线102中，且第一管线101上设置有多个开孔1011；第一管线101用于将疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中。

本说明书实施例二与实施例已中的半导体设备的不同之处在于，本说明书实施例中的半导体设备还包括阀门201和阀门202，其中，阀门201和阀门202均与第一管线101连接，可以并列控制疏通剂或气体通过阀门201和阀门202进入到第一管线101中；如此，可以通过阀门201和阀门202并行将预设体积的疏通剂或气体通过多个开孔1011喷射到第二管线102中。

本说明书实施例中，气体可以是空气和氮气等；如此，在通过阀门201和阀门202控制气体进入到第一管线101中时，可以控制气体的气压为设定气压，使得气体能够从第一管线101上的多个开孔1011喷出，进而能够有效降低多个开孔1011被堵塞的概率。

如图3所示，本说明书实施例中的半导体设备还包括排放管1012，用于与第一管线101相连，用于将第一管线101中的液体或气体排出。

如图3所示，本说明书实施例中的半导体设备还包括第一连接头1021，第一连接头1021一端与化学液槽41连接，另一端套接在第二管线102上；通过第一连接头1021降低化学液槽41与第二管线102的连接部分泄露液体的概率。当然，半导体设备还包括第二连接头1022，使得第一连接头1021和第二连接头1022分别套接在第二管线102的两端上。

上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：

在本说明书实施例中，由于第一管线101设置在第二管线102中，且第一管线101上设置有多个开孔1011，以及第一管线101用于将疏通剂通过多个开孔1011喷射到第二管线102中，使得疏通剂能够与第二管线102中的液体有接触，在疏通剂与第二管线102中的液体有接触的情况下，使得疏通剂能够与第二管线102中的排放或残留液体有接触，在疏通剂与第二管线102中的液体有接触的情况下，可以使得疏通剂能使得第二管线102中的液体结晶产生化学或物理作用，产生化学液反应或分解融化，进而能够降低由于液体结晶而导致第二管线102被堵塞的概率。而在第二管线102被堵塞的概率降低的情况下，能够有效降低液体因为堵塞导致半导体设备中化学液槽液位异常的概率，如此，能够有效降低因为半导体设备化学液槽液位异常导致半导体设备停机的概率，进而能够提高产能。

以及由于在第二管线102在被堵塞时，会造成化学液槽41内的液位上升，从而导致化学液槽41内的液位异常或排放异常，从而会导致半导体设备停机，使得产能下降，而本说明书实施例能够有效降低由于液体结晶而导致第二管线102被堵塞的概率；在第二管线102被堵塞的概率降低的情况下，也能有效降低半导体设备停机的概率，进而能够提高产能。

在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括半导体设备本体和设置在所述半导体设备本体中的排液管线，其中，

所述排液管线包括第一管线和第二管线，其中，所述第一管线设置在所述第二管线中，且所述第一管线上设置有多个开孔；所述第一管线用于将疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第二管线中。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一管线，用于周期性将预设体积的所述疏通剂通过所述多个开孔喷射到所述第一管线中。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述多个开孔均匀分布在所述第一管线上，且所述多个开孔朝向所述第二管线的中空部分。

4.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

第一阀门，用于与所述第一管线连接，控制所述疏通剂通过所述第一阀门进入到所述第一管线中。

5.如权利要求4所述的设备，其特征在于，还包括：

第二阀门，用于与所述第一管线连接，控制气体通过所述第二阀门进入到所述第一管线中。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第一管线和所述第二管线的材质为四氟乙烯—全氟烷氧基乙烯基醚共聚物或聚四氟乙烯。

7.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

排放管，用于与所述第一管线相连。

8.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述第二管线与所述半导体设备本体中的化学液槽连通。

9.如权利要求6所述的设备，其特征在于，还包括：

第一连接头，一端与所述化学液槽连接，另一端套接在所述第二管线上。

10.如权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：

排液槽，设置在所述第一管线和所述第二管线的下方，且与所述第一管线和所述第二管线连通。

Images