JP2018160506A - 基板処理装置およびノズル構造 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施形態に係る基板処理装置1の概略構成の一例を模式的に示すブロック図である。図2は、基板処理装置1の基板処理機構CHB1の概略構成を模式的に示す斜視図である。図2は、基板処理機構CHB1の処理槽41の内槽43に収容された噴出管70、リフタ47等を透視した図として示されている。
図3は、噴出管70の一部を拡大して示す斜視図である。図4は、噴出管70の一部の断面図である。図4では、側面断面図と正面断面図とが示されている。図5は、噴出管70のうちノズル72部分の断面斜視図である。
図10〜図13は、他の実施形態に係る噴出管70A〜70Dの構成例を示す断面図である。図10〜図13には、噴出管70A〜70Dの正面断面図と側面断面図とが示されている。基板処理装置1が噴出管70に代えて、例えば、噴出管70A〜70Dを備えてもよい。噴出管70A〜70Dは、ノズル72A〜72Dをそれぞれ備えており、処理槽41内に噴出管70と同様に配設される。また、噴出管70A〜70Dは、複数のノズルをそれぞれ備えているが、これらのノズルは、噴出管70における複数のノズル72と同様に配置される。
41 処理槽
43 内槽
45 外槽
47 リフタ
47a リフタヘッド
47b 基板支持部材
48 昇降機構
65 処理液供給源
70,70A〜70E 噴出管(ノズル構造)
72,72A〜72E ノズル(フリップフロップノズル)
73,73E 流入口
74,74C〜74E 噴出口
74a、74b 壁面
75〜78,75E 連結ダクト
75a、75b 側壁部
76a、76b 側壁部
77a、77b 側壁部
78a、78b 側壁部
75c〜78c 外周壁部
80 流路
A,B 点
CHB1 基板処理機構
W 基板
Claims (10)
- 処理液を収容し、当該処理液に浸漬された基板に処理を施す処理槽と、
処理液を供給する処理液供給源と、
前記処理槽に収容された前記基板の下方に設けられ、前記処理液供給源が供給する処理液を、その噴出方向を振動させつつ前記処理槽内に噴出するフリップフロップノズルと、
を備える、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記フリップフロップノズルは、
前記処理槽に収容された前記基板の主面と平行な面に沿って前記処理液の噴出方向を振動させる、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記フリップフロップノズルは、
前記処理液の流入口と、前記流入口に対向する噴出口と、前記流入口から流入し前記噴出口へ向かう前記処理液の流れを横切る環状の流路を形成する連結ダクトとを備え、前記流入口から前記噴出口に流れる前記処理液により生じた圧力差によって前記環状の流路を流れる前記処理液を駆動して前記噴出口から噴出する前記処理液の噴出方向を振動させ、
前記流入口から前記噴出口へ向かう前記処理液の流れを前記環状の流路が横切る方向は、前記処理槽に収容された前記基板の主面と平行である、基板処理装置。 - 請求項1から請求項3の何れか1つの請求項に記載の基板処理装置であって、
前記処理槽に収容された前記基板の下方に設けられ、前記処理液供給源が供給する前記処理液を内部に導く筒状体をさらに備え、
前記フリップフロップノズルは、
前記処理液の流入口と、前記流入口に対向する噴出口と、前記流入口から流入し前記噴出口へ向かう前記処理液の流れを横切る環状の流路を形成する連結ダクトとを備え、前記流入口から前記噴出口に流れる前記処理液により生じた圧力差によって前記環状の流路を流れる前記処理液を駆動して前記噴出口から噴出する前記処理液の噴出方向を振動させ、
前記流入口は、前記筒状体の周壁を貫通して設けられ、
前記連結ダクトは、
前記筒状体をその周方向に沿って取り囲むように前記筒状体の周壁から外側にそれぞれ立設されて、前記流入口を間に挟む環状の一対の側壁部と、前記筒状体の周壁のうち前記一対の側壁部の間の部分周壁に対向して前記一対の側壁部によって囲まれる空間を閉塞する外周壁部とを含み、
前記噴出口は、前記外周壁部のうち前記流入口に対向する部分を貫通して設けられている、基板処理装置。 - 請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記筒状体は、前記処理槽に収容された前記基板の主面を含む平面を貫通する方向に延在し、
前記連結ダクトの前記一対の側壁部および前記外周壁部と、前記筒状体の周壁とに囲まれた環状の流路は、前記基板の主面と平行である、基板処理装置。 - 請求項4または請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記連結ダクトの前記一対の側壁部および前記外周壁部と、前記筒状体の周壁とに囲まれた環状の流路の断面積は前記流入口から前記連結ダクトの周方向に沿って遠ざかるにつれて大きくなっている、基板処理装置。 - 請求項6に記載の基板処理装置であって、
前記連結ダクトの前記一対の側壁部の一方の側壁部は、前記筒状体の中心軸と交差する平面に沿って前記筒状体の周壁から立設されており、他方の側壁部は、前記一方の側壁部との間隔が前記流入口から前記連結ダクトの周方向に沿って遠ざかるにつれて拡がるように前記連結ダクトの周方向において湾曲している、基板処理装置。 - 処理液を導くための筒状体と、
前記筒状体が導く処理液を噴出するフリップフロップノズルと、
を備え、
前記フリップフロップノズルは、
前記処理液の流入口と、前記流入口に対向する噴出口と、前記流入口から流入し前記噴出口へ向かう前記処理液の流れを横切る環状の流路を形成する連結ダクトとを備え、前記流入口から前記噴出口に流れる前記処理液により生じた圧力差によって前記環状の流路を流れる前記処理液を駆動して前記噴出口から噴出する前記処理液の噴出方向を振動させ、
前記流入口は、前記筒状体の周壁を貫通して設けられ、
前記連結ダクトは、
前記筒状体をその周方向に沿って取り囲むように前記筒状体の周壁から外側にそれぞれ立設されて、前記流入口を間に挟む環状の一対の側壁部と、前記筒状体の周壁のうち前記一対の側壁部の間の部分周壁に対向して前記一対の側壁部によって囲まれる空間を閉塞する外周壁部とを含み、
前記噴出口は、前記外周壁部のうち前記流入口に対向する部分を貫通して設けられている、ノズル構造。 - 請求項8に記載のノズル構造であって、
前記連結ダクトの前記一対の側壁部および前記外周壁部と、前記筒状体の周壁とに囲まれた環状の流路の断面積は前記流入口から前記連結ダクトの周方向に沿って遠ざかるにつれて大きくなっている、ノズル構造。 - 請求項9に記載のノズル構造であって、
前記連結ダクトの前記一対の側壁部の一方の側壁部は、前記筒状体の中心軸と交差する平面に沿って前記筒状体の周壁から立設されており、他方の側壁部は、前記一方の側壁部との間隔が前記流入口から前記連結ダクトの周方向に沿って遠ざかるにつれて拡がるように前記連結ダクトの周方向において湾曲している、ノズル構造。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2539732Y2 (ja) * | 1991-01-24 | 1997-06-25 | 関西日本電気株式会社 | ウェーハ洗浄装置 |
JP2007201357A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2014076167A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 自励振動式流体噴出装置 |
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JP2539732Y2 (ja) * | 1991-01-24 | 1997-06-25 | 関西日本電気株式会社 | ウェーハ洗浄装置 |
JP2007201357A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2014076167A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Mitsubishi Electric Corp | 自励振動式流体噴出装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021141208A (ja) * | 2020-03-05 | 2021-09-16 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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