CN102422350A - 流水式清洗方法和流水式清洗装置 - Google Patents

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大岛德夫
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Abstract

本发明提供高效地除去在基板的表面附着的尘埃等且防止在清洗后该尘埃等在基板的表面上再次附着的流水式清洗方法和流水式清洗装置。该流水式清洗方法，在清洗槽(2)内使清洗液(L)向横向流动，在将被清洗物(W)在该清洗液(L)中浸渍的状态下，在向清洗液(L)施加超声波振动的同时进行被清洗物(W)的清洗，其中通过调整在向清洗槽(2)供给清洗液(L)的多个供给口(3)和从清洗槽(2)排出清洗液(L)的多个排出口(5)中的任一个供给口(3)和/或排出口(5)流动的清洗液(L)的流量，来使清洗槽(2)内的清洗液(L)在层流的状态下流动。

Description

流水式清洗方法和流水式清洗装置
技术领域
本发明涉及适于在进行作为被清洗物的例如磁记录介质用基板和/或磁记录介质、磁记录介质的制造装置中使用的部件、溅射装置的挡板(シ一ルド板)等的清洗时适合使用的流水式清洗方法和流水式清洗装置。
本申请基于2009年5月15日在日本提交的特愿2009-119003号并要求其优先权，将其内容引用在这里。
背景技术
例如，使用形成有中心孔的圆盘状的铝基板、玻璃基板等来作为硬盘驱动器等使用的磁记录介质用的基板。该磁记录介质用基板经在表面进行研磨加工等各种表面处理工序而制作，因此在表面处理工序等之后，进行将在基板的表面上附着的尘埃等除去的基板清洗工序。
此外，随着要求磁记录介质的更高记录密度化，而需要磁记录介质的高平面度，另一方面，出了除去在磁记录介质用基板的表面上附着的尘埃等之外，还需要用于除去在磁记录介质的制造装置使用的部件和溅射装置的挡板等上附着的尘埃等的高度清洗技术。再有，在最近，在向磁记录介质用基板施行的成膜工序中，存在对基板表面设置湿式的清洗工序的情况。
作为该磁记录介质用基板等的清洗装置，提出了例如将磁盘基板等作为工件，在其表面上进行研磨加工等表面处理后，为了除去在工件的表面上附着的异物等，而使用多个清洗槽一边用传送带将工件依次输送到多个清洗槽一边在各清洗槽用液体来清洗的装置(例如，参照专利文献1)。
但是，在该专利文献1记载的清洗装置中，在清洗槽设置多个旋转刷、喷淋器等，在向一个个基板供给清洗液的同时使用旋转刷来刮刷清洗，但是，由于采用旋转刷与基板的表面接触的构成，因此有可能在该基板表面上产生擦伤痕迹。
因此，作为不使用旋转刷的清洗方法，提出了例如从清洗槽的底部供给清洗液，在使该清洗液从清洗槽的上部溢出的同时在清洗槽内的清洗液中浸渍保持基板的支架来进行基板的清洗的方法。
但是，在使清洗液从清洗槽的下方流向上方的清洗方法中，包含从基板的表面剥离的尘埃等的污染物质有时没有从清洗槽的上部与清洗液一同排出而使其一部分在清洗槽内滞留，且有时在该清洗槽内产生清洗液的沉淀。该情况下，在将支架从清洗槽提起时，在清洗液内滞留的污染物质有时再次附着在基板的表面上。
另一方面，提出了通过使清洗液在清洗槽内在层流的状态下向横向流动的同时、在该清洗槽内的清洗液中浸渍保持基板的支架来进行基板的清洗的流水式清洗装置的方案(例如，参照专利文献2等)。
在使该清洗液在层流的状态下向横向流动的清洗方法中，可将含有污染物质的清洗液快速地排出到浸渍槽外，因此可防止污染物质再次附着在基板的表面上。
现有技术文献
专利文献1：特开2001-96245号公报；
专利文献2：特开平9-206708号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
但是，在上述专利文献2记载的流水式清洗装置中，为了防止从被清洗物剥离的污染物质随着清洗液的紊流(乱流)而再次附着在被清洗物上，而在流路内设置多孔状的整流板，调整清洗液的流动以通过经过该整流板而使清洗液的流动成为不紊乱那样的流动(层流)。
但是，在该流水式清洗装置中，在清洗槽内流动的清洗液成为层流是在该清洗槽内没有浸渍被清洗物时的情况。另一方面，在清洗槽内浸渍了被清洗物的情况下，在该清洗槽内流动的清洗液被被清洗物扰乱而成为紊流，有时因该紊流而使对于被清洗物的清洗能力下降。
此外，为了提高流水式清洗装置的清洗能力，而存在向清洗槽内施加超声波振动的情况。但是，有时因该超声波振动而将清洗槽内的层流扰乱。
再有，在上述专利文献2记载的流水式清洗装置中，具有将使用完的清洗液在储存箱中积蓄，并将该蓄积的清洗液循环使用的结构。但是，在该结构的情况下，清洗液易于与大气接触，且气泡进入清洗液中，有时会使该气泡在被清洗物的表面吸附而使清洗能力下降。
于是，本发明鉴于该以往的情况而提出，其目的是提供高效地除去在被清洗物的表面附着的尘埃等、且防止在清洗后该尘埃等在被清洗物的表面上再次附着的流水式清洗方法和流水式清洗装置。
用于解决问题的手段
本发明的发明人为解决上述问题而进行锐意研究，其结果弄清楚，在清洗槽内使清洗液在层流的状态下向横向流动，在该清洗液中浸渍被清洗物的状态下，一边向清洗液施加超声波振动，一边在进行被清洗物的清洗时，因向清洗液施加的超声波振动和在清洗槽内浸渍的被清洗物而产生紊流，因该紊流而在清洗槽内的特别是上层，从被清洗物的表面剥离的尘埃和异物等污染物质滞留，该滞留的污染物质在被清洗物上再次附着，从而对被清洗物的清洗能力下降。
于是，本发明的发明人发现以下情况而完成本发明，通过调整在向该清洗槽供给清洗液的多个供给口和从该清洗槽排出清洗液的多个排出口中的任一个供给口和/或排出口流动的清洗液的流量，来使清洗槽内的清洗液在层流的状态下稳定地流动，而且，通过采用该清洗方法，而使清洗液和大气的接触减少，且气泡向清洗液的混入减少，特别地，在向清洗槽施加超声波振动时，因水面的移位而产生紊流，但是，可使该紊流成为没有紊乱的一致流动(层流)，再有，可使层流稳定，因此虽然以往优选在清洗槽内的被清洗物和清洗槽的内表面之间设置空间较理想，但是，因清洗槽内的被清洗物的有无所导致的水流阻力的差而易于产生紊流，因此反倒是将被清洗物在清洗槽内密集地配置较理想。
即，本发明提供以下的方案。(1)一种流水式清洗方法，在清洗槽内使清洗液向横向流动，在使被清洗物在该清洗液中浸渍的状态下，在向清洗液施加超声波振动的同时进行被清洗物的清洗，其特征在于：通过调整在向上述清洗槽供给清洗液的多个供给口和从上述清洗槽排出清洗液的多个排出口中的任一个供给口和/或排出口流动的清洗液的流量，来使上述清洗槽内的清洗液在层流的状态下流动。(2)上述(1)记载的流水式清洗方法，其特征在于：从上述清洗槽的底面侧施加超声波振动。(3)上述(1)或(2)记载的流水式清洗方法，其特征在于：作为上述被清洗物进行由支架保持的基板的清洗时，将上述支架配置在上述浸渍槽内，以使该基板的主面与上述清洗液的流动方向平行。(4)上述(3)记载的流水式清洗方法，其特征在于：对在互相平行的状态下排列多个地保持于上述支架的基板进行清洗，且使由上述支架保持的多个基板的间隔密集到在其间流动的清洗液的流水阻力增加的范围。(5)上述(3)或(4)记载的流水式清洗方法，其特征在于：使上述清洗槽的内表面和上述基板之间的最短距离为该基板的直径的一倍以下。(6)上述(1)～(5)中任一项记载的流水式清洗方法，其特征在于：清洗作为上述基板的磁记录介质用基板或磁记录介质。(7)上述(1)～(6)中任一项记载的流水式清洗方法，其特征在于：将上述清洗液循环地再使用。(8)一种流水式清洗装置，具备：进行被清洗物的清洗的清洗槽；向上述清洗槽供给清洗液的多个供给口；从上述清洗槽排出清洗液的多个排出口；向上述清洗槽内的清洗液施加超声波振动的振动产生单元，在上述清洗槽内使清洗液向横向流动，在使被清洗物在该清洗液中浸渍的状态下，在向清洗液施加超声波振动的同时进行被清洗物的清洗，其特征在于：具备调整在上述任一供给口和/或排出口流动的清洗液的流量的流量调整单元。(9)上述(8)记载的流水式清洗装置，其特征在于：上述振动产生单元配置在上述清洗槽的底面侧。(10)上述(8)或(9)记载的流水式清洗装置，其特征在于：具备使上述清洗液循环的机构。
发明的效果
如上所述，根据本发明，可提供高效地除去在被清洗物的表面附着的尘埃和/或异物等污染物质、且防止在清洗后这些污染物质在被清洗物的表面上再次附着的清洗能力高的流水式清洗方法和流水式清洗装置。
附图说明
图1是表示适用本发明的流水式清洗装置的构成的俯视图。
图2是表示适用本发明的流水式清洗装置的构成的剖视图。
图3是用于说明在清洗槽内产生的紊流的剖视图。
图4是用于说明在清洗槽内产生的紊流的俯视图。
具体实施方式
下面根据附图来详细说明适用本发明的流水式清洗方法和流水式清洗装置。再有，在以下的说明中使用的附图为了使特征易于理解而存在简单示意地表示成为特征的部分的情况，各部分的尺寸比例等不限于与实际相同。
在本实施方式中，使用例如适用图1和图2所示的本发明的流水式清洗装置1，以清洗装载于硬盘的磁记录介质用的基板(被清洗物)W的情况为例进行说明。
再有，作为清洗基板W的清洗液，基本上使用纯水，但是，除此之外还可使用施行了化学处理等的处理水等。具体地，作为清洗液，例如，除了纯水和超纯水之外，还可举出异丙醇(イソプロピルアルコ一ル)等有机溶剂、含有界面活性剂的药液洗剂、阳极水、阴极水、用纯水稀释为低浓度的酸性溶液和/或碱性溶液、臭氧水和/或氢水等。而且，这些清洗液L可根据成为清洗对象的基板(被清洗物)W而适当选择使用。
如图1和图2所示，适用本发明的流水式清洗装置1具备将保持基板W的支架50在清洗液L中浸渍来进行基板W的清洗的清洗槽2。
在支架50上，将形成有中心孔的圆盘状的基板W以相互平行的状态排列多个地保持。此外，各基板W由设置在支架50的一对支承板51a、51b来支承夹着通过其中心孔的铅垂方向的中心线的两侧的外周部。再有，在这一对支承板51a、51b上，设有将各基板W的外周部卡合的V形的槽部(未图示)。
各基板W由这一对支承板51a、51b支承，而在立置状态(基板W的主面成为与铅垂方向平行的状态)下由支架50保持。而且，该支架50在清洗槽2的底面上配置以使各基板W的主面与清洗液L的流动方向平行。再有，在本例中，将直径3.5英寸的基板W以约5mm间隔在一列排列五十个左右而在支架50上保持。
清洗槽2具有呈长方形的底壁2a、从底壁2a的周围立起的四个侧壁2b、2c、2d、2e和与底壁2a相对的上表面的开口部2f，整体形成为大体长方体状，且在其内侧形成有浸渍上述支架50的大体长方体状的浸渍空间S。
此外，在清洗槽2的上游侧的侧壁2b，设有供给清洗液L的多个供给口3。该多个供给口3在侧壁2b的宽度方向和高度方向上以预定的间隔排列配置。此外，在各供给口3，连接有流量调整阀(流量调整单元)4，通过调整该流量调整阀4的开度，可单独地调整从各供给口3供给的清洗液L的流量。
另外，在清洗槽2的下游侧的侧壁2d，设有将清洗液L排出的多个排出口5。该多个排出口5在侧壁2d的宽度方向和高度方向上以预定的间隔排列配置。此外，在各供给口5，连接有流量调整阀(流量调整单元)6，通过调整该流量调整阀6的开度，可单独地调整从各供给口3排出的清洗液L的流量。
再有，在本实施方式中，上述供给口3和上述排出口5分别在侧壁2b、2d的相对的位置处在横向上以5cm间隔排列七列、在高度方向上以5cm间隔排列六列共计配置四十二个，但是，对于该供给口3和排出口5的配置和数量、间隔等，可适当变化地进行实施。
此外，在清洗槽2的底壁2a，为了提高对基板W的清洗能力，而设有向浸渍空间S2内的清洗液L施加超声波振动的超声波振荡器(超声波产生构件)7。该超声波振荡器7从清洗槽2的底壁2a侧对清洗槽2的清洗液L以例如200kHz施加500W左右的超声波振动。
再有，在该流水式清洗装置1，设有：作为用于将在清洗槽2内流动的清洗液L循环地再次使用的机构的、吸取从排出口5排出的清洗液L，并再次向供给口3压力输送的泵8；和将由该泵8压力输送的清洗液L净化的过滤器9。
适用本发明的流水式清洗方法使用具有以上结构的流水式清洗装置1来进行对于由支架50保持的多个基板W的清洗。具体地，在使用该流水式清洗装置1的流水式清洗方法中，在清洗槽2的浸渍空间S内使清洗液L在层流的状态下在横方向(水平方向)上流动，向清洗液L施加超声波振动的同时，在该浸渍空间S内的清洗液L中浸渍保持了多个基板W的支架50。
此时，在清洗槽2内，由支架50保持的各基板W的主面成为与清洗液L的流动的方向平行，使层流状态的清洗液L在该各基板W之间流动。这样，用清洗液L来清洗各基板W的表面，而除去在该各基板W的表面附着的尘埃、异物等。
但是，根据本发明的发明人的分析可知，在从清洗槽2的底面侧施加超声波振动的情况下，清洗槽2内的清洗液L的液面升起，而使在清洗槽2内流动的清洗液L成为紊流，对基板W的清洗能力下降。
具体地，根据本发明的发明人的分析，在没有施加超声波振动的状态下使清洗液L在清洗槽2内在层流的状态下流动，然后，在施加超声波振动的情况下，清洗液L的流动如图3中箭头的方向所示那样因从清洗槽2的底面侧施加超声波振动而使清洗槽2内的清洗液L的液面升起，该升起的清洗液L向四方分散，但是，由于对该清洗液L的流动施加层流，因此在清洗槽2内产生复杂的流动(紊流)。再有，如图4所示，在清洗槽2内浸渍基板W的情况下，在该清洗槽2内流动的清洗液L被基板W扰乱而成为紊流，因该紊流而使对于基板W的清洗能力下降。
再有，图3表示在从侧面侧观察清洗槽2时向清洗槽2内施加超声波振动的情况下的清洗液L的流动。另一方面，图4表示在从上面侧观察清洗槽2时用虚线表示在清洗槽2内流动的清洗液L中的上层的流动，用点划线表示中层的流动，用双点划线表示下层的流动。
于是，在本发明中，如图1和图2所示，调整清洗槽2内的清洗液L的流动，以在控制上述流量调整阀4、6的同时，调整在任一供给口3和/或排出口5流动的清洗液L的流量，使清洗液L的流动成为没有紊乱的一致流动(层流)。
这样，可使清洗槽2内的清洗液L从紊流的状态变为在层流的状态下流动。特别地，在本发明中，除了清洗液L的来自供给口3的供给之外，清洗液L的来自排出口5的排出也由流量控制阀4、6进行流量的控制，因此可用更高的控制性来进行清洗槽2内的层流的形成，且可防止层流因超声波振动和/或被清洗物W的配置而被扰乱。
此外，在本发明中，如上述流水式清洗装置1那样循环地再使用清洗槽2内流动的清洗液L较理想。这样，易于从量上使向清洗槽2供给的清洗液L和从清洗槽2排出的清洗液L平衡，且可使在清洗槽2内流动的清洗液L在层流的状态下稳定地流动。
再有，在上述流水式清洗装置1的情况下，因清洗液L从清洗槽2的开口部2f蒸发等，而使清洗液L稍减少，因此适当补充该减少的量的清洗液L较理想。此外，在上述流水式清洗装置1中，为防止通过清洗液L和空气的接触而使气泡混入清洗液L中，也可在清洗槽2的开口部2f设置盖。
另外，在本发明中，在对以互相平行的状态排列多个而保持于上述支架50的基板W进行清洗时，使由该支架50保持的多个基板W的间隔紧密到在其间流动的清洗液L的流水阻力增加的范围较理想。
例如，在使用纯水来作为清洗液L以清洗作为基板W的、直径3.5英寸、厚度1.27mm的圆盘状的磁记录介质用基板的情况下，从基板面的间隔为10mm以下时起，因此清洗液的流水阻力开始显著增加。
另一方面，在以往的流水式清洗方法中，为了使在清洗槽2内流动的清洗液的层流稳定，通常将在清洗槽2内配置的被清洗物留有各自的间隔地稀疏配置，且在清洗槽内配置的被清洗物的周边设置空间。这是为了减少清洗槽内的被清洗物的有无所导致的水流阻力分布，并使在清洗槽内流动的清洗液L的层流稳定化。
与之相对，在本发明的流水式清洗方法中，将基板(被清洗物)W在清洗槽2内密集地配置，从而提高在清洗槽2内流动的清洗液L的水流阻力，且使其状态均匀化。因此，使在清洗槽2内流动的清洗液L的层流稳定化，且可提高该清洗槽2所形成的清洗能力。
此外，在本发明中，使清洗槽2的内表面和基板W的最短距离为该基板W的直径的一倍以下较理想。特别地，在本发明中，在清洗作为被清洗物的、呈圆盘状的磁记录介质用的基板W的情况下，将基板W配置在清洗槽2内以使该基板W的主面与清洗液L的流动方向平行，且使清洗槽2的内表面和基板W的最短距离为该基板W的直径的一倍以下，从而可高精度且高效地清洗基板W。
如上所述，在本发明中，能进行高效地除去在基板的表面附着的尘埃等，且在清洗后防止其在基板的表面再次附着的高度的基板清洗。
再有，本发明不限于上述实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内可进行各种变化。
例如，上述支架50为由一对支承板51a、51b在两点支承各基板W的外周部的构成，但是，并不限于该构成，对于支承各基板W的外周部的位置和地点数等，可适当变化来实施，例如，可在三点或四点支承各基板W的外周部。
此外，对于支承各基板W的外周部的部件，不限于上述支承板51a、51b那样的部件，如果是能不使在清洗槽2内流动的清洗液L的流动紊乱的部件，则其形状等可适当变化来实施。
另外，本发明，对于上述磁记录介质用的基板W，除了在表面处理工序等后除去在表面附着的尘埃和/或异物等的工序之外，也可适用于例如在成膜磁性膜等之后或涂敷润滑剂前的磁记录介质的清洗。
再有，本发明不限于清洗上述磁记录介质用的基板W的情况，也可适用于清洗平板状的被清洗物的情况，但是，如果是使用上述流水式清洗装置1来清洗的部件，则对被清洗物没有特别限定。
实施例
下面，通过实施例来使本发明的效果更明确。再有，本发明不限于以下的实施例，可在不改变其主旨的范围内适当变化来实施。
[实施例1]
在实施例1中，如上述图3所示，进行以下的实验，通过从清洗槽2的底面侧施加超声波振动，在清洗槽2内产生复杂的流动(紊流)的情况下，实际上通过流量调整阀4、6来调整在供给口3和排出口5流动的清洗液L的流量，使清洗槽2内的清洗液L的流动为层流。
具体地，使用长度40cm、宽度40cm、深度35cm的SUS304制的清洗槽2，在该清洗槽2的侧壁2b、2d，分别地，直径15mm的供给口3和排出口5相对，同时，在高度方向上以55mm间隔排列三列并在高度方向上以60mm间隔排列两列以及在宽度方向上以145mm间隔交替地排列九列共计23(＝3×5+2×4)个交错地排列配置，流量调整阀4、6与其各个连接。此外，在清洗槽2的底面的外侧，配置有频率950kHz、输出600W的超声波振荡器7。在过滤器9，在一级使用0.5微米过滤器(ミクロンフイルタ)，且循环地再使用在清洗槽2内流动的清洗液L。此外，使用纯水来作为清洗液L，使水温为23±3℃。
而且，在清洗槽2内使清洗液L在层流的状态下向横向流动，在对该清洗液L施加超声波振动的同时、进行各流量调整阀4、6的调整以使清洗液L以40升/分从供给口3和排出口5流动。
这里，从清洗槽2的下游侧的侧壁2d，通过溢出来将5升/分的清洗液L不循环地废弃。再有，此时，在清洗槽2内流动的清洗液L的流速约为14mm/秒。与之对应地，进行各流量调整阀4、6的调整，以使从上部的排出口5排出的清洗液L的流量为20升/分，从上部的供给口3新供给5升/分的清洗液L。
这样，可防止上述清洗槽2内的清洗液L的液面上升所形成的逆流。即，确认到：通过调整来自在清洗槽2的上部设置的供给口3的清洗液L的供给和清洗液L从排出口5的排出，可高效地缓和在清洗槽2的上部产生的紊流。
[实施例2]
在实施例2中，使用上述图1、2所示的流水式清洗装置1来实际地进行基板W的清洗。
具体地，使用长度40cm、宽度40cm、深度35cm的SUS304制的清洗槽2，在该清洗槽2的侧壁2b、2d，分别地，直径15mm的供给口3和排出口5相对，同时，在宽度方向上以5cm间隔排列七列并在高度方向上以5cm间隔排列六列共计42(＝7×6)个的格子状地排列配置，流量调整阀4、6与其各个连接。此外，在清洗槽2的底面的外侧，配置有频率950kHz、输出600W的超声波振荡器7。在过滤器9，在一级使用0.5微米过滤器，且循环地再使用在清洗槽2内流动的清洗液L。
此外，作为被清洗物W，准备附着有从1微米到50微米的粉体的清洗力评价用的测试品(外径50mm、厚度3mm的圆盘状的基板)，在将其以10mm间隔在与主面正交的方向上每一列为39个地排列五列(共计395个)而保持在支架50上之后，将该支架50配置在清洗槽2的底面上以使各基板W的主面与清洗液L的流动方向平行。而且，在清洗槽2内的清洗液L中浸渍支架50的状态下，使清洗液L在层流的状态下向横向流动，向该清洗液L施加超声波振动，同时，进行10分钟的清洗。此外，使用纯水来作为清洗液L，使水温为23±3℃。
另外，在调整与各供给口3和排出口5连接的流量调整阀4、6的开度的同时调整在各供给口3和排出口5流动的清洗液L的流量，以使在清洗槽2内以层流的状态流动的清洗液L的平均速度(浸渍被清洗物，施加超声波振动的状态下的流速)为3m/分。
具体地，在实施例2中，如表1所示，调整与各供给口3和排出口5连接的流量调整阀4、6的开度。再有，表1表示在分别从清洗槽2的内侧观察上游侧和下游侧的侧壁2b、2d时宽度方向和高度方向上排列的42个供给口3和排出口5侧的阀开度(％)(对于以下所示的表2也同样)。
表1
供给口侧阀开度(％)
  85   80   80   70   80   80   85
  80   70   65   60   65   70   80
  70   60   50   50   50   60   70
  60   55   50   50   50   55   60
  60   50   50   50   50   55   60
  60   55   55   55   55   55   60
排出口侧阀开度(％)
  90   85   85   75   85   85   90
  85   80   75   70   75   80   85
  70   60   50   50   50   60   70
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
(比较例1)
在比较例1中，与实施例2同样地，使用图1、2所示的流水式清洗装置1来实际地进行基板W的清洗。如表2所示，除了没有进行供给口3和排出口5侧的阀开度的调整以外，与实施例2同样地进行测试品W的清洗。
表2
供给口侧阀开度(％)
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
排出口侧阀开度(％)
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
  50   50   50   50   50   50   50
而且，对于该实施例2和比较例1，评价在清洗后在测试品W残留的粉体的比例。其结果，在比较例1中，粉体的平均除去率约为96.5％。与之相对，在实施例2中，粉体的平均除去率约为99.7％，可知与比较例1的情况相比清洗能力优良。
附图标记的说明：
1流水式清洗装置  2清洗槽  3供给口  4流量调整阀(流量调整单元)  5排出口  6流量调整阀(流量调整单元)  7超声波振荡器(振动产生单元)  8泵  9过滤器

Claims (10)

1.一种流水式清洗方法，在清洗槽内使清洗液向横向流动，在使被清洗物浸渍在该清洗液中的状态下，一边向清洗液施加超声波振动一边进行被清洗物的清洗，其特征在于：
通过调整在向上述清洗槽供给清洗液的多个供给口和从上述清洗槽排出清洗液的多个排出口中的任一个供给口和/或排出口流动的清洗液的流量，来使上述清洗槽内的清洗液在层流的状态下流动。
2.根据权利要求1所述的流水式清洗方法，其特征在于：
从上述清洗槽的底面侧施加超声波振动。
3.根据权利要求1所述的流水式清洗方法，其特征在于：
作为上述被清洗物，进行由支架保持的基板的清洗时，以使该基板的主面与上述清洗液的流动方向平行的方式，将上述支架配置在上述浸渍槽内。
4.根据权利要求3所述的流水式清洗方法，其特征在于：
对以互相平行的状态排列多个地保持于上述支架的基板进行清洗，并且使保持于上述支架的多个基板的间隔密集到在其间流动的清洗液的流水阻力增加的范围。
5.根据权利要求3所述的流水式清洗方法，其特征在于：
将上述清洗槽的内表面与上述基板的最短距离设为该基板的直径的一倍以下。
6.根据权利要求1所述的流水式清洗方法，其特征在于：
清洗作为上述基板的磁记录介质用基板或磁记录介质。
7.根据权利要求1所述的流水式清洗方法，其特征在于：
将上述清洗液循环性地再使用。
8.一种流水式清洗装置，具备：
进行被清洗物的清洗的清洗槽；
向上述清洗槽供给清洗液的多个供给口；
从上述清洗槽排出清洗液的多个排出口；和
向上述清洗槽内的清洗液施加超声波振动的振动产生单元，
在上述清洗槽内使清洗液向横向流动，在使被清洗物浸渍在该清洗液中的状态下，一边向清洗液施加超声波振动一边进行被清洗物的清洗，
其特征在于：
具备调整在上述任一个供给口和/或排出口流动的清洗液的流量的流量调整单元。
9.根据权利要求8所述的流水式清洗装置，其特征在于：
上述振动产生单元配置在上述清洗槽的底面侧。
10.根据权利要求8所述的流水式清洗装置，其特征在于：
具备使上述清洗液循环的机构。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103567183A (zh) * 2012-06-29 2014-02-12 台湾上村股份有限公司 微气泡式处理装置
CN104347384A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 松下电器产业株式会社 晶片清洗装置及晶片清洗方法
CN109509696A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法
CN109720087A (zh) * 2019-01-08 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种印刷丝网清洗装置和清洗系统
CN111167788A (zh) * 2019-12-10 2020-05-19 何学苏 一种超声清洗装置
CN114472358A (zh) * 2022-04-19 2022-05-13 潍坊佳昇光电科技有限公司 载板玻璃快速清洗的方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013001798A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法、ｈｄｄ用ガラス基板、及びｈｄｄ用磁気記録媒体
WO2013001799A1 (ja) * 2011-06-30 2013-01-03 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法、ｈｄｄ用ガラス基板、ｈｄｄ用磁気記録媒体、及びｈｄｄ用ガラス基板の製造方法に用いる洗浄キャリア
JP6034580B2 (ja) * 2012-03-28 2016-11-30 Hoya株式会社 Ｈｄｄ用ガラス基板の製造方法
TW201424873A (zh) * 2012-12-21 2014-07-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 清洗裝置
US20140196744A1 (en) * 2013-01-11 2014-07-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and device for cleaning a brush surface having a contamination

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6463086A (en) * 1987-09-02 1989-03-09 Yoshimi Oshitari Ultrasonic cleaner
US20030101616A1 (en) * 2000-06-08 2003-06-05 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
CN1723539A (zh) * 2002-12-10 2006-01-18 株式会社尼康 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
JP2009039604A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム
CN101395704A (zh) * 2006-09-22 2009-03-25 株式会社华祥 超声波清洗装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5848423A (ja) * 1981-09-17 1983-03-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 洗浄槽
JPS61130389U (zh) * 1985-01-30 1986-08-15
JPS6457624A (en) * 1987-08-28 1989-03-03 Kurita Water Ind Ltd Cleaning equipment
JP3154262B2 (ja) * 1993-03-23 2001-04-09 ソニー株式会社 洗浄槽における整流板の構造及び基板の製造方法
US5520205A (en) * 1994-07-01 1996-05-28 Texas Instruments Incorporated Apparatus for wafer cleaning with rotation
JP3012210B2 (ja) * 1996-02-20 2000-02-21 スピードファムクリーンシステム株式会社 流水式洗浄装置
JPH10144646A (ja) * 1996-11-13 1998-05-29 Kaijo Corp 基板洗浄装置
JP3374894B2 (ja) * 1997-02-14 2003-02-10 株式会社カイジョー 基板処理装置
JP3615040B2 (ja) * 1997-12-25 2005-01-26 シャープ株式会社 洗浄装置
JPH11162923A (ja) * 1997-12-02 1999-06-18 Mitsubishi Electric Corp 洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法
US20020104556A1 (en) * 2001-02-05 2002-08-08 Suraj Puri Controlled fluid flow and fluid mix system for treating objects
JP4386263B2 (ja) * 2004-02-12 2009-12-16 キヤノン株式会社 物品の処理装置及び処理方法
JP4559981B2 (ja) * 2006-02-28 2010-10-13 スピードファムクリーンシステム株式会社 流水式洗浄装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6463086A (en) * 1987-09-02 1989-03-09 Yoshimi Oshitari Ultrasonic cleaner
US20030101616A1 (en) * 2000-06-08 2003-06-05 Semitool, Inc. Surface tension effect dryer with porous vessel walls
CN1723539A (zh) * 2002-12-10 2006-01-18 株式会社尼康 曝光装置和曝光方法以及器件制造方法
CN101395704A (zh) * 2006-09-22 2009-03-25 株式会社华祥 超声波清洗装置
JP2009039604A (ja) * 2007-08-06 2009-02-26 Fujitsu Ltd 洗浄装置、洗浄槽、洗浄方法および洗浄制御プログラム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103567183A (zh) * 2012-06-29 2014-02-12 台湾上村股份有限公司 微气泡式处理装置
CN103567183B (zh) * 2012-06-29 2016-08-17 台湾上村股份有限公司 微气泡式处理装置
CN104347384A (zh) * 2013-07-30 2015-02-11 松下电器产业株式会社 晶片清洗装置及晶片清洗方法
CN109509696A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法
CN109509696B (zh) * 2017-09-15 2020-12-22 上海新昇半导体科技有限公司 一种用于预清洗机的水道装置、预清洗机以及预清洗方法
CN109720087A (zh) * 2019-01-08 2019-05-07 京东方科技集团股份有限公司 一种印刷丝网清洗装置和清洗系统
CN109720087B (zh) * 2019-01-08 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 一种印刷丝网清洗装置和清洗系统
CN111167788A (zh) * 2019-12-10 2020-05-19 何学苏 一种超声清洗装置
CN114472358A (zh) * 2022-04-19 2022-05-13 潍坊佳昇光电科技有限公司 载板玻璃快速清洗的方法

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US20120118322A1 (en) 2012-05-17

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