JPH0878382A - 洗浄装置 - Google Patents

洗浄装置

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JPH0878382A
JPH0878382A JP23040794A JP23040794A JPH0878382A JP H0878382 A JPH0878382 A JP H0878382A JP 23040794 A JP23040794 A JP 23040794A JP 23040794 A JP23040794 A JP 23040794A JP H0878382 A JPH0878382 A JP H0878382A
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JP
Japan
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pure water
wafer
punching plate
plate
discharge port
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP23040794A
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English (en)
Inventor
Hidekazu Eguchi
英和 江口
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Yamaha Corp
Original Assignee
Yamaha Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハ面内エッチング量の均一性の向上を図
ることができる洗浄装置を提供する。 【構成】 底部に純水吐出口16が設けられた洗浄槽1
2と、純水吐出口16の上方に洗浄槽12内部の空間を
上下に区画する状態で配置されたパンチングプレート1
4とを備えている。プレート14上部に配設されたウエ
ハキャリア22にはウエハ20が保持されている。プレ
ート14には、当該プレート14を介して上方に噴き出
される純水の流速が該プレート14の略全面に亘って均
一となるような位置又は形状の多数の孔が穿設されてい
る。このため、例えば、HFによるウエハ20の酸化膜
ウエットエッチング処理終了後、純水吐出口16から純
水が吐出されると、この純水がプレート14を介して上
方に噴出し、これにより、ウエハ20の全面に亘ってH
Fの純水への置換が略均等に進行する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は洗浄装置に係り、更に詳
しくは、半導体製造プロセスの洗浄プロセスに用いられ
る連続バッチ処理装置に適用することのできる洗浄装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年における高度情報化社会では、IC
(集積回路)の高集積化・高密度化の要請から半導体製
造プロセスにおける超微細化、例えばICの回路パター
ンの線幅の超微細化が急速に進み、これに伴い洗浄プロ
セスの重要性が高くなりつつある。
【0003】中でも、ウエット洗浄(連続バッチ処理)
は、重要なプロセス技術とされている。このウエット洗
浄装置は、ウエハの取扱方式から連続バッチ処理装
置、単槽バッチ処理装置、枚葉処理装置の3タイプ
に分類できるが、この中でも連続バッチ処理装置は従
来から最も信頼されよく使用されている。
【0004】連続バッチ処理装置は、搬送ロボットが予
めプログラムされたレシピに従ってウエハの入ったキャ
リアを薬液槽、水洗槽に搬送してウエハをウエット処理
し、最後に乾燥部でウエハを乾燥する装置である。
【0005】この連続バッチ処理装置におけるウエット
洗浄において、ウエハを洗浄槽にてHF(フッ酸)洗浄
後に水洗する場合、すなわちHF(フッ酸)を用いる酸
化膜ウエットエッチングの場合には、OR(オーバーフ
ローリンス)槽が適していることが知られている。
【0006】図4及び図5には、上述のOR槽の従来例
が示されている。
【0007】図4(A),(B)に示されるものは、長
手方向に沿って所定間隔で純水噴出用の小孔50が2列
形成されたパイプ状部材から成る散水管52が洗浄槽5
4の底部に設けられ、散水管52から噴き出される純水
により、HFで酸化膜ウエットエッチングされた図示し
ないウエハを洗浄し、これによりウエハ表面のHFを純
水に置換してエッチングを停止させようとするものであ
る。
【0008】また、図5(A),(B)に示されるもの
は、洗浄槽54の底部中央部に純水吐出口56が2つ所
定間隔で配置され、この純水吐出口56の上方に洗浄槽
54内の空間を上下に区画するような状態でパンチング
プレート58が配置され、純水吐出口56から吐出され
た純水をパンチングプレート58に全面に亘って当間隔
で穿設された複数の同一径の孔60を介して噴出させ、
HFによって酸化膜ウエットエッチングされたウエハを
純水で洗浄し、これによりウエハ表面のHFを純水に置
換してエッチングを停止させようとするものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来例の散水管52を備えたOR槽にあっては、図4
(A)に示されるように、純水が外側から内側に回り込
み、これが対流を起こすことから、図示しないウエハキ
ャリアを介して散水管に直交かつ略鉛直に保持されたウ
エハの外周部では早くエッチングが抑制されるが、中心
部では純水への置換が遅れるため、エッチングが進行し
てしまい、ウエハ面内エッチング量に極端なばらつきが
生じるという不都合があった。
【0010】また、前記複数の孔60が穿設されたパン
チングプレート58を備えたOR槽にあっては、図5
(A)に示されるように、純水吐出口56の真上付近で
は噴き出される純水の流速が速く(単位時間に噴き出さ
れる流量が多く)なるため、前記と同様にして図示しな
いウエハキャリアに保持されたウエハの中心部は早くエ
ッチングが抑制されるが、外周部では純水への置換が遅
れるため、エッチングが進行してしまい、この構成にお
いてもウエハ面内エッチング量にばらつきが生じるとい
う不都合があった。
【0011】
【発明の目的】本発明は、前記従来技術の有する不都合
に着目して案出されたものであり、その目的は、ウエハ
面内エッチング量の均一性の向上を図ることができる洗
浄装置を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明は、底部に純水吐出口が設けられた洗浄槽
と、前記純水吐出口の上方位置で洗浄槽の内部空間を上
下に区画するパンチングプレートとを備え、前記パンチ
ングプレートの上部に配設されるウエハキャリアを介し
てウエハを保持し、前記パンチングプレートの下方から
上方に噴き出される純水にてウエハを洗浄する洗浄装置
において、前記パンチングプレートに、当該パンチング
プレートを介して上方に噴き出される純水の流速がパン
チングプレートの略全面に亘って均一となる位置又は形
状の多数の孔を穿設する、という構成を採っている。
【0013】また、前記洗浄装置において、前記ウエハ
キャリア又はパンチングプレートのいずれか一方に、前
記ウエハを前記パンチングプレートを介して上方に噴き
出される水流の方向に対して所定角度傾斜させる傾斜手
段を更に設ける、という構成も採用されている。
【0014】
【作用】本発明によれば、例えば、HFによるウエハの
酸化膜ウエットエッチング処理終了後、純水吐出口から
純水が吐出されると、この純水がパンチングプレートの
各孔を通って上方に噴出し、これによりウエハキャリア
に保持されたウエハが洗浄され、ウエハ表面のHFが純
水に置換されてエッチングが抑制(又は停止)されるこ
ととなる。
【0015】この場合において、パンチングプレートに
は、当該パンチングプレートを介して上方に噴き出され
る純水の流速がパンチングプレートの略全面に亘って均
一となるような位置又は形状の多数の孔が穿設されてい
ることから、ウエハの全面に亘ってHFの純水への置換
が略均等に進行する。
【0016】また、前記洗浄装置において、付加的に傾
斜手段を設けた構成によれば、ウエハの全面に亘ってH
Fの純水への置換が略均等に進行することはもとより、
傾斜手段によってウエハがパンチングプレートを介して
上方に噴き出される水流の方向に対して所定角度傾斜さ
せられていることから、純水がウエハの表面に沿ってよ
り上方まで這い上がる作用を促進することとなる。
【0017】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1ないし図3を
参照しながら説明する。
【0018】図1ないし図2には、本実施例に係る洗浄
装置10の概略構成が示されている。この洗浄装置10
は、上面が開口した箱型の洗浄槽12と、この洗浄槽1
2の底面近傍に当該洗浄槽12の内部空間を上下に区画
する状態で略水平に配置されたパンチングプレート14
とを備えている。パンチングプレート14の下方には、
図示しない配管を介して純水供給源に接続された純水吐
出口16が相互に所定間隔を隔てて2つ設けられてい
る。さらに、ここでは図示省略しているが、洗浄槽12
は、実際には洗浄槽12よりも大きな回収槽内部に収容
され、この洗浄槽12からオーバーフローした純水は回
収槽に設けられた排出口から排出されるようになってい
る。
【0019】前記洗浄槽12の材質としては、例えば、
不純物濃度が低い石英が使用され、純水吐出口16に接
続された図示しない配管の材質は、クリーン度、耐熱性
(熱殺菌対応)の点でPVDFが一般的に用いられる。
【0020】前記パンチングプレート14には、図3の
平面図に示されるように、純水吐出口16の真上近傍と
周辺部とで密度が異なるように配置された同一直径の孔
からなる純水噴出口18が少なくとも50個以上穿設さ
れている。ここで、純水噴出口18の直径は、ある程度
小さく設定することが、噴き出される純水の対流を抑制
する点では好ましい。因みに、本実施例における純水噴
出口18の直径は2mm以下に設定されている。ここで、
純水噴出口18は、純水吐出口16の真上近傍でその密
度が疎、周辺部で密となるように配置されている。これ
により、図1に示されるように、各純水噴出口18から
噴き出される純水の流速をパンチングプレート14の略
全面に亘って均一とすることができる。
【0021】図1及び図2において、パンチングプレー
ト14上には、複数枚のウエハ20を保持するウエハキ
ャリア22が載置されている。このウエハキャリア22
とパンチングプレート14との間には、ウエハキャリア
22を介してウエハ20を鉛直方向(水流の方向)から
所定角度傾斜させる傾斜手段24が介装されている。こ
の傾斜手段24は、本実施例ではウエハキャリア22の
底面に一体的に設けられた断面台形状の一組の棒状部材
から構成されているが、パンチングプレート14側にこ
の傾斜手段を設けてもよい。
【0022】次に、上述のようにして構成された本実施
例の洗浄装置10による洗浄プロセスを含むウエットエ
ッチングプロセスについて説明する。
【0023】純水と調合され、循環瀘過、温調された
HFを初期作業として洗浄槽へ溜める。
【0024】被エッチング材(熱酸化膜、CVD膜)
が堆積されたウエハ20を、ウエハキャリア22に保持
させた状態で洗浄槽内へ浸漬し、所定の時間エッチング
する。
【0025】その後、図1ないし図2に示されるよう
に、洗浄槽12内のパンチングプレート14上のウエハ
キャリア22に保持されたウエハ20の洗浄を行なう。
具体的には、純水吐出口16から純水を吐出し、この純
水をパンチングプレート14に穿設された純水噴出口1
8を介して鉛直上方に噴出させることにより、ウエハ表
面を洗浄してウエハ表面のHFを純水に置換してエッチ
ングを停止させる。
【0026】次いで、水洗槽へ移動し、水洗の後、図
示しない乾燥部でウエハ20を乾燥し、ウエットエッチ
ングプロセスを終了する。なお、この場合において、水
洗工程の代わりに次洗浄工程が行なわれることもある。
【0027】従って、本実施例によれば、前述したよう
に、パンチングプレート14の純水噴出口18は、その
直径が小さく(2mm以下)され、しかも純水吐出口1
6の真上近傍でその密度が疎、周辺部で密となるように
配置され、各純水噴出口18から噴き出される純水の流
速がパンチングプレート14の略全面に亘って均一とな
るように設定されていることから、水面を静かに保って
純水の流れを乱さずに対流を抑制することができ、これ
らの作用を通じてウエハ20表面のHFの純水への置換
がウエハ20の全面に亘って略均等に進行されることと
なり、ひいてはHFによるウエハ20の酸化膜ウエット
エッチング処理終了後にウエハ20の洗浄を行なうこと
により、エッチング量のウエハ20の面内均一性を従来
に比べて向上させることができるという効果がある。
【0028】また、図2に示されるように、水流に対し
てウエハ20の面が幾分傾斜している構成を採用したか
ら、純水がウエハ20の表面に沿ってより上方へ這い上
がる作用を強く促進でき、従って、大型のウエハ20で
あっても上下でのエッチング量の差を減少させることが
可能になるという効果も達成される。
【0029】なお、前記実施例では、パンチングプレー
ト14に同一直径の小孔(純水噴出口18)を多数設け
その配置を工夫する場合を例示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えばパンチングプレート1
4に従来と同様に純水噴出口を等間隔で配置し、各純水
噴出口の直径を純水吐出口16の真上近傍で小さく周辺
部に行くにしたがって大きくするようにし、これによっ
て各純水噴出口から噴き出される純水の流速がパンチン
グプレート14の全面に亘って略均一となるようにして
もよい。
【0030】また、前記実施例では、洗浄の際、ウエハ
20を水流に対して所定角度傾斜させる場合を例示した
が、これは、水流をウエハ20の表面に沿ってなるべく
上方へ這い上がらせ、大型のウエハ(例えば、7インチ
径、8インチ径)であってもウエハ上下でのエッチング
量の差を減少させるためにこのようにしたものであり、
小型のウエハ(例えば、2インチ径、3インチ径)のみ
に使用する場合は必ずしも傾斜させる必要はない。
【0031】さらに、前記実施例ではオーバーフローリ
ンス槽を有する洗浄装置に本発明を適用する場合を例示
したが、シャワー機能を有するQDR槽(クイックダン
プリンス)槽にも本発明は適用可能である。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば、HFによるウエハの酸化膜ウエットエッチング
処理終了後、純水吐出口から純水が吐出されると、この
純水がパンチングプレートを介して上方に噴出し、ウエ
ハの全面に亘ってHFの純水への置換が略均等に進行す
ることから、ウエハの全面で略同時にエッチングが停止
し、これにより、ウエハ面内エッチング量の均一性の向
上を図ることができる、という従来にない優れた効果を
奏する洗浄装置を提供することができる。
【0033】また、傾斜手段を付加的に設けた洗浄装置
においては、前記傾斜手段によってウエハがパンチング
プレートを介して噴き出される水流に対して所定角度傾
斜させられていることから、純水をウエハの表面に沿っ
てより上方まで這い上がるようにすることができ、これ
によって大型のウエハであってもその上下でのエッチン
グ量の差を減少させることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例を概略的に示した断面図で
ある。
【図2】 図1のA−A線矢視概略断面図である。
【図3】 ウエハキャリアを除去した後の状態を示す図
1の概略平面図である。
【図4】 従来の散水管を備えたOR槽の構成を概略的
に示す図であって、(A)は概略断面図、(B)は
(A)の概略平面図である。
【図5】 従来のパンチングプレートを備えたOR槽の
構成を概略的に示す図であって、(A)は概略断面図、
(B)は(A)の概略平面図である。
【符号の説明】
10・・・洗浄装置、12・・・洗浄槽、14・・・パ
ンチングプレート、16・・・純水吐出口、18・・・
純水噴出口、20・・・ウエハ、22・・・ウエハキャ
リア、24・・・傾斜手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 底部に純水吐出口が設けられた洗浄槽
    と、前記純水吐出口の上方位置で洗浄槽の内部空間を上
    下に区画するパンチングプレートとを備え、前記パンチ
    ングプレートの上部に配設されるウエハキャリアを介し
    てウエハを保持し、前記パンチングプレートの下方から
    上方に噴き出される純水にてウエハを洗浄する洗浄装置
    において、 前記パンチングプレートに、当該パンチングプレートを
    介して上方に噴き出される純水の流速がパンチングプレ
    ートの略全面に亘って均一となる位置又は形状の多数の
    孔を穿設したことを特徴とする洗浄装置。
  2. 【請求項2】 前記ウエハキャリア又はパンチングプレ
    ートのいずれか一方に、前記ウエハを前記パンチングプ
    レートを介して上方に噴き出される水流の方向に対して
    所定角度傾斜させる傾斜手段が更に設けられていること
    を特徴とする請求項1記載の洗浄装置。
JP23040794A 1994-08-31 1994-08-31 洗浄装置 Withdrawn JPH0878382A (ja)

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JP23040794A JPH0878382A (ja) 1994-08-31 1994-08-31 洗浄装置

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JP23040794A JPH0878382A (ja) 1994-08-31 1994-08-31 洗浄装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103878141A (zh) * 2014-03-24 2014-06-25 安徽安芯电子科技有限公司 半导体晶圆清洗装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103878141A (zh) * 2014-03-24 2014-06-25 安徽安芯电子科技有限公司 半导体晶圆清洗装置

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Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

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Effective date: 20011106