JP7355566B2 - めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法に関する。

パターンが形成された基板の表面に金属をめっきするめっき装置が知られている（例えば、特許文献１）。めっき装置は前処理装置やめっき処理装置などから構成される。

前処理装置はめっき処理を行う前にパターンの内部に純水を充たす処理を行う装置である。パターンの内部に空気が残っていると、その部分はめっきされずに欠陥となるおそれがある。

また、めっき処理装置は化学反応を利用して基板の表面に金属を析出させる。金属の析出が進むにつれて基板表面近傍の金属イオンが減少する。そのため、めっき液内に金属イオンが均一に分布するよう、めっき液を攪拌する必要がある。この攪拌によってめっき液が周囲に飛散し、めっき装置の構成部材が腐食したり、めっき液が消耗したりするおそれがある。

特開２００９－１５５７２５号公報

本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の課題は、欠陥を抑制可能なめっき処理の前処理装置および前処理方法を提供することである。また、本発明の別の課題は、めっき液の飛散を抑制可能なめっき処理装置およびめっき処理方法を提供することである。また、本発明のまた別の課題は、そのような前処理装置およびめっき処理装置を有するめっき装置を提供することである。

本発明の一態様によれば、被めっき処理基板が内部に保持され、めっき液が入れられるめっき槽と、前記めっき槽内において、前記被めっき処理基板が保持される位置と対向する位置に配置されるアノード電極と、前記めっき槽から溢れためっき液を受け入れるオーバーフロー槽と、前記オーバーフロー槽から前記めっき槽にめっき液を還流させるための循環ラインと、前記循環ラインを流れるめっき液に微小気泡を発生させる微小気泡発生器と、を備えるめっき処理装置が提供される。

前記微小気泡は、直径５００μｍ以下の気泡を含むのが望ましい。

前記被めっき処理基板が保持される位置の下方に配置され、複数の貫通孔が設けられた底板を備え、前記循環ラインは、前記微小気泡を含んだめっき液を前記底板より下方から前記めっき槽に供給するのが望ましい。

前記循環ラインに設けられたポンプを備え、前記ポンプが作動することにより、前記オーバーフロー槽のめっき液が前記めっき槽に還流され、前記微小気泡発生器は、前記ポンプの下流側に設けられるのが望ましい。

前記循環ラインに設けられ、めっき液を一定温度に保つ恒温槽を備え、前記微小気泡発生器は、前記恒温槽の下流側に設けられるのが望ましい。
前記めっき槽を攪拌する攪拌器を備えるのが望ましい。

本発明の別の態様によれば、めっき処理の前処理を行う前処理装置であって、被めっき処理基板が内部に保持され、前処理液が入れられる前処理槽と、前記前処理槽から溢れた前処理液を受け入れるオーバーフロー槽と、前記オーバーフロー槽から前記前処理槽に前処理液を還流させるための循環ラインと、前記循環ラインを流れる前処理液に微小気泡を発生させる微小気泡発生器と、を備える前処理装置が提供される。

前記微小気泡は、直径５０μｍ以下の気泡を含むのが望ましい。

前記微小気泡は、前記被めっき処理基板に形成されたパターンサイズより小さい気泡を含むのが望ましい。

前記循環ラインに設けられたポンプを備え、前記ポンプが作動することにより、前記オーバーフロー槽の前処理液が前記前処理槽に還流され、前記微小気泡発生器は、前記ポンプの下流側に設けられるのが望ましい。

本発明の別の態様によれば、上記のめっき処理装置と、上記の前処理装置と、前記前処理装置で前処理された前記被めっき処理基板を前記めっき処理装置に搬送する搬送手段と、を備えるめっき装置が提供される。

本発明の別の態様によれば、めっき液が入れられためっき槽に被めっき処理基板を保持し、前記被めっき処理基板と対向する位置に配置されたアノード電極にめっき電源の正電極を接続し、前記被めっき処理基板に前記めっき電源の負電極を接続し、前記めっき槽から溢れためっき液をオーバーフロー槽で受け入れ、循環ラインを介して前記オーバーフロー槽から前記めっき槽にめっき液を還流させ、前記循環ラインを流れるめっき液に微小気泡を発生させ、前記微小気泡を含むめっき液を用いて前記被めっき処理基板をめっきするめっき処理方法が提供される。

本発明の別の態様によれば、めっき処理の前処理を行う前処理方法であって、前処理液が入れられた前処理槽に被めっき処理基板を保持し、前記前処理槽から溢れた前処理液をオーバーフロー槽で受け入れ、循環ラインを介して前記オーバーフロー槽から前記前処理槽に前処理液を還流させ、前記循環ラインを流れる前処理液に微小気泡を発生させ、前記微小気泡を含む前処理液を用いて前記被めっき処理基板を前処理する前処理方法が提供される。

めっき装置の概略構成を示す図。 基板ホルダ３および搬送機構２７を正面（メカ室１側）から見た模式図。 前処理を説明する図。 本実施形態に係る前処理装置２３の概略構成を示す図。 微小気泡を含む純水に基板Ｗが浸漬された状態を模式的に示す図。 図４の変形例である前処理装置２３’の概略構成を示す図。 本実施形態に係るめっき処理装置２４の概略構成を示す図。 図７のめっき処理装置２４をＡ方向から見た図。 図７の変形例であるめっき処理装置２４の概略構成を示す図。

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。

図１は、めっき装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、めっき装置はメカ室１およびめっき室２から構成される。

めっき装置は、メカ室１に設けられたＦＯＵＰ１１（Front Opening Unified Pod）、アライナ１２、基板着脱台１３（フィキシングステーション、）ＳＲＤ１４（Spin Rinse Drier）および搬送ロボット１５を備える。

ＦＯＵＰ１１は基板カセット（不図示）に収容された基板を格納する。アライナ１２はめっき処理前の基板に形成されたオリエンテーションフラットまたはノッチの位置を所定の方向に合わせる。基板着脱台１３は基板を基板ホルダ（図２を用いて後述）に搭載するために用いられる。ＳＲＤ１４はめっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させる。搬送ロボット１５は基板を水平方向に保持して、ＦＯＵＰ１１、アライナ１２、基板着脱台１３およびＳＲＤ１４の間で搬送する。

また、めっき装置は、めっき室２に設けられたストック槽２１、仮置き槽２２、前処理装置２３、水洗装置２５、めっき処理装置２４、ブロー装置２６および搬送機構２７を備える。

ストック槽２１は基板ホルダを収容可能であり、基板ホルダの保管および一時仮置きに用いられる。仮置き槽２２は基板を保持した基板ホルダの仮置きに用いられる。前処理装置２３は基板の表面を純水などの前処理液で濡らして親水性を良くする前処理を行う。前処理装置２３の詳細は図４を用いて後述する。めっき処理装置２４は基板をめっき処理する。めっき処理装置２４の詳細は図７～図９を用いて後述する。水洗装置２５はめっき処理された基板の表面を純水で水洗する。ブロー装置２６はめっき処理後の基板に不活性ガスを吹き付けてかけて水切りを行う。

搬送機構２７は、レール２７ａと、このレール２７ａに沿って移動可能な２つの搬送ロボット２７ｂ，２７ｃから構成される。搬送ロボット２７ｂは基板着脱台１３とストック槽２１との間で基板ホルダの搬送を行う。搬送ロボット２７ｃはストック槽２１、仮置き槽２２、前処理装置２３、水洗装置２５、めっき処理装置２４およびブロー装置２６の間で基板ホルダを搬送する。

図２は、基板ホルダ３および搬送機構２７を正面（メカ室１側）から見た模式図である。同図では、搬送ロボット２７ｂのみを描いているが、搬送ロボット２７ｃも同様の構成とすることができる。図示のように、基板ホルダ３は基板Ｗの被めっき面が露出するよう、基板Ｗを鉛直方向に保持する。そして、搬送ロボット２７ｂは基板Ｗを保持した基板ホルダ３を吊り下げ把持してレール２７ａに沿って紙面と垂直な方向に移動する。

搬送ロボット２７ｂは、鉛直方向に延びておりレール２７ａに沿って移動可能なボディ２７ｄ、このボディ２７ｄに沿って上下動自在でかつ軸心を中心に回転自在なアーム２７ｅ、アーム２７ｅに基板ホルダ３を着脱自在に保持する２つの基板ホルダ保持部２７ｆなどから構成される。

図１に示すめっき装置は次のように動作する。複数の被めっき処理基板が被めっき面を上にした状態で基板カセットに収容され、この基板カセットがＦＯＵＰ１１に搭載されている。また、搬送ロボット１５はストック槽２１内に鉛直姿勢で保管されていた基板ホルダ３を取出し、これを９０度回転させて水平状態にして基板着脱台１３に２個並列に載置しておく。

そして、搬送ロボット１５は、ＦＯＵＰ１１に搭載された基板カセットから基板Ｗを１枚取出し、アライナ１２に載せる。アライナ１２は基板Ｗのオリエンテーションフラットやノッチの位置を所定の方向に合わせる。次いで、搬送ロボット１５は位置合わせされた基板Ｗを、基板ホルダ３が載置された基板着脱台１３に搬送する。これにより、基板Ｗは基板ホルダ３に保持される。

さらに、搬送ロボット２７ｂは、基板Ｗを保持した基板ホルダ３を把持し、上昇させ、仮置き槽２２の上方まで搬送する。そして、搬送ロボット２７ｂは基板ホルダ３を９０度回転させて鉛直状態にした後、基板ホルダ３を下降させて仮置き槽２２に仮置きする。以上を順次繰り返して、基板ホルダ３に順次基板Ｗを装着し、仮置き槽２２の所定の位置に順次仮置きする。

搬送ロボット２７ｃは、基板Ｗを保持して仮置き槽２２に仮置きされた基板ホルダ３を２基同時に把持し、上昇させた後、前処理装置２３の上方まで搬送する。そして、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を下降させ、基板ホルダ３に保持された基板Ｗを前処理装置２３内の前処理液に浸漬させる。そして、前処理装置２３は基板Ｗに前処理を行う。前処理が終わると、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を上昇させる。

次に、搬送ロボット２７ｃは、基板ホルダ３をめっき処理装置２４の上方まで搬送する。そして、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を下降させ、基板ホルダ３に保持された基板Ｗをめっき処理装置２４内のめっき液に浸漬させる。そして、めっき処理装置２４は基板Ｗにめっき処理を行う。めっき処理が終わると、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を上昇させる。

次に、搬送ロボット２７ｃは、基板ホルダ３を水洗装置２５の上方まで搬送する。そして、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を下降させ、基板ホルダ３に保持された基板Ｗを水洗装置２５内の純水に浸漬させる。そして、水洗装置２５は基板Ｗを水洗する。水洗が終わると、搬送ロボット２７ｃは基板ホルダ３を上昇させる。

次に、搬送ロボット２７ｃは、基板ホルダ３をブロー装置２６まで搬送する。ブロー装置２６は不活性ガスを基板Ｗに向けて吹き付けて、基板Ｗおよび基板ホルダ３に付着しためっき液や水滴を除去する。

そして、搬送ロボット２７ｃは基板Ｗを保持した基板ホルダ３を仮置き槽２２の所定の位置に戻して仮置きする。搬送ロボット２７ｃは以上の動作を順次繰り返し、めっきが終了した基板Ｗを保持した基板ホルダ３を順次仮置き槽２２の所定の位置に戻す。

その後、搬送ロボット２７ｂは、めっき処理が終わって仮置き槽２２に仮置きされた基板ホルダ３を２基同時に把持し、基板着脱台１３上に載置する。そして、搬送ロボット１５は基板着脱台１３上に載置された基板ホルダ３から基板Ｗを取出し、ＳＲＤ１４に搬送する。ＳＲＤ１４は表面を上向きにして水平に保持された基板Ｗを高速回転させてスピン乾燥させる。次いで、搬送ロボット１５は乾燥後の基板ＷをＦＯＵＰ１１に格納された基板カセットに戻す。以上により、一連のめっき処理を完了する。

続いて、前処理について詳しく説明する。

図３は、前処理を説明する図である。被めっき面である基板Ｗの表面にパターン４１が形成され、凹凸がある。このパターン４１内（凹部）に前処理液（以下、純水とする）４２を充たすのが前処理である。パターン４１内に空気が残っていると、その部分にめっき液が浸透せず、めっきされずに欠陥となるおそれがあるためである。通常の純水４２の場合、表面張力が働くため、パターン４１内に純水が十分に充填されないことがある。

図４は、本実施形態に係る前処理装置２３の概略構成を示す図である。前処理装置２３は、前処理槽５１と、オーバーフロー槽５２と、循環ライン５３と、ポンプ５４と、微小気泡発生ノズル５５（微小気泡発生器）と、底板５６とを有する。同図では、基板ホルダ３に保持された基板Ｗが前処理槽５１内に保持された状態を示している。

前処理槽５１は上方が開口しており、内部に純水５１ａを収容する。後述するように、この純水５１ａは微小気泡を含んでいる。基板ホルダ３によって鉛直方向に保持された基板Ｗが前処理槽５１の内部で保持されることにより、基板Ｗの被めっき面の全体が純水５１ａに浸漬される。

オーバーフロー槽５２は前処理槽５１に隣接して配置され、１つの側面が前処理槽５１と共有されてもよい。オーバーフロー槽５２は前処理槽５１から溢れた純水５１ａを受け入れる。

循環ライン５３はオーバーフロー槽５２と前処理槽５１とを接続し、純水を循環させる。具体的には、循環ライン５３は、その一端がオーバーフロー槽５２の底面に接続され、他端が前処理槽５１の底面に接続される。循環ライン５３に設けられたポンプ５４が作動することにより、オーバーフロー槽５２内の純水が前処理槽５１に還流される。

本実施形態の１つの特徴として、循環ライン５３に微小気泡発生ノズル５５が設けられる。微小気泡発生ノズル５５は、例えば不活性ガス溶存液を旋回させて機械的に微小気泡を発生させる構造であってもよいし、流路にオリフィスが設けられ、不活性ガス溶存液がそのオリフィスを通過する際の圧力開放にて微小気泡が発生する構造のものであってもよい。具体的には、窒素ガスやアルゴンガスなど、基板Ｗおよび基板Ｗ表面に形成された金属と反応しない不活性ガスを微小気泡発生ノズル５５に供給することで、循環ライン５３を流れる純水に微小気泡を発生させる。したがって、微小気泡を含んだ純水が前処理槽５１に供給される。このように、循環ライン５３のうち、微小気泡発生ノズル５５から下流側は微小気泡供給ライン５３ａとして機能する。

ここでの微小気泡は直径がナノ～マイクロサイズの気泡であり、具体的には直径の分布ピークが１０μｍ～１，０００μｍであるのが望ましく、少なくとも直径５０μｍ以下の気泡を含むの望ましい。より具体的には、微小気泡を含む純水がパターンに入るためには、微小気泡のサイズはパターンサイズ（凹部の幅）より小さい。通常の（微小気泡より大きな）気泡は上昇して破裂するが、微小気泡は液中で縮小してやがて消滅する性質を有する。このような性質を有する気泡を微小気泡と呼ぶこともできる。

なお、微小気泡がポンプ５４に悪影響を与えることがある。特に、モータを使用したポンプ５４を使用する場合、ポンプ５４が微小気泡を巻き込むとポンプ５４の性能が出なかったり、キャビテーションによりポンプ５４が破損したりするなどの悪影響が発生する可能性がある。このような悪影響を抑えるべく、ポンプ５４より下流側に微小気泡発生ノズル５５を配置するのが望ましい。

底板５６は、前処理槽５１内において、基板Ｗが保持される位置の下方、例えば前処理槽５１の底部に配置される。底板５６には複数の貫通孔が形成されている。微小気泡供給ライン５３ａから供給される微小気泡を含んだ純水は、底板５６の貫通孔を通過することによって、微小気泡が分散されて均一になって、前処理槽５１の全体に行き渡る。なお、純水はそれほど粘性が高くないので、底板５６を設けなくてもよいが、微小気泡の分散効果を向上させるためには底板５６を設けるのが望ましい。

図５は、微小気泡を含む純水４３に基板Ｗが浸漬された状態を模式的に示す図である。上述したように、微小気泡を含まない通常の純水の場合、純水の表面張力によりパターン内部（凹部）には純水が充填されないことがある。これに対し、本実施形態では、微小気泡が界面活性剤の役割を果たすため純水４３の表面張力が低減する。そのため、純水４３の浸透性が増し、パターン内部にまで微小気泡を含む純水４３が充填される（図５（ａ），（ｂ））。その後、純水４３に含まれる微小気泡は時間の経過により消滅する。その結果、パターン内部には気泡がほとんど残っていない純水４３’が充填される（図５（ｃ））。

以上のようにして、パターン内部に純水を充たすことができる。

このように、本実施形態によれば、微小気泡を含む純水を用いて前処理を行うため、基板Ｗの表面に形成されたパターンの内部に空気を含まない純水を充たすことができる。よって、その後のめっき処理で欠陥が発生するのを抑制できる。また、この手法によれば、循環ライン５３上に脱気モジュールを設けなくてもよいし、前処理槽５１に水中シャワーを設けなくてもよい（もちろん、設けてもよい）。脱気モジュールや水中シャワーを省略することにより、前処理装置２３を簡略化できる。

図６は、図４の変形例である前処理装置２３’の概略構成を示す図である。図示のように、基板Ｗを水平方向に保持して水洗を行ってもよい。なお、図６における図４と共通する部材に共通する符号を付している。

続いて、めっき処理について詳しく説明する。

図７は、本実施形態に係るめっき処理装置２４の概略構成を示す図である。図８は、図７のめっき処理装置２４をＡ方向から見た図である。めっき処理装置２４は、めっき槽６１と、アノード電極６２と、中間マスク６３と、パドル６４（攪拌部材）とを有する。図７および図８では、基板ホルダ３に保持された基板Ｗがめっき槽６１内に保持された状態を示している。

めっき槽６１は上方が開口しており、内部にめっき液６１ａを収容する。以下、一例として、銅めっきを行う場合を想定する。この場合、めっき液６１ａとして硫酸銅を適用でき、より具体的には銅イオン、硫酸などの支持電解質、塩素などのハロゲンイオンを含む液体とすることができる。後述するように、このめっき液６１ａは微小気泡を含んでいる。基板ホルダ３によって鉛直方向に保持された基板Ｗがめっき槽６１の内部で保持されることにより、基板Ｗの被めっき面の全体がめっき液６１ａに浸漬される。

アノード電極６２は、めっき槽６１内において、基板Ｗが保持される位置と対向する位置に鉛直方向に保持される。アノード電極６２は金属製であり、例えば銅製である。

中間マスク６３は、めっき槽６１内において、基板Ｗが保持される位置とアノード電極６２との間に鉛直方向に設けられる。中間マスク６３には基板Ｗの形状に沿った円形の開口が形成されており、アノード電極６２－基板Ｗ間の電位分布を調整する。

パドル６４は、めっき槽６１内において、基板Ｗが保持される位置と中間マスク６３との間に鉛直方向に設けられる。パドル６４は基板Ｗと平行（図７においては紙面と垂直な方向、図８においては紙面の左右方向）に往復運動してめっき液６１ａを攪拌する。めっき処理が進むと基板Ｗの近傍の銅イオンが減少するため、銅イオンの分布を均一化すべく、パドル６４がめっき液６１ａを攪拌する。

以上のようなめっき処理装置２４において、基板Ｗがめっき液６１ａに浸漬された状態で、めっき電源（不図示）の正極をアノード電極６２に接続し、負極を基板Ｗに接続する。これにより、めっき液６１ａ中で電気化学反応が起こり、基板Ｗの表面に銅イオンが析出し、めっきされる。

また、めっき処理装置２４は、オーバーフロー槽６５と、循環ライン６６と、ポンプ６７と、恒温槽６８と、微小気泡発生ノズル６９（微小気泡発生器）と、底板６Ａとを有する。

オーバーフロー槽６５はめっき槽６１に隣接して配置され、１つの側面がめっき槽６１と共有されてもよい。オーバーフロー槽６５はめっき槽６１から溢れためっき液６１ａを受け入れる。

循環ライン６６はオーバーフロー槽６５とめっき槽６１とを接続し、めっき液を循環させる。具体的には、循環ライン６６は、その一端がオーバーフロー槽６５の底面に接続され、他端がめっき槽６１の底面に接続される。循環ライン６６に設けられたポンプ６７が作動することにより、オーバーフロー槽６５内のめっき液がめっき槽６１に還流される。恒温槽６８も循環ライン６６に設けられ、めっき液の温度が一定になるよう調節する。

本実施形態の１つの特徴として、循環ライン６６に微小気泡発生ノズル６９が設けられる。微小気泡発生ノズル６９は、例えば不活性ガス溶存液を旋回させて機械的に微小気泡を発生させる構造であってもよいし、流路にオリフィスが設けられ、不活性ガス溶存液がそのオリフィスを通過する際の圧力開放にて微小気泡が発生する構造のものであってもよい。具体的には、窒素ガスやアルゴンガスなど、基板Ｗ、基板Ｗ表面に形成された金属およびめっき液とも反応しない不活性ガスを微小気泡発生ノズル６９に供給することで、循環ライン６６を流れるめっき液に微小気泡を発生させる。したがって、微小気泡を含んだめっき液がめっき槽６１に供給される。このように、循環ライン６６のうち、微小気泡発生ノズル６９から下流側は微小気泡供給ライン６６ａとして機能する。

ここでの微小気泡は直径がナノ～マイクロサイズの気泡であり、具体的には直径の分布ピークが１０μｍ～１，０００μｍであるのが望ましく、少なくとも直径５００μｍ以下の気泡を含むの望ましく、直径５０μｍ以下の気泡を含むのがさらに望ましい。微小気泡にはミリサイズの気泡ができるだけ含まれないのが望ましい。また、さらに、気泡の数は１ｍＬ当たり２００個以上であるのが望ましい。微小気泡は液中で縮小してやがて消滅する性質を有するので、このような性質を有する気泡を微小気泡と呼ぶこともできる。

なお、上述したように、微小気泡がポンプ６７に悪影響を与えるのを抑えるべく、ポンプ６７より下流側に微小気泡発生ノズル６９を配置するのが望ましい。また、微小気泡が恒温槽６８による温度調節機能を低下させることがある。例えば、恒温槽６８の内部配管を液体で満たす必要があるが、内部配管に微小気泡が存在して液体で満たされない場合、異常加熱で内部配管が破損して漏水が発生したり、恒温性能が低下したりすることがある。このような悪影響を抑えるべく、恒温槽６８より下流側に微小気泡発生ノズル６９を配置するのが望ましい。

底板６Ａは、めっき槽６１内において、基板Ｗが保持される位置の下方、例えばめっき槽６１の底部に配置される。底板６Ａには複数の貫通孔が形成されている。微小気泡供給ライン６６ａから供給される微小気泡を含んだめっき液は、底板６Ａの貫通孔を通過することによって、微小気泡が分散されて均一になった状態でめっき槽６１の全体に行き渡る。

なお、微小気泡供給ライン６６ａとめっき槽６１との接続点は、図７に示すようにめっき槽６１の底面でもよいし、図９の変形例に示すように底板６Ａより下側であるめっき槽６１の側面であってもよい。また、複数の微小気泡供給ライン６６ａを設け、複数個所から微小気泡を含むめっき液をめっき槽６１に供給してもよい。この場合、微小気泡供給ライン６６ａごとに微小気泡発生ノズル６９を配置してもよいし、１つの微小気泡発生ノズル６９の下流で複数の微小気泡供給ライン６６ａに分岐してもよい。

図８に示すように、パドル６４が基板Ｗと平行に往復運動することでめっき液６１ａが攪拌され、微小気泡も激しく揺動する。めっき液６１ａ中で微小気泡が揺動することにより、単にパドル６４が平行に往復運動するのに比べ、より大きな攪拌効果が得られる。これにより、パドル６４の運動が低速であっても微小気泡がめっき槽６１の全体に行き渡ってめっき液６１ａ中で上昇するので、パドル６４の近傍のみならず、めっき槽６１の全体が攪拌される。結果として、効率よくめっき処理を行うことができる。なお、微小気泡が十分にめっき槽６１に分散するのであれば、パドル６４を省略してもよい。パドル６４を低速にできる、あるいは、省略することにより、めっき液６１ａがめっき槽６１の周囲に飛散するのを抑制できる。

また、めっき処理時の化学反応による発熱、およびポンプ駆動部での発熱が伝熱して、めっき液の温度が上昇する傾向があるが、この熱を微小気泡が受け、めっき槽６１上部の気相へ拡散していくことにより、放熱される。このように、微小気泡には放熱効果があるため、恒温槽６８の出力を小さくすることができる。微小気泡で十分に放熱されるのであれば、恒温槽６８を省略することもできる。

なお、微小気泡はミリサイズの気泡を含まないのが望ましい。ミリサイズの気泡は短時間の間に水面まで上昇をしてしまい、めっき槽６１内での滞留時間が短く、均一性が良くないためである。また、ミリサイズの気泡がパドル６４によって打ち砕かれ、めっき槽６１の液面ではじけることで、めっき槽６１の周囲に飛散しかねないためである。

このように、本実施形態によれば、微小気泡を含むめっき液６１ａを用いるため、微小気泡によってめっき槽６１内のめっき液が攪拌される。そのため、パドル６４を高速動作させる必要がなくなり、めっき液６１ａが周囲に飛散するのを抑制できる。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

１ メカ室
１１ ＦＯＵＰ
１２ アライナ
１３ 基板着脱台
１４ ＳＲＤ
１５ 搬送ロボット
２ めっき室
２１ ストック槽
２２ 仮置き槽
２３ 前処理槽
２４ めっき処理槽
２５ 水洗槽
２６ ブロー槽
２７ 搬送機構
２７ａ レール
２７ｂ，２７ｃ 搬送ロボット
２７ｄ ボディ
２７ｅ アーム
２７ｆ 基板ホルダ保持部
３ 基板ホルダ
４１ パターン
４２，４３ 純水
５１ 前処理槽
５２ オーバーフロー槽
５３ 循環ライン
５３ａ 微小気泡供給ライン
５４ ポンプ
５５ 微小気泡発生ノズル
６１ めっき槽
６２ アノード電極
６３ 中間マスク
６４ パドル
６５ オーバーフロー槽
６６ 循環ライン
６７ ポンプ
６８ 恒温槽
６９ 微小気泡発生ノズル
６Ａ 底板

Claims (9)

1. 被めっき処理基板が内部に保持され、めっき液が入れられるめっき槽と、
   前記めっき槽内において、前記被めっき処理基板が保持される位置と対向する位置に配置されるアノード電極と、
   前記めっき槽から溢れためっき液を受け入れるオーバーフロー槽と、
   前記オーバーフロー槽から前記めっき槽にめっき液を還流させるための循環ラインと、
   前記循環ラインを流れるめっき液に微小気泡を発生させる微小気泡発生器と、
   前記被めっき処理基板が保持される位置の下方かつ前記アノード電極の下方まで延びており、複数の貫通孔が設けられた平板状の底板と、を備え、
   前記循環ラインは、前記微小気泡を含んだめっき液を前記底板より下方から前記めっき槽に供給する、めっき処理装置。
2. 前記微小気泡は、直径５００μｍ以下の気泡を含む、請求項１に記載のめっき処理装置。
3. 前記循環ラインに設けられたポンプを備え、
   前記ポンプが作動することにより、前記オーバーフロー槽のめっき液が前記めっき槽に還流され、
   前記微小気泡発生器は、前記ポンプの下流側に設けられる、請求項１または２に記載のめっき処理装置。
4. 前記循環ラインに設けられ、めっき液を一定温度に保つ恒温槽を備え、
   前記微小気泡発生器は、前記恒温槽の下流側に設けられる、請求項１または２に記載のめっき処理装置。
5. 前記めっき槽を攪拌する攪拌器を備える、請求項１乃至４のいずれかに記載のめっき処理装置。
6. 前記アノード電極は、その第１面が前記被めっき処理基板が保持される位置と対向し、前記第１面と反対側の第２面が前記めっき槽の内面と対向し、
   前記アノード電極の下方まで延びている底床が、前記循環ラインからの微小気泡を前記アノード電極の第２面と前記めっき槽の内面との間に行き渡らせる、請求項１乃至５のいずれかに記載のめっき処理装置。
7. めっき処理の前処理を行う前処理装置と、
   請求項１乃至６のいずれかに記載のめっき処理装置と、
   前記前処理槽で前処理された前記被めっき処理基板を前記めっき処理槽に搬送する搬送手段と、を備えるめっき装置。
8. めっき液が入れられためっき槽に被めっき処理基板を保持し、
   前記被めっき処理基板と対向する位置に配置されたアノード電極にめっき電源の正電極を接続し、前記被めっき処理基板に前記めっき電源の負電極を接続し、
   前記めっき槽から溢れためっき液をオーバーフロー槽で受け入れ、
   循環ラインを介して前記オーバーフロー槽から前記めっき槽にめっき液を還流させ、
   前記循環ラインを流れるめっき液に微小気泡を発生させ、
   前記めっき槽には、前記被めっき処理基板が保持される位置の下方かつ前記アノード電極の下方まで延びており、複数の貫通孔が設けられた平板状の底板が配置されており、前記循環ラインは、前記微小気泡を含んだめっき液を前記底板より下方から前記めっき槽に還流させ、
   前記微小気泡を含むめっき液を用いて前記被めっき処理基板をめっきするめっき処理方法。
9. 前記アノード電極は、その第１面が前記被めっき処理基板が保持される位置と対向し、前記第１面と反対側の第２面が前記めっき槽の内面と対向し、
   前記アノード電極の下方まで延びている底床が、前記循環ラインからの微小気泡を前記アノード電極の第２面と前記めっき槽の内面との間に行き渡らせる、請求項８に記載のめっき処理方法。