JP2752662B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JP2752662B2 JP2752662B2 JP63277851A JP27785188A JP2752662B2 JP 2752662 B2 JP2752662 B2 JP 2752662B2 JP 63277851 A JP63277851 A JP 63277851A JP 27785188 A JP27785188 A JP 27785188A JP 2752662 B2 JP2752662 B2 JP 2752662B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- dry etching
- lower electrode
- etching equipment
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はドライエッチング装置に関する。
従来、この種のドライエッチング装置は、処理室内に
上部電極と下部電極とを有し、下部電極上に置かれた半
導体基板等の被処理物を反応ガスによりエッチングする
ように構成されており、処理室の内壁面へのエッチング
残渣の堆積防止として、内壁面より内側に保護カバーを
取り付けていた。
上部電極と下部電極とを有し、下部電極上に置かれた半
導体基板等の被処理物を反応ガスによりエッチングする
ように構成されており、処理室の内壁面へのエッチング
残渣の堆積防止として、内壁面より内側に保護カバーを
取り付けていた。
上述した従来のドライエッチング装置は、処理室の内
壁面に設けた保護カバーにエッチング残渣を堆積させる
構造となっているので、定期的に保護カバーを洗浄しな
ければならず、そのため工数が増大し、装置の稼働率が
低下するという欠点がある。
壁面に設けた保護カバーにエッチング残渣を堆積させる
構造となっているので、定期的に保護カバーを洗浄しな
ければならず、そのため工数が増大し、装置の稼働率が
低下するという欠点がある。
本発明のドライエッチング装置は、上部電極を備える
上面部、被処理物が載置される下部電極を備える下面
部、及び上面部及び下面部を結ぶ側面部からなるエッチ
ング処理室と、上部電極から下部電極へ向かって反応ガ
スを流す手段と、エッチング処理室の側面部全体にのみ
設けられた複数のクリーニングガス吹出し口とを有して
いる。
上面部、被処理物が載置される下部電極を備える下面
部、及び上面部及び下面部を結ぶ側面部からなるエッチ
ング処理室と、上部電極から下部電極へ向かって反応ガ
スを流す手段と、エッチング処理室の側面部全体にのみ
設けられた複数のクリーニングガス吹出し口とを有して
いる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
第1図において、エッチング処理室5の内壁面には、
ガス導入管8に接続する複数のクリーニングガス吹出し
穴9が形成されている。そして、エッチング処理室5の
内部には処理ガスを流す事のできる上部電極1と、ウェ
ハー2を置く事のできる下部電極3が配置され、それぞ
れ高周波電源4へ接続されている。
ガス導入管8に接続する複数のクリーニングガス吹出し
穴9が形成されている。そして、エッチング処理室5の
内部には処理ガスを流す事のできる上部電極1と、ウェ
ハー2を置く事のできる下部電極3が配置され、それぞ
れ高周波電源4へ接続されている。
上部電極1より流された処理ガスは、上部電極1と下
部電極3間で高周波電圧により励起され、下部電極3上
に置かれたウェハー2のエッチング処理を行ない、エッ
チング処理室5の内壁面に沿って下方にある排気口6へ
排出される。この時、ガス導入管8より導入され、エッ
チング処理室5の内壁面の複数の小孔より吹き出すO2等
のクリーニングガスにより、エッチング後のガスに含ま
れるエッチング残渣は、エッチング処理室5の内壁面に
付着し堆積する事なく、排気口6より排出される。この
ため従来のように保護カバーを用いる必要がないため、
エッチング装置の稼働率は向上する。
部電極3間で高周波電圧により励起され、下部電極3上
に置かれたウェハー2のエッチング処理を行ない、エッ
チング処理室5の内壁面に沿って下方にある排気口6へ
排出される。この時、ガス導入管8より導入され、エッ
チング処理室5の内壁面の複数の小孔より吹き出すO2等
のクリーニングガスにより、エッチング後のガスに含ま
れるエッチング残渣は、エッチング処理室5の内壁面に
付着し堆積する事なく、排気口6より排出される。この
ため従来のように保護カバーを用いる必要がないため、
エッチング装置の稼働率は向上する。
第2図は本発明の第2の実施例の断面図である。
本第2の実施例では、エッチング処置室5の内壁部よ
り内側に、複数個のクリーニングガス吹出し穴9を有す
る側面パネル7を設けたものである。
り内側に、複数個のクリーニングガス吹出し穴9を有す
る側面パネル7を設けたものである。
このように構成された第2の実施例においても反応ガ
スに含まれるエッチング残渣は排気口6より排出され
る。そして、第1の実施例のように、エッチング処置室
5へ小孔を開口する必要がないため、低価格で装置を作
製できる利点がある。
スに含まれるエッチング残渣は排気口6より排出され
る。そして、第1の実施例のように、エッチング処置室
5へ小孔を開口する必要がないため、低価格で装置を作
製できる利点がある。
以上説明したように本発明は、ドライエッチング装置
のエッチング処理室の内壁部に複数個のクリーニングガ
ス吹出し口を設けることにより、エッチング処理中に発
生する残渣が内壁面に付着するのを抑制できるので、定
期的な清掃も不用となり、装置の稼働率を向上させるこ
とかできる効果がある。
のエッチング処理室の内壁部に複数個のクリーニングガ
ス吹出し口を設けることにより、エッチング処理中に発
生する残渣が内壁面に付着するのを抑制できるので、定
期的な清掃も不用となり、装置の稼働率を向上させるこ
とかできる効果がある。
第1図及び第2図は本発明の第1及び第2の実施例の断
面図である。 1……上部電極、2……ウェハー、3……下部電極、4
……高周波電源、5……エッチング処理室、6……排気
口、7……側面パネル、8……ガス導入管、9……クリ
ーニングガス吹出し穴。
面図である。 1……上部電極、2……ウェハー、3……下部電極、4
……高周波電源、5……エッチング処理室、6……排気
口、7……側面パネル、8……ガス導入管、9……クリ
ーニングガス吹出し穴。
Claims (1)
- 【請求項1】上部電極を備える上面部、被処理物が載置
される下部電極を備える下面部、及び前記上面部及び前
記下面部を結ぶ側面部からなるエッチング処理室と、前
記上部電極から前記下部電極へ向かって反応ガスを流す
手段と、前記エッチング処理室の前記側面部全体にのみ
設けられた複数のクリーニングガス吹出し口とを有する
ドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277851A JP2752662B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63277851A JP2752662B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02122626A JPH02122626A (ja) | 1990-05-10 |
JP2752662B2 true JP2752662B2 (ja) | 1998-05-18 |
Family
ID=17589158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63277851A Expired - Lifetime JP2752662B2 (ja) | 1988-11-01 | 1988-11-01 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2752662B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5425842A (en) * | 1992-06-09 | 1995-06-20 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device using a chemical vapour deposition process with plasma cleaning of the reactor chamber |
JP2007300045A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | ドライエッチング装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60234324A (ja) * | 1984-05-07 | 1985-11-21 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
JPS6370530A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JPS63111621A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | エツチング処理装置 |
-
1988
- 1988-11-01 JP JP63277851A patent/JP2752662B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH02122626A (ja) | 1990-05-10 |
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