KR20180110852A - 약액 배스 및 기판 처리 장치 - Google Patents

약액 배스 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20180110852A
KR20180110852A KR1020170040697A KR20170040697A KR20180110852A KR 20180110852 A KR20180110852 A KR 20180110852A KR 1020170040697 A KR1020170040697 A KR 1020170040697A KR 20170040697 A KR20170040697 A KR 20170040697A KR 20180110852 A KR20180110852 A KR 20180110852A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
housing
bath
chemical liquid
main body
lower space
Prior art date
Application number
KR1020170040697A
Other languages
English (en)
Inventor
이제윤
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020170040697A priority Critical patent/KR20180110852A/ko
Publication of KR20180110852A publication Critical patent/KR20180110852A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 약액의 열손실을 방지함과 아울러 약액의 순도를 유지하며 재사용이 가능한 약액 배스 및 기판 처리 장치를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 약액 배스는, 배스 본체; 상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징;을 포함하여 구성된다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 배스 본체와, 상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징을 포함하는 약액 배스; 및 상기 하우징으로부터 배출되는 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 약액을 상기 배스 본체로 재공급하는 재순환 공급부;를 포함하여 구성된다.

Description

약액 배스 및 기판 처리 장치{Chemical bath and substrate processing apparatus}
본 발명은 약액 배스 및 기판 처리 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 약액의 열손실을 방지함과 아울러 약액의 순도를 유지하며 재순환 공급이 가능한 약액 배스 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 웨이퍼 또는 평판 디스플레이 기판 등은 다양한 제조공정을 거쳐 제조되고, 이러한 제조공정 중 표면처리공정에는 기판에 세정수, 에칭액 또는 현상액 등의 기판처리용 약액을 처리하여 기판을 세정, 식각, 현상 또는 스트립핑하는 공정 등이 있다. 처리 대상 기판을 약액 배스 내에 수용된 약액에 침지시킨 상태에서 약액을 순환 공급하며 기판 처리 공정이 수행된다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 종래의 기판 처리용 약액 배스(1)는, 기판 거치부(11)가 내부에 마련된 배스 본체(10)와, 상기 배스 본체(10)로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징(20)을 포함하여 구성된다.
상기 배스 본체(10)의 상부에는 기판을 탑재한 카세트의 출납을 위해 개폐 가능한 덮개(미도시됨)가 구비되고, 기판 처리 공정이 수행되는 동안 상기 배스 본체(10)의 상부는 덮개에 의해 밀폐될 수 있다.
상기 배스 본체(10)의 양측부에는, 배스 본체(10)로부터 오버플로우되는 약액이 통과하는 타공(12)이 형성되고, 상기 타공(12)을 통해 오버플로우된 약액은 하우징(20)의 경사면(21)을 타고 유동한 후에 하우징(20)의 전방에 구비된 배출부(30)를 통과하여 하우징(20)의 하부 공간(20)으로 유동하고, 상기 하부 공간(20)에 모인 약액은 히터(40)에 의해 가열된 후에 배스 본체(10)로 재공급되도록 구성되어 있다.
이와 같이 구성된 종래의 약액 배스(1)는, 배스 본체(10)의 상단부와 하우징(20)의 상단부 사이에 외부 공기와 연통되는 개방부(S)가 형성됨에 따라, 배스 본체(10)로부터 오버플로우되는 약액이 외기와 접촉되어 열손실이 발생하는 문제가 있다. 이와 같이 약액의 열손실이 발생하게 되면, 약액을 공정 온도까지 가열하기 위해 히터(40)의 부하를 상승시켜야 하므로 전력 손실이 발생하는 문제점이 있다.
또한 종래의 약액 배스(1)는, 배스 본체(10)의 양측부에 형성된 상기 타공(12)이 수평방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성되어 있어, 배스 본체(10)의 레벨이 설치 현장의 상황에 따라서 수평상태로 정위치되지 않은 경우에는 배스 본체(10)의 일측으로만 약액이 오버플로우되고 반대측으로는 오버플로우되지 않게 되므로 약액의 분포가 불균일해져 균일한 공정 성능을 실현할 수 없는 문제점이 있다.
또한 종래의 약액 배스(1)의 경우, 하우징(20)의 하부 공간에 설치되는 히터(40)가 외팔보 구조로 설치됨에 따라 히터(40)의 자중에 의한 처짐이 발생할 경우에는, 히터(40)의 끝단부가 하우징(20)의 바닥판(22)에 접촉하게 되어 바닥판(22)의 변형이 발생될 수 있고, 하우징(20)과 히터(40)가 연결되는 실링부위가 변형되어 누수 현상이 초래될 수 있는 문제점이 있다.
이와 같은 약액의 순환 공급에 의해 기판을 처리하는 약액 배스 및 이를 포함하는 기판 처리 장치와 관련된 선행기술은, 공개특허 제10-2013-0120613호에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 약액이 오버플로우되는 과정에서 약액의 열손실에 의한 온도 저하를 방지함과 아울러 구조적인 변형을 방지할 수 있는 견고한 조립 구조를 구비한 약액 배스를 제공함에 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은, 순도를 유지한 상태로 약액의 순환 공급을 가능하도록 하여 기판 처리 품질을 향상시킴과 아울러 약액의 교체 주기를 연장할 수 있도록 하는 기판 처리 장치를 제공하는데 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 약액 배스는, 배스 본체; 상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징;을 포함하여 구성된다.
상기 하우징은, 상기 배스 본체의 외측 둘레에 구비되는 측판과, 상기 배스 본체의 상단과 상기 측판의 상단 사이를 밀폐하며 결합되는 상판을 포함할 수 있다.
상기 배스 본체의 양측부에는 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액이 통과하는 타공이 형성되되, 상기 타공은 세로방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성될 수 있다.
상기 타공은 상기 배스 본체의 양측부 상부에 다수개가 횡방향으로 배열될 수 있다.
상기 배스 본체와 상기 하우징 사이에는, 상기 배스 본체를 상기 하우징에 고정시켜 지지하기 위한 리브가 구비될 수 있다.
상기 리브는, 상기 배스 본체의 외측면과 상기 하우징의 내측면 사이에 결합되며, 전후 방향으로 이격되어 복수로 구비될 수 있다.
상기 리브는 상기 배스 본체와 상기 하우징에 용접 결합될 수 있다.
상기 하우징의 상판 상에는 발판 지지부가 구비될 수 있다.
상기 배스 본체로부터 오버플로우된 약액은, 상기 배스 본체의 하측에 마련된 하우징의 하부 공간으로 유동한 후에 배스 본체의 후방에 구비된 배출부를 통하여 배출될 수 있다.
상기 배출부는, 상기 하부 공간과 연통되며 상기 배스 본체의 후방 양측에 형성된 연통부와, 상기 양측의 연통부로부터 상기 배스 본체의 후방 중앙을 향하여 상향의 기울기를 가지며 구비된 경사부를 포함하고, 상기 배스 본체의 후방 중앙에는 상기 경사부를 따라 이송된 약액이 배출되는 배출포트가 형성될 수 있다.
상기 하우징의 하부 공간에는 약액을 가열하기 위한 히터가 구비될 수 있다.
상기 히터는 상기 하우징의 일측부를 관통하여 상기 하부 공간을 가로지르도록 배치되고, 상기 히터의 끝단을 상기 하우징의 바닥판에 고정시켜 지지하기 위한 지지대를 더 포함할 수 있다.
상기 하우징의 하부 공간의 일측에는 약액의 온도를 감지하기 위한 온도센서가 구비되고, 상기 온도센서에서 감지된 온도가 설정 온도에 도달하도록 상기 히터의 가동이 제어될 수 있다.
상기 하우징의 내부는, 격판을 사이에 두고, 상기 격판의 상측에 마련되어 상기 배스 본체가 수용되는 상부 공간과, 상기 격판의 하측에 마련되어 약액의 배출 유로를 제공하는 하부 공간으로 구획되고, 상기 배출부를 통하여 배출된 약액은 상기 상부 공간의 일측에 구비된 재순환 공급포트를 통하여 상기 배스 본체로 재공급될 수 있다.
상기 하우징의 하부 공간의 일측에는 상기 하우징에 착탈 가능한 유지보수창이 구비될 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 배스 본체와, 상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징을 포함하는 약액 배스; 및 상기 하우징으로부터 배출되는 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 약액을 상기 배스 본체로 재공급하는 재순환 공급부;를 포함하여 구성된다.
상기 하우징에는 상기 오버플로우되는 약액에서 발생하는 흄을 흡입하여 배기하기 위한 흄 배기부가 연결될 수 있다.
상기 흄 배기부는 상기 하우징과 연통되며 밀폐된 구조로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 약액 배스에 의하면, 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징을 구비함으로써, 약액이 오버플로우되는 과정에서 약액의 열손실에 의한 온도 저하를 방지할 수 있어, 히터의 가동에 따른 전력 손실을 절감할 수 있다.
또한 배스 본체의 양측부에 세로 방향으로 길죽한 장공 형상의 타공을 형성하여 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액이 통과하도록 구성함으로써, 배스 본체의 레벨이 수평 상태로 정위치되지 않은 경우라도 타공의 절반 높이에 약액이 차있는 상태에서 배스 본체의 양측으로 약액이 균일하게 오버플로우될 수 있게 되므로, 균일한 공정 성능을 실현할 수 있다.
또한 배스 본체를 하우징에 고정시켜 지지하기 위한 리브를 구비함으로써, 약액 배스의 견고한 조립이 가능해져 구조적인 변형을 방지할 수 있다.
또한 하우징의 상판 상에 발판 지지부를 구비함으로써, 발판 지지부 상에 발판을 올려 놓은 상태에서 작업자가 발판을 딛고 작업을 수행할 수 있게 되므로 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.
또한 약액의 배출 유로인 하우징의 하부 공간에 히터를 구비하되, 히터의 끝단을 지지대에 의해 하우징의 바닥판에 고정 지지함으로써, 히터의 처짐을 방지할 수 있고, 히터가 아래로 처지는 경우에 히터의 끝단부가 하우징의 바닥판에 접촉되는 경우에 초래될 수 있는 바닥판의 변형을 방지할 수 있다.
또한 배스 본체의 후방에 구비되는 약액의 배출부를 하우징의 하부 공간보다 더 높게 위치시킴으로써, 약액이 하부 공간에 체류하는 시간을 증대시킬 수 있어 히터에서 발생되는 열과 약액 간에 열전달이 원활하게 이루어질 수 있고, 약액이 설정된 온도로 가열된 상태에서 배출부를 통하여 배출된 후에 약액 배스로 순환 공급될 수 있어, 기판 처리 품질을 향상시킬 수 있다.
또한 하우징의 하부 공간의 일측에는 유지보수창을 구비함으로써 히터의 교체 또는 약액 배스 내부의 청소 작업 등의 유지보수작업의 편의성을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징과, 하우징으로부터 배출되는 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 약액을 배스 본체로 재공급하는 재순환 공급부를 포함하여 구성함으로써, 순도를 유지한 상태로 약액의 순환 공급을 가능해져 기판 처리 품질을 향상시킴과 아울러 약액의 교체 주기를 연장할 수 있다.
또한 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액에서 발생하는 흄을 흡입하여 배기하기 위한 흄 배기부를 하우징과 밀폐된 구조로 연통되도록 구성함으로써, 흄의 배기 시에도 약액의 열손실을 방지할 수 있다.
도 1은 종래 약액 배스의 사시도,
도 2는 도 1의 A-A 선을 따르는 단면 사시도,
도 3은 도 1의 B-B 선을 따르는 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 약액 배스의 사시도,
도 5는 도 4의 평면도,
도 6은 도 5의 C-C 선을 따르는 단면 사시도,
도 7은 도 5의 D-D 선을 따르는 단면도,
도 8은 도 5의 E-E 선을 따르는 단면도,
도 9는 도 5의 F-F 선을 따르는 단면 사시도,
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 구성도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 4 내지 도 9를 참조하면, 본 발명에 따른 약액 배스(100)는, 배스 본체(110)와, 상기 배스 본체(110)의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체(110)로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징(120)을 포함하여 구성된다.
상기 배스 본체(110)의 내부에는 약액이 수용되고, 처리 대상 기판(미도시됨)이 거치되는 기판 거치부(111)가 구비된다. 일실시예로서, 상기 배스 본체(110)의 내부에서는 태양광 웨이퍼가 수용되고, 약액에 의해 태양광 웨이퍼의 표면을 식각하여 광 반사율을 낮추기 위한 피라미드를 형성하는 텍스처링(texturing) 공정이 수행될 수 있다. 다만, 본 발명에 따른 약액 배스(100)는 상기 텍스처링 공정 이외에도 약액을 사용하는 다양한 기판 처리 공정에 적용될 수 있다.
상기 배스 본체(110)의 상부에는 기판을 탑재한 카세트의 출납을 위해 개폐 가능한 덮개(미도시됨)가 구비되고, 기판 처리 공정이 수행되는 동안 상기 배스 본체(110)의 상부는 덮개에 의해 밀폐될 수 있다.
상기 배스 본체(110)의 양측부에는 배스 본체(110)로부터 오버플로우(overflow)되는 약액이 통과하는 다수개의 타공(112)이 형성된다. 상기 타공(112)은 세로방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성되고, 횡방향으로 일정한 간격을 두고 배열된다.
이와 같이 타공(112)이 세로방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성됨으로써, 배스 본체(110)의 레벨이 설치 현장의 상황에 따라서 수평 상태로 정위치되지 않은 경우라도 타공(112)의 절반 높이에 약액이 차있는 상태에서 배스 본체(110)의 양측으로 약액이 균일하게 오버플로우될 수 있게 되므로, 균일한 공정 성능을 실현할 수 있다. 따라서, 종래 타공이 가로방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성될 경우에 초래될 수 있는 배스 본체(110)의 양측으로 약액이 불균일하게 오버플로우되어 공정 성능이 저하되는 문제점을 해결할 수 있다.
상기 하우징(120)은, 배스 본체(110)의 둘레에 밀폐된 구조로 이루어지며, 약액의 배출 유로를 제공하며 약액 배스(100)의 외부 구조물을 형성한다.
상기 하우징(120)은, 배스 본체(110)의 외측 둘레에 구비되는 측판(121)과, 상기 배스 본체(110)의 상단과 상기 측판(121)의 상단 사이를 밀폐하며 결합되는 상판(122)을 포함하고, 상기 측판(121)의 하단에는 바닥판(123)이 결합된다.
도 5 내지 도 8을 참조하면, 상기 배스 본체(110)로부터 오버플로우되는 약액은 화살표로 나타낸 바와 같이 타공(112)을 통과하여 배스 본체(110)의 외측면과 하우징(120)의 내측면 사이의 이격된 공간을 통하여 아래 방향으로 유동하게 된다.
이 경우 상기 타공(112)을 통과한 약액이 배출되는 유로는, 하우징(120)의 측판(121)과 상판(122)에 의해 외기와 차단되어 밀폐된 구조로 마련되므로, 오버플로우되는 약액과 약액 배스(100) 외부의 공기 간의 접촉이 차단되어 약액의 열손실 및 이에 따른 약액의 온도 저하를 방지할 수 있게 되며, 이로써 약액의 온도 유지를 위한 히터(150)의 가동에 따른 전력 손실을 절감할 수 있다.
한편, 상기 배스 본체(110)와 하우징(120) 사이에는, 배스 본체(110)를 하우징(120)에 고정시켜 지지하기 위한 리브(140)가 구비된다.
상기 리브(140)는, 배스 본체(110)의 외측면과 하우징(120)의 측판(121)의 내측면 사이에 결합되며, 전후 방향으로 이격되어 복수로 구비되고, 배스 본체(110)와 하우징(120)에 용접 결합될 수 있다. 그리고, 상기 리브(140)의 하부에는 약액의 배출 유로를 형성하기 위한 절개부(140a)가 형성될 수 있다.
상기 리브(140)의 구성에 의하면, 배스 본체(110)를 하우징(120)에 고정시켜 지지할 수 있으므로, 약액 배스(100)의 견고한 조립이 가능해져 구조적인 변형을 방지할 수 있다.
한편, 도 4를 참조하면, 상기 하우징(110)의 상판(122) 상에는 발판 지지부(123)가 전후 방향으로 일정 간격을 두고 다수로 구비된다. 이와 같이 하우징(110)의 상판(122) 상에 발판 지지부(123)를 구비함으로써, 발판 지지부(123) 상에 발판(미도시됨)을 올려 놓은 상태에서 작업자가 발판을 딛고 유지보수 작업을 수행할 수 있게 되므로 작업 편의성을 향상시킬 수 있다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 상기 하우징(120)의 내부는, 격판(P)을 사이에 두고, 상기 격판(P)의 상측에 마련되어 배스 본체(110)가 수용되는 상부 공간(S1)과, 상기 격판(P)의 하측에 마련되어 약액의 배출 유로를 제공하는 하부 공간(S2)으로 구획된다. 상기 배스 본체(110)로부터 오버플로우된 약액은, 상기 하부 공간(S2)으로 유동하고, 리브(140)의 절개부(140a)를 통과하여 후방으로 유동한 후에 배스 본체(110)의 후방에 구비된 배출부(130)를 통하여 외부로 배출된다.
상기 배출부(130)는, 상기 하부 공간(S2)과 연통되며 배스 본체(110)의 후방 양측에 형성된 연통부(132)와, 상기 양측의 연통부(132)로부터 배스 본체(110)의 후방 중앙을 향하여 상향의 기울기를 가지며 구비된 경사부(133)와, 양측의 경사부의 상단에 양단이 연결되는 수평부(134)를 포함하고, 상기 배스 본체(110)의 후방 중앙의 상기 수평부(134)의 상측에는 약액이 배출되는 배출포트(131)가 형성된다.
그리고, 상기 하우징(120)의 하부 공간(S2)에는 약액을 설정된 온도로 가열하기 위한 히터(150)가 구비된다. 상기 히터(150)는 하우징(120)의 일측부를 관통하여 하부 공간(S2)을 수평으로 가로지르도록 배치되고, 히터(150)의 끝단은 지지대(151)에 의해 하우징(120)의 바닥판(124)에 고정 지지된다. 상기 히터(150)는 측방향으로 일정 간격을 두고 복수로 구비될 수 있다.
이와 같이 약액의 배출 유로인 하우징(120)의 하부 공간(S2)에 히터(150)를 구비하되, 히터(150)의 끝단을 지지대(151)에 의해 하우징(120)의 바닥판(124)에 고정 지지함으로써, 히터(150)의 처짐을 방지할 수 있고, 히터(150)의 끝단이 아래로 처지는 경우에 히터(150)의 끝단부가 하우징(120)의 바닥판(124)에 접촉되는 경우에 초래될 수 있는 바닥판(124)의 변형을 방지할 수 있다.
또한 배스 본체(110)의 후방에 구비되는 배출부(130)를 하우징(120)의 하부 공간(S2)보다 더 높게 위치시킴으로써, 약액이 하부 공간(S2)에 체류하는 시간을 증대시킬 수 있어 히터(150)에서 발생되는 열과 약액 간에 열전달이 원활하게 이루어질 수 있고, 약액이 설정된 온도로 가열된 상태에서 배출부(130)를 통하여 배출된 후에 약액 배스(110)로 순환 공급될 수 있다.
도 7과 도 9를 참조하면, 상기 배출부(130)를 통하여 배출된 약액은 하우징(120)의 상부 공간(S2)의 일측에 구비된 재순환 공급포트(171)를 통하여 배스 본체(110)로 재공급되고, 상기 상부 공간(S1)의 기판 거치부(111)의 하측에는 재순환 공급포트(171)에 연결되어 약액을 공급하는 재순환 공급관(172)이 구비된다.
그리고, 배스 본체(110)의 후방에는, 약액을 공급하기 위한 약액 공급포트(173), 약액 배스(100)의 내부로 순수(DIW)를 공급하기 위한 순수 공급포트(174), 상부 공간(S1)의 약액을 배출하기 위한 제1드레인포트(175), 하부 공간(S2)의 약액을 배출하기 위한 제2드레인포트(176), 하부 공간(S2) 내부의 약액의 온도를 감지하기 위한 온도센서(177), 약액 배스(100) 내부에 수용된 약액의 고수위 감지를 위한 제1수위센서(178)와 저수위 감지를 위한 제2수위센서(179)를 구비할 수 있다. 그리고, 상기 온도센서(177)에서 감지된 온도가 설정 온도에 도달하도록 상기 히터(150)의 가동이 자동 제어되도록 구성될 수 있다.
한편, 도 4와 도 6을 참조하면, 하우징(120)의 하부 공간(S2)의 일측에는 유지보수창(160)이 구비된다. 상기 유지보수창(160)은 볼트 등의 체결부재(161)에 의해 하우징(120)에 착탈 가능하도록 결합되거나, 용접에 의해 하우징(120)에 일체로 결합될 수 있다. 상기 유지보수창(160)을 구비함으로써, 히터(150)의 교체 또는 약액 배스(100) 내부의 청소 작업 등의 유지보수작업의 편의성을 향상시킬 수 있다.
이하, 상기와 같이 구성된 약액 배스(100)를 포함하는 기판 처리 장치(200)의 구성 및 작용을 설명한다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(200)는, 배스 본체(110)와, 상기 배스 본체(110)의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체(110)로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징(120)을 포함하는 약액 배스(100), 및 상기 하우징(120)으로부터 배출되는 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 약액을 배스 본체(110)로 재공급하는 재순환 공급부(240)를 포함하여 구성된다. 상기 부산물은 기판의 식각 등 처리 시에 기판으로부터 식각되어 분리된 물질과, 약액 배스(100) 내부의 구성부품으로부터 발생하는 물질 등일 수 있다.
상기 재순환 공급부(240)는, 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 순도를 회복한 약액을 배출하는 분리부(220)와, 상기 분리부(220)를 통과한 약액을 재순환 공급포트(171) 측으로 압송하는 펌프(230)를 포함하여 구성될 수 있다.
한편, 상기 하우징(120)에는 오버플로우되는 약액에서 발생하는 흄(fume)을 흡입하여 배기하기 위한 흄 배기부(210)가 연결될 수 있다. 상기 흄 배기부(210)는 하우징(120)과 연통되며 밀폐된 구조로 구비되어 있다.
따라서, 약액이 배스 본체(110)로부터 오버플로우됨과 동시에 약액으로부터 발생하는 흄이 배기되는 과정에서도 약액이 유동하는 유로는 외기와 차단된 밀폐 상태를 유지하게 되므로, 약액의 열손실을 방지할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
1 : 약액 배스 10 : 배스 본체
11 : 기판 거치부 12 : 타공
20 : 하우징 21 : 경사면
22 : 바닥판 30 : 배출부
40 : 히터 S : 개방부
100 : 약액 배스 110 : 배스 본체
111 : 기판 거치부 112 : 타공
120 : 하우징 121 : 측판
122 : 상판 123 : 발판 지지부
124 : 바닥판 130 : 배출부
131 : 배출포트 132 : 연통부
133 : 경사부 134 : 수평부
140 : 리브 150 : 히터
151 : 지지대 160 : 유지보수창
171 : 재순환 공급포트 172 : 재순환 공급관
173 : 약액 공급포트 174 : 순수 공급포트
175 : 제1드레인포트 176 : 제2드레인포트
177 : 온도센서 178 : 제1수위센서
179 : 제2수위센서 P : 격판
S1 : 제1공간 S2 : 제2공간
200 : 기판 처리 장치 210 : 흄 배기부
220 : 분리부 230 : 펌프
240 : 재순환 공급부

Claims (18)

  1. 배스 본체;
    상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징;
    을 포함하는 약액 배스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하우징은, 상기 배스 본체의 외측 둘레에 구비되는 측판과, 상기 배스 본체의 상단과 상기 측판의 상단 사이를 밀폐하며 결합되는 상판을 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배스 본체의 양측부에는 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액이 통과하는 타공이 형성되되,
    상기 타공은 세로방향으로 길죽한 장공 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 타공은 상기 배스 본체의 양측부 상부에 다수개가 횡방향으로 배열된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 배스 본체와 상기 하우징 사이에는, 상기 배스 본체를 상기 하우징에 고정시켜 지지하기 위한 리브가 구비된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리브는, 상기 배스 본체의 외측면과 상기 하우징의 내측면 사이에 결합되며, 전후 방향으로 이격되어 복수로 구비된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 리브는 상기 배스 본체와 상기 하우징에 용접 결합된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 하우징의 상판 상에는 발판 지지부가 구비된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 배스 본체로부터 오버플로우된 약액은, 상기 배스 본체의 하측에 마련된 하우징의 하부 공간으로 유동한 후에 배스 본체의 후방에 구비된 배출부를 통하여 배출되는 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배출부는, 상기 하부 공간과 연통되며 상기 배스 본체의 후방 양측에 형성된 연통부와, 상기 양측의 연통부로부터 상기 배스 본체의 후방 중앙을 향하여 상향의 기울기를 가지며 구비된 경사부를 포함하고,
    상기 배스 본체의 후방 중앙에는 상기 경사부를 따라 이송된 약액이 배출되는 배출포트가 형성된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 하우징의 하부 공간에는 약액을 가열하기 위한 히터가 구비된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 히터는 상기 하우징의 일측부를 관통하여 상기 하부 공간을 가로지르도록 배치되고, 상기 히터의 끝단을 상기 하우징의 바닥판에 고정시켜 지지하기 위한 지지대를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 하우징의 하부 공간의 일측에는 약액의 온도를 감지하기 위한 온도센서가 구비되고, 상기 온도센서에서 감지된 온도가 설정 온도에 도달하도록 상기 히터의 가동이 제어되는 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 하우징의 내부는, 격판을 사이에 두고, 상기 격판의 상측에 마련되어 상기 배스 본체가 수용되는 상부 공간과, 상기 격판의 하측에 마련되어 약액의 배출 유로를 제공하는 하부 공간으로 구획되고,
    상기 배출부를 통하여 배출된 약액은 상기 상부 공간의 일측에 구비된 재순환 공급포트를 통하여 상기 배스 본체로 재공급되는 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 하우징의 하부 공간의 일측에는 상기 하우징에 착탈 가능한 유지보수창이 구비된 것을 특징으로 하는 약액 배스.
  16. 배스 본체와, 상기 배스 본체의 외측부에 밀폐된 구조로 이루어지며, 상기 배스 본체로부터 오버플로우되는 약액의 배출 유로를 제공하는 하우징을 포함하는 약액 배스; 및
    상기 하우징으로부터 배출되는 약액에 포함된 부산물을 분리 제거한 후에 약액을 상기 배스 본체로 재공급하는 재순환 공급부;
    를 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 하우징에는 상기 오버플로우되는 약액에서 발생하는 흄을 흡입하여 배기하기 위한 흄 배기부가 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 흄 배기부는 상기 하우징과 연통되며 밀폐된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020170040697A 2017-03-30 2017-03-30 약액 배스 및 기판 처리 장치 KR20180110852A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170040697A KR20180110852A (ko) 2017-03-30 2017-03-30 약액 배스 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170040697A KR20180110852A (ko) 2017-03-30 2017-03-30 약액 배스 및 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20180110852A true KR20180110852A (ko) 2018-10-11

Family

ID=63865251

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170040697A KR20180110852A (ko) 2017-03-30 2017-03-30 약액 배스 및 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20180110852A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029222A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230029222A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3308333B2 (ja) 電解メッキ装置，及び電解メッキ処理方法
US7267749B2 (en) Workpiece processor having processing chamber with improved processing fluid flow
JP3464843B2 (ja) 基板処理装置における基板処理方法および基板処理装置
US7171973B2 (en) Substrate processing apparatus
KR980012044A (ko) 기판건조장치 및 기판건조방법
US10711364B2 (en) Uniform flow behavior in an electroplating cell
US7648580B2 (en) Substrate processing method and substrate processing device
CN112740361A (zh) 衬底处理装置及衬底处理方法
KR20180110852A (ko) 약액 배스 및 기판 처리 장치
KR101920327B1 (ko) 기판 열처리 장치
JPH05152273A (ja) 枚葉洗浄用オーバーフロー槽
JP4351981B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法及びその装置
JP3364620B2 (ja) 基板処理装置
US20210035822A1 (en) Wafer cleaning device
KR100598914B1 (ko) 약액 재생 시스템 및 약액 재생 방법, 그리고 상기시스템을 가지는 기판 처리 설비
JP2013219312A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
US20230298910A1 (en) Substrate processing apparatus
JP3716242B2 (ja) 噴流式めっき装置
JP2010274401A (ja) インゴット処理装置
KR101553361B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2006032673A (ja) 基板処理装置
JP2001028356A (ja) 洗浄装置
JP3363023B2 (ja) 基板処理装置
KR20110099510A (ko) 약액 순환 장치 및 기포 제거 장치
KR20060038754A (ko) 반도체 제조용 웨이퍼 보우트

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant