JP3029131U - 半導体洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体の洗浄においてその洗浄効率を高め
る。 【解決手段】 ポンプ３を用いた循環系４により、洗浄
槽２に洗浄液１を循環させる。循環系４内のポンプ３よ
り出側にエジェクタ８を設ける。エジェクタ８におい
て、洗浄液１に気体を注入する。洗浄液１と気体の混合
が促進され、清浄効率が上がる。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【考案の属する技術分野】

本考案は、半導体製造分野におけるレジスト剥離、無機物・有機物・金属除去 のクリーニングなどに用いられる半導体洗浄装置に関し、更に詳しくは、洗浄槽 内に循環する洗浄液に半導体を浸漬する循環液浸漬型の半導体洗浄装置に関する 。

【０００２】

【従来の技術】

半導体のホトレジスト剥離に使用される半導体洗浄装置として、洗浄槽内に循 環する硫酸に半導体を浸漬する型式のものがある。この浸漬型の半導体洗浄装置 では、洗浄効率を高めるために、硫酸にオゾンを混合する場合が多い。オゾン混 合硫酸を用いる浸漬型洗浄装置の従来例を図１に示す。

【０００３】 この洗浄装置は、洗浄液としての硫酸１を収容する洗浄槽２と、硫酸１をポン プ３により洗浄槽２に循環させる循環系４と、オゾン発生装置５とを具備する。 なお、６は循環系４に設けたフィルタである。

【０００４】 ポンプ３の作動により、硫酸１が洗浄槽２に循環する。オゾン発生装置５で発 生したオゾンは、循環系４内のポンプ３より入側において大気圧下で硫酸１に注 入される。また、洗浄槽１内の下部に設けたバブラー７から槽内の硫酸に直接注 入される。これらにより、洗浄槽２内に保持された半導体がオゾン混合の硫酸１ により洗浄処理される。

【０００５】 また、超純粋な洗浄液を生成するために、テフロンの気体分離膜を用いたガス 混合溶解容器をポンプの出側に設けたシステムは、特開平５−２１２２７４号公 報に記載されている。

【０００６】

【考案が解決しようとする課題】 図１に示すような従来の気体混合循環液浸漬型の洗浄装置においては、その気 体混合に関し次のような問題がある。循環系内のポンプより入側においてオゾン を洗浄液に注入するため、洗浄液とオゾンが２層に分離する。すなわち、ポンプ の入側は大気圧のため、１ｋｇｆ／ｃｍ² 程度のオゾンも一応は洗浄液に注入さ れるが、一方ではその大気圧下での注入が、洗浄液とオゾンの２層分離の原因と なるのである。

【０００７】 この２層分離はオゾン吹き込み口に孔径数十μｍのバブラーを取り付け微細気 泡を吹き込んでも一向に解消されない。そのため、洗浄液とオゾンの接触面積の 減少による溶解効率低下や、硫酸の循環流量減少による槽内清浄度低下の原因に なっている。

【０００８】 特開平５−２１２２７４号公報に記載された洗浄液生成システムにおいては、 ガス混合溶解容器で生じる余剰のガスが気体分離膜を通って容器外へ放出される ため容器内の圧力が大気圧となる。そのため気体の溶解効率は低い。

【０００９】 本考案の目的は、オゾンのような低圧の気体を大気圧以上の加圧下で洗浄液に 効率よく混合溶解することができる半導体洗浄装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】

本考案の半導体洗浄装置は、洗浄液を収容しこの洗浄液に半導体を浸漬して半 導体を洗浄する浸漬型の洗浄槽と、洗浄液をポンプにより洗浄槽に循環させる循 環系と、循環系内のポンプより出側に設けられて洗浄液に洗浄促進用の気体を混 合し溶解させるエジュクタとを具備しており、これにより上記目的が達成される 。

【００１１】 本考案の半導体洗浄装置においては、洗浄槽内の洗浄液に洗浄促進用の気体を 直接注入するバブラーを設けることにより、洗浄効率をより高めることができる 。

【００１２】

【考案の実施の形態】

以下に本考案の実施の形態を図示例に基づいて説明する。図２は本考案を実施 した洗浄装置の１例についてその構成を示す系統図である。

【００１３】 本洗浄装置は、半導体のレジスト剥離や有機物・金属除去のクリーニングに用 いられる。洗浄槽２には洗浄液としての硫酸１が収容されており、その硫酸１中 に被洗浄物である半導体が浸漬される。洗浄槽２には又、循環系４を通して硫酸 １が循環される。循環系４にはポンプ３、フィルタ６およびエジェクタ８が設け られている。フィルタ６はポンプ３の出側に位置し、エジェクタ８はフィルタ６ の出側に位置する。そしてエジェクタ８には、オゾン発生装置５で発生させたオ ゾンが供給される。そのオゾンは又、洗浄槽２内の下部に設けたバブラー７にも 供給される。

【００１４】 本洗浄装置においては、洗浄槽２内に洗浄液としての硫酸１が循環する。その 硫酸にはエジェクタ８においてオゾンが注入される。また、洗浄槽２内の硫酸に はバブラー７からオゾンが直接注入される。これらにより、洗浄槽２内に保持さ れた半導体がオゾン混合の硫酸１により洗浄処理される。

【００１５】 ここで、エジェクタ８は流体力学を応用して設計されており、内部を流れる硫 酸１の流速を増し、静圧を減少させる作用がある。そのため、ポンプ３で加圧さ れた硫酸１に対して１ｋｇｆ／ｃｍ² 程度のオゾンを注入することが可能となる 。また加圧下でオゾンを注入するため、注入後のオゾンは硫酸１と乱流を生じ、 白濁状態は硫酸１が洗浄槽２に還流するまで継続する。その結果、洗浄槽２での 洗浄効果が著しく向上する。

【００１６】 本考案者が行った実験によれば、レジスト剥離後の脱色に要する時間は、ポン プ入側の大気圧下でオゾンを注入する場合に比べて１／５以下に短縮された。

【００１７】 洗浄液としては硫酸の他に純水等を用いる場合もある。洗浄促進用の気体とし てもオゾン以外のガスを用いることができる。

【００１８】 特開平５−２１２２７４号公報に記載された洗浄液生成システムに本考案を適 用し、気体分離膜を用いたガス混合溶解容器に代えてエジェクタを用い、その下 流側に気体分離膜を用いた排ガス分離容器を配置することにより、洗浄液生成効 率の著しい向上が期待できる。

【００１９】

【考案の効果】

以上に説明した通り、本考案の半導体洗浄装置は、循環ポンプ出側でエジェク タにより洗浄効果促進用の気体を洗浄液に注入混合するので、洗浄液と気体の２ 層分離を生じない。そのため、洗浄液と気体の接触面積が増大し、洗浄効率が向 上する。また、洗浄液の循環流量が増大し、洗浄槽内の清浄度が向上する。これ らにより、洗浄効果の向上、洗浄時間の短縮に大きな効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の洗浄装置の構成を示す系統図である。

【図２】本考案の洗浄装置の１例についてその構成を示
す系統図である。

【符号の説明】

１ 硫酸（洗浄液） ２ 洗浄槽 ３ ポンプ ４ 循環系 ５ オゾン発生装置 ６ フィルター ７ バブラー ８ エジェクタ

Claims (3)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 洗浄液を収容しこの洗浄液に半導体を浸
   漬して半導体を洗浄する浸漬型の洗浄槽と、洗浄液をポ
   ンプにより洗浄槽に循環させる循環系と、循環系内のポ
   ンプより出側に設けられて洗浄液に洗浄促進用の気体を
   混合し溶解させるエジュクタとを具備することを特徴と
   する半導体洗浄装置。
2. 【請求項２】 洗浄槽内の洗浄液に洗浄促進用の気体を
   直接注入するバブラーを設けたことを特徴とする請求項
   １に記載の半導体洗浄装置。
3. 【請求項３】 洗浄液が硫酸であり、洗浄促進用の気体
   がオゾンであることを特徴とする請求項１または２に記
   載の半導体洗浄装置。