JP2014011463A - 微細気泡式処理装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 231100000957 no side effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000013618 particulate matter Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
- C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
- C23G5/04—Apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも1つの被処理部材12を液体18に浸漬する、上端が開口された収容槽28と、収容槽28における上端開口を挟んで相対向する両側部分にそれぞれ設けられた溢流受け部16と、を含む処理槽14と、収容槽28内に設けられた2つの可動式導流板20と、収容槽28内に設けられかつ液体18に浸漬され、被処理部材12の下方に配置される曝気素子24と、を備え、曝気素子24は、液体18中で直線的かつ同じ速度で上昇して被処理部材の表面を処理する、同じ大きさの複数の微細気泡を生成し、2つの可動式導流板20は、前記処理後の前記表面から分離した不純物を伴って液体18中を上向きに移動してきた前記微細気泡を、2つの溢流受け部16に流れるように誘導する。
【選択図】図2
Description
12 被処理部材
13 ホルダ
14 処理槽
16 溢流受け部
18 流体
20 可動式導流板
22 曝気素子
24 曝気槽
26 微細孔
28 収容槽
30 ダクト
32 送風機
34 空気槽
36 微細孔板
38 曝気管
51 駆動装置
52 固定部材
53 軸受作動部材
54 モータ
Claims (10)
- 少なくとも1つの被処理部材を処理する微細気泡式処理装置であって、
液体を溜め、前記少なくとも1つの被処理部材を前記液体に浸漬する、上端が開口された収容槽と、前記収容槽における上端開口を挟んで相対向する両側部分にそれぞれ設けられた溢流受け部と、を含む処理槽と、
前記収容槽内に設けられた2つの可動式導流板であって、前記各溢流受け部と前記少なくとも1つの被処理部材との間に該可動式導流板が1つずつ設けられ、該2つの可動式導流板の間に前記少なくとも1つの被処理部材が配置されるように、前記液体に浸漬される2つの可動式導流板と、
前記収容槽内に設けられかつ前記液体に浸漬され、前記少なくとも1つの被処理部材の下方に配置される曝気素子と、
を備え、
前記曝気素子は、前記液体中で直線的にかつ同じ速度で上昇して前記少なくとも1つの被処理部材の表面を処理する、同じ大きさの複数の微細気泡を生成するように構成され、
前記2つの可動式導流板は、前記処理後の前記表面から分離した不純物を伴って前記液体中を上向きに移動してきた前記微細気泡を、前記2つの溢流受け部に流れるように誘導することを特徴とする微細気泡式処理装置。 - 前記曝気素子は、曝気槽または曝気管であることを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。
- 前記曝気素子は、複数の微細孔を有し、
前記微細気泡は、前記微細孔から生成されることを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。 - 前記各微細孔の孔径は、30マイクロメートル〜100マイクロメートルであることを特徴とする、請求項3に記載の微細気泡式処理装置。
- 気流を生成する送風機と、
前記曝気素子に接続されかつ前記収容槽を通過して前記送風機に接続されて、前記気流を前記曝気素子に供給するダクトと、
をさらに備えることを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。 - 前記少なくとも1つ被処理部材は、ホルダに設置されかつ前記液体中に浸漬されることを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。
- 前記少なくとも1つ被処理部材は、金属板または半導体基板であることを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。
- 前記2つの可動式導流板を回動駆動する駆動装置をさらに備え、
前記駆動装置は、前記液体中を前記不純物と共に上向きに移動してきた前記微細気泡を、前記2つの溢流受け部に流れるように誘導するべく、前記2つの可動式導流板の回動角度を制御することを特徴とする、請求項1に記載の微細気泡式処理装置。 - 前記駆動装置は、
前記収容槽に設けられ、前記可動式導流板に接続する軸受作動部材と、
前記収容槽に設けられ、前記軸受作動部材に接続するモータと、
を含むことを特徴とする、請求項8に記載の微細気泡式処理装置。 - 前記駆動装置は、前記収容槽の側壁部の外側の面上に設けられていて、前記収容槽の側壁部を通して前記可動式導流板に接続することを特徴とする、請求項8に記載の微細気泡式処理装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101123444 | 2012-06-29 | ||
TW101123444A TW201401348A (zh) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 微氣泡式處理裝置 |
TW102204477U TWM456579U (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 機械式調整導流裝置 |
TW102204477 | 2013-03-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014011463A true JP2014011463A (ja) | 2014-01-20 |
JP6053624B2 JP6053624B2 (ja) | 2016-12-27 |
Family
ID=50040388
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013133344A Expired - Fee Related JP6053624B2 (ja) | 2012-06-29 | 2013-06-26 | 微細気泡式処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6053624B2 (ja) |
KR (1) | KR101647542B1 (ja) |
CN (1) | CN103567183B (ja) |
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- 2013-06-26 JP JP2013133344A patent/JP6053624B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-26 KR KR1020130073807A patent/KR101647542B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-27 CN CN201310263833.2A patent/CN103567183B/zh not_active Expired - Fee Related
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JP6053624B2 (ja) | 2016-12-27 |
KR101647542B1 (ko) | 2016-08-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160229 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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