CN103567183B - 微气泡式处理装置 - Google Patents
微气泡式处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103567183B CN103567183B CN201310263833.2A CN201310263833A CN103567183B CN 103567183 B CN103567183 B CN 103567183B CN 201310263833 A CN201310263833 A CN 201310263833A CN 103567183 B CN103567183 B CN 103567183B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- folding
- micro
- liquid
- unfolding groove
- pieces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000005273 aeration Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 241001212149 Cathetus Species 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000019771 cognition Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 231100000957 no side effect Toxicity 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G3/00—Apparatus for cleaning or pickling metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
- C23G5/02—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents using organic solvents
- C23G5/04—Apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微气泡式处理装置。包括处理槽(14)、设置在收放槽(28)内的两块活动式导流板(20)以及设置在收放槽(28)内、浸渍在液体(18)内且设置在被处理部件(12)下方的曝气元件(24)。处理槽(14)包括将至少一被处理部件(12)浸渍在液体(18)中且上端敞开口的收放槽(28)和分别设置在夹着收放槽(28)的上端开口而相对的两侧部分的溢流接收部(16)。曝气元件(24)生成以相同的速度在液体(18)中直线上升来对被处理部件的表面进行处理的多个大小相同的微气泡。两块活动式导流板(20)对带着从处理后的表面分离下来的杂质在液体(18)中朝上方移动来的微气泡进行引导并流入溢流接收部(16)。
Description
技术领域
本发明涉及一种对至少一被处理部件进行处理的微气泡式处理装置。
背景技术
在微处理器、存储器、电荷耦合元件(CCD)等半导体装置或薄膜晶体管(TFT)液晶等平面板显示装置的制造工序中，在硅或二氧化硅(SiO2)、玻璃等基板表面上形成亚微米到0.1亚微米这样的尺寸大小的图案或薄膜，各个制造工序中基板表面的微量污染是极其重要的问题。
基板表面的污染中需要极力减少的是颗粒污染、有机物污染以及金属污染。去除这样的污染的一般做法是，将基板浸渍在清洗液中，产生微气泡，利用该微气泡对基板表面进行清洗(参照例如日本公开特许公报特开平6-179991号公报)。这种清洗要达到无副作用、时间短且成本低这样的效果。然而，在现有技术中，如图1所示，以印刷电路板(PCB)制造工序中的水洗槽100为例，空气管100安装在该水洗槽100中，从其表面上的多个孔中释放空气，产生气泡。
在图1所示的现有技术中，当水洗槽中储存有水时，可将基板浸渍在水中，利用向上移动的气泡来清洗被处理部件表面上的污物，但是该气泡其实并不是直线移动。而且，在想彻底清洗基板的情况下，由于上述原因，不能仅设置一个水洗槽，需要设置多个水洗槽来提高清洗效果。但是这样会增加设备的长度以及对环境造成的负荷，成本实质上提高。
发明内容
因此，本发明为克服上述缺点而提出了一种用以解决现有技术中问题的微气泡式处理装置。
本发明的主要目的在于提供一种微气泡式处理装置，通过减少上述水洗槽那样的、存储清洗液等液体的收放槽和运送机的数量，缩短装置的长度，减少用于清洗的液体量，来降低成本，改善清洗效率，提高生产量。
为达成上述目的，本发明所提供的微气泡式处理装置对至少一个例如金属板或者半导体基板等被处理部件进行处理。其包括：处理槽、两块活动式导流板以及曝气元件。所述处理槽包括收放槽和溢流接收部，该收放槽储存液体，所述至少一被处理部件浸渍在该收放槽的所述液体中，该收放槽的上端开放，所述溢流接收部夹着所述收放槽的上端开口设置在相对的两侧部分。所述两块活动式导流板是设置在所述收放槽内的两块活动式导流板，在各所述溢流接收部和所述至少一被处理部件之间各设置有一块该活动式导流板，所述两块活动式导流板以所述至少一被处理部件设置在该两块活动式导流板之间的方式浸渍在所述液体中。所述曝气部件设置在所述收放槽内、浸渍在所述液体中且布置在所述至少一被处理部件的下方。所述曝气元件构成为：生成以相同的速度在所述液体中直线上升来对所述至少一被处理部件的表面进行处理的、多个大小相同的微气泡。所述两块活动式导流板进行引导，让带着从所述处理后的所述表面分离下来的杂质在所述液体中朝着上方移动来的所述微气泡流向两所述溢流接收部。
通过利用本发明的微气泡技术达到以下目的：降低成本、提高清洗效率、增加生产量。
附图说明
图1是示出现有技术中的水洗装置的立体图。
图2是示出本发明第一实施方式所涉及的微气泡式处理装置的构造的立体图。
图3是第一实施方式所涉及的微气泡式处理装置的分解立体图。
图4是示出曝气槽的构造的立体图。
图5是示出驱动装置的结构的立体图。
图6是示出活动式导流板的活动范围的剖视图。
图7是示出本发明第二实施方式所涉及的微气泡式处理装置的构造的立体图。
图8是第二实施方式所涉及的微气泡式处理装置的分解立体图。
具体实施方式
下面，为理解和认识本发明的特征和所达到的效果，参考附图对本发明的实施方式做详细的说明。
下面，参照图2、图3说明本发明的第一实施方式。本发明第一实施方式所涉及的微气泡式处理装置对至少一个等被处理部件12进行处理，该被处理部件12例如是半导体基板或金属板。本发明所涉及的微气泡式处理装置包括处理槽14。该处理槽14包括上端开口的收放槽28和两块溢流接收部16。该两块溢流接收部16分别设置在夹着该收放槽28的上端开口缘部的上端开口相对的两侧部分。收放槽28中储存有例如清洗液(例如水)或者电镀溶液等液体18。被处理部件12设置在支撑架13上且浸渍在液体18中。两块活动式导流板20和是曝气元件22的曝气槽24都设置在收放槽28内且浸渍在液体18中。曝气元件22具有内径相等的多个微孔26，各微孔26的孔径在30微米-100微米之间。在各溢流接收部16和被处理部件12之间设置有活动式导流板20，该活动式导流板20能够绕在与两块溢流接收部16的相对方向垂直的水平方向延伸的转动轴17(参照图6)转动，被处理部件12设置在两块活动式导流板20之间。曝气元件22设置在被处理部件12下方。曝气元件22通过多个微孔26在液体18中生成多个微气泡，这些多个微气泡以相同的速度直线上升来对被处理部件12的表面进行处理，让该表面上的离子或者污物那样的杂质从该表面上分离掉，之后，让这些多个微气泡带着离子或者杂质在液体18中朝上移动，借助两块活动式导流板20的引导流到溢流接收部16。
处理槽14包括上端开成四边形口的有底筒状收放槽28，在夹着该收放槽28的上端开口缘部的上端开口相对的两侧部分(俯视收放槽28时呈四角形的四个侧壁部中相对的两块侧壁部的上端部)分别设置有溢流接收部16。将液体18储存在收放槽28和两块溢流接收部16中，将两块活动式导流板20和曝气元件22设置在收放槽28内。曝气元件22与风管30连接，风管30通过收放槽28与送风机32连接。当送风机32生成气流时，风管30就将该气流供向曝气元件22(曝气槽24)，曝气元件22接收来自送风机32的气流生成所述微气泡。
如图4所示，曝气槽24由空气槽34和微孔板36构成，空气槽34上端敞开口，并与风管30连接而接收来自送风机32的气流。微孔板36具有内径相等的多个微孔26，并且设置在空气槽34的上端将空气槽34的开口封起来，接收来自送风机32的气流，通过多个微孔26生成以相同的速度在液体18中直线上升的多个大小相同的微气泡。每隔一定的时间间隔(任一个微孔26的时间间隔都相同)通过各微孔26生成微气泡。
当被处理部件12和支撑架13同时浸渍在液体18中时，送风机32生成气流，通过风管30被送入曝气元件22(曝气槽24)。曝气元件22接收该气流，通过多个微孔26生成以相同的速度直线上升的多个大小相同的微气泡，利用这些微气泡对被处理部件12的表面进行处理(将被处理部件12表面上的杂质从该表面上分离掉)。在液体18是清洗液的情况下，微气泡所分离的表面上的杂质是污物，微气泡的性质是直线上升，微气泡和清洗液会均匀地通过被处理部件12的表面，故相对于现有技术而言，改善了对附着在槽内的被处理部件12表面的羽毛状物质的清洗效果，能够达成更加优良的均匀清洗水平。在液体18是电镀溶液的情况下，微气泡所分离的表面上的杂质是离子，微气泡和电镀溶液均匀地通过被处理部件12的表面，故电镀膜厚和表面湿度的分布由于平均的液流而均匀，能够收到极其优良的电镀效果。杂质被分离以后，微气泡就会带着该杂质，继续在液体18中向上移动，接收两块活动式导流板20的引导，流到两块溢流接收部16。这样一来，收放槽28内的离子浓度就会下降，收放槽28内的液体18就不再含杂质了。换句话说，因收放槽28内的杂质被送给溢流接收部16，故无需为提高清洗效果而设置多个收放槽28(处理槽14)。这样，就能够同时缩短装置的长度、减少收放槽28和运送机的数量、降低用于清洗的液体量，从而能够减轻对环境造成的负担。而且，因为能够减少收放槽28的数量，所以在将本发明的装置设置在工厂等内时，能够进行设备改造，腾出设置其他制造设备的空间，故节约空间、缩短生产时间、提高生产量都能够做到。
这里，参照图5，对在图2、图3中省略图示、用于驱动活动式导流板20的驱动装置51做说明。此外，图5中为方便起见，收放槽28等的形状与图2、图3中不同。而且，在图5中，在收放槽28底部的外侧面上设置有多个腿部15。
驱动装置51例如用螺钉即多个固定部件52设置在收放槽28的侧壁部(未设置溢流接收部16的侧壁部)的外侧面上，通过收放槽28的侧壁部与活动式导流板20连接。驱动装置51通过控制活动式导流板20的转动角度，来对与所述杂质一起在液体18中朝上移动来的所述微气泡进行引导，使其流到两块溢流接收部16。驱动装置51包括轴承运转部件53和马达54，轴承运转部件53利用固定部件52设置在收放槽28的侧壁部的外侧面上，并且通过收放槽28的侧壁部与活动式导流板20连接，马达54也设置在收放槽28的侧壁部的外侧面上且和轴承运转部件53连接，以这样的结构来控制活动式导流板20的转动角度。在插入被处理部件12时和取出被处理部件12时，活动式导流板20朝着上方或者下方打开。当被处理部件12和支撑架13浸渍在液体18中时，马达54和曝气元件32同时起动。马达54经由轴承运转部件53与两块活动式导流板20联动来调整活动式导流板20的转动角度，曝气元件22以相同的速度在液体18中直线上升来生成对被处理部件12的表面进行处理的多个大小相同的微气泡。就这样，微气泡对被处理部件12的表面进行处理，将该表面上的杂质或者离子分离掉，之后，该杂质或者离子一起在液体18中朝着上方移动，最后由两块活动式导流板20朝着两块溢流接收部16引导并排出。因此，收放槽28内的离子浓度下降，达成高效的清洗效果。
各活动式导流板20的在溢流接收部16一侧的端部由转动轴17支承着能够转动，被处理部件12(支撑架13)一侧的端部的高度位置借助活动式导流板20绕转动轴17转动而发生变化。活动式导流板20的在溢流接收部16一侧的端部靠近设置有溢流接收部16的侧壁部而设。而且，活动式导流板20由驱动装置51驱动着绕转动轴17转动，而在图6中实线所示的下限位置和图6中双点划线所示的上限位置之间做上下摆动运动。设液体18的液面高度为液面通过转动轴17的轴心的高度。所述下限位置是相对于所述液面下降了角度θ1后的位置；所述上限位置是相对于所述液面上升了角度θ2后的位置。活动式导流板20在从下限位置朝着上升的方向转动时，捞取带着杂质或者离子在液体18中朝上移动来的所述微气泡；在从水平状态朝着上升的方向转动时，让所述已被捞取的微气泡朝着溢流接收部16流动，以便利用该倾斜在活动式导流板20的上表面滑动。让活动式导流板20在所述上限位置暂停，使所述已被捞取的微气泡可靠地流入溢流接收部16。优选在该上限位置的暂停时间为1秒-5秒。如果该暂停时间比5秒长，活动式导流板20位于液面上侧的时间就会加长且摆动运动的往返次数减少，因此具有微气泡的排出效率下降的可能性。优选一次往返所需要的时间是3秒-120秒。
优选所述上限位置相对于所述液面的上升角度θ2为0度～80度。即使所述上升角度θ2为0度，朝着上方移动来的微气泡也会以惯性力沿着活动式导流板20的上表面朝着溢流接收部16流去。此外，从借助活动式导流板20的上表面的倾斜来提高微气泡的排出效果的观点出发，优选上升角度θ2在2度以上。从抑制往返运动次数变少的观点出发，优选上升角度θ2在20度以下。上升角度θ2的最优选值是5度。
最优选所述下限位置相对于所述液面的下降角度θ1为75度，但只要能够适当地捞取所述微气泡，什么角度都可以(例如45度-85度)。
由驱动装置51驱动活动式导流板20转动而在所述下限位置和所述上限位置之间做摆动运动，由此就能够将带着杂质或者离子的微气泡引导到溢流接收部16。结果是，在清洗时能够获得最优良的清洗效果。
下面，参考图7、图8对本发明的第二实施方式做说明。在第一实施方式中，作为曝气元件22示出的是曝气槽24，但在第二实施方式中作为曝气元件22示出的是曝气管38。曝气管38设置在处理槽14的收放槽28内且浸渍在液体18中。曝气管38具有多个内径相同的微孔26，各微孔26的孔径在30微米-100微米。曝气管38设置在被处理部件12下方，曝气管38接收来自送风机32的气流，通过多个微孔26生成以相同的速度在液体18中直线上升的、多个大小相同的微气泡。以一定的时间间隔(任一微孔26的时间间隔都相同)通过各微孔26生成微气泡。利用这样生成的微气泡对被处理部件12的表面进行处理。微气泡让表面上的杂质从表面上分离下来，并与杂质一起在液体中朝着上方移动，在两块活动式导流板20的引导下流到溢流接收部16。第二实施方式和第一实施方式的工作方式完全相同，这里不再赘述。
上述记载仅为对本发明优选实施方式的说明而已，并不限定本发明的实施范围。因此，在本申请的权利要求范围中所记载的形状、构造、特征以及精神的基础上所作出的各种变更、变形，都在本发明权利要求的范围内。
Claims (9)
1.一种微气泡式处理装置，其对至少一被处理部件进行处理，其特征在于包括：处理槽、两块活动式导流板以及曝气元件，
所述处理槽包括收放槽和溢流接收部，该收放槽储存液体，所述至少一被处理部件浸渍在该收放槽的所述液体中，该收放槽的上端开放，所述溢流接收部夹着所述收放槽的上端开口设置在相对的两侧部分，
所述两块活动式导流板是设置在所述收放槽内的两块活动式导流板，在各所述溢流接收部和所述至少一被处理部件之间各设置有一块该活动式导流板，所述两块活动式导流板以所述至少一被处理部件设置在该两块活动式导流板之间的方式浸渍在所述液体中，
所述曝气部件设置在所述收放槽内、浸渍在所述液体中且布置在所述至少一被处理部件的下方，
所述曝气元件构成为：具有内径相等的多个微孔，并且从该多个微孔生成以相同的速度在所述液体中直线上升来对所述至少一被处理部件的表面进行处理的、多个大小相同的微气泡，
所述两块活动式导流板进行引导，让带着从所述处理后的所述表面分离下来的杂质在所述液体中朝着上方移动来的所述微气泡流向两所述溢流接收部。
2.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于:
所述曝气元件是曝气槽或曝气管。
3.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于:
各所述微孔的孔径为30微米-100微米。
4.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于:
进一步包括产生气流的送风机和风管，该风管与所述曝气元件相连接且通过所述收放槽与所述送风机连接，将所述气流供给所述曝气元件。
5.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于：
所述至少一被处理部件设置在支撑架上且浸渍在所述液体中。
6.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于：
所述至少一被处理部件是金属板或者半导体基板。
7.根据权利要求1所述的微气泡式处理装置，其特征在于：
进一步包括驱动所述两块活动式导流板转动的驱动装置，
所述驱动装置对所述两块活动式导流板的转动角度进行控制，以便引导与所述杂质一起在所述液体中朝上移动来的所述微气泡流入两所述溢流接收部。
8.根据权利要求7所述的微气泡式处理装置，其特征在于：
所述驱动装置包括轴承运转部件和马达，
所述轴承运转部件设置在所述收放槽上，与所述活动式导流板连接，
所述马达设置在所述收放槽上，与所述轴承运转部件连接。
9.根据权利要求7所述的微气泡式处理装置，其特征在于：
所述驱动装置设置在所述收放槽的侧壁部的外侧面上，通过所述收放槽的侧壁部与所述活动式导流板连接。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101123444A TW201401348A (zh) | 2012-06-29 | 2012-06-29 | 微氣泡式處理裝置 |
| TW101123444 | 2012-06-29 | ||
| TW102204477 | 2013-03-12 | ||
| TW102204477U TWM456579U (zh) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 機械式調整導流裝置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103567183A CN103567183A (zh) | 2014-02-12 |
| CN103567183B true CN103567183B (zh) | 2016-08-17 |
Family
ID=50040388
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310263833.2A Expired - Fee Related CN103567183B (zh) | 2012-06-29 | 2013-06-27 | 微气泡式处理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6053624B2 (zh) |
| KR (1) | KR101647542B1 (zh) |
| CN (1) | CN103567183B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104190632B (zh) * | 2014-08-28 | 2017-02-15 | 李静远 | 一种马铃薯筛分装置 |
| CN105127139B (zh) * | 2015-07-27 | 2018-03-06 | 句容骏成电子有限公司 | Lcd产品表面清洗装置 |
| KR101701490B1 (ko) | 2016-06-10 | 2017-02-03 | 표영석 | 고경도 용접봉 공급장치 |
| CN106826510A (zh) * | 2016-12-30 | 2017-06-13 | 郑州晶润光电技术有限公司 | 一种晶片扫光工艺 |
| CN115198278A (zh) * | 2017-06-30 | 2022-10-18 | 天津森罗科技股份有限公司 | 一种出水文物脱盐用气密充气装置 |
| CN108177283A (zh) * | 2018-01-16 | 2018-06-19 | 南通强生安全防护科技股份有限公司 | 吊装式手套浸胶机构 |
| CN108706653A (zh) * | 2018-06-06 | 2018-10-26 | 雷秀泗 | 一种医疗污水处理装置 |
| JP7355566B2 (ja) * | 2019-09-11 | 2023-10-03 | 株式会社荏原製作所 | めっき処理装置、前処理装置、めっき装置、めっき処理方法および前処理方法 |
| CN114716034B (zh) * | 2022-03-24 | 2022-11-29 | 南京科技职业学院 | 一种潜水离心式曝气机及其溶氧量调整方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06179991A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| CN1986085A (zh) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 财团法人工业技术研究院 | 气泡式反应清洗装置及其方法 |
| CN102422350A (zh) * | 2009-05-15 | 2012-04-18 | 昭和电工株式会社 | 流水式清洗方法和流水式清洗装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733771B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1998-03-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 液体による処理装置 |
| JPH04171724A (ja) * | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及び装置 |
| JPH0722371A (ja) * | 1993-06-28 | 1995-01-24 | Fuji Film Micro Device Kk | ウェット洗浄装置 |
| JPH0737849A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Fujitsu Ltd | 洗浄方法及び洗浄装置 |
| JPH1116868A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-22 | Toshiba Corp | 薬液置換装置及び薬液置換方法 |
| KR200177343Y1 (ko) | 1997-12-13 | 2000-04-15 | 김영환 | 반도체 웨이퍼 세정장치(cleaning device for seiconductor wafer) |
| JP2000200767A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Nec Corp | 洗浄液の再生処理方法及び再生処理装置 |
| KR200181060Y1 (ko) * | 1999-11-02 | 2000-05-15 | 신충식 | 속눈썹 성형구 |
| JP2003100703A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Seiko Epson Corp | 液体処理方法、液体処理装置、及び、フラットパネル表示装置の製造方法 |
| JP2008177460A (ja) | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Takatori Corp | 基板の乾燥方法と乾燥装置 |
| KR20090100070A (ko) * | 2008-03-19 | 2009-09-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 세정 시스템 |
| JP5616767B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2014-10-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 基板処理装置 |
-
2013
- 2013-06-26 JP JP2013133344A patent/JP6053624B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-26 KR KR1020130073807A patent/KR101647542B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-27 CN CN201310263833.2A patent/CN103567183B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06179991A (ja) * | 1992-12-15 | 1994-06-28 | Honda Motor Co Ltd | 洗浄装置及び洗浄方法 |
| CN1986085A (zh) * | 2005-12-22 | 2007-06-27 | 财团法人工业技术研究院 | 气泡式反应清洗装置及其方法 |
| CN102422350A (zh) * | 2009-05-15 | 2012-04-18 | 昭和电工株式会社 | 流水式清洗方法和流水式清洗装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20140002517A (ko) | 2014-01-08 |
| KR101647542B1 (ko) | 2016-08-23 |
| JP6053624B2 (ja) | 2016-12-27 |
| JP2014011463A (ja) | 2014-01-20 |
| CN103567183A (zh) | 2014-02-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103567183B (zh) | 微气泡式处理装置 | |
| CN104992897B (zh) | 处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置 | |
| JP3556043B2 (ja) | 基板乾燥装置 | |
| CN111424268B (zh) | 表面处理装置 | |
| US10926295B1 (en) | Continuous sieving apparatuses for pupae separation | |
| JP3831942B2 (ja) | 膜分離装置 | |
| CN1638882A (zh) | 基片毛细干燥法 | |
| KR102264352B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| CN1054110C (zh) | 处理活性污泥的设备 | |
| CN113113346A (zh) | 承载装置及半导体清洗设备 | |
| CN114101210B (zh) | 一种低污染清洗磷化铟晶体的清洗装置及清洗工艺 | |
| US8440076B2 (en) | Dissolved air flotation unit | |
| JP2003071255A (ja) | 膜洗浄装置及び膜分離装置 | |
| CN1189925C (zh) | 湿式处理装置 | |
| CN108281372A (zh) | 均匀刻蚀基片的集成电路芯片湿处理装置及方法 | |
| US5361964A (en) | Soldering apparatus and method | |
| US8580046B2 (en) | Method for the treatment of a semiconductor wafer | |
| JPS62283632A (ja) | ウエハ処理装置 | |
| CN1207171A (zh) | 生物试料的液处理装置 | |
| KR20230156525A (ko) | 기판처리장치 | |
| KR101764062B1 (ko) | 침지식 분리막 모듈 및 이를 포함하는 수처리 장치 | |
| KR20190128009A (ko) | 대용량 샘플로부터 핵산을 추출하는 방법 및 이를 이용한 핵산추출시스템 | |
| KR20110132039A (ko) | 침지식 막분리장치 | |
| CN111499212B (zh) | 高效率小尺寸屏幕盖板玻璃防眩处理设备及方法 | |
| JP2000243807A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160817 Termination date: 20190627 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |