JP3363023B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
- Publication number
- JP3363023B2 JP3363023B2 JP08678796A JP8678796A JP3363023B2 JP 3363023 B2 JP3363023 B2 JP 3363023B2 JP 08678796 A JP08678796 A JP 08678796A JP 8678796 A JP8678796 A JP 8678796A JP 3363023 B2 JP3363023 B2 JP 3363023B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition wall
- substrate
- processing
- airflow
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
ガラス基板等の基板を処理液に浸漬してその表面に洗浄
等の処理を施すように構成された基板処理装置に関する
ものである。
等の基板の製造においては、基板搬送用のハンドリング
手段によって基板を保持し、このハンドリング手段の移
動に伴い基板を搬送しながら各種処理液を貯留した複数
の処理槽に順次浸漬することにより基板に薬液処理や水
洗処理等の一連の化学処理を施すことが行われている。
この種の装置では、処理槽から発生した処理液蒸気によ
るハンドリング手段の駆動部の腐食を防止するという理
由から、装置内空間が隔壁により処理槽の配設部(処理
室)とハンドリング手段の駆動部の配設部(駆動室)と
に仕切られ、ハンドリング手段のアーム、すなわち基板
保持部が隔壁に形成された開口を介して処理室に介入す
るように構成されている。
ぞれ気流流下装置が配置され、ここでクリーンエアーが
生成、流下させられることによって両室にダウンフロー
が形成され、処理液蒸気や浮遊パーティクルがこのダウ
ンフローと共に流下させられて外部に排気されるように
なっている。
る強制排気口を介して処理内の雰囲気が吸引排気され、
これにより処理液蒸気の排気が行われる。このような強
制排気により処理液蒸気の駆動室への侵入が防止される
ようになっている。
雰囲気を強制排気してもなお処理室から駆動室への処理
液蒸気の侵入を防止することはできなかった。特に、例
えば処理液として高温の硫酸溶液等を用いる場合には、
処理液蒸発の勢いが強い場合があり、このような場合に
は、蒸発した処理液の蒸気が、処理室内から強制排気さ
れる雰囲気の流れに抗して駆動部に処理液蒸気が侵入し
てしまう虞れがある。
れたものであり、処理室から駆動室への処理液蒸気の侵
入を防止することができる基板処理装置を提供すること
を目的としている。
的を達成するために次のような構成をとる。請求項1に
記載の発明に係る基板処理装置は、装置内空間を処理室
と駆動室とに仕切り、かつ開口を有する隔壁と、処理室
内に設けられて処理液によって基板に処理を施す処理槽
と、基板を保持して隔壁の開口を通じて処理室内に配さ
れる基板保持部及び駆動室に配されて開口が存在する範
囲で基板保持部を移動させて基板保持部に保持した基板
を処理槽に搬送する駆動部を有するハンドリング手段
と、装置内空間に気流を流下させるとともに隔壁に沿っ
て他の部分よりも高圧力の気流を流下させる気流流下手
段とを備えたものである。
は、請求項1記載の基板処理装置において、上記気流流
下手段が、送風手段と、送風手段から出される気流を隔
壁に沿って他の部分よりも高圧力の状態で流下させるた
めの整流手段とを備えているものである。
は、請求項1記載の基板処理装置において、上記気流流
下手段が、複数の送風手段を有するものであって、少な
くとも1つの送風手段が、上記処理室内で隔壁に沿って
高圧力の気流を流下させるように構成されてなるもので
ある。
は、請求項1記載の基板処理装置において、上記気流流
下手段が、その下面に隔壁に対向して垂下して下端が隔
壁の開口近傍に至るガイド板を有するものであって、こ
のガイド板と上記隔壁との間の空間が下方に向かって先
細りに形成されてなるものである。
は、請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置に
おいて、上記処理槽の側方に上記隔壁に沿って流下する
気流を吸引する吸引手段が設けられてなるものである。
は、請求項1乃至3及び5のいずれかに記載の基板処理
装置において、上記隔壁と平行に垂下して下端が隔壁の
開口近傍に至るガイド板が設けられ、このガイド板と上
記隔壁との間に隔壁に沿った他の部分よりも高圧力の気
流が流下させられるものである。
を用いて説明する。図1及び図2は本発明に係る基板処
理装置の第1実施形態を示している。これらの図に示す
基板処理装置10は、基板として半導体ウエハを複数種
類の処理液に浸漬することにより基板表面に所定の化学
処理を施すタイプの装置であって、同図に示すように、
一方向に並設される複数の処理槽12と、これら処理槽
12の上部に配設される気流流下手段14と、気流流下
手段14と処理槽12の間の空間16(装置内空間)で
基板を処理槽12の配設方向(X軸方向という)に移送
するハンドリング手段18と、処理槽12の配設域側部
にわたって開口する強制排気口20とを備えている。
型の容器からなり、それぞれ区画して連設されたフレー
ム22内に配置されている。図2に示すように処理槽1
2は、内槽12aと、内槽12aからオーバーフローし
た処理液を受ける外槽12bとからなる。外槽12bに
は処理液導出管26がつながり、さらにフィルタ30、
ポンプ28を介して、内槽12aの処理液導入管24に
つながる。外槽12bの処理液は処理液導出管26を通
ってフィルタ30に至り、フィルタ30にて浄化され
る。さらに、浄化された処理液はポンプ28によって処
理液導入管24を通じて内槽12aに供給される。これ
により処理液を浄化しながら循環使用する。処理液の種
類は例えば基板を施すために硫酸と過酸化水素水との混
合溶液等の薬液と基板を水洗するための純水とがある。
本実施形態の基板処理装置では薬液を貯留した処理槽1
2と純水を貯留した処理槽12とが交互に配設されてい
る。
6においてY軸方向(X軸方向と水平面上で直交する方
向)に伸びる一対のアーム34を備えたヘッド32と、
このヘッド32をX軸方向及び上下方向(Z軸方向)に
移動させるX軸駆動機構及びZ軸駆動機構とから構成さ
れている。
に接離可能に設けられており、ヘッド32に内蔵された
エアシリンダの駆動に伴い作動するようになっていると
ともに、その下部には基板Bを収納したキャリア11の
縁部に係合する係合部35が設けられ、各アーム34が
接近した図1に示す状態で、キャリア11のX軸方向両
縁部に上記係合部35が係合してキャリア11を保持す
るようになっている。なお、キャリア11は、例えば耐
化学薬品性の樹脂材料等から形成された上部に収納用開
口部を有する容器であって、その内部には多数の基板B
をY軸方向に一定の間隔で、かつ起立姿勢で保持するよ
うになっている。
フレーム22の側部に配置されており、支持軸36を介
して上記X軸駆動機構及びZ軸駆動機構に連結されてい
る。これらの駆動機構については詳しく図示していない
が、上記ヘッド32の下方にはフレームが設けられ、上
記支持軸36がこのフレームに上下動自在に支持される
とともに、Z軸モータにより駆動するボールねじ機構に
連結され、このZ軸モータの正逆回転駆動により上記支
持軸36とヘッド32が一体に上下動するようにZ軸駆
動機構が構成されている。また、処理槽12の配設方向
に延びるガイドレールが設けられ、このガイドレールに
上記フレームが移動可能に装着されるとともに、このフ
レームがX軸モータにより駆動するボールねじ機構に連
結され、このX軸モータの正逆回転駆動によりヘッド3
2とフレームが一体にX軸方向に移動するようにX軸駆
動機構が構成されている。
の配設方向にわたって隔壁40が立設されている。隔壁
40は気流流下手段下部から垂下する上部隔壁40a
と、上部隔壁40aの下方に、上部隔壁40aの下端と
間隔を開けて設けられた下部隔壁40bとから構成され
ている。なお、下部隔壁40bには上部隔壁40aの下
端と下部隔壁40b上端との間の隙間であるアーム水平
動開口部44とつながった垂直方向の開口であるアーム
昇降開口部42が空いている。この隔壁40によって上
記空間16が図2に示すようにY軸方向に2つの空間、
すなわち処理槽12を配置する処理室16aと、ヘッド
32等、ハンドリング手段18の駆動部を配置する駆動
室16bとに仕切られている。そして、上記ハンドリン
グ手段18のアーム34のみがアーム水平動開口部44
及びアーム昇降開口部42を介して上記処理室16b内
に介入されるようになっている。つまり、隔壁40によ
り空間16を仕切ってハンドリング手段18の駆動部を
駆動室16bに配置することで、処理室16aで発生し
た処理液蒸気の駆動部への侵入を防止し、駆動部の腐食
等を防止する。
示すように、水平方向に風を送り出す送風ファン13を
内蔵した給気部14aと、その下部に配設される空気清
浄フィルタ14bとから構成されており、上記空間16
に向けてクリーンエアーを流下させて処理室16a及び
駆動室16bにそれぞれダウンフローを形成するように
構成されている。つまり、処理室16aにおいては、各
処理槽12から発生する処理液蒸気や基板移送に伴う浮
遊パーティクルをダウンフローと共に流下させつつ上記
強制排気口20を介して吸引排気し、駆動室16bにお
いては、ハンドリング手段18の駆動部で発生したパー
ティクルをダウンフローと共に流下させつつ基板処理装
置10の下部から外部に排出するようになっている。
示すように、Y軸方向に一定の間隔で鉛直方向に延びる
多数の整流板15が設けられている。これらの整流板1
5は、Y軸方向の各部で均一なダウンフローを形成すべ
く送風ファン13から離間するに伴い徐々に鉛直方向の
寸法が短くなるように形成されている。しかし、上記隔
壁40に対応する部分の整流板15のみ、例外的にその
寸法が長く形成されている。つまり、こうすることで、
空間16全体に均一なダウンフローを形成しつつ、処理
室16aの隔壁40近傍にのみ隔壁40に沿って他の部
分よりも高圧力の気流(以下、エアーカーテンという)
を発生させる。
ついて説明する。
では、例えば、ハンドリング手段18のヘッド32がX
軸方向の一方側端部に設けられた基板導入部にセットさ
れ、基板Bを収納したキャリア11がアーム34によっ
て保持された後、X軸方向の他方側に向かって移動させ
られる。そして、キャリア11が最初の処理槽12の上
方に配置されると、ヘッド32が下降端位置まで移動さ
せられ、これによりキャリア11と基板Bが一体に処理
液に浸漬される。そして、一定時間が経過すると、再度
ヘッド32が上昇端位置まで移動させられ、これにより
当該処理槽12での基板Bの処理が完了する。
降が行われることにより、基板Bが順次各処理槽12の
処理液に浸漬されつつ所定の各処理が施される。
上記空間16には気流流下手段14で生成されたクリー
ンエアーによるダウンフローが形成されており、処理室
16aでは、各処理槽12からの処理液蒸気や浮遊パー
ティクルがこのダウンフローと共に流下させられながら
上記強制排気口20から外部に排出されている。そのた
め移送途中の基板Bが処理液蒸気の影響を受けたり、あ
るいは浮遊パーティクルが基板Bに付着するといった事
態の発生が抑えられる。
16a内に隔壁40に沿ってエアーカーテンが形成され
ているので、隔壁40の各開口部42,44を介して駆
動室16bへ侵入しようとする処理液蒸気はこのエアー
カーテンに確実に巻き込まれて流下させられて外部に排
気される。そのため処理室16aから駆動室16bへの
処理液蒸気の侵入が確実に防止される。
気して駆動室への処理液蒸気の侵入を防止するようにし
ていた従来のこの種の装置に比べると、処理室から駆動
室への処理液蒸気の侵入を効果的に阻止することがで
き、ハンドリング手段の駆動部の腐食をより確実に防止
することができる。また、図2に示すように強制排気口
20からの吸引排気により処理槽12とフレーム22と
の隙間において、エアーカーテンが到達する部分から処
理槽12下部を通り強制排気口20に至る気流を発生さ
せているのでエアーカーテンが処理槽12の駆動室に向
いた面に沿って流下する。このため、処理槽12から発
生した処理液の蒸気が駆動室に侵入することをより効果
的に防止できる。
に係る基板処理装置の一実施形態であって、その具体的
な構成は以下の第2〜第5実施形態に示すように適宜変
更可能である。以下、これらの各実施形態について説明
する。なお、これらの各実施形態における装置の基本構
成は上記基板処理装置10と同一であるため、以下の説
明では主な相違点についてのみ説明することにする。
を示す断面図である。この図に示す基板処理装置10
は、処理室16aにおいて気流流下手段14の下面にガ
イド板50が設けられている点で上記第1実施形態の装
置と構成が相違している。このガイド板50は、隔壁4
0との間に一定の隙間を形成し、下端が隔壁40のアー
ム水平動開口部44の近傍に達するように形成されてい
る。
形成する高圧力のダウンフローが隔壁40とガイド板5
0との間の空間に形成されてアーム水平動開口部44の
部分まで流下させられるため、エアーカーテンが周囲の
ダウンフロー等の影響を受けて乱れたり、逆にエアーカ
ーテン以外の部分のダウンフローの流れを乱すといった
ことがなくなる。そのため、例えば、エアーカーテンの
乱れに起因してエアーカーテンの効果が十分に発揮され
なくなったり、あるいは処理室16a内のエアーカーテ
ン以外の部分のダウンフローの流れを乱して浮遊パーテ
ィクル等を適切に流下させることができなくなる等とい
った事態の発生を適切に防止することが可能となる。
を示す断面図である。この図に示す基板処理装置10
は、基本的には上記第2実施形態の装置と同一の構成と
なっている。しかし、この装置では、給気部14aの整
流板15の鉛直方向の寸法が例外なく送風ファン13か
ら離間するに伴い短くなるように形成されている点及び
隔壁40の上部が側壁46側に膨出形成され、これによ
って隔壁40とガイド板50との間の空間が下方に向か
って先細りに形成されている点で上記第2実施形態の装
置と構成が相違している。
ーンエアーが均一の圧力で流下されるが、隔壁40とガ
イド板50の間でクリーンエアーが絞られて流下させら
れる(吐出される)ことにより高圧力のダウンフローが
形成され、これによって上記エアーカーテンが形成され
る。すなわち、この装置は上記第1及び第2実施形態の
ように気流流下手段14の内部構造の工夫ではなく、隔
壁40及びガイド板50の形状的工夫によってエアーカ
ーテンを形成するものなので、例えば、気流流下手段1
4として市販品を用いる場合等、気流流下手段14の内
部構造を変更し難いような基板処理装置において有効な
構成となる。
2実施形態の給気部14aと同様、隔壁40に対応する
部分の整流板15の寸法を長くした構成の給気部14a
を用いることは差し支えなく、この場合には、ダウンフ
ローの勢いをより一層高めることが可能となり、より効
果的なエアーカーテンを形成することができる。
を示す断面図である。この装置では、気流流下手段とし
て、Y軸方向に一対の気流流下手段14A,14Bが設
けられ、上記隔壁40がこれらの気流流下手段14A,
14Bの境界部分より適度に側壁46側に偏った位置に
設けられた構成となっている。すなわち、処理室16a
について気流流下手段14Aが、駆動室16bについて
気流流下手段14Bがほぼ対応して設けられている。こ
れらの気流流下手段14A,14Bの基本構成は同一で
あるが、内蔵される送風ファン13a,13bの出力が
異なっており、具体的には、気流流下手段14Bの送風
ファン13bの出力が気流流下手段14Aの送風ファン
13aの出力より高出力に設定されている。
により処理室16a内において隔壁40に沿って高圧力
のダウンフローが形成されるため、上記各実施形態の装
置同様に処理室16aから駆動室16bへの処理液蒸気
の侵入が効果的に阻止される。特に、この装置では、各
気流流下手段14A,14Bの出力調整により、処理室
16a内において隔壁40に沿って流下するダウンフロ
ーとこれ以外のダウンフローの圧力をそれぞれ調整でき
るため、これらの出力調整により、処理室16a及び駆
動室16b相互の処理液蒸気やパーティクルの侵入を処
理液の種類等に応じてより適切に阻止し得るようなダウ
ンフローを形成することができるという利点がある。
を示す断面図である。この装置は、上記第1実施形態の
基板処理装置10において、上記フレーム22の側部に
隔壁40に沿って流下するダウンフローを吸引排気する
ための吸引口52が開口された構成となっている。
されたエアーカーテンの下端部が吸引口52を介して吸
引排気されることによってエアーカーテン下端での圧力
低下が緩和され、また下端部での流れが乱れ難くなる。
そのため、エアーカーテンの効果をより一層高めること
ができる。なお、この例では、第1実施形態の装置に吸
引口52を設けているが、勿論、上記第2乃至第4実施
形態の各装置に上記吸引口52を設けるようにしても同
様の効果を得ることができる。
一部の例にすぎず、本願発明に係る基板処理装置の具体
的な構成は、これら以外にも本願発明の要旨を逸脱しな
い範囲で適宜変更可能である。例えば、上記各実施形態
の各装置の要部を適宜組み合わせた構成を採用するよう
にしても構わない。また、本実施形態の基板処理装置
は、複数の処理槽を有するものであるが、例えばひとつ
の処理槽内に基板を配して、処理槽の下部から複数の処
理液を順次供給することによって基板に複数の処理を施
すタイプの基板処理装置であってもよい。
は、半導体ウエハに処理を施す装置を例に説明したが、
勿論、被処理基板が半導体ウエハ以外の例えば液晶用ガ
ラス基板等の精密電子基板であっても、基板を順次処理
液に浸漬して処理を施すタイプの装置であれば本願発明
の適用は可能である。
構成も、基板Bをキャリア11に収納して移送するもの
に限られず、例えば基板Bを直接保持して移送するよう
な構成であってもよい。
よれば、装置内空間が隔壁によって処理室と駆動室とに
仕切られ、処理室に処理槽が並設される一方、駆動室に
ハンドリング手段の駆動部が配設され、ハンドリング手
段の基板支持部が隔壁に形成された開口を介して処理室
に介入するように構成された基板処理装置において、装
置内空間に清浄気を流下させる気流流下手段が設けら
れ、この気流流下手段が、上記処理室内で隔壁に沿って
他の部分よりも高圧力の清浄気を流下させるので、処理
室で発生した処理液蒸気の駆動室への侵入が効果的に阻
止される。そのため、処理室内の雰囲気を単に強制排気
して駆動室への処理液蒸気の侵入を防止するようにして
いた従来のこの種の装置に比べると、ハンドリング手段
の駆動部の腐食をより確実に防止することができる。
段が、送風手段と、送風手段から出される気流を隔壁に
沿って他の部分よりも高圧力の状態で流下させるための
整流手段とを備えているので比較的簡易な構成で隔壁に
沿って他の部分よりも高圧力の気流を発生させることが
できる。
を備えているので隔壁に沿ってたの部分よりも高圧力の
気流を流下させるように何れか1つ以上の送風手段を調
整することができるので最適な気流を発生させることが
できる。
下面に、隔壁に対向して垂下し下端が隔壁の開口近傍に
至り、かつ隔壁との間の空間を下方に向かって先細りに
区画するガイド板を備えているので気流流下手段の内部
構造を変更しがたい場合でも簡単に隔壁に沿って他の部
分よりも高圧力の気流を発生させることができる。
隔壁に沿って流下する気流を吸引する吸引手段を備えて
いるので、処理室で発生した処理液蒸気の駆動室への侵
入及び駆動室で発生したパーティクルの処理室への侵入
をより効果的に防止することができる。
下し、下端が隔壁の開口近傍に至るガイド板を設けたの
で、ガイド板と隔壁との間に隔壁に沿った他の部分より
も高圧力の気流が流下する。従って、処理室で発生した
処理液蒸気の駆動室への侵入及び駆動室で発生したパー
ティクルの処理室への侵入をより効果的に防止すること
ができる。
示す斜視図である。
示す断面図である。
面図である。
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
示す要部断面図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 装置内空間を処理室と駆動室とに仕切
り、かつ開口を有する隔壁と、処理室内に設けられて処
理液によって基板に処理を施す処理槽と、基板を保持し
て隔壁の開口を通じて処理室内に配される基板保持部及
び駆動室に配されて開口が存在する範囲で基板保持部を
移動させて基板保持部に保持した基板を処理槽に搬送す
る駆動部を有するハンドリング手段と、装置内空間に気
流を流下させるとともに隔壁に沿って他の部分よりも高
圧力の気流を流下させる気流流下手段とを備えたことを
特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 上記気流流下手段は、送風手段と、送風
手段から出される気流を隔壁に沿って他の部分よりも高
圧力の状態で流下させるための整流手段とを備えている
ことを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 【請求項3】 上記気流流下手段は、複数の送風手段を
有するものであって、少なくとも1つの送風手段が、上
記処理室内で隔壁に沿って高圧力の気流を流下させるよ
うに構成されてなることを特徴とする請求項1記載の基
板処理装置。 - 【請求項4】 上記気流流下手段は、その下面に隔壁に
対向して垂下し、下端が隔壁の開口近傍に至るガイド板
を有するものであって、このガイド板と上記隔壁との間
の空間が下方に向かって先細りに形成されてなることを
特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 【請求項5】 上記処理槽の側方に上記隔壁に沿って流
下する気流を吸引する吸引手段が設けられてなることを
特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理
装置。 - 【請求項6】 上記隔壁と平行に垂下して下端が隔壁の
開口近傍に至るガイド板が設けられ、このガイド板と上
記隔壁との間に隔壁に沿った他の部分よりも高圧力の気
流が流下させられることを特徴とする請求項1乃至3及
び5のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08678796A JP3363023B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP08678796A JP3363023B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283482A JPH09283482A (ja) | 1997-10-31 |
JP3363023B2 true JP3363023B2 (ja) | 2003-01-07 |
Family
ID=13896479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP08678796A Expired - Fee Related JP3363023B2 (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3363023B2 (ja) |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP08678796A patent/JP3363023B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09283482A (ja) | 1997-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6679906B2 (ja) | Efem | |
KR101579507B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20070277930A1 (en) | Substrate Cleaning Apparatus and Substrate Processing Unit | |
KR20210042380A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US7648580B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing device | |
JP2012164957A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
US7730898B2 (en) | Semiconductor wafer lifter | |
JP5063560B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002212784A (ja) | 電解メッキ装置及び電解メッキ方法 | |
JP3363023B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6280837B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理装置の基板載置部の雰囲気制御方法 | |
WO2019082613A1 (ja) | 気体浄化装置、気体浄化方法および基板処理装置 | |
KR101570167B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP3253219B2 (ja) | 半導体処理システムにおける洗浄装置 | |
KR102030038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2000315673A (ja) | 洗浄処理装置及び雰囲気流体の再利用方法 | |
KR101605713B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202109797A (zh) | 裝載埠模組的前開式晶圓傳送盒的降低濕度裝置及具備其的半導體製程裝置 | |
JP2007173364A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20140085726A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR100306087B1 (ko) | 세정장치 | |
JP7411004B2 (ja) | ロードポートモジュールのウエハ容器の湿度低減装置及びそれを備えた半導体工程装置 | |
KR101964656B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20240105348A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JPH07183262A (ja) | 洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071025 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081025 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091025 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101025 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |