JP2006117966A - めっき装置及びめっき方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき液槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるめっき装置及びめっき方法を提供すること。
【解決手段】めっき液Qを保持するめっき液槽11の内部に基板ホルダ14に保持され配置された基板Wとアノード電極15を配置し、基板Wの被めっき面にめっき液を噴射する単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズル16を設置し、該めっき液噴射ノズル16を基板Wに対して平行に往復動させるように構成した。
【選択図】図2
【解決手段】めっき液Qを保持するめっき液槽11の内部に基板ホルダ14に保持され配置された基板Wとアノード電極15を配置し、基板Wの被めっき面にめっき液を噴射する単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズル16を設置し、該めっき液噴射ノズル16を基板Wに対して平行に往復動させるように構成した。
【選択図】図2
Description
本発明は、例えば半導体ウエハ等の基板の被めっき面にめっきを施すめっき装置及びめっき方法に関し、特に半導体ウエハの表面に設けられた微細な配線溝やホール、レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウエハの表面にパッケージの電極等の電気的レジスト開口部にめっき膜を形成したり、半導体ウエハの表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ(突起状電極)を形成したりするのに好適なめっき装置及びめっき方法に関するものである。
例えば、TAB(Tape Automated Bonding)やフリップチップにおいては、配線が形成された半導体チップの表面の所定箇所(電極)に金属、銅、はんだ、或いはニッケル、更にはこれら多層に積層した突起状接続電極(バンプ)を形成し、
このバンプを介してパッケージの電極やTAB電極と電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、電解めっき法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法があるが、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
このバンプを介してパッケージの電極やTAB電極と電気的に接続することが広く行われている。このバンプの形成方法としては、電解めっき法、印刷法、ボールバンプ法といった種々の手法があるが、半導体チップのI/O数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
この電解めっき法には、半導体ウエハ等の基板の被めっき面を下向き(フェースダウン)にして水平に置き、めっき液を下から噴き上げてめっきを施す噴流式又はカップ式と、めっき槽の中に基板を垂直に立て、めっき液をめっき槽の下から注入しオーバフローさせつつめっきを施すディップ式に大別される。ディップ方式を採用した電解めっき法は、めっきの品質に悪影響を与える泡の抜けが良く、フットプリントが小さいという利点を有しており、このため、めっき穴の寸法が比較的大きく、めっきにかなりの時間を要するバンプめっきに適していると考えられる。
図1は、上記ディップ方式を採用した従来の電解めっき装置の一例を示す。この電解めっき装置200は、内部にめっき液201を収容するめっき液槽202と、該めっき液槽202の溢流堰203の上端をオーバフローしためっき液を収容するオーバフロー槽204を備えている。めっき液槽202のめっき液201中に基板ホルダ205に保持された基板Wとアノード電極(陽極電極)206とを垂直に浸漬させて所定の間隔をおいて互い対向させて配置し、該基板Wとアノード電極206の間にパドル(掻き混ぜ棒)207を垂直に配置している。該パドル207はパドルシャフト208に複数取りつけられ、該パドルシャフト208を介して基板Wと平行に往復動させてめっき槽202内のめっき液を攪拌できるようになっている。
めっき液201は、めっき液槽202を満たした後、溢流堰203をオーバフローしてオーバフロー槽204に流れ込み、該オーバフロー槽204から吐出され、循環ライン212に設けられた循環ポンプ209、恒温ユニット210、フィルタ211を通って再びめっき液槽202内にその底部から流入し、循環するようになっている。基板Wとアノード206の間にはめっき電源213が接続され直流電圧を印加し、アノード電極206から基板Wにめっき電流が流れることにより、基板Wの表面にめっき膜が形成される。また、均一なめっき膜を形成するため、パドル207で基板Wとアノード電極206間のめっき液を攪拌している。
特開2004−162129号公報
上記のように、従来のディップ方式のめっき装置では、めっき処理中、パドル207を基板Wに対して平行に往復動させて基板Wとアノード電極206間のめっき液を攪拌し、均一なめっき膜が形成されるようにしているが、上述のようにめっき液201をめっき液槽202の底部から供給して、溢流堰203の上端からオーバフローさせるようにしているため、このめっき液201の流れに強い影響を受けためっき膜が形成され、基板Wの表面に形成されるめっき膜の内面均一性にも一定の限界があるのが現状である。このように、めっき液の流れに強い影響を受けためっき膜が形成され、めっき膜の面内均一性にも一定の限界があるのは、無電解めっき装置においても同様である。
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、気泡の抜けが良いディップ方式を採用し、しかもめっき槽内のめっき液の流れを調節して、めっき膜の膜厚の面内均一性をより高めることができるめっき装置及びめっき方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため請求項1に記載の発明は、めっき液を保持するめっき槽の内部に配置された被めっき材の被めっき面にめっき液を噴射する単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズルを設置したことを特徴とするめっき装置にある。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のめっき装置において、前記めっき液噴射ノズルは複数個であり、該複数個のめっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に対向して並べて配置したことを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載のめっき装置において、前記めっき液噴射ノズルを前記被めっき材の被めっき面に平行に移動させるめっき液噴射ノズル移動手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記スリット状のめっき液噴出口のスリット幅は0.05〜1.0mmとし、一つのスリット状噴射口から噴射されるめっき液流量を制御できる流量制御手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項5に記載の発明は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記めっき液噴射ノズルのめっき液噴出口先端のめっき液噴射流速が5乃至20m/sであることを特徴とする。
また、請求項6に記載の発明は、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記スリット状のめっき液噴出口から噴射されるめっき液の流量及び/又はノズル内圧力をモニターするモニター手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項7に記載の発明は、請求項1乃至6に記載のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記スリット状のめっき液噴出口から噴射されるめっき液の流量を検出する流量センサ及び/又はノズル内圧力を検出するセンサを設け、該センサの検出信号を前記めっき液噴射ノズルにめっき液を供給するめっき液供給手段にフィードバックしてめっき液の流量を調節するめっき液流量調節手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項8に記載の発明は、請求項1乃至7のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記スリット状のめっき液噴出口先端と被めっき材との距離は、1〜30mmであることを特徴とする。
また、請求項9に記載の発明は、請求項1乃至8のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記噴射ノズルは被めっき材とアノード電極の間に存在することを特徴とする。
また、請求項10に記載の発明は、請求項1乃至9のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記めっき液噴射ノズル内にアノード電極を配置したことを特徴とする。
また、請求項11に記載の発明は、請求項1乃至10のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記めっき液噴射ノズルを2つ以上備え、めっき液の流れコンダクタンスを考慮した流量を振分ける流量振分手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項12に記載の発明は、請求項1乃至11のいずれか1項に記載のめっき装置において、前記めっき槽から吐出されためっき液はポンプにより、管を介して前記めっき液噴射ノズルに送られ循環するようになっており、前記管は可撓性材からなり前記めっき液噴射ノズルの移動に追従可能に構成されていることを特徴とする。
また、請求項13に記載の発明は、めっき液を保持するめっき槽の内部に配置された被めっき材の被めっき面に対向して単一のスリット状のめっき噴射出口又は複数の直列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズルを配置し、該めっき液噴射ノズルの噴射口からめっき液を噴射すると共に、該めっき液噴射ノズルを前記被めっき材の被めっき面に対して平行に移動させながら前記被めっき材の被めっき面にめっきを行うことを特徴とするめっき方法にある。
請求項1に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルの単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口から高流速のめっき液を被めっき材の被めっき面に向かって噴射しながらめっきできるので、被めっき面に均一な膜厚のめっき膜を形成できるめっき装置を提供できる。
請求項2に記載の発明によれば、複数個のめっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に対向して並べて配置したので、被めっき面に更に均一な膜厚のめっき膜を形成できるめっき装置を提供できる。
請求項3に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に平行に移動させながらめっきできるので、被めっき面に更に均一な膜厚のめっき膜を形成することができる。
請求項4に記載の発明によれば、めっき液噴出口のスリット幅は0.05〜1.0mmとすることにより、めっき液噴出口から厚さ0.05〜1.0mmの薄い帯状の高流速のめっき液を、被めっき材の被めっき面に向かって噴射でき、被めっき面に均一な膜厚のめっき膜を形成できる。
請求項5に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルのめっき液噴出口先端のめっき液噴射流速が5乃至20m/sとすることにより、被めっき面に均一な膜厚のめっき膜を形成できる。
請求項6に記載の発明によれば、モニター手段でめっき液噴出口から噴射されるめっき液の流量及び/又はノズル内圧力をモニターしながらめっき処理を行うことができ、状況に応じてめっき液の流量やノズル内圧力を調節して、めっきを行うことができる。
請求項7に記載の発明によれば、スリット状の噴射口から噴射されるめっき液の流量を検出する流量センサ及び/又はノズル内圧力を検出するセンサを設け、センサの検出信号をめっき液供給手段にフィードバックしてめっき液の流量を調節するめっき液流量調節手段を備えたので、めっき処理状況に応じてめっき液の流量を調節して最適なめっきを行うことができる。
請求項8に記載の発明によれば、めっき液噴出口先端と被めっき材との距離を1〜30mmとすることにより、めっき液噴出口から噴射されめっき液が乱れることなく容易に被めっき材の被めっき面に到達でき、均一な膜厚のめっき膜を形成できる。
請求項9に記載の発明によれば、噴射ノズルは被めっき材とアノード電極の間に存在するので、被めっき材の被めっき面に均一な膜厚の電解めっき膜を形成できる。
請求項10に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズル内にアノード電極を配置したので、めっき槽内に被めっき材に対向して別途アノード電極を設けることなく、装置構成が簡単で且つ小型化ができる。
請求項11に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルを2つ以上備え、めっき液の流れコンダクタンスを考慮した流量を振分ける流量振分手段を備えたので、各めっき液噴射ノズルのめっき噴射出口から噴出するめっき液流量をめっき処理状況に応じて調節して最適なめっきを行うことができる。
また、請求項12に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルにめっき液を供給する管を可撓性材からなる管とするので簡単な構成でめっき液噴射ノズルの移動に追従しながらめっき液を供給できる。
請求項13に記載の発明によれば、めっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に対して平行に移動させながら該めっき液噴射ノズルの単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口から高流速のめっき液を被めっき材の被めっき面に向かって噴射しながらめっきできるので、被めっき面に均一な膜厚のめっき膜を形成できるめっき方法を提供できる。
以下、本発明の実施の形態例を図面に基いて説明する。図2及び図3は本発明に係るめっき装置の構成例を示す図で、図2は縦断面図、図3はめっき槽の基板ホルダとアノード電極の配置状態を示す平面図である。本めっき装置10は、電解めっき装置で内部にめっき液Qを収容するめっき液槽11と、該めっき液槽11の溢流堰12の上端をオーバフローしためっき液Qを収容するオーバフロー槽13を備えている。めっき液槽11のめっき液Qに基板ホルダ14に保持された基板Wとアノード電極(陽極電極)15とを垂直に浸漬させて所定の間隔をおいて互い対向させて配置し、該基板Wとアノード電極15の間に後詳述する構造のめっき液Qを噴射するめっき液噴射ノズル16を垂直に配置している。めっき液噴射ノズル16の先端と基板Wの表面との距離は1〜30mmとする。
めっき液噴射ノズル16は複数個(ここでは2個)であり、その上端部がシャフト17に所定の間隔で固定されている。シャフト17の下面には、ラック18が設けられ、該ラック18に歯合するピニオン19をモータ20で正逆転することにより、シャフト17は矢印A方向に往復動し、めっき液噴射ノズル16も同じ方向に往復動する。めっき液噴射ノズル16は図4に示すように長尺でその断面が1辺に凸状部16bが形成された略矩形状で、その中央部に長さ方向に沿ってめっき液供給穴16aが形成されている。また、凸状部16bの頂部にめっき液供給穴16aに連通するスリット状のめっき液噴出口16cが複数個直列に配列されて形成されている。めっき液供給穴16aにめっき液を所定の圧力で供給することにより、めっき液噴出口16cからその形状に相当する帯状(平板状)のめっき液が噴出される。図4(a)は平面図、図4(b)は正面図、図4(c)はB−B断面図である。
各めっき液噴射ノズル16にはマニホールド21から分岐する管22が接続され、該マニホールド21にはフレキシブル管23を介して流量・圧力計24が接続され、該流量・圧力計24にはポンプ25の吐出し口が配管26を介して接続され、該ポンプ25の吸込み口は配管26を介してオーバフロー槽13のめっき液排出口に接続されている。ポンプ25によりオーバフロー槽13に排出されためっき液Qを配管26、流量・圧力計24、フレキシブル管23、マニホールド21及び管22を通して各めっき液噴射ノズル16に供給することにより、めっき液噴射ノズル16のスリット状のめっき液噴出口16cからめっきq1、q2、q3・・が基板Wに向かって噴射される。めっき液Qはめっき液槽11内を満たした後、溢流堰12の上端をオーバフローしてオーバフロー槽13に流れ込む。
基板ホルダ14に保持された基板Wとアノード電極15の間には直流のめっき電源27が接続され、該めっき電源27から基板Wとアノード電極15間に所定の直流電圧を印加することにより、アノード電極15から基板Wにめっき電流が流れ、基板Wの表面にめっき膜が形成される。この基板Wのめっき処理に際し、各めっき液噴射ノズル16がとり付けられたシャフト17は、ラック18、ピニオン19及びモータ20で構成されるノズル移動機構により、基板Wに対して平行に所定のストロークで往復動させてめっき液を基板Wの表面に向けて噴射する。これにより、各めっき液噴射ノズル16は基板Wの被めっき面にめっき液を均一に供給する機能と、該めっき液槽11内にめっき液Qを供給する機能を奏する。
めっき液噴射ノズル16のめっき液噴出口16cから噴出するめっき液q1、q2、q3・・の噴出速度は、ポンプ25からマニホールド21に供給されるめっき液Qの流量と圧力によって決定される。従って、流量・圧力計24により検出された流量・圧力をポンプ25にフィードバックすることにより、めっき液噴射ノズル16のめっき液噴出口16cから噴出されるめっき液q1、q2、q3・・の噴出速度及び流量を制御できる。マニホールド21はめっき液Qの流れコンダクタンスを考慮した各めっき液噴射ノズル16にめっき液流量を振分ける。
フレキシブル管23の長さは、シャフト17、即ちめっき液噴射ノズル16が所定のストロークで往復動するのに支障がなく、スムーズに追従できる長さとする。なお、上記例ではシャフト17を往復動させるノズル移動機構としてラック18とピニオン19の組合せを用いたが、ノズル移動機構はこれに限定されるものではなく、ラックとウォームとからなるノズル移動機構、リニアスライダからなる駆動機構等、シャフト17を所定のストロークで往復動できる駆動機構であればよい。
めっき液噴射ノズル16は図4に示すように、スリット状の複数のめっき液噴出口16cを直列に配置したものに限定されるものではなく、図5に示すように、単一の長いスリット状のめっき液噴出口16dを設けた構成でもよい。なお、図5(a)は平面図、図5(b)は正面図である。スリット状のめっき液噴出口16c、16dのスリット幅寸法は0.05〜1.0mmとする。また、めっき液噴射ノズル16の断面形状を図4、図5でき略矩形形状としたが、これに限定されるものではなく、直立に配列されたスリット状のめっき液噴出口、又は単一のスリット状のめっき液噴出口を有し、該めっき液噴出口から帯状(平板状)のめっき液を噴射できる構成であれば、断面形状は特に限定されない。
また、流量・圧力計24により検出されためっき液の流量や圧力からめっき液圧力から各噴射ノズル16のめっき液噴出口16c、16dから噴射されるめっき液の流量や各液噴射ノズル16内の圧力を算出し、噴射されるめっき液の流量とノズル内圧力、又はめっき液流量のみ、又はノズル内圧力のみをモニターするモニタ装置(図示せず)を設けることにより、めっき液の噴射流量やノズル圧力を常時監視し、めっき処理を最適の状態に維持調節することができる。
上記構成のめっき装置において、下記の条件で、開口(ホール)の径100μm−開口の深さ50〜200μmの開口が形成され、全面Cuシード膜(レジストなし)の基板Wにめっき処理を行った結果、開口をボイドなく埋め込むことができた。これに対して従来のめっき装置では、全面にCuシード膜が形成された基板の該Cuシード膜の上にある開口の径10μm−深さ50μmのホールに対して、めっき電源から電流密度のDC5mA/cm2の電流を流してめっきを行い開口の埋め込みを行うと、開口底部にボイドが生じていた。
〔ノズル設置条件〕
・めっき液噴射ノズル16の本数:2本
・めっき液噴射ノズル16と16の間隔:100mm
・めっき液噴射ノズル16の往復動回数:30rpm
・めっき液噴射ノズル16の先端と基板W間の距離:10mm
・スリット状めっき液噴出口先端でのめっき液の流速:10m/s
・めっき液噴射ノズル16の本数:2本
・めっき液噴射ノズル16と16の間隔:100mm
・めっき液噴射ノズル16の往復動回数:30rpm
・めっき液噴射ノズル16の先端と基板W間の距離:10mm
・スリット状めっき液噴出口先端でのめっき液の流速:10m/s
〔めっき液組成条件〕
・無機成分:CuSO4
・5H2O=150−250g/L
・H2SO4=5−100g/L
・Cl=30−60ppm、
・有機成分:ポリマー:PPG500ppm
・キャリアー:SPS5ppm
・レベラー:ポリエチレンイミン1ppm
・無機成分:CuSO4
・5H2O=150−250g/L
・H2SO4=5−100g/L
・Cl=30−60ppm、
・有機成分:ポリマー:PPG500ppm
・キャリアー:SPS5ppm
・レベラー:ポリエチレンイミン1ppm
〔めっき電流密度−めっき時間〕
・めっき電流密度:DC5mA/cm2
・めっき時間:1−10時間
・めっき電流密度:DC5mA/cm2
・めっき時間:1−10時間
図6は本発明に係るめっき装置に用いるめっき液噴射ノズルの他の構成例を示す図である。図6(a)は平面図、図6(b)は正面図、図6(c)はC−C断面図である。図示するように、本めっき液噴射ノズル16は、めっき液供給穴16aに連通する単一のスリット状のめっき液噴出口16dを設けた点は、図5に示すめっき液噴射ノズル16と同じ構成であるが、ここではめっき液供給穴16aの中央部に棒状のアノード電極28を設けている。これにより、めっき液噴射ノズル16とアノード電極は一体となり、めっき液槽11内に図2に示すように基板Wに対向してアノード電極15を配置する必要がなくなる。めっき液噴射ノズル16を基板Wに対して平行に移動させるとアノード電極28も同時に移動する。なお、図示は省略するが、図4に示すようにスリット状のめっき液噴出口16cを複数設けた構成のめっき液噴射ノズル16のめっき液供給穴16aに棒状のアノード電極28を設けた構成としてもよい。
図7は図6に示すめっき液噴射ノズル16を用いるめっき装置のめっき液槽11内の概略構成、即ち基板Wとめっき液噴射ノズル平面配置を示す図である。めっき液槽11のめっき液Q内に基板ホルダ14に保持された基板Wを互いに所定の間隔を設けて配置する。そして該対向して配置された基板Wと基板Wの間の領域にスプロケット29、30に支持され、基板Wと基板Wに沿って平行に回転移動するノズル支持帯31を具備するノズル移動駆動機構を配置している。このノズル移動駆動機構32のノズル支持帯31に所定の間隔で図6に示す構成のめっき液噴射ノズル16をとり付けている。このようにめっき液槽11(図示を省略)内のめっき液Q中に基板Wと基板Wを所定の間隔で浸漬配置し、該基板Wと基板Wに対向して複数のめっき液噴射ノズル16からめっき液qを噴射させながら、ノズル支持帯31を移動させることにより、基板Wと基板Wの表面に膜厚の均一なめっき膜を形成できる。
なお、ノズル移動駆動機構のノズル支持帯31は同一方向に回転させるのではなく、所定の移動距離(ストローク)で往復動するようにスプロケット29、30を正転逆転させることにより、各めっき液噴射ノズル16へめっき液の供給する手段をフレキシブル管のめっき液供給管で対応できることと、更にアノード電極28へのめっき電源の供給もフレキシブル給電ケーブルで対応できることになり、装置構成が簡単となる。
図8は図2及び図3に示す構成のめっき装置を備えた基板処理装置の平面配置構成を示す図である。この基板処理装置は、ロード・アンロード部40、各一対の洗浄・乾燥処理部41、第1基板ステージ42、ベベルエッチ・薬液洗浄部43及び第2基板ステージ44、基板Wを180°反転させる機能を有する水洗部45及び4基のめっき処理部(めっき装置)46を有している。更に、ロード・アンロード部40、洗浄・乾燥処理部41及び第1基板ステージ42の間で基板Wを受け渡しを行う第1搬送装置48と、第1基板ステージ42、ベベルエッチ・薬液洗浄部43及び第2基板ステージ44の間で基板Wの受渡しを行う第2搬送装置49、第2基板ステージ44、水洗部45及びめっき処理部46の間で基板Wの受渡しを行う第3搬送装置50が備えられている。
基板処理装置の内部は、仕切り壁51によってめっき空間53と清浄空間52に仕切られ、これらの各めっき空間53と清浄空間52はそれぞれ独自に排気できるようになっている。そこで仕切り壁51には、開閉自在なシャッタ(図示せず)が設けられている。また、清浄空間52の圧力は、大気圧より低く、かつめっき空間53の圧力より高くしてあり、これにより、清浄空間52の空気がめっき装置の外部に流出することなく、且つめっき空間53内の空気が清浄空間52内に流入することがないようになっている。
図9は、上記基板処理装置内の気流の流れを示す図である。清浄空間52においては、配管54により新鮮な外部空気が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィルタ55を通して清浄空間52内に押込まれ、天井56aよりダウンフローのクリーンエアとして洗浄・乾燥処理部41及びベベルエッチ・薬液洗浄部43の周囲に供給される。供給されるクリーンエアの大部分は、床56bから循環配管57を通って天井56a側に戻され、再び高性能フィルタ55を通してファンにより清浄空間52内に押込まれて清浄空間52内を循環する。一部の気流は洗浄・乾燥処理部41及びベベルエッチ・薬液洗浄部43内から配管58により外部に排気される。これにより、清浄空間52内は大気圧より低い圧力に設定される。
水洗部45及びめっき処理部46が存在するめっき空間53は、清浄空間ではない(汚染ゾーン)といいながらも、基板W表面にパーティクルが付着することは許されない。このため、配管59から取込まれ高性能フィルタ60を通して天井61a側からファンによりめっき空間53内に押込まれたダウンフローのクリーンエアを流すことにより、基板Wにパーティクルが付着することを防止している。しかしながら、ダウンフローを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存すると、膨大な給排気が必要になる。このため、めっき空間53内の清浄空間52より低い圧力に保つ程度にダクト62より外部排気を行い、ダウンフローの大部分の気流を床61bから延びる循環配管63を通して循環気流でまかなうようにしている。
これにより、循環配管63から天井61a側に戻ったエアは、再びファンにより押込まれ高性能フィルタ60を通ってめっき空間53内にクリーンなエアとして供給されて循環する。ここで、水洗部45、めっき処理部46、第3搬送装置50及びめっき液調整タンク64からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記ダクト62を通って外部に排出されて、めっき空間53内は、清浄空間52より低い圧力に設定される。従って、シャッタ(図示せず)を開放すると、これらのエリア間の空気の流れは、ロード・アンロード部40、清浄空間52及びめっき空間53の順に流れる。また、排気は、ダクト62及び58を通して、外部に排気される。
次に、前述のように構成しためっき装置と電解エッチング装置を備えた配線形成装置の平面配置図を図10に示す。この配線形成装置は、各一対のロード・アンロード部70、洗浄・乾燥処理部71、仮置き部72、めっき処理部(電解めっき装置)73、水洗部74及びエッチング処理部75を有し、更にロード・アンロード部70、洗浄・乾燥処理部71及び仮置き部72との間で基板Wの受渡しを行う第1搬送機構76と、仮置き部72、めっき処理部73、水洗部74及びエッチング処理部75との間で基板Wの受渡しを行う第2搬送機構77が備えられている。めっき処理部73に図2及び図3に示す構成のめっき装置10を配置する。
この配線形成装置における配線形成処理を、図10及び図11を参照して説明する。先ず表面にシード層を形成した基板Wをロード・アンロード部70から第1搬送機構76で1枚ずつ取出し、仮置き部72を経由してめっき処理部73に搬入する(ステップST1)。
次に、このめっき処理部73でめっき処理を行って、図12に示すように、基板Wの表面に銅層7を形成する(ステップST2)。この時、大穴の存在に伴う銅層7の凹み7aの軽減を第1優先に考え、めっき液として、レベルリング性の優れたもの、例えば硫酸銅の濃度が高く、硫酸の濃度が低いレベルリング性の優れた組成、例えば、硫酸100〜300g/L、硫酸10〜100g/Lの組成を有し、レベリング性を向上させる添加剤、例えばポリアルキレンイミン、4級アンモニウム塩、カチオン染料などを含有したものを使用する。ここで、レベリング性とは、穴中ボトムアップ成長に優れた性質を意味する。
このように、レベリング性の優れためっき液を使用して基板Wの表面にめっきを施すことで、図12に示すように、大穴内でのボトムアップ成長が促進され、平坦部における銅層7の膜厚t1より、大穴部における銅層7の膜厚t2の方が厚くなる。これによって、薄いめっき膜厚t1で大穴を埋めることが可能になる。そして、必要に応じて、このめっき処理後の基板Wを水洗部74に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Wをエッチング処理部75に搬送する(ステップST3)。
次に、このエッチング処理部75で基板Wの表面(被めっき面)に電解エッチング処理を施して、基板Wの表面に形成された銅層7のエッチングを行う(ステップST4)。この時、エッチング液として、エッチング促進剤として機能する添加剤、例えばピロリン酸、エチレンジアミン、アミノカルボン酸、EDTA、DTPA、イミノ二酢酸、TETA、NTAなどやエッチング抑制剤として機能する添加剤、例えば4級アンモニウム塩、ポリマーなどの銅の錯体化合物、有機錯体又はその誘導体、或いはチオ尿素又はその誘導体などのような銅腐蝕電位を卑にする添加剤を含有したものを使用する。なお、ベース浴としては、硫酸、塩酸、硫酸過水、フッ酸過水などの酸や、アンモニア過水などのアルカリを使用してもよいが、それらに限定されるものではない。
これにより、銅層7の盛り上がり部を選択的にエッチングして、銅層7の平坦性を向上させることができる。これによってもその後のCMP加工において、CMPレートを上げることなく、従って、ディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができる。次に、必要に応じて、このエッチング処理後の基板Wを水洗部74に搬送して水洗し、しかる後、水洗後の基板Wを洗浄・乾燥処理部71に搬送する(ステップST5)。そして、この洗浄・乾燥処理部71で基板Wの洗浄・乾燥処理を行い(ステップST6)、しかる後、この基板Wを第1搬送機構76でロード・アンロード部70のカセットに戻す(ステップST7)。
なお、めっき処理とエッチング処理を数回繰返して、1回のめっき処理毎に銅膜(銅層7)の盛り上がり部の選択的なエッチングを行うことで、銅膜の平坦度を更に向上させることできる。また、この例では、めっき処理とエッチング処理を1つの配線形成装置内で連続的に行うようにしているが、それぞれ独立した装置で個別に行うようにしてもよい。
また、電解めっき装置及び電解エッチング装置として、同一の構成で、異なる電解液を使用するとともに、基板Wと電極(アノード電極又はカソード電極)との間に印加する電圧の極性が異なるようにしたものを使用しているが、例えば電解めっき装置として使用しても基板Wとアノード電極15(図2参照)の間に印加する電圧の極性を変えることで、つまり、基板Wがアノード電極となり、アノード電極15がカソードとなるように制御して、電解めっき装置が電解エッチング装置を兼ねるようにしてもよい。
図13は上記電解めっき装置を使用した半導体製造装置の全体構成を示す平面図である。本半導体製造装置は、全体が長方形をなす床上のスペースの一端側に第1の研磨ユニット80aと第2の研磨ユニット80bが左右に対向して配置され、他端側にそれぞれ半導体ウエハ等の基板Wを収納する基板カセット81a、81bを載置するロード・アンロード部82が配置されている。そして、研磨ユニット80a、80bとロード・アンロード部82を結ぶ線上に2台の搬送ロボット83a、83bが配置されている。
更に搬送ラインに沿った一方側には、銅埋め込み用の第1のめっきユニット(電解めっき装置)84、反転機を備えた銅膜厚検査ユニット85及び反転機を備えた前処理ユニット86が配置され、他方側には、リンス・乾燥装置87、保護膜形成用の第2のめっきユニット(無電解めっき装置)88及びロールスポンジを備えた洗浄ユニット89が配置されている。研磨ユニット80a、80bの搬送ライン側には、基板Wを研磨ユニット80a、80bとの間で授受する上下動自在なプッシャ90、90が設けられている。
上記半導体製造による半導体装置の配線形成例を、図14を参照しながら説明する。図14(a)に示すように、半導体素子を形成する半導体基板1上の導電層1aの上に、例えばSiO2からなる絶縁膜2を堆積し、この絶縁膜2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール3と配線用の溝4を形成し、その上にTaもしくはTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっきの給電層としてシード層6をスパッタリング等により形成した基板Wを用意する。
上記表面にシード層6を形成した基板Wを基板カセット81a、81bから搬送ロボット83aで1枚ずつ取出し、第1のめっきユニット84に搬入する。そして、この第1のめっきユニット84で、図14(b)に示すように、基板Wの表面に銅層7を堆積させて、溝4に銅の埋め込みを行う。銅層は、まず基板Wの表面の親水処理を行い、その後、銅めっきを行って形成する。この時、前述のように、めっきユニット84を、極性を変えることで電解エッチング装置として使用して、銅層7の表面にエッチングを施すようにしてもよい。銅層7の形成後、同めっきユニット84でリンス若しくは洗浄を行う。時間に余裕があれば、乾燥してもよい。
そして、この銅を埋め込んだ基板Wを銅膜厚検査ユニット85に搬送し、ここで銅層7の膜厚を測定し、必要に応じて、反転機で基板Wを反転させた後、搬送ロボット83bにより研磨ユニット80a又は80bのプッシャ90上に移送する。
研磨ユニット80a又は80bでは、基板Wの研磨面を研磨テーブルに押圧しつつ、砥液を供給して研磨を行う。そして、例えば、基板Wの仕上がりを検査するモニタで終点(エンドポイント)を検知した時に、研磨を終了し、この研磨終了した基板Wを再度プッシャ90上に戻し、一旦純水スプレーで洗浄する。次に、搬送ロボット83bにより洗浄ユニット89に搬送して、例えばロールスポンジで基板Wを洗浄する。これにより図14(c)に示すように、絶縁膜2の内部にシード層6と銅層7からなる配線を形成する。
次に、この基板Wを前処理ユニット86に搬送し、ここで、例えばPd触媒の付与や、露出表面の酸化膜の除去等の前処理を行って、洗浄ユニット89に搬送し、この洗浄ユニット89で無電解めっき処理を施す。これによって、図14(c)に示すように、研磨後の露出した表面に、例えば無電解Co−W−Pめっきを施して、配線8の外部に露出表面に、Co−W−P合金膜からなる保護膜(めっき膜)9を選択的に形成して配線8を保護する。この保護膜9の膜厚は0.5〜500nm、好ましくは1〜200nm、更に好ましくは10〜100nm程度である。
次に、図15は図2及び図3に示すめっき液槽11を使用してバンプを形成するようにした基板処理装置を示す平面図である。本基板処理装置には、半導体ウエハ等の基板Wを収納するカセット100を搭載する2台のカセットテーブル101と、基板Wのオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ102と、めっき処理後の基板を高速回転させて乾燥させるスピンドライヤ103の同一円周方向に沿って備えられている。更に、この円周の接線方向に沿った位置には、基板ホルダ104を載置して基板Wの該基板ホルダ104との着脱を行う基板着脱部105が設けられ、この中心位置には、これらの間で基板Wを搬送する搬送用ロボットからなる基板搬送装置106が配置されている。
そして、基板着脱部105側から順に、基板ホルダ104の保管及び一時仮置きを行うストッカ107、基板Wを純水に浸漬させて濡らすことで表面の親水性を良くするプリウェット槽108、基板Wの表面に形成したシート層表面の電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの薬液でエッチング除去するプリソーク槽109、基板Wの表面を純水で洗浄する第1の洗浄槽110a、洗浄後の基板Wの水切りを行うブロー槽111、第2の洗浄槽110b及びめっきユニット112が順に配置されている。このめっきユニット112は、オーバーフロー槽113の内部に、前述の図2に示すめっき装置10のめっき液槽11を具備する複数のめっき装置を収納して構成され、各めっき液槽11は、内部に基板ホルダに保持された1個の基板Wを収納してめっきを施すようになっている。なお、この例では、銅めっきについて説明するがニッケルやはんだ、更には金めっきにおいても同様であることは勿論である。
更に、これらの各機器の側方に位置して、これらの各機器の間で基板ホルダ104を基板とともに搬送する基板ホルダ搬送装置(基板搬送装置)114が備えられている。この基板ホルダ搬送装置114は、基板着脱部105とストッカ107との間で基板Wを搬送する第1のトランスポータ115と、ストッカ107と、プリウエット槽108、洗浄槽110a、110b、ブロー槽111及びめっきユニット112との間で基板Wを搬送する第2のトランスポータ116を有している。この例では、第1のトランスポータ115は洗浄槽110aまで移動可能で、第2のトランスポータ116との分担(移動)範囲を変えることができるようになっている。なお、第2のトランスポータ116を備えることなく、第1のトランスポータ115のみを備えるようにしてもよい。
また、この基板ホルダ搬送装置114のオーバフロー槽113を挟んだ反対側には、各めっき液槽11の内部に位置してめっき液q1、q2、q3、・・を噴射すると共に基板ホルダ14に保持された基板Wに対して平行に移動するめっき液噴射ノズル16(図2、図3参照)を駆動するめっき液噴射ノズル駆動装置117が配置されている。
前記基板着脱部105は、レール118に沿って横方向にスライド自在な平板状の載置プレート119を備えており、この載置プレート119に2個の基板ホルダ104を水平状態で並列に載置して、この一方の基板ホルダ104と基板搬送装置106との間で基板Wの受渡しを行った後、載置プレート119を横方向に向かってスライドさせて、他方の基板ホルダ104と基板搬送装置106との間で基板Wの受渡しを行うようになっている。
上記のように構成した基板処理装置による一連のバンプめっき処理を説明する。先ず図16(a)に示すように、表面に給電層としてのシード層120を成膜し、このシード層120の表面に、例えば高さHが20〜120μmのレジスト121を全面に塗布した後、このレジスト121の所定の位置に、例えば直径Dが20〜200μm程度の開口部121aを設けた基板Wをその表面(被めっき処理面)を上にした状態でカセット100に収容し、このカセット100をカセットテーブル101に搭載する。このカセットテーブル101に搭載したカセット100から、基板搬送装置106で基板Wを1枚取出し、アライナ102に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ102で方向を合わせた基板Wを基板搬送装置106で基板着脱部105まで搬送する。
基板着脱部105においては、ストッカ107内に収用されていた基板ホルダ104を基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ115の把持機構(図示せず)で2基同時に把持し上昇させた後、基板着脱部105まで搬送し、90°回転させて基板ホルダ104を水平な状態とする。しかる後、2基の基板ホルダ104を下降させ、基板着脱部105の載置プレート119の上に同時に載置する。この時、シリンダ(図示せず)を作動させて基板ホルダ104を開いた状態にしておく。この状態で、中央側に位置する基板ホルダ104に基板搬送装置106で搬送した基板Wを挿入し基板ホルダ104を閉じて基板Wを装着し、次に、載置プレート119を横方向にスライドさせ、同様にして、他方の基板ホルダ104に基板Wを装着し、しかる後に、載置プレート119を元に戻す。
次に、基板Wを装着した基板ホルダ104を基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ115の把持機構で2基同時に把持し、上昇させた後、ストッカ107まで搬送し、90°回転させて基板ホルダ104を垂直な状態とし、しかる後、下降させ、これによって、2基の基板ホルダ104をストッカ107に吊下げ保持(仮置き)する。これらの基板着脱部105及び基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ115においては、前記作業を順次繰り返して、ストッカ107内に収容された基板ホルダ104に順次基板Wを装着し、ストッカ107の所定の位置に順次吊り下げ保持(仮置き)する。
一方、基板ホルダ搬送装置114の他方のトランスポータ116にあっては、基板Wを装着したストッカ107に仮置きした基板ホルダ104をこの把持機構(図示せず)で2基同時に把持し、上昇させた後、プリウェット槽108まで搬送し、しかる後、下降させ、これによって、2基の基板ホルダ104をプリウェット槽108内に入れた、例えば純水に浸漬させて基板Wの表面を濡らして表面の親水性を良くする。なお、基板の表面を濡らして穴の中の空気を水に置換して親水性をよくできるものであれば、純水に限らないことは勿論である。
次に、この基板を装着した基板ホルダ104を、前記と同様にして、プリソーク槽109に搬送し、プリソーク槽109に入れた硫酸や塩酸などの薬液に基板Wを浸漬させてシード層120の表面の電気抵抗の大きい酸化膜をエッチングし、清浄な金属面を露出させる。更に、この基板Wを装着した基板ホルダ104を、前記と同様にして洗浄槽110aに搬送し、この洗浄槽110aに収容されている純水で基板Wの表面を水洗する。
水洗が終了した基板Wを装着した基板ホルダ104を、前記と同様にしてめっきユニット112に搬送し、めっき液槽11に吊下げ保持する。基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ116は、上記作業を順次繰り返し行って、基板Wを装着した基板ホルダ104を順次めっきユニット112のめっき液槽11に搬送して所定の位置に吊下げ保持する。この時、めっき液槽11の内部は、めっき液Qで満たされているが、基板ホルダ104の吊り下げ保持が完了した後にめっき液を満たすようにしてもよい。
全ての基板ホルダ104の吊下げ保持が完了した後、アノード電極15と基板W(図2及び図3参照)との間にめっき電圧を印加するとともに、めっき液噴射ノズル駆動装置117により、めっき液噴射ノズル16を基板Wの表面と平行に往復移動させ、同時にめっき液噴射ノズル16から基板Wに向けてめっき液q1、q2、q3、・・を噴射して(図2参照)、基板Wの表面にめっきを施す。この時、基板ホルダ104はめっき液槽11の上部で吊り下げられ固定され、めっき電源27からシード層120(図16参照)に給電される。
めっきが終了した後、めっき電源の印加、めっき液の供給及びめっき液噴射ノズル16の往復動を停止し、めっき後の基板Wを装着した基板ホルダ104を基板ホルダ搬送装置114の把持機構で2基同時に把持してめっきユニット112のめっき液槽11から引き上げ停止させる。
そして、前述と同様にして、基板ホルダ104を洗浄槽110bまで搬送し、この洗浄槽110bに入れて純水に浸漬させて基板Wの表面を純水洗浄する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ104を、前記と同様にして、ブロー槽111に搬入し、ここで、エアーの吹き付けによって基板ホルダ104に付着した水滴を除去する。しかる後、この基板を装着した基板ホルダ104を、前記と同様にして、ストッカ107の所定の位置に戻して吊下げ保持する。基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ116は上記作業を順次繰り返し、めっき処理の終了した基板Wを装着した基板ホルダ104を順次ストッカ107の所定の位置に戻して吊下げ保持する。
一方、基板ホルダ搬送装置114の他方のトランスポータ115にあっては、めっき処理後の基板Wを装着しストッカ107に戻した基板ホルダ104をこの把持機構で2基同時に把持し、前記と同様にして、基板着脱部105の載置プレート119の上に載置する。そして、中央側に位置する基板ホルダ104を開き、基板ホルダ104内のめっき処理後の基板を基板搬送装置106で取出して、スピンドライヤ103に運び、リンス後、このスピンドライヤ103の回転速度によってスピンドライ(水切り)した基板Wを基板搬送装置106でカセット100に戻す。そして、一方の基板ホルダ104に装着した基板カセット100に戻した後、或いはこれと並行して、載置プレート119の横方向にスライドさせて、同様にして、他方の基板ホルダ104に装着した基板をリンスしスピンドライしてカセット100に戻す。
載置プレート119を元の状態に戻した後、基板Wを取出した基板ホルダ104を基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ115の把持機構で2基同時に把持し、前記と同様にして、これをストッカ107の所定の場所に戻す。しかる後、めっき処理後の基板を装着しストッカ107に戻した基板ホルダ104を基板ホルダ搬送装置114のトランスポータ115の把持機構で2基同時に把持し、前記と同様にして基板着脱部105の載置プレート119の上に載置して、前記と同様の作業を繰り返す。
そして、めっき処理後の基板を装着しストッカ107に戻した基板ホルダ104から全ての基板を取出し、スピンドライしてカセット100に戻して作業を完了する。これにより、図16(b)に示すように、レジスト121に設けた開口部121a内にめっき膜122を成長させた基板Wが得られる。
そして、前述のようにスピンドライした基板Wを、例えば温度が50〜60℃のアセトン等の溶剤に浸漬させて、図16(c)に示すように、基板W上のレジスト121を剥離除去し、更に図16(d)に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層120を除去する。次に、この基板Wに形成しためっき膜122をリフローさせることで、図16(c)に示すように、基板W上のレジスト121を剥離除去し、更に図16(d)に示すように、めっき後の外部に露出する不要となったシード層120を除去する。次に、この基板Wに形成しためっき膜122をリフローさせることで、図16(e)に示すように、表面張力で丸くなったバンプ123を形成する。更に、この基板Wを、例えば、100℃以上の温度でアニールし、バンプ123内の残留応力を除去する。
図17は、バンプ等を形成する他の基板処理装置の平面配置図を示す。図17に示すように、この基板処理装置には、半導体ウエハ等の基板を収納したカセットを搭載する2台のカセット台130と、基板Wのオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ131と、めっき処理後の基板Wをリンスし高速回転させて乾燥させるリンスドライヤ132が備えられている。そして、2台のカセット台130とアライナ131及びリンスドライヤ132との間に、これらの間で基板Wの受渡しを行う走行自在な第1搬送ロボット133が配置されている。この第1搬送ロボット133は、例えば真空吸着、又は落とし込みタイプのハンドを備え、基板Wを水平状態で受渡すようになっていてる。
更に、この例では、合計4台のめっきユニット134が直列に配置されて備えられている。これらのめっきユニット134は、互いに隣接した位置に配置されたためめっき槽135及び水洗槽136とを有しており、このめっき槽135及び水洗槽136の上方に、鉛直状態で基板Wを着脱自在に保持する基板ホルダ137が、上下動機構部138を介して上下動自在で、かつ左右駆動機構部144を介して左右動自在に配置されている。そして、これらのめっきユニット134の前面側に位置して、アライナ131、リンスドライヤ132と各めっきユニット134の基板ホルダ137との間で基板Wの受渡しを行う走行自在な第2搬送ロボット139が配置されている。この第2搬送ロボット139は、例えばメカチャック方式で基板Wを保持し、基板Wを水平状態と鉛直状態の間で90°反転させる反転機構140を有するハンドを備え、アライナ131、リンスドライヤ132との間では、基板Wを水平状態にして、基板ホルダ137との間では、基板を鉛直状態にして、基板Wを受渡すようになっている。
各めっき槽135の内部には、めっき槽135内の所定位置に基板ホルダ137で保持した基板Wを配置した時に、この基板Wの表面と対向する位置に位置して、アノード電極141が配置されている。更に、基板Wとアノード電極141との間に位置して、めっき液噴射ノズル駆動装置142の駆動に伴って、基板Wに対してシャフト145に取付けられためっき液噴射ノズル143を平行に往復動し、該めっき液噴射ノズルから基板Wに対してめっき液を噴射する。ここで、めっき槽135、アノード電極141、めっき液噴射ノズル143を備えためっき装置に、図2及び図3に示す構成のめっき装置を用いる。
次に、このように構成した基板処理装置による一連のめっき処理を、バンプ処理を例にして説明する。先ず図16(a)に示すように、表面に給電層としてのシード層120を成膜し、このシード層120の表面に、例えば厚さHが20〜120μmのレジスト121を全面に塗布した後、このレジスト121の所定位置に、例えば直径Dが20〜200μm程度の開口部121aを設けた基板Wをその表面(被めっき処理面)を上にした状態でカセットに収容し、このカセットをカセット台130に搭載する。
そして、このカセット台130に搭載したカセットから、第1搬送ロボット133で基板Wを1枚取出し、アライナ131に載せてオリフラやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。このアライナ131で方向を合わせて基板Wを第2搬送ロボット139でアライナ131から取出し、反転機構140を介して、基板Wを水平状態から鉛直状態に90°反転させ、この反転させた基板Wをいずれか1つのめっきユニット134の基板ホルダ137に受渡す。
なお、この例にあっては、基板Wを受渡しを、水洗槽136の上方で行う。つまり、上下動機構部138により上昇させ、左右動機構部144により水洗槽136側に位置させておいた基板ホルダ137で、第2搬送ロボット139から基板Wを受け取って鉛直状態で保持する。
基板Wを鉛直状態で保持した基板ホルダ137を左右動機構部144により、めっき槽135側に移動させる。一方、めっき槽135にあっては、この内部にめっき液を満たしておく。この状態で、上下動機構部138を介して、基板Wを保持した基板ホルダ137を下降させて、この基板ホルダ137で保持した基板Wをめっき槽135内にめっき液中に浸漬させ、アノード電極141と基板Wとの間にめっき電圧を印加すると共に、めっき液噴射ノズル駆動装置142によりめっき液噴射ノズル143を基板Wの表面に対して平行に往復動させ、同時にめっき液噴射ノズル143から基板Wに向けめっき液を噴射することで、基板Wの表面にめっきを施す。めっきが終了した後、めっき電圧の印加、めっき液の噴射及び液噴射ノズル143の往復運動を停止し、めっき後の基板Wを保持した基板ホルダ137を、上下動機構部138を介して上昇させ、めっき槽135から引上げる。
このめっき処理後、基板Wを鉛直状態に保持した基板ホルダ137を左右動機構部144により、水洗槽136側に移動させる。そして、上下動機構部138を介して、基板Wを保持した基板ホルダ137を水洗槽136の内部まで一旦下降させ、これを引き上げながら噴射ノズル(図示せず)から基板ホルダ137に向けて純水を噴射するか、又は水洗槽136の内部に純水を満たしておき、この純水内に基板Wを保持した基板ホルダ137を入れた後、水洗槽136内の純水を急速に引き抜くことで、基板Wや基板ホルダ137に付着しためっき液を純水で洗い流す。なお、両者の組合せてもよいことは勿論である。
そして、第2搬送ロボット139は、水洗槽136の上方で、この洗浄後の基板Wを基板ホルダ137から鉛直状態で受け取り、この受取った基板Wを鉛直状態から水平状態に90°反転させ、この反転後の基板Wをリンスドライヤ132に搬送して載置する。このリンスドライヤ132でリンス及び高速回転によるスピンドライ(水切り)を行った基板Wをカセット台130に搭載したカセットに戻して作業を完了する。これにより、図16(b)のように、レジスト121に設けた開口部121a内にめっき膜122を成長させた基板Wが得られる。
なお、上記例では図2及び図3に電解めっき装置で、微細な配線溝やホール、レジスト開口部にめっき膜を形成してバンプ(突起状電極)を形成する例を説明したが、めっき液槽11内に図7に示すように、基板ホルダ14に保持された基板Wを対向して配置し、該基板Wに対向してノズル支持帯31に取付けた複数個のめっき液噴射ノズル16を対向して配置して構成した電解めっき装置を用いることもできる。
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。
1 半導体基板
2 絶縁膜
3 コンタクトホール
4 溝
5 バリア層
6 シード層
7 銅層
8 配線
9 保護膜
10 めっき装置
11 めっき液槽
12 溢流堰
13 オーバフロー槽
14 基板ホルダ
15 アノード電極(陽極電極)
16 めっき液噴射ノズル
17 シャフト
18 ラック
19 ピニオン
20 モータ
21 マニホールド
22 管
23 フレキシブル管
24 流量・圧力計
25 ポンプ
26 配管
27 めっき電源
28 アノード電極
29 スプロケット
30 スプロケット
31 ノズル支持帯
32 ノズル移動駆動機構
2 絶縁膜
3 コンタクトホール
4 溝
5 バリア層
6 シード層
7 銅層
8 配線
9 保護膜
10 めっき装置
11 めっき液槽
12 溢流堰
13 オーバフロー槽
14 基板ホルダ
15 アノード電極(陽極電極)
16 めっき液噴射ノズル
17 シャフト
18 ラック
19 ピニオン
20 モータ
21 マニホールド
22 管
23 フレキシブル管
24 流量・圧力計
25 ポンプ
26 配管
27 めっき電源
28 アノード電極
29 スプロケット
30 スプロケット
31 ノズル支持帯
32 ノズル移動駆動機構
Claims (13)
- めっき液を保持するめっき槽の内部に配置された被めっき材の被めっき面にめっき液を噴射する単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列に配列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズルを設置したことを特徴とするめっき装置。
- 請求項1に記載のめっき装置において、
前記めっき液噴射ノズルは複数個であり、該複数個のめっき液噴射ノズルを被めっき材の被めっき面に対向して並べて配置したことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1又は2に記載のめっき装置において、
前記めっき液噴射ノズルを前記被めっき材の被めっき面に平行に移動させるめっき液噴射ノズル移動手段を備えたことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至3のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記スリット状のめっき液噴出口のスリット幅は0.05〜1.0mmとし、一つのスリット状噴射口から噴射されるめっき液流量を制御できる流量制御手段を備えたことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記めっき液噴射ノズルのめっき液噴出口先端のめっき液噴射流速が5乃至20m/sであることを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記スリット状のめっき液噴出口から噴射されるめっき液の流量及び/又はノズル内圧力をモニターするモニター手段を備えたことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記スリット状のめっき液噴出口から噴射されるめっき液の流量を検出する流量センサ及び/又はノズル内圧力を検出するセンサを設け、該センサの検出信号を前記めっき液噴射ノズルにめっき液を供給するめっき液供給手段にフィードバックしてめっき液の流量を調節するめっき液流量調節手段を備えたことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至7に記載のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記スリット状のめっき液噴出口先端と被めっき材との距離は、1〜30mmであることを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至8のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記噴射ノズルは被めっき材とアノード電極の間に存在することを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至9のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記めっき液噴射ノズル内にアノード電極を配置したことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至10に記載のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記めっき液噴射ノズルを2つ以上備え、めっき液の流れコンダクタンスを考慮した流量を振分ける流量振分手段を備えたことを特徴とするめっき装置。 - 請求項1乃至11に記載のいずれか1項に記載のめっき装置において、
前記めっき槽から吐出されためっき液はポンプにより、管を介して前記めっき液噴射ノズルに送られ循環するようになっており、
前記管は可撓性材からなり前記めっき液噴射ノズルの移動に追従可能に構成されていることを特徴とするめっき装置。 - めっき液を保持するめっき槽の内部に配置された被めっき材の被めっき面に対向して単一のスリット状のめっき液噴出口又は複数の直列されたスリット状のめっき液噴出口を有するめっき液噴射ノズルを配置し、該めっき液噴射ノズルの噴射口からめっき液を噴射すると共に、該めっき液噴射ノズルを前記被めっき材の被めっき面に対して平行に移動させながら前記被めっき材の被めっき面にめっきを行うことを特徴とするめっき方法。
Priority Applications (2)
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---|---|---|---|
JP2004304852A JP2006117966A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | めっき装置及びめっき方法 |
US11/251,799 US20060081478A1 (en) | 2004-10-19 | 2005-10-18 | Plating apparatus and plating method |
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JP2004304852A JP2006117966A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | めっき装置及びめっき方法 |
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Publication Number | Publication Date |
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012107311A (ja) * | 2010-10-21 | 2012-06-07 | Ebara Corp | めっき装置、めっき処理方法及びめっき装置用基板ホルダの姿勢変換方法 |
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US9991145B2 (en) | 2010-10-21 | 2018-06-05 | Ebara Corporation | Plating apparatus and plating method |
JP2018104747A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | Tdk株式会社 | めっき装置及びめっき方法 |
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JP7329268B2 (ja) | 2022-01-24 | 2023-08-18 | アスカコーポレーション株式会社 | 噴流式めっき装置 |
FR3134587A1 (fr) * | 2022-04-19 | 2023-10-20 | Bourdin Sarl | Installation pour le traitement de pieces par galvanoplastie |
-
2004
- 2004-10-19 JP JP2004304852A patent/JP2006117966A/ja active Pending
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