KR102408818B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102408818B1
KR102408818B1 KR1020210109977A KR20210109977A KR102408818B1 KR 102408818 B1 KR102408818 B1 KR 102408818B1 KR 1020210109977 A KR1020210109977 A KR 1020210109977A KR 20210109977 A KR20210109977 A KR 20210109977A KR 102408818 B1 KR102408818 B1 KR 102408818B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
fluid supply
substrate
fluid
liquid
supply unit
Prior art date
Application number
KR1020210109977A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210109493A (ko
Inventor
토모히로 타카하시
케이 타케치
미츠토시 사사키
타카시 아키야마
Original Assignee
가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 filed Critical 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Publication of KR20210109493A publication Critical patent/KR20210109493A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102408818B1 publication Critical patent/KR102408818B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05BSPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02043Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052Wet cleaning only
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와, 기판 보지부(120)와, 유체 공급부(130)와, 제어부(140)를 갖춘다. 처리조(110)는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저장한다. 기판 보지부(120)는, 처리조(110)의 처리액 내에서 기판을 보지(保持)한다. 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 제어부(140)는, 유체 공급부(130)를 제어한다. 제어부(140)는, 기판(W)을 침지시킨 처리액을 저장한 처리조(110)에 대해 유체의 공급을 개시하고 나서 기판(W)을 침지시킨 처리액을 저장한 처리조(110)에 대한 유체의 공급을 종료할 때까지의 동안에 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 변경하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}
본 발명은, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 장치 및 액정 표시 장치 등의 전자 부품에 이용되는 기판은, 기판 처리 장치에 의해 처리되는 것이 알려져 있다. 기판은, 처리조(處理槽) 내의 처리액에 침지(浸漬)하는 것에 의해 기판의 처리가 실시된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1의 기판 처리 장치에서는, 인산 수용액으로 기판을 처리할 때에, 인산 수용액 중에 혼합 기체를 불기 시작해 기포를 발생시켜 인산 수용액을 폭기(曝氣) 교반(攪拌)하고 있다.
일본 특허공개 2018-56258호 공보
그렇지만, 특허문헌 1에 기재된 기판 처리 장치에서는, 처리조 내에서의 기판의 처리에 편향(偏向)이 생기는 경우가 있었다.
본 발명은 상기 과제에 따라 이루어진 것으로, 그 목적은, 처리조 내에서의 기판의 처리의 편향을 억제 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 일 국면에 의하면, 기판 처리 장치는, 기판을 처리하기 위한 처리액을 저장하는 처리조와, 상기 처리조의 상기 처리액 내에서 상기 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부(保持部)와, 상기 처리조에 유체를 공급하는 유체 공급부와, 상기 유체 공급부를 제어하는 제어부를 갖춘다. 상기 제어부는, 상기 기판을 침지(浸漬)시킨 처리액을 저장한 상기 처리조에 대해 상기 유체의 공급을 개시하고 나서 상기 기판을 침지시킨 처리액을 저장한 상기 처리조에 대한 상기 유체의 공급을 종료할 때까지의 동안에 상기 유체 공급부가 상기 유체의 공급을 변경하도록 상기 유체 공급부를 제어한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 유체 공급부는, 상기 처리조 내의 제1 위치에 배치되어, 상기 처리조에 유체를 공급하는 제1 유체 공급부와, 상기 처리조 내의 제2 위치에 배치되어, 상기 제1 유체 공급부가 상기 유체를 공급하는 기간과는 상이한 기간에 상기 처리조에 유체를 공급하는 제2 유체 공급부를 포함한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 제1 유체 공급부에 의한 상기 유체의 공급 및 상기 제2 유체 공급부에 의한 상기 유체의 공급을 절환하여 상기 제1 유체 공급부의 상기 유체 및 상기 제2 유체 공급부의 상기 유체 중 적어도 일방을 상기 처리조에 공급하도록 상기 제1 유체 공급부 및 상기 제2 유체 공급부를 제어한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제1 유체 공급부는, 상기 처리조에 상기 유체로서 기체를 공급하고, 상기 제2 유체 공급부는, 상기 처리조에 상기 유체로서 기체를 공급한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제1 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가지고, 상기 제1 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제2 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가지고, 상기 제2 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 처리조 내에서, 상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판의 하방에 배치되어, 상기 처리조에 상기 처리액을 공급하는 액체 공급부를 더 갖춘다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 액체 공급부는, 복수의 액체 공급관을 가지고, 상기 액체 공급부의 상기 복수의 액체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 처리조 내에서, 상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판의 하방에 배치되어, 상기 처리조에 상기 처리액을 공급하는 액체 공급부를 더 갖춘다. 상기 액체 공급부는, 제1 액체 공급관 및 제2 액체 공급관을 포함한다. 상기 제1 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가진다. 상기 제1 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관 중 적어도 하나의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제1 액체 공급관의 사이에 위치한다. 상기 제1 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관 중 다른 적어도 하나의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제2 액체 공급관의 사이에 위치한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제2 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가지고, 상기 제2 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관 중 적어도 하나의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제1 액체 공급관의 사이에 위치한다. 상기 제2 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관 중 다른 적어도 하나의 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제2 액체 공급관의 사이에 위치한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서는, 상기 처리조 내에서, 상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판의 하방에 배치되어, 상기 처리조에 상기 처리액을 공급하는 액체 공급부를 더 갖춘다. 상기 액체 공급부는, 제1 액체 공급관 및 제2 액체 공급관을 포함한다. 상기 제1 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가지고, 상기 제1 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관은, 제1 유체 공급관과, 제2 유체 공급관과, 제3 유체 공급관과, 제4 유체 공급관을 포함한다. 상기 제1 액체 공급관은, 상기 제1 유체 공급부의 상기 제1 유체 공급관과 상기 제2 유체 공급관의 사이에 위치한다. 상기 제2 액체 공급관은, 상기 제1 유체 공급부의 상기 제3 유체 공급관과 상기 제4 유체 공급관의 사이에 위치한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제2 유체 공급부는, 복수의 유체 공급관을 가지고, 상기 제2 유체 공급부의 상기 복수의 유체 공급관은, 제5 유체 공급관과, 제6 유체 공급관과, 제7 유체 공급관과, 제8 유체 공급관을 포함한다. 상기 제1 액체 공급관은, 상기 제2 유체 공급부의 상기 제5 유체 공급관과 상기 제6 유체 공급관의 사이에 위치한다. 상기 제2 액체 공급관은, 상기 제2 유체 공급부의 상기 제7 유체 공급관과 상기 제8 유체 공급관의 사이에 위치한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제1 유체 공급부는, 상기 유체로서 상기 처리조에 처리액을 공급하고, 상기 제2 유체 공급부는, 상기 유체로서 상기 처리조에 처리액을 공급한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 제어부는, 상기 유체 공급부가 상기 처리조 내에서 이동하도록 상기 유체 공급부를 제어한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 기판은, 일렬로 복수 배열되어 있고, 상기 유체 공급부는, 상기 기판의 배열된 방향과 교차하는 방향으로 연장되어, 복수의 기판 중 인접하는 2개의 기판의 사이에 위치한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 유체 공급부는, 상기 2개의 기판에 액체를 공급한다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 유체 공급부는, 상기 처리조 내에서, 상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판의 하방에 배치된다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 적어도 일부와 대향하는 정류판을 더 갖춘다.
본 발명의 기판 처리 장치에서, 상기 정류판은, 상기 처리조 또는 상기 기판 보지부에 장착된다.
본 발명의 다른 국면에 의하면, 기판 처리 방법은, 처리조에 저장된 처리액 내에 기판을 침지시키는 공정과, 상기 처리조에 유체를 공급하는 공정을 포함한다. 상기 유체를 공급하는 공정은, 상기 기판을 침지시킨 처리액을 저장한 상기 처리조에 대해 상기 유체의 공급을 개시하고 나서 상기 기판을 침지시킨 처리액을 저장한 상기 처리조에 대한 상기 유체의 공급을 종료할 때까지의 동안에 상기 유체의 공급을 변경하는 공정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 처리조 내에서의 기판의 처리의 편향을 억제할 수 있다.
[도 1] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 2] (a)~(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 3] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 4] (a)~(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 5] (a)~(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 6] (a)~(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 7] (a)~(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 8] (a)~(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 9] (a)~(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 10] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 11] (a) 및 (b)는, 기판이 처리조에 투입되기 전 및 후의 본 실시 형태의 기판 처리 장치를 나타내는 모식적인 사시도이다.
[도 12] 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 제1 유체 공급부, 제2 유체 공급부 및 액체 공급부의 모식적인 상면도이다.
[도 13] 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 제1 유체 공급부, 제2 유체 공급부 및 액체 공급부의 모식적인 상면도이다.
[도 14] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식적인 측면도이다.
[도 15] (a) 및 (b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 16] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 17] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 18] (a)~(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 19] 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 20] (a) 및 (b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 21] (a) 및 (b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치의 모식도이다.
[도 22] (a)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 처리조의 모식도이며, (b) 및 (c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
[도 23] 본 실시 형태의 기판 처리 장치에서의 기판 보지부의 모식도이다.
이하, 도면을 참조하여, 본 발명에 의한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 설명한다. 덧붙여, 도면 중, 동일 또는 상당 부분에 대해서는 동일한 참조 부호를 부여하고 설명을 반복하지 않는다. 덧붙여, 본원 명세서에서는, 발명의 이해를 용이하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 기재하는 경우가 있다. 전형적으로는, X축 및 Y축은 수평 방향에 평행하고, Z축은 연직 방향에 평행하다.
도 1을 참조하고, 본 발명에 의한 기판 처리 장치(100)의 실시 형태를 설명한다. 도 1은 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다.
기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 처리한다. 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)에 대해, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 하나를 실시하도록 기판(W)을 처리한다.
기판(W)은, 얇은 판 형상이다. 전형적으로는, 기판(W)은, 얇은 대략 원반 형상이다. 기판(W)은, 예를 들면, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display: FED)용 기판, 광 디스크용 기판, 자성 디스크용 기판, 광학 자기 디스크용 기판, 포토마스크(photomask)용 기판, 세라믹 기판 및 태양전지용 기판 등을 포함한다.
기판 처리 장치(100)는, 처리액(L)으로 기판(W)을 처리한다. 여기에서는, 기판 처리 장치(100)는, 기판(W)을 복수 매 모아서 처리한다. 처리액(L)에 의해, 기판(W)에는, 에칭, 표면 처리, 특성 부여, 처리막 형성, 막의 적어도 일부의 제거 및 세정 중 적어도 하나가 실시된다.
기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와, 기판 보지부(120)와, 유체 공급부(130)와, 제어부(140)를 갖춘다. 처리조(110)는, 기판(W)을 처리하기 위한 처리액(L)을 저장한다.
기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지(保持)한다. 기판 보지부(120)에 의해 보지된 기판(W)의 주면(主面)의 법선 방향은 Y방향에 평행하다. 기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지한 채로 기판(W)을 이동시킨다. 예를 들면, 기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지한 채로 연직 방향을 따라 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다.
전형적으로는, 기판 보지부(120)는, 복수의 기판(W)을 모아서 보지(保持)한다. 여기에서는, 복수의 기판(W)은, Y방향을 따라 일렬로 배열된다. 덧붙여, 기판 보지부(120)는, 1매의 기판(W) 만을 보지해도 무방하다.
유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 상세하게는, 유체 공급부(130)는, 처리액(L)의 저장된 처리조(110)에 유체를 공급한다. 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 공급함으로써, 기판(W)의 처리가 촉진된다.
유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체로서 기체를 공급해도 무방하다. 유체 공급부(130)가, 처리조(110)에 기체를 공급함으로써, 처리액(L) 내에 기포가 형성된다. 처리액(L) 내에 형성된 기포는, 처리액(L) 내를 부상(浮上)해, 처리조(110) 내의 처리액(L)과 기체(예를 들면, 공기 또는 소정 분위기)와의 계면(界面)에까지 이른다.
기포가 처리액(L) 중을 부상할 때에, 기포는 기판(W)의 표면에 접촉한다. 이 경우, 기포는, 처리액 중의 기판(W)과의 접촉 부분을 밀어 내면서 기판(W)의 표면을 상방을 향해 이동하고, 기포가 통과한 후에는, 주위에 존재하는 신선한 처리액(L)이 진입한다. 이처럼, 기포가 기판(W)의 표면에 접촉함으로써, 기판(W)의 표면을 교반(攪拌)할 수 있고, 이에 따라, 기판(W)의 표면에서의 처리액을 신선한 처리액으로 치환할 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 처리 속도를 향상시킬 수 있다. 덧붙여, 기판 처리 장치(100)가 에칭을 실시하는 경우, 유체 공급부(130)는, 유체로서 기체를 공급하는 것이 바람직하다.
혹은, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체로서 액체를 공급해도 무방하다. 이 경우, 유체 공급부(130)는, 처리조(110) 내의 처리액(L)에 대해 하방의 위치에서 상방을 향해 액체를 공급하는 것이 바람직하다. 일례로서 유체는, 처리조(110)에 저장된 처리액(L)과 같은 종류의 처리액(L)이어도 무방하다.
유체 공급부(130)가 유체로서 처리액(L)을 공급하는 경우에도, 상방을 향해 공급된 처리액은, 처리액 중의 기판(W)과의 접촉 부분을 밀어 내면서 기판(W)의 표면을 상방을 향해 이동하고, 상방을 향해 공급된 처리액이 통과한 후에는, 주위에 존재하는 신선한 처리액(L)이 진입한다. 이와 같이, 상방을 향해 공급된 처리액이 기판(W)의 표면에 접촉함으로써, 기판(W)의 표면을 교반할 수 있고, 이에 따라, 기판(W)의 표면에서의 처리액(L)을 신선한 처리액으로 치환시킬 수 있다. 그 결과, 기판(W)의 처리 속도를 향상시킬 수 있다.
제어부(140)는, 유체 공급부(130)를 제어한다. 제어부(140)의 제어에 의해, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급은 제어된다. 도 1에서는, 제어부(140)의 제어에 의한 유체 공급부(130)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(F)로 나타내고 있다.
제어부(140)는, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급의 개시 및 정지를 제어한다. 덧붙여, 제어부(140)는, 처리조(110) 내에 배치된 유체 공급부(130)를 직접 제어해도 무방하다. 혹은, 제어부(140)는, 처리조(110) 내에 배치된 유체 공급부(130)에 연락(連絡)하는 배관을 흐르는 유체를 제어해도 무방하다. 예를 들면, 제어부(140)는, 처리조(110)의 외부에 배치된 유체 공급부(130)와 연락하는 노즐, 조정 밸브 등을 제어함으로써, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 제어해도 무방하다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서, 제어부(140)는, 기판(W)의 침지한 처리액을 저장한 처리조(110)에 유체의 공급을 개시하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 또한, 제어부(140)는, 기판(W)의 침지한 처리액을 저장한 처리조(110)에 유체의 공급을 종료하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 제어부(140)는, 상기 상태에서의 유체의 공급의 개시로부터 상기 상태에서의 유체의 공급의 종료까지의 기간에서, 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 변경하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 이에 따라, 기판(W)의 처리 시에, 기판(W)에 대한 유체의 공급이 변경되기 때문에, 기판(W)에 대한 처리의 편향을 억제할 수 있다.
다음으로, 도 2를 참조하고, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 2(a)~도 2(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 2(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지(保持)된 기판(W)은 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된다. 유체 공급부(130)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체를 제1 조건으로 공급한다. 도 2(a)에는, 유체 공급부(130)로부터 처리조(110)에 공급되는 유체의 공급을 화살표(Fa)로 나타내고 있다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지할 때까지 기판 보지부(120)를 하방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 제1 조건으로 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 2(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이, 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 유체 공급부(130)는, 기판(W)에 대한 유체의 공급을 변경한다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체를 제2 조건으로 공급한다. 도 2(b)에는, 유체 공급부(130)로부터 처리조(110)에 공급되는 유체의 공급을 화살표(Fb)로 나타내고 있다. 덧붙여, 유체의 공급(Fb)은, 유체의 공급(Fa)과는 다르다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지하는 것을 유지한 채, 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 제2 조건으로 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 2(c)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지하는 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상(引上)한다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)는, 유체의 공급을 종료한다. 덧붙여, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 종료하고 나서 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상하는 경우, 기판(W)의 처리는, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급이 종료하고 나서 계속해도 무방하다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)으로부터 인상될 때까지 기판 보지부(120)를 상방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 종료하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 이상과 같이 해서, 기판 처리는 종료한다.
상술한 것처럼, 유체의 공급(Fb)은, 유체의 공급(Fa)과는 상이하도록, 유체 공급부(130)로부터의 유체의 공급을 변경한다. 유체 공급부(130)로부터의 유체의 공급은, 유체를 공급하는 유체 공급부(130)의 위치가 달라도 무방하다. 예를 들면, 유체 공급부(130)가, 각각이 유체를 공급 가능한 복수의 부재로 구성되는 경우, 제1 조건 하에서는, 유체 공급부(130)의 어느 부재로부터 유체가 공급되고, 제2 조건 하에서는, 유체 공급부(130)의 다른 부재로부터 유체가 공급되어도 무방하다.
혹은, 유체 공급부(130)로부터의 유출량이 변경되어도 무방하다. 예를 들면, 제2 조건에서의 유체의 유출량은, 제1 조건에서의 유체의 유출량과는 달라도 무방하다. 일례에서는, 제2 조건에서의 유체의 유출량은, 제1 조건에서의 유체의 유출량보다 많아도 무방하고, 혹은, 적어도 무방하다.
혹은, 유체 공급부(130)로부터의 유체의 공급은, 공급되는 유체의 종류를 변경하는 것에 의해 변경되어도 무방하다. 예를 들면, 제2 조건에서의 유체의 주성분은, 제1 조건에서의 유체의 주성분과는 달라도 무방하다. 또는, 제2 조건에서의 유체의 농도는, 제1 조건에서의 유체의 농도와는 달라도 무방하다. 혹은, 제2 조건에서의 유체의 첨가물은, 제1 조건에서의 유체의 첨가물과는 달라도 무방하다.
또한, 도 2를 참조하여 상술한 설명에서는, 유체의 공급은, 제1 조건에서 제2 조건으로 변경되었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 유체의 공급은, 3 이상의 다른 조건으로 변경되어도 무방하다.
본 실시 형태의 기판 처리 방법에 의하면, 제어부(140)는, 기판(W)이 처리조(110) 내의 처리액(L) 내에 침지하고 있는 상태에서 유체의 공급을 변경하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 이에 따라, 기판(W)에 대해 공급되는 유체가 다르기 때문에, 기판(W)의 처리에 대한 편향을 억제할 수 있다.
상술한 것처럼, 유체 공급부(130)는, 각각이 유체를 공급 가능한 복수의 부재로 구성되어도 무방하다. 이 경우, 제1 조건 하에서, 유체 공급부(130)가 어느 부재로부터 유체가 공급되고, 제2 조건 하에서, 유체 공급부(130)는 다른 부재로부터 유체가 공급된다.
다음으로, 도 3을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 3은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 도 3에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 유체 공급부(130)가 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함하는 점을 제외하고, 도 1 및 도 2를 참조하여 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와, 기판 보지부(120)와, 유체 공급부(130)와, 제어부(140)를 갖춘다. 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다.
제1 유체 공급부(132)는, 처리액(L)의 저장된 처리조(110)에 유체를 공급한다. 또한, 제2 유체 공급부(134)는, 처리액(L)의 저장된 처리조(110)에 유체를 공급한다. 덧붙여, 제1 유체 공급부(132)의 유체의 종류 및 유량은, 제2 유체 공급부(134)의 유체의 종류 및 유량과 상이해도 무방하다.
여기에서는, 기판(W)은 얇은 대략 원반 형상이다. 기판(W)은, 기판(W)의 중심을 지나 주면의 법선 방향으로 연장되는 중심축을 가진다. 기판(W)의 중심축은 Y방향에 평행하다.
도 3에서는, 기판(W)의 중심을 지나 연직 방향으로 연장되는 가상 중심선(CL)을 나타낸다. 가상 중심선(CL)은 Z방향으로 연장된다. 가상 중심선(CL)은 기판(W)의 연직 중심축이다. 기판(W)의 가상 중심선(CL)은 기판(W)의 중심축과 직교한다.
제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는 관(管) 형상이다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 기판(W)의 주면의 법선 방향과 평행(Y방향)하게 연장되어 있다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)의 저부(底部)에 배치된다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)의 하방에 위치한다.
제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)의 저부에서, 가상 중심선(CL)을 사이에 두도록 배치된다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)에 대해 거의 대칭으로 배치된다. 가상 중심선(CL)에서 제1 유체 공급부(132)까지의 거리는, 가상 중심선(CL)에서 제2 유체 공급부(134)까지의 거리와 거의 같다.
다음으로, 도 4를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 4(a)~도 4(c)는, 도 3에 도시한 기판 처리 장치(100)에 의한 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 4(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지시킨다. 유체 공급부(130)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 도 4(a)에서는, 제1 유체 공급부(132)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fa)로 나타내고 있다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지할 때까지 기판 보지부(120)를 하방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110)에 유체를 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 4(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 유체 공급부(130)는, 기판(W)에 대한 유체의 공급을 변경한다. 여기에서는, 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 도 4(b)에는, 제2 유체 공급부(134)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fb)로 나타내고 있다. 덧붙여, 제2 유체 공급부(134)는 제1 유체 공급부(132)와는 다른 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 제2 유체 공급부(134)에 의한 유체의 공급(Fb)은, 제1 유체 공급부(132)에 의한 유체의 공급(Fa)과는 다르다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지하는 것을 유지한 상태에서, 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 제2 조건으로 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 4(c)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지(保持)된 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상한다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 제2 유체 공급부(134)는, 유체의 공급을 종료한다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)으로부터 인상될 때까지 기판 보지부(120)를 상방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 종료하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 이상과 같이 해서, 기판 처리는 종료한다.
덧붙여, 도 4에 도시한 기판 처리 방법에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 일방(一方)이 처리조(110)에 유체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 양방(兩方)이 처리조(110)에 유체를 공급해도 무방하다.
다음으로, 도 5를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 5(a)~도 5(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 5(a)~도 5(d)에 도시한 기판 처리 방법은, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)로부터 동시에 유체를 공급하는 공정을 포함하는 점을 제외하고, 도 4를 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 5(a)에서는, 도 4(a)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지(保持)한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지시킨다. 제1 유체 공급부(132)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 덧붙여, 여기에서는, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110)에 유체를 공급하는 한편, 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110)에 유체를 공급하지 않는 기간을 일방 공급 기간으로 기재하는 경우가 있다.
도 5(c)에서는, 도 4(b)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이, 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 덧붙여, 여기에서는, 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110)에 유체를 공급하는 한편, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110)에 유체를 공급하지 않는 기간을 타방 공급 기간으로 기재하는 경우가 있다.
본 실시 형태에서는, 도 5(b)에 도시한 것처럼, 일방 공급 기간(도 5(a))과 타방 공급 기간(도 5(c))의 사이에서, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 동시에 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 각각 처리조(110)에 유체를 공급하는 기간을 양방 공급 기간으로 기재하는 경우가 있다.
예를 들면, 양방 공급 기간에서, 제1 유체 공급부(132)는 일방 공급 기간과 같은 조건에서 처리조(110)에 유체를 공급해도 무방하고, 마찬가지로, 제2 유체 공급부(134)는 타방 공급 기간과 같은 조건에서 처리조(110)에 유체를 공급해도 무방하다. 다만, 양방 공급 기간에서, 제1 유체 공급부(132)가 일방 공급 기간과 같은 조건에서 유체를 공급하고, 제2 유체 공급부(134)가 타방 공급 기간과 같은 조건에서 유체를 공급하는 경우, 양방 공급 기간이 비교적 길면, 유체의 공급량이 너무 많아 지기 때문에, 처리액(L)이 처리조(110)로부터 흘러 넘쳐 버리는 경우가 있다. 이 때문에, 양방 공급 기간에서, 제1 유체 공급부(132)가 일방 공급 기간과 같은 조건에서 유체를 공급하고, 제2 유체 공급부(134)가 타방 공급 기간과 같은 조건에서 유체를 공급하는 경우, 양방 공급 기간의 길이는, 일방 공급 기간 및 타방 공급 기간의 각각 보다 짧은 것이 바람직하다.
혹은, 양방 공급 기간에서, 제1 유체 공급부(132)에 의한 유체의 유량은, 일방 공급 기간 보다 적어도 무방하다. 마찬가지로, 양방 공급 기간에서, 제2 유체 공급부(134)에 의한 유체의 유량은, 타방 공급 기간 보다 적어도 무방하다.
도 5(c)에 도시한 타방 공급 기간의 후, 도 5(d)에서는, 도 2(c)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상한다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)는, 유체의 공급을 종료한다.
덧붙여, 도 3~도 5에서는, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110) 내의 어느 위치로부터 유체를 공급하고, 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110) 내의 다른 위치로부터 유체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다.
다음으로, 도 6을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 6(a)~도 6(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 6(a)~도 6(c)에 도시한 기판 처리 방법은, 기판 처리 장치(100)에 대해 제1 유체 공급부(132)가 유체 공급관(132a, 132b)을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)가 유체 공급관(134a, 134b)을 포함한 점을 제외하고, 도 4를 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 6(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a)과 유체 공급관(132b)을 가지고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a)과 유체 공급관(134b)을 가진다.
유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)은, 각각 처리조(110)의 저부에 배치되어 있다. 여기에서는, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)은, 기판(W)의 주면의 법선 방향과 평행(Y방향)하게 연장된다.
유체 공급관(132a, 132b)은, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)에 대해 거의 대칭으로 배치된다. 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(132a)까지의 거리는, 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(132b)까지의 거리와 거의 같다. 마찬가지로, 유체 공급관(134a, 134b)은, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)에 대해 거의 대칭으로 배치된다. 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(134a)까지의 거리는, 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(134b)까지의 거리와 거의 같다.
기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는 보지(保持)한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지시킨다. 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 제1 유체 공급부(132)는, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)으로부터, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 도 6(a)에서는, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fa)로 나타내고 있다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지할 때까지 기판 보지부(120)를 하방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 제1 유체 공급부(132)가, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)으로부터 처리조(110)에 유체를 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 6(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 유체 공급부(130)는, 기판(W)에 대한 유체의 공급을 변경한다. 여기에서는, 제2 유체 공급부(134)가, 유체 공급관(134a) 및 유체 공급관(134b)으로부터, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 도 6(b)에는, 제2 유체 공급부(134)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fb)로 나타내고 있다. 덧붙여, 유체 공급관(134a) 및 유체 공급관(134b)은, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)과는 다른 위치에 배치되어 있다. 이 때문에, 유체 공급관(134a) 및 유체 공급관(134b)으로부터의 유체의 공급(Fb)은, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)으로부터의 유체의 공급(Fa)과는 다르다.
도 6(c)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상한다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 제2 유체 공급부(134)는, 유체의 공급을 종료한다. 이상과 같이 해서, 기판 처리는 종료한다.
상술한 설명에서 참조한 도 2 및 도 4~도 6에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)의 처리액(L)에 기판(W)이 침지한 상태에서 유체를 처리조(110)에 공급하고 있었다. 덧붙여, 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 타이밍은, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지를 개시하는 타이밍 보다 빨라도 무방하다.
다음으로, 도 7을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 7(a)~도 7(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 7을 참조해 설명하는 기판 처리 방법은, 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시한 다음에 처리조(110)의 처리액(L)에 기판(W)을 침지하는 것을 개시하는 점을 제외하고, 도 4를 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 7(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지되기 전에, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 제어부(140)는, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110)에 유체를 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 도 7(a)에서는, 제1 유체 공급부(132)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fa)로 나타내고 있다.
도 7(b)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)의 처리조(110) 내에서, 유체 공급부(130)에 의해 유체의 공급의 개시된 처리액(L)에, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)을 침지시킨다. 제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지할 때까지 기판 보지부(120)를 하방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다.
도 7(c)에서는, 도 4(b)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다.
도 7(d)에서는, 도 4(c)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)은 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상된다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 제2 유체 공급부(134)는, 유체의 공급을 종료한다. 이상과 같이 해서, 기판 처리는 종료한다.
도 7을 참조한 기판 처리 방법에서는, 기판(W)을 처리액(L)에 침지하기 전에 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 개시하고 있다. 이 때문에, 기판(W)을 처리액(L)에 침지한 타이밍에 유체를 이용한 기판(W)의 처리를 개시할 수 있어, 처리 시간을 단축할 수 있다.
덧붙여, 도 7(a)~도 7(d)를 참조한 상술의 설명에서는, 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 타이밍은, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지를 개시하는 타이밍 보다 빨랐지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지를 개시하는 타이밍은 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 타이밍 보다 빨라도 무방하다.
다음으로, 도 8을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 8(a)~도 8(d)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 8을 참조해 설명하는 기판 처리 방법은, 처리조(110)의 처리액(L)에 기판(W)이 침지한 후에 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 점을 제외하고, 도 4를 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 8(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지한다. 제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지할 때까지 기판 보지부(120)를 하방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다.
그 후, 도 8(b)에 도시한 것처럼, 유체 공급부(130)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 도 8(b)에서는, 제1 유체 공급부(132)에서 처리조(110)로의 유체의 공급을 화살표(Fa)로 나타내고 있다.
도 8(c)에서는, 도 4(b)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)은, 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 유체를 공급한다.
도 8(d)에서는, 도 4(c)를 참조해 상술한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)은 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상된다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 제2 유체 공급부(134)는, 유체의 공급을 종료한다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)으로부터 인상될 때까지 기판 보지부(120)를 상방으로 이동하도록 기판 보지부(120)를 제어한다. 제어부(140)는, 또한, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 종료하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 이상과 같이 해서, 본 실시 형태의 기판 처리는 종료한다.
도 8을 참조한 본 실시 형태에서는, 기판(W)을 처리액(L)에 침지한 후에, 유체 공급부(130)에 의한 유체의 공급을 개시한다. 이 때문에, 기판(W)이 처리액(L) 중을 이동 종료한 후에 유체의 공급이 개시된다. 따라서, 유체의 공급에 의해 처리조(110) 내의 처리액(L)이 비교적 크게 요동하는 경우에도, 유체의 공급 시에는, 기판(W)은 정지하고 있기 때문에, 처리조(110)로부터 처리액(L)이 흘러 넘치는 것을 억제할 수 있다.
덧붙여, 도 7 및 도 8을 참조한 설명에서는, 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지를 개시하는 타이밍 및 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 타이밍 중 일방(一方)은 타방(他方) 보다 빨랐지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지를 개시하는 타이밍 및 유체 공급부(130)가 유체의 공급을 개시하는 타이밍은 거의 동시여도 무방하다.
덧붙여, 도 1~도 8에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 유체 공급부(130)는 같은 위치에 배치되어 있었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 유체 공급부(130)는 처리조(110) 내에서 이동해도 무방하다.
다음으로, 도 9를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 9(a)~도 9(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 도 9를 참조해 설명하는 기판 처리 방법은, 유체 공급부(130)가 이동하는 점을 제외하고, 도 1을 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 9(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지시킨다. 유체 공급부(130)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110) 내의 제1 위치에 위치하고, 유체 공급부(130)는, 제1 위치로부터, 처리액(L)에 유체를 공급한다.
제어부(140)는, 유체 공급부(130)의 위치를 제어할 수 있다. 예를 들면, 유체 공급부(130)는, 제어부(140)의 제어에 의해, 처리조(110)의 저부(底部)를 X방향 및/또는 Y방향으로 이동한다. 제어부(140)는, 또한, 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다.
도 9(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 유체 공급부(130)는, 기판(W)에 대한 유체의 공급을 변경한다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 유체를 계속 공급하면서 제1 위치로부터 제2 위치까지 이동한다. 이에 따라, 기판(W)에는, 다른 위치의 유체 공급부(130)로부터 공급된 유체가 접촉하기 때문에, 기판(W)의 넓은 면을 균일하게 처리할 수 있다.
제어부(140)는, 기판(W)의 전체가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 침지하는 것을 유지한 채로, 유체 공급부(130)를 처리조(110) 내에서 이동시킴과 동시에 유체 공급부(130)가 처리조(110)에 유체를 공급하도록 유체 공급부(130)를 제어한다. 여기에서는, 제어부(140)는, 유체 공급부(130)가 기판(W)의 X방향의 일방의 단부의 하방으로부터 기판(W)의 X방향 타방의 단부의 하방에까지 이동하도록 제어한다. 덧붙여, 제어부(140)는, 유체 공급부(130)가 기판(W)의 X방향의 양단부의 하방의 사이를 왕복해 이동하도록 제어해도 무방하다.
도 9(c)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상한다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 유체 공급부(130)는, 유체의 공급을 종료한다. 이상과 같이 해서, 기판 처리는 종료한다.
덧붙여, 도 9에 도시한 기판 처리 방법에서는, 1개의 유체 공급부(130)가 이동했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 1개의 유체 공급부(130)는, 각각이 유체를 공급하는 복수의 부재를 포함하고, 복수의 부재가 각각 이동해도 무방하다.
다음으로, 도 10을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 10은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)는, 복수의 기판(W)을 일괄하여 처리한다. 예를 들면, 기판 처리 장치(100)는 복수의 기판(W)에 대해 일괄하여 에칭한다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와 기판 보지부(120)와 유체 공급부(130)와 제어부(140)를 갖춘다. 처리조(110)는, 처리액(L)을 저장한다. 예를 들면, 처리액(L)은, 에칭 유체를 포함한다. 기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지한다. 기판 보지부(120)는, 리프터를 포함한다. 기판 보지부(120)에 의해, 복수의 기판(W)을 일괄하여, 처리조(110)에 저장되어 있는 처리액(L)에 침지할 수 있다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 처리액(L)의 저장된 처리조(110)에 유체로서 기체를 공급한다.
기판 처리 장치(100)는, 기체 반송부(150) 및 순환부(160)를 더 갖춘다. 기체 반송부(150)는, 유체 공급부(130)에 기체를 반송한다. 순환부(160)는, 처리조(110)에 저장되어 있는 처리액(L)을 순환시킨다.
기판 처리 장치(100)는, 처리액 공급부(170)와 물 공급부(180)를 더 갖춘다. 처리액 공급부(170)는, 처리액을 처리조(110)에 공급한다. 물 공급부(180)는, 물을 처리조(110)에 공급한다. 제어부(140)는, 기판 보지부(120), 유체 공급부(130), 순환부(160), 처리액 공급부(170) 및 물 공급부(180)를 제어한다.
처리조(110)는, 내조(內槽)(112) 및 외조(外槽)(114)를 포함한 이중조(二中槽) 구조를 가지고 있다. 내조(112) 및 외조(114)는 각각 상향으로 열린 상부 개구를 가진다. 내조(112)는, 처리액(L)을 저장하고, 복수의 기판(W)을 수용 가능하게 구성된다. 외조(114)는, 내조(112)의 상부 개구의 외측면에 설치된다. 외조(114)의 상연(上緣)의 높이는, 내조(112) 상연의 높이 보다 높다.
내조(112)에는, 규제부(112a)가 설치된다. 규제부(112a)는, 기판(W)을 처리할 때의 기판(W)의 X방향 양단부에서, 1매의 기판(W)의 양방의 주면과 대향하도록 설치된다. 규제부(112a)에 의해, 기판(W)의 위치가 규제된다. 이 때문에, 기판(W)은, 소정의 위치에서 균일하게 처리된다.
처리조(110)는, 덮개(116)를 더 가진다. 덮개(116)는, 내조(112)의 상부 개구에 대해 개폐 가능하다. 덮개(116)가 닫히는 것으로, 덮개(116)는, 내조(112)의 상부 개구를 막을 수 있다.
덮개(116)는, 개호부(開戶部)(116a)와 개호부(116b)를 가진다. 개호부(116a)는, 내조(112)의 상부 개구 중 -X방향측에 위치한다. 개호부(116a)는, 내조(112)의 상연(上緣) 근방에 배치되고, 내조(112)의 상부 개구에 대해 개폐 가능하다. 개호부(116b)는, 내조(112)의 상부 개구 중 +X방향측에 위치한다. 개호부(116b)는, 내조(112) 상연 근방에 배치되고, 내조(112)의 상부 개구에 대해 개폐 가능하다. 개호부(116a) 및 개호부(116b)가 닫혀 내조(112)의 상부 개구를 덮음으로써, 처리조(110)의 내조(112)를 막을 수 있다.
내조(112)의 저벽(底壁)에는, 배액(排液) 배관(118a)이 접속된다. 배액 배관(118a)에는 밸브(118b)가 배치된다. 밸브(118b)는, 제어부(140)에 의해 개폐된다. 밸브(118b)가 열림으로써, 내조(112) 내에 저장되어 있는 처리액은 배액 배관(118a)을 지나 외부로 배출된다. 배출된 처리액은 배액 처리 장치(도시하지 않는다)로 보내져, 처리된다.
기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지한다. 기판 보지부(120)는, 기판(W)을 보지한 상태에서 연직 상방 또는 연직 하방으로 이동한다. 기판 보지부(120)가 연직 하방으로 이동함으로써, 기판 보지부(120)에 의해 보지되어 있는 기판(W)은, 내조(112)에 저장되어 있는 처리액(L)에 침지된다.
기판 보지부(120)는, 본체판(122)과 보지봉(保持捧)(124)을 포함한다. 본체판(122)은, 연직 방향(Z방향)으로 연장되는 판이다. 보지봉(124)은, 본체판(122)의 일방의 주면에서 수평 방향(Y방향)으로 연장된다. 여기에서는, 3개의 보지봉(124)이 본체판(122)의 일방의 주면으로부터 Y방향으로 연장된다. 복수의 기판(W)은, 지면(紙面)의 안쪽 앞방향으로 복수의 기판(W)을 배열한 상태에서, 복수의 보지봉(124)에 의해 각 기판(W)의 하연(下緣)이 당접되어 기립 자세(연직 자세)로 보지(保持)된다.
기판 보지부(120)는, 승강 유닛(126)을 더 포함해도 무방하다. 승강 유닛(126)은, 기판 보지부(120)에 보지되어 있는 기판(W)이 내조(112) 내에 위치하는 처리 위치(도 10에 나타낸 위치)와, 기판 보지부(120)에 보지되어 있는 기판(W)이 내조(112)의 상방에 위치하는 퇴피 위치(도시하지 않는다)와의 사이에서 본체판(122)을 승강시킨다. 따라서, 승강 유닛(126)에 의해 본체판(122)이 처리 위치로 이동함으로써, 보지봉(124)에 보지되어 있는 복수의 기판(W)이 처리액에 침지된다. 이에 따라, 기판(W)에 대한 에칭 처리가 행해진다.
유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 배치된다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)의 내조(112)의 저부에 배치된다. 유체 공급부(130)는, 내조(112)에 저장된 처리액(L) 내에 배치된다.
여기에서는, 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132)와 제2 유체 공급부(134)를 포함한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a, 132b)을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a 및 134b)을 포함한다. 유체 공급관(132a, 132b, 134a 및 134b)은, 유체로서 기체를 처리조(110)에 공급한다. 기체는, 예를 들면 비활성 가스이다. 일례에서는, 기체는, 질소 가스를 포함한다. 혹은, 기체는, 공기여도 무방하다. 유체 공급관(132a, 132b)으로부터 동시에 처리조(110)에 기체가 공급된다. 또한, 유체 공급관(134a, 134b)으로부터 동시에 처리조(110)에 기체가 공급된다.
기체 반송부(150)는, 배관(152)과, 밸브(154)와, 조정 밸브(156)를 갖춘다. 밸브(154) 및 조정 밸브(156)는, 배관(152)에 배치된다. 배관(152)은, 유체 공급부(130)에 연결한다. 배관(152)은, 기체를 처리조(110) 내의 유체 공급부(130)로 인도한다. 밸브(154)는, 배관(152)을 개폐한다. 조정 밸브(156)에 의해, 배관(152)의 개도(開度)를 조절하고, 유체 공급부(130)에 반송하는 기체의 유량을 조정한다.
덧붙여, 도 10에서는, 도면이 과도하게 복잡해지는 것을 피하기 위해, 1개의 밸브(154) 및 1개의 조정 밸브(156)를 나타내고 있지만, 밸브(154) 및 조정 밸브(156) 중 어느 하나는 복수 설치되어도 무방하다. 이에 따라, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)에 공급되는 기체의 양을 적절히 조정할 수 있다.
처리조(110)에는, 액체 공급부(168)가 설치된다. 액체 공급부(168)는, 처리조(110)의 내조(112)에 액체를 공급한다. 전형적으로는, 액체 공급부(168)는, 내조(112)에 저장된 처리액(L)과 같은 종류의 처리액을 공급한다.
여기에서는, 액체 공급부(168)는 복수의 액체 공급관(168a, 168b)을 포함한다. 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)은 다른 위치에 배치된다.
순환부(160)는, 배관(161)과, 펌프(162), 필터(163), 히터(164), 조정 밸브(165) 및 밸브(166)를 포함한다. 펌프(162), 필터(163), 히터(164), 조정 밸브(165) 및 밸브(166)는, 이 순서로 배관(161)의 상류에서 하류를 향해 배치된다.
배관(161)은, 처리조(110)로부터 배출된 처리액을 다시 처리조(110)로 인도한다. 배관(161)의 하류단에, 액체 공급관(168a, 168b)이 접속된다.
펌프(162)는, 배관(161)으로부터 액체 공급관(168a, 168b)에 처리액을 보낸다. 필터(163)는, 배관(161)을 흐르는 처리액을 여과한다. 히터(164)는, 배관(161)을 흐르는 처리액을 가열한다. 히터(164)에 의해, 처리액의 온도가 조정된다.
조정 밸브(165)는, 배관(161)의 개도(開度)를 조절하고, 액체 공급관(168a, 168b)에 공급되는 처리액의 유량을 조정한다. 조정 밸브(165)는, 처리액의 유량을 조정한다. 조정 밸브(165)는, 밸브 시트가 내부에 설치된 밸브 바디(도시하지 않는다)와, 밸브 시트를 개폐하는 밸브 본체와, 개(開) 위치와 폐(閉) 위치의 사이에 밸브 본체를 이동시키는 액츄에이터(도시하지 않는다)를 포함한다. 다른 조정 밸브에 대해서도 마찬가지이다. 밸브(166)는 배관(161)을 개폐한다.
덧붙여, 조정 밸브(165)를 생략해도 무방하다. 이 경우, 액체 공급관(168a, 168b)에 공급되는 처리액의 유량은, 펌프(162)의 제어에 의해 조정된다.
처리액 공급부(170)는, 노즐(172)과, 배관(174)과, 밸브(176)를 포함한다. 노즐(172)은 처리액을 내조(112)에 토출한다. 노즐(172)은, 배관(174)에 접속된다. 배관(174)에는, 처리액 공급원으로부터의 처리액이 공급된다. 배관(174)에는, 밸브(176)가 배치된다.
제어부(140)가 밸브(176)를 열면, 노즐(172)로부터 토출된 처리액이, 내조(112) 내에 공급된다. 그리고, 내조(112)의 상연(上緣)으로부터 처리액이 흘러 넘치면, 흘러 넘친 처리액은, 외조(114)에 의해 받아들여져 회수된다.
물 공급부(180)는, 노즐(182)과, 배관(184)과, 밸브(186)를 포함한다. 노즐(182)은, 물(水)을 외조(114)에 토출한다. 노즐(182)은, 배관(184)에 접속된다. 배관(184)에 공급되는 물은, DIW(탈 이온수), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수 및 희석 농도(예를 들면, 10 ppm~100 ppm 정도)의 염산수 중 어느 하나를 채용할 수 있다. 배관(184)에는, 물 공급원으로부터의 물이 공급된다. 배관(184)에는, 밸브(186)가 배치된다. 제어부(140)가 밸브(186)를 열면, 노즐(182)로부터 토출된 물이, 외조(114) 내에 공급된다.
예를 들면, 기판 처리 장치(100)는, 실리콘 기판으로 구성되는 기판(W)의 패턴 형성측의 표면에 대해, 실리콘 산화막(산화막) 및 실리콘 질화막(질화막)의 에칭 처리를 가한다. 이러한 에칭 처리에서는, 기판(W)의 표면으로부터 산화막 및 질화막을 선택적으로 제거한다. 예를 들면, 배관(174)에 공급되는 처리액으로서 인산(H3PO4)의 수용액(이하, 「인산」이라고 한다)이 이용되면, 기판(W)의 표면으로부터 질화막이 제거된다.
유체 공급부(130)는, 내조(112)의 처리액(L)에 기포를 발생시킨다. 기체는, 비활성 가스 공급원으로부터, 배관(152)을 통과해, 유체 공급부(130)로부터 내조(112)의 처리액(L)에 공급된다.
유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a, 132b)을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a, 134b)을 포함한다. 덧붙여, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)에는, 다수의 기포 토출구(G)가 형성되고 있다. 기체 반송부(150)의 배관(152)에는, 밸브(154)와 조정 밸브(156)가 배치된다. 밸브(154)는, 배관(152)을 개폐한다. 조정 밸브(156)는, 배관(152)의 개도(開度)를 조절하고, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)에 공급되는 비활성 가스의 유량을 조정한다.
유체 공급관(132a)은, 액체 공급관(168a)과 가상 중심선(CL)과의 사이에 위치한다. 이 때문에, 유체 공급관(132a)으로부터의 유체는 기판(W)의 중앙부에 공급되게 되어, 기판(W)의 넓은 면적을 효율적으로 처리할 수 있다. 마찬가지로, 유체 공급관(132b)은, 액체 공급관(168b)과 가상 중심선(CL)과의 사이에 위치한다. 이 때문에, 유체 공급관(132b)으로부터의 유체는 기판(W)의 중앙부에 공급되게 되어, 기판(W)의 넓은 면적을 효율적으로 처리할 수 있다.
예를 들면, 제1 유체 공급부(132)는, 기판(W)이 처리조(110)에 침지한 상태에서, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)으로부터, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 그 후, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 채로, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(132b)으로부터의 유체의 공급은 종료하고, 제2 유체 공급부(134)가, 유체 공급관(134a) 및 유체 공급관(134b)으로부터, 처리조(110)에 유체를 공급한다.
제어부(140)는, 예를 들면, 마이크로컴퓨터를 이용해 구성된다. 제어부(140)는, CPU 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 가진다. 기억 유닛에는, 연산 유닛의 실행하는 프로그램이 기억되고 있다.
제어부(140)는, 미리 정해진 프로그램에 따라, 승강 유닛(126), 펌프(162) 및 히터(164) 등의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(140)는, 밸브(118b), 밸브(154), 밸브(166), 밸브(176), 밸브(186)등의 개폐 동작을 제어한다. 또한, 제어부(140)는, 조정 밸브(156), 조정 밸브(165) 등의 개도(開度) 조정 동작을 제어한다.
다음으로, 도 11을 참조하여, 기판(W)을 처리조(110)에 침지하기 전 및 후의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 11(a) 및 도 11(b)는, 기판(W)을 처리조(110)에 투입되기 전 및 후의 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식적인 사시도이다. 덧붙여, 도 11에서는, 도면이 과도하게 복잡해지는 것을 피하기 위해, 도 10에 도시한 덮개(116) 및 처리조(110) 내의 처리액(L)을 생략해 나타내고 있다.
도 11(a)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)는, 복수의 기판(W)을 보지한다. 복수의 기판(W)은, 수평 방향(Y방향)에 따라 일렬로 배열된다. 예를 들면, 기판 보지부(120)는, 50매의 기판(W)을 보지한다.
도 11(a)에서는, 기판 보지부(120)는, 처리조(110)의 내조(112)의 상방에 위치한다. 본체판(122)의 X방향의 길이는, 처리조(110)의 내조(112)의 X방향의 길이 보다 약간 짧다. 기판 보지부(120)는, 복수의 기판(W)을 보지한 채로 연직 하방(Z방향)으로 하강한다. 이에 따라, 기판(W)이 처리조(110)에 투입된다.
도 11(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)가 처리조(110)에까지 하강하면, 기판(W)은, 처리조(110) 내의 처리액에 침지한다. 덧붙여, 도 11에는 도시하고 있지 않지만, 도 10에 도시한 것처럼, 내조(112)의 상부 개구는 덮개(116)에 의해 막힌다.
다음으로, 도 12를 참조하여, 도 10 및 도 11에 도시한 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110) 내의 제1 유체 공급부(132), 제2 유체 공급부(134) 및 액체 공급부(168)의 구성을 설명한다. 도 12는, 도 10에 도시한 기판 처리 장치(100)에 포함되는 내조(112)의 저부를 나타내는 모식적인 평면도이다. 덧붙여, 도 12에서는, 복수의 기판(W)의 가상 중심선(CL)이 연속하도록 나타내고 있다.
도 12에 도시한 것처럼, 액체 공급부(168)는, 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)을 포함한다. 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)은, 평면에서 볼 때, 기판 보지부(120)(도 10 참조)에 보지되어 있는 기판(W)의 중심을 지나 Y방향으로 연장되는 가상 중심선(CL)을 사이에 두도록 각각 배치된다. 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)은, 내조(112)의 저부에서, 각각, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따르는 수평 방향으로 연장되어 있다. 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)은, 원통 튜브를 이용해 형성된다.
도 12에 도시한 것처럼, 액체 공급부(168)에는, 처리액 토출구(P)가 설치된다. 액체 공급부(168)의 액체는, 처리액 토출구(P)로부터 처리조(110) 내에 공급된다. 처리액 토출구(P)는, 내조(112)의 저부에서 내조(112)의 상방을 향해 처리액(L)을 토출한다.
처리액 토출구(P)는, 액체 공급관(168a)에 설치된 토출구(Pa)와, 액체 공급관(168b)에 설치된 토출구(Pb)를 포함한다. 토출구(Pa, Pb)는, 기판(W)의 배열 방향에 따라, 일렬 또는 복수열(이 실시 형태에서는 일렬)로 배열되어 있다. 토출구(Pa, Pb)는, 평면에서 볼 때 기판(W)의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 토출구(Pa) 및 토출구(Pb)는 각각, 기판(W) 사이의 간격과 같은 간격을 두고 늘어서 있다. 토출구(Pa, Pb)는 각각, 액체 공급관(168a, 168b)의 관 벽에 구멍을 뚫는 것에 의해 형성된다. 토출구(Pa, Pb)는, 가상 중심선(CL)에 대해 대칭으로 설치된다. 제어부(140)가 밸브(166)(도 10)를 연 상태에서, 펌프(162)를 구동시키면, 조정 밸브(165)에 의해 조정된 토출류 양으로 각 토출구(Pa, Pb)로부터 처리액이 토출된다.
여기에서는, 제1 유체 공급부(132)는, 떨어진 장소에 위치하는 유체 공급관(132a, 132b)을 포함한다. 또한, 제2 유체 공급부(134)는, 떨어진 장소에 위치하는 유체 공급관(134a, 134b)을 포함한다.
평면시에서, 유체 공급관(132a, 132b)은, 액체 공급관(168a)과 액체 공급관(168b)의 사이에 배치된다. 이 때문에, 유체 공급관(132a, 132b)은 내벽 배관이라고도 불린다. 한편, 평면에서 볼 때, 유체 공급관(134a)은, 액체 공급관(168a)에 대해, 내벽 배관과는 반대측에 배치된다. 마찬가지로, 유체 공급관(134b)은, 액체 공급관(168b)에 대해, 내벽 배관과는 반대측에 배치된다. 이 때문에, 유체 공급관(134a, 134b)은 외측 배관이라고도 불린다.
덧붙여, 유체 공급관(132a, 132b)은, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)을 사이에 두도록 각각 배치된다. 유체 공급관(132a, 132b)은, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)에 대해 거의 대칭으로 배치된다. 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(132a)까지의 거리는, 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(132b)까지의 거리와 거의 같다. 마찬가지로, 유체 공급관(134a, 134b)은, 평면에서 볼 때 가상 중심선(CL)에 대해 거의 대칭으로 배치된다. 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(134a)까지의 거리는, 가상 중심선(CL)에서 유체 공급관(134b)까지의 거리와 거의 같다.
유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)은, 내조(112)의 저부(즉, 기판 보지부(120)에 보지되어 있는 기판(W)의 하방)에서, 각각, 기판(W)의 배열 방향(도 12의 좌우 방향)에 따른 수평 방향으로 연장되어 있다. 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)은, 원통 튜브(예를 들면, 석영제)를 이용해 형성된다.
도 12에 도시한 것처럼, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)에는, 기포 토출구(G)가 설치된다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 기체는, 기포 토출구(G)로부터 처리조(110)의 처리액(L) 내에 공급되고, 처리액(L)에 대해 기포가 형성된다. 제어부(140)가 밸브(154)를 열면, 조정 밸브(156)에 의해 조정된 토출류 양으로 각 기포 토출구(G)로부터 기포가 토출된다.
기포 토출구(G)는, 유체 공급관(134a)에 설치된 토출구(Ga)와, 유체 공급관(134b)에 설치된 토출구(Gb)와, 유체 공급관(132a)에 설치된 토출구(Gc)와, 유체 공급관(132b)에 설치된 토출구(Gd)를 포함한다. 토출구(Ga~Gd)는, 기판(W)의 배열 방향에 따라, 일렬 또는 복수열(이 실시 형태에서는 일렬)로 배열되어 있다. 토출구(Ga~Gd)는, 평면에서 볼 때 기판(W) 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W) 사이에 기포를 공급하도록 설치된다. 토출구(Ga~Gd)는 각각, 기판(W) 사이와 같은 간격을 두고 늘어서 있다.
토출구(Ga~Gd)는, 각각, 유체 공급관(132a~134b)의 관 벽에 구멍을 뚫는 것에 의해 형성된다. 각 유체 공급관(132a~134b)의 관경(管徑)은, 예를 들면, 약 8.0 mm이며, 각 토출구(Ga~Gd)의 직경은, 예를 들면, 약 0.3 mm이다. 덧붙여, 유체 공급관(132a~134b)이 유체로서 기체를 공급하는 경우, 유체 공급관(132a~134b)의 토출구(Ga~Gd)로부터 기포가 발생한다. 토출구(Ga~Gd)로부터 토출되는 기포의 직경(기포 지름)은, 약 2.0~ 약 3.5 mm의 범위이다. 기포 지름이 작을수록 기포에 의한 기판(W) 표면 근방의 처리액의 교반의 정도는 크다고 생각할 수 있기 때문에, 기포 지름은 작은 것이 바람직하다.
토출구(Ga) 및 토출구(Gb)는, 가상 중심선(CL)에 대해 대칭으로 설치된다. 또한, 토출구(Gc) 및 토출구(Gd)는, 가상 중심선(CL)에 대해 대칭으로 설치된다.
덧붙여, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)을 처리하는 경우, 기판 처리 장치(100)는, 덮개(116)(도 10)가 열린 상태에서 기판 보지부(120)가 기판(W)을 처리조(110) 내에 침지한 후, 덮개(116)(도 10)를 닫은 상태에서 기판(W)의 처리를 개시해, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)에 의한 기체의 공급을 개시한다. 특히, 기판 처리 장치(100)가 기판(W)에 기체를 공급하는 경우, 덮개(116)가 닫힌 상태에서 기체의 공급을 개시함으로써, 처리조(110)로부터 처리액(L)이 흘러 넘치는 것을 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)는, 어느 기간에 걸쳐서, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a, 132b)으로부터, 유체로서 기체를 공급한다. 또한, 상이한 기간에 걸쳐서, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관(134a, 134b)으로부터, 유체로서 기체를 공급한다. 덧붙여, 액체 공급부(168)는, 어느 기간에서도, 액체 공급관(168a, 168b)으로부터, 액체를 계속 공급한다.
다음으로, 도 13을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 13은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 제1 유체 공급부(132), 제2 유체 공급부(134) 및 액체 공급부(168)의 모식적인 상면도이다. 덧붙여, 도 13에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 유체 공급관(132a~134b)의 토출구(Ga~Gd) 및 액체 공급관(168a, 168b)의 토출구(Pa, Pb)가 일렬로 배열된 복수의 기판(W)의 하나 간격으로 설치되는 점을 제외하고, 도 12를 참조해 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 13에서는, 동종의 복수의 기판(W)이 Y방향을 따라 일렬로 배열되어 있다. 인접하는 기판(W)은 서로 같은 면을 향하도록 대향한다.
기판(W)은, 주면(Wa, Wb)을 가진다. 주면(Wa)은 기판의 표면이고, 주면(Wb)은 기판(W)의 이면이다. 여기에서는, 인접해 마주보는 기판(W)의 주면(Wa)은 서로 마주보고, 인접해 마주보는 기판(W)의 주면(Wb)은 서로 마주본다.
도 13에 도시한 것처럼, 기포 토출구(G)는, 유체 공급관(134a)에 설치된 토출구(Ga)와, 유체 공급관(134b)에 설치된 토출구(Gb)와, 유체 공급관(132a)에 설치된 토출구(Gc)와, 유체 공급관(132b)에 설치된 토출구(Gd)를 포함한다. 토출구(Ga~Gd)는, X방향에 따라, 일렬 또는 복수열(이 실시 형태에서는 일렬)로 배열되어 있다. 또한, 토출구(Ga~Gd) 및 토출구(Pa, Pb)는, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 1개 간격으로 배열되어 있다.
토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 평면에서 볼 때, 주면(Wa)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 한편, 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 평면에서 볼 때 주면(Wb)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에는 설치되지 않는다. 예를 들면, 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 평면에서 볼 때, 주면(Wa)이 서로 마주보는 기판(W1)과 기판(W2)과의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 한편, 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 평면에서 볼 때 주면(Wb)이 서로 마주보는 기판(W2)과 기판(W3)과의 사이에는 설치되지 않는다.
마찬가지로, 처리액 토출구(P)는, 액체 공급관(168a)에 설치된 토출구(Pa)와 액체 공급관(168b)에 설치된 토출구(Pb)를 포함한다. 토출구(Pa, Pb)는, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 1개 간격으로 배열되어 있다.
토출구(Pa, Pb)는, 평면에서 볼 때, 주면(Wa)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 한편, 토출구(Pa, Pb)는, 평면에서 볼 때 주면(Wb)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에는 설치되지 않는다. 예를 들면, 토출구(Pa, Pb)는, 평면에서 볼 때, 주면(Wa)이 서로 마주보는 기판(W1)과 기판(W2)과의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 한편, 토출구(Pa, Pb)는, 평면에서 볼 때 주면(Wb)이 서로 마주보는 기판(W2)과 기판(W3)과의 사이에는 설치되지 않는다.
도 13에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 토출구(Pa, Pb) 및 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 주면(Wa)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에 배치되는 한편, 주면(Wb)이 서로 마주보는 2개의 기판(W)의 사이에 배치되지 않는다. 예를 들면, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b)을 흐르는 유량이 일정한 경우, 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)의 수가 적은 것에 의해, 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)로부터 토출되는 유체의 양을 증대할 수 있다. 마찬가지로, 액체 공급관(168a, 168b)을 흐르는 유량이 일정한 경우, 토출구(Pa, Pb)의 수가 적은 것에 의해, 토출구(Pa, Pb)로부터 토출되는 액체의 양을 증대할 수 있다. 이 때문에, 기판(W)의 특정의 면을 효율적으로 처리할 수 있다.
다음으로, 도 14를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 14는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식적인 측면도이다.
처리조(110)에는, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b) 및 액체 공급관(168a, 168b)이 배치된다. 유체 공급관(134a, 134b, 132a, 132b)의 토출구(Ga, Gb, Gc, Gd)는, 그 토출 방향이 연직 방향을 따르도록 유체 공급관(134a, 134b, 132a, 132b)의 상부에 설치된다.
한편, 액체 공급관(168a, 168b)의 토출구(Pa, Pb)는, 그 토출 방향이, 기판(W)의 중심을 향하도록, 연직 방향(Z방향)에 대해 경사진 위치에 설치된다. 그 때문에, 액체 공급관(168a)의 토출구(Pa)로부터 토출되는 경사 상향의 액류(液流)와, 액체 공급관(168b)의 토출구(Pb)로부터 토출되는 경사 상향의 액류가 합류하면, 처리조(110)의 내부를 상방을 향해 흐르는 매우 강한 업 플로우를 형성할 수 있다.
상술한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서는, 어느 기간에 걸쳐서, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a, 132b)으로부터 유체로서 기체를 공급한다. 또한, 상이한 기간에 걸쳐서, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관(134a, 134b)으로부터, 유체로서 기체를 공급한다.
다음으로, 도 15를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 15(a) 및 도 15(b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 15(a)에 도시한 것처럼, 어느 기간에서, 유체 공급관(134a)의 토출구(Ga) 및 유체 공급관(134b)의 토출구(Gb)에서는 기체를 토출하지 않는 한편, 유체 공급관(132a)의 토출구(Gc) 및 유체 공급관(132b)의 토출구(Gd)로부터 기체를 토출한다. 또한, 액체 공급관(168a)의 토출구(Pa) 및 액체 공급관(168b)의 토출구(Pb)로부터 액체가 토출한다.
이 경우, 유체 공급관(132a)의 토출구(Gc) 및 유체 공급관(132b)의 토출구(Gd)로부터 토출되는 기포는, 대략 연직 상방으로 부상한다. 이 때문에, 기포는, 기판(W)의 표면의 가상 중심선(CL)의 주위 영역과 접촉한다.
액체 공급관(168a)의 토출구(Pa) 및 액체 공급관(168b)의 토출구(Pb)로부터 토출된 액체는, 기포 때문에, 기판(W)의 중심 근방에 접근하지 않는다. 이 때문에, 토출구(Pa) 및 토출구(Pb)로부터 상방으로 향하는 비교적 강한 업 플로우가 형성된다.
덧붙여, 여기에서는, 유체 공급관(134a)의 토출구(Ga) 및 유체 공급관(134b)의 토출구(Gb)에서는 기체는 토출되지 않기 때문에, 토출구(Ga) 및 토출구(Gb)의 상방에는, 비교적 약한 다운 플로우가 형성된다.
도 15(b)에 도시한 것처럼, 상이한 기간에서, 유체 공급관(134a)의 토출구(Ga) 및 유체 공급관(134b)의 토출구(Gb)로부터 기체를 토출하는 한편, 유체 공급관(132a)의 토출구(Gc) 및 유체 공급관(132b)의 토출구(Gd)로부터 기체를 토출하지 않는다. 또한, 액체 공급관(168a)의 토출구(Pa) 및 액체 공급관(168b)의 토출구(Pb)로부터 액체가 계속해서 토출된다.
여기에서는, 유체 공급관(132a)의 토출구(Gc) 및 유체 공급관(132b)의 토출구(Gd)에서는 기체는 토출되지 않는다. 이 때문에, 액체 공급관(168a)의 토출구(Pa)로부터 토출되는 경사 상향의 액류와 액체 공급관(168b)의 토출구(Pb)로부터 토출되는 경사 상향의 액류가 합류하여, 처리조(110)의 내부를 상방을 향해 흐르는 매우 강한 업 플로우가 형성된다.
또한, 유체 공급관(134a)의 토출구(Ga) 및 유체 공급관(134b)의 토출구(Gb)로부터 토출되는 기포는, 대략 연직 상방으로 부상한다. 이 때문에, 유체 공급관(134a)의 토출구(Ga)로부터 토출되는 기포는, 상방으로 이동하여, 기판(W)의 횡방향의 일단부 영역에 공급된다. 마찬가지로, 유체 공급관(134b)의 토출구(Gb)로부터 토출되는 기포는, 상방으로 이동하여, 기판(W)의 횡방향 외단부 영역에 공급된다.
도 15(a)와 도 15(b)와의 비교에서 이해되듯이, 제1 유체 공급부(132)에 의한 유체의 공급 및 제2 유체 공급부(134)에 의한 유체의 공급을 절환함으로써, 기판(W)에 대한 처리액 및 기포의 흐름을 절환할 수 있다. 이 때문에, 기판(W)에 대한 처리의 편향을 억제할 수 있다.
덧붙여, 도 10, 도 12~도 14에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(134a)이 액체 공급관(168a)을 사이에 두도록 대향해 배치되고, 유체 공급관(132b) 및 유체 공급관(134b)이 액체 공급관(168b)을 사이에 두도록 대향해 배치되었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다.
다음으로, 도 16을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 16은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 도 16에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 액체 공급관(168a)의 양측의 각각에 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 양방의 유체 공급관이 배치되는 동시에, 액체 공급관(168b)의 양측의 각각에 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 양방의 유체 공급관이 배치되는 점을 제외하고, 도 10을 참조해 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와, 기판 보지부(120)와, 유체 공급부(130)와, 제어부(140)를 갖춘다. 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a, 132b, 132c, 132d)을 포함한다. 본 명세서에서, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a, 132b, 132c, 132d)을, 제1 유체 공급관(132a), 제2 유체 공급관(132b), 제3 유체 공급관(132c), 제4 유체 공급관(132d)으로 기재하는 경우가 있다.
유체 공급관(132a, 132b, 132c, 132d)은 Y방향으로 연장된다. 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a, 134b, 134c, 134d)을 포함한다. 유체 공급관(134a, 134b, 134c, 134d)은 Y방향으로 연장된다. 본 명세서에서, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관(134a, 134b, 134c, 134d)을, 제5 유체 공급관(134a), 제6 유체 공급관(134b), 제7 유체 공급관(134c), 제8 유체 공급관(134d)으로 기재하는 경우가 있다.
처리조(110)의 내조(112)에 배치된 유체 공급관(132a)~유체 공급관(134d)에 주목하면, -X방향측에서 +X방향측을 향해, 유체 공급관(132a), 유체 공급관(134a), 유체 공급관(132b), 유체 공급관(134b), 유체 공급관(134c), 유체 공급관(132c), 유체 공급관(134d), 유체 공급관(132d)의 순번으로 배치된다. 이 때문에, 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(134a)은, 액체 공급관(168a)에 대해 -X방향측에 배치되고, 유체 공급관(132b) 및 유체 공급관(134b)은, 액체 공급관(168a)에 대해 +X방향측에 배치된다.
또한, 유체 공급관(132c) 및 유체 공급관(134c)은, 액체 공급관(168b)에 대해 -X방향측에 배치되고, 유체 공급관(132d) 및 유체 공급관(134d)은, 액체 공급관(168b)에 대해 +X방향측에 배치된다. 따라서, 유체 공급관(132a, 132d) 및 유체 공급관(134a, 134d)은, 액체 공급관(168a) 및 액체 공급관(168b)에 대해 외측에 배치되어 있고, 유체 공급관(132b, 132c) 및 유체 공급관(134b, 134c)은, 액체 공급관(168a)과 액체 공급관(168b)과의 사이에 배치되어 있다.
또한, 제1 유체 공급관(132a) 및 제2 유체 공급관(132b)이 액체 공급관(168a)을 사이에 두도록 대향해 배치되고, 제5 유체 공급관(134a) 및 제6 유체 공급관(134b)이 액체 공급관(168a)을 사이에 두도록 대향해 배치된다. 마찬가지로, 제3 유체 공급관(132c) 및 제4 유체 공급관(132d)이 액체 공급관(168b)을 사이에 두도록 대향해 배치되고, 제7 유체 공급관(134c) 및 제8 유체 공급관(134d)이 액체 공급관(168b)을 사이에 두도록 대향해 배치된다.
이와 같이, 기판(W) 중의 가상 중심선에 대해 -X방향측의 영역에서, 액체 공급관(168a)의 양측으로, 제1 유체 공급부(132)로부터의 유체와 제2 유체 공급부(134)로부터의 유체가 공급된다. 마찬가지로, 기판(W) 중의 가상 중심선(CL)에 대해 +X방향측의 영역에서, 액체 공급관(168b)의 양측으로, 제1 유체 공급부(132)로부터의 유체와 제2 유체 공급부(134)로부터의 유체가 공급된다. 이 때문에, 기판(W)의 전면에 걸쳐 충분히 처리할 수 있다.
덧붙여, 도 10~도 16을 참조한 상술의 설명에서는, 유체 공급부(130)의 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)의 각각으로부터 유체로서 기체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 유체 공급부(130)는, 유체로서 액체를 공급해도 무방하다.
다음으로, 도 17을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 17은, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 도 17에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 유체 공급부(130)가 유체로서 액체를 공급하는 점을 제외하고, 도 10을 참조해 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)와, 기판 보지부(120)와, 유체 공급부(130)와, 제어부(140)를 갖춘다. 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)의 내조(112)의 저부에 배치된다. 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 배관(161)의 하류단에 접속된다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 유체로서 순환된 처리액을 공급한다.
도 17에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 별개로 처리액(L)의 공급을 조정할 수 있다. 덧붙여, 도 17은, 도면이 과도하게 복잡해지는 것을 피하기 위해, 1개의 조정 밸브(165) 및 1개의 밸브(166)를 나타내고 있지만, 조정 밸브(165) 및 밸브(166) 중 어느 하나는 복수 설치되어도 무방하다. 이에 따라, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)로부터 공급되는 액체의 양을 적절히 조정할 수 있다.
예를 들면, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 순환한 처리액을 공급하는 한편, 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 순환한 처리액을 공급하지 않는다. 그 후, 제1 유체 공급부(132)가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 순환한 처리액을 공급하지 않고, 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110) 내의 처리액(L)에 순환한 처리액을 공급한다. 이에 따라, 기판(W)의 처리에 의한 편향을 억제할 수 있다.
다음으로, 도 18을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명한다. 도 18(a)~도 18(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다. 덧붙여, 도 18(a)~도 18(c)에 도시한 기판 처리 방법은, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 유체의 공급을 계속하면서 유체의 유량을 변경하는 점을 제외하고, 도 4를 참조해 상술한 기판 처리 방법과 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
도 18(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)는, 보지(保持)한 기판(W)을 처리조(110)의 처리액(L)에 침지시킨다. 유체 공급부(130)는, 기판(W)이 처리액(L)에 침지된 상태에서, 처리조(110)에 유체를 공급한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 액체를 공급한다. 도 18(a)에서는, 제1 유체 공급부(132)에서 처리조(110)로의 액체의 공급을 화살표(F1)로 나타내고, 제2 유체 공급부(134)에서 처리조(110)로의 액체의 공급을 화살표(F2)로 나타내고 있다.
도 18(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)이, 처리조(110)의 처리액(L)에 침지된 상태에서, 유체 공급부(130)는, 기판(W)에 대한 유체의 공급을 변경한다. 여기에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 액체의 유량을 변경한다. 도 18(b)에는, 제1 유체 공급부(132)로부터 처리조(110)에의 액체의 공급을 화살표(F2)로 나타내고, 제2 유체 공급부(134)로부터 처리조(110)에의 액체의 공급을 화살표(F1)로 나타내고 있다.
도 18(c)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 기판 보지부(120)에 보지된 기판(W)은 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상된다. 기판(W)이 처리조(110)의 처리액(L)으로부터 인상되기 전, 동시, 또는 후에, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 액체의 공급을 종료한다.
덧붙여, 도 17에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 처리조(110)의 처리액(L)에는 유체 공급부(130)로부터 기체가 공급되었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 처리조(110)의 처리액(L)은 유체 공급부(130)로부터의 기체 뿐만이 아니라 액체가 공급되어도 무방하다.
다음으로, 도 19를 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 19는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)의 모식도이다. 도 19에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 처리조(110)에, 유체 공급부(130)로부터 액체가 공급될 뿐만 아니라 기체가 공급되는 점을 제외하고, 도 17을 참조해 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지이다. 이 때문에, 장황을 피할 목적으로 중복하는 기재를 생략한다.
기판 처리 장치(100)는, 처리조(110), 기판 보지부(120), 유체 공급부(130), 제어부(140), 기체 반송부(150) 이외에, 기체 공급부(158)를 더 갖춘다. 기체 공급부(158)는, 처리조(110)의 내조(112)의 저부에 배치된다. 배관(152)은, 기체 공급부(158)에 연결한다. 배관(152)은, 기체를 처리조(110) 내의 기체 공급부(158)로 인도한다.
기체 공급부(158)는, 기체 공급관(158a, 158b, 158c, 158d)을 포함한다. 기체 공급관(158a)은, 제1 유체 공급부(132)에 대해 -X방향측에 배치되고, 기체 공급관(158b)은, 제1 유체 공급부(132)에 대해 +X방향측에 배치된다. 기체 공급관(158c)은, 제2 유체 공급부(134)에 대해 -X방향측에 배치되고, 기체 공급관(158d)은, 제2 유체 공급부(134)에 대해 +X방향측에 배치된다.
도 18에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 처리조(110)에 액체를 공급하는 것 이외에, 기체 공급부(158)가 처리조(110)에 기체를 공급한다. 이 때문에, 기판(W)을 충분히 처리할 수 있다.
덧붙여, 도 1~도 19에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 유체 공급부(130)는 기판(W)의 주면의 법선 방향과 평행하게 배치되었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 유체 공급부(130)는, 기판(W)의 주면의 법선 방향과 직교하는 방향으로 연장되어도 무방하다.
다음으로, 도 20을 참조하여, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 20(a)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식적인 상면도이며, 도 20(b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식적인 측면도이다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 기판(W)의 배열된 방향과 교차하는 방향으로 연장된다.
도 20(a) 및 도 20(b)에 도시한 기판 처리 장치(100)의 처리조(110)에는, 도 10~도 16을 참조해 상술한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지로, 유체 공급부(130) 및 액체 공급부(168)가 배치된다. 여기에서는, 유체 공급부(130)는, 기판(W)의 배열된 방향과 교차하는 방향으로 연장된다. 유체 공급부(130)는, 복수의 기판(W) 중 인접하는 2개의 기판의 사이에 위치한다. 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다.
여기에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 처리조(110)에 기체를 공급한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a, 132b)을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a, 134b)을 포함한다. 덧붙여, 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a, 132b) 이외의 유체 공급관을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a, 134b) 이외의 유체 공급관을 포함하지만, 도 20(a) 및 도 20(b)에서는, 유체 공급관(132a, 132b, 134a, 134b) 만을 나타내고 있다. 유체 공급관(132a, 132b) 및 유체 공급관(134a, 134b)은, 토출구로부터 처리조(110)에 기체를 토출한다.
액체 공급부(168)는, 처리조(110)에 액체를 공급한다. 액체 공급부(168)는, 액체 공급관(168a, 168b, 168c, 168d)을 포함한다. 액체 공급관(168a, 168b, 168c, 168d)은, 토출구로부터 처리조(110)에 액체를 토출한다.
제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관(132a, 132b)은, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 1개 간격으로 배열되어 있다. 마찬가지로, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관(134a, 134b)은, 유체 공급관(132a, 132b)이 배치되지 않는 위치이고, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라 1개 간격으로 배열되어 있다. 예를 들면, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관은, 평면에서 볼 때, 기판(W2)과 기판(W3)과의 사이에 배치되어, 기판(W2) 및 기판(W3)에 기체를 공급하도록 설치된다. 한편, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관은, 평면에서 볼 때 기판(W1)과 기판(W2)과의 사이에 설치되어, 기판(W1) 및 기판(W2)에 기체를 공급하도록 설치된다.
한편, 액체 공급관(168a, 168b, 168c, 168d)은, 평면에서 볼 때 기판(W)의 사이에 1개씩 배치되어, 기판(W)의 사이에 처리액을 공급하도록 설치된다. 예를 들면, 액체 공급부(168)의 액체 공급관은, 평면에서 볼 때, 기판(W1)과 기판(W2)의 사이에 1개 배치되고, 마찬가지로, 평면에서 볼 때 기판(W2)과 기판(W3)의 사이에 설치된다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134) 중 일방 만이 기체를 공급하는 경우, 기판(W)의 2개의 주면 중 일방에 기체가 공급된다. 예를 들면, 제1 유체 공급부(132)가 기체를 공급하는 경우, 기판(W1)의 +Y방향측의 주면과, 기판(W2)의 -Y방향측의 주면과, 기판(W3)의 +Y방향측의 주면이 기체와 접촉한다. 반대로, 제2 유체 공급부(134)가 기체를 공급하는 경우, 기판(W1)의 -Y방향측의 주면과, 기판(W2)의 +Y방향측의 주면과, 기판(W3)의 -Y방향측의 주면과, 기판(W4)의 +Y방향측의 주면이 기체와 접촉한다.
또한, 액체 공급부(168)의 액체 공급관(168a, 168b, 168c, 168d)은 어느 경우에도 액체를 공급한다. 이 때문에, 기판(W)의 각각에는 액체 및 기체의 양방이 공급되어, 기판(W)을 효과적으로 처리할 수 있다.
덧붙여, 도 20을 참조해 상술한 설명에서는, 처리조(110)에, 액체 공급부(168)가 액체를 공급하는 한편, 유체 공급부(130)가 기체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 처리조(110)에, 기체 공급부가 기체를 공급하는 한편으로, 유체 공급부(130)가 액체를 공급해도 무방하다. 이 경우, 유체 공급부(130)는, 도 1을 참조해 상술한 것처럼, 액체의 공급을 변경해도 무방하다.
또한, 도 20을 참조해 상술한 설명에서는, 처리조(110)에, 액체 공급부(168)가 액체를 공급하는 한편으로, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 기체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 처리조(110)에, 기체 공급부가 기체를 공급하는 한편으로, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 액체를 공급해도 무방하다. 이 경우, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)는, 도 17 및 도 18을 참조해 상술한 것처럼, 액체의 유량을 변경해도 무방하다.
다음으로, 도 21을 참조하고, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 21(a)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식적인 상면도이며, 도 21(b)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식적인 측면도이다.
여기에서는, 인접해 마주보는 기판(W)의 주면(Wa)은 서로 마주보고, 인접해 마주보는 기판(W)의 주면(Wb)은 서로 마주본다.
도 21(a)에 도시한 기판 처리 장치(100)의 처리조(110)에는, 도 19에 도시한 기판 처리 장치(100)와 마찬가지로, 유체 공급부(130) 및 기체 공급부(158)가 배치된다. 유체 공급부(130)는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)를 포함한다.
여기에서는, 제1 유체 공급부(132)는, 처리조(110)에 액체를 공급한다. 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a)을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a)을 포함한다. 덧붙여, 제1 유체 공급부(132)는, 유체 공급관(132a) 이외의 유체 공급관을 포함하고, 제2 유체 공급부(134)는, 유체 공급관(134a) 이외의 유체 공급관을 포함하지만, 도 21(a)에서는, 유체 공급관(132a, 134a) 만을 나타내고 있다. 유체 공급관(132a) 및 유체 공급관(134a)은, 토출구로부터 처리조(110)에 기체를 토출한다.
기체 공급부(158)는, 처리조(110)에 기체를 공급한다. 기체 공급부(158)는, 기체 공급관(158a, 158b)을 포함한다. 기체 공급관(158a, 158b), 토출구로부터 처리조(110)에 기체를 토출한다.
제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관 및 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관 중 어느 하나는, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)을 따라, 1개 간격으로 배열되어 있다. 또한, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관은, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 3개 간격으로 배열되어 있고, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관은, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 3개 간격으로 배열되어 있다. 예를 들면, 제1 유체 공급부(132)의 유체 공급관은, 평면에서 볼 때, 기판(W1)과 기판(W2)과의 사이에 배치되어, 기판(W1)의 주면(Wa) 및 기판(W2)의 주면(Wa)에 기체를 공급하도록 설치된다. 한편, 제2 유체 공급부(134)의 유체 공급관은, 평면에서 볼 때 기판(W3)과 기판(W4)과의 사이에 설치되어, 기판(W3)의 주면(Wa) 및 기판(W4)의 주면(Wa)에 기체를 공급하도록 설치된다.
한편, 기체 공급부(158)의 기체 공급관은, 기판(W)의 배열 방향(Y방향)에 따라, 1개 간격으로 배열되어 있고, 기판(W)의 사이에 기체를 공급하도록 설치된다. 예를 들면, 기체 공급부(158)의 기체 공급관(158a)은, 평면에서 볼 때, 기판(W1)과 기판(W2)과의 사이에 1개 배치되고, 마찬가지로, 기체 공급관(158b)은, 평면에서 볼 때 기판(W3)과 기판(W4)의 사이에 설치된다.
본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서는, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 다른 유량의 액체를 공급하고, 인접하는 기판(W)의 주면(Wa)에 액체가 공급된다. 예를 들면, 제1 유체 공급부(132)로부터의 액체의 유량이 제2 유체 공급부(134)로부터의 액체의 유량 보다 많은 경우, 기판(W1)의 주면(Wa) 및 기판(W2)의 주면(Wa)이 충분히 처리된다. 반대로, 제2 유체 공급부(134)로부터의 액체의 유량이 제1 유체 공급부(132)로부터의 액체의 유량 보다 많은 경우, 기판(W3)의 주면(Wa) 및 기판(W4)의 주면(Wa)이 충분히 처리된다.
또한, 기체 공급부(158)의 기체 공급관(158a, 158b, 158c, 158d)은 어느 경우에도 기체를 공급한다. 이 때문에, 기판(W)의 각각에는 액체 및 기체의 양방이 공급되어, 기판(W)의 주면(Wa)을 효과적으로 처리할 수 있다.
덧붙여, 도 21을 참조해 상술한 설명에서는, 처리조(110)에, 기체 공급부(158)가 기체를 공급하는 한편으로, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 액체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 처리조(110)에, 액체 공급부가 액체를 공급하는 한편으로, 제1 유체 공급부(132) 및 제2 유체 공급부(134)가 기체를 공급해도 무방하다.
덧붙여, 도 20 및 도 21에 도시한 것처럼, 기판(W)의 각각의 적어도 일부에는, 액체 및 기체가 공급되는 것이 바람직하다. 이에 따라, 기판(W)의 각각을 충분히 처리할 수 있다.
덧붙여, 복수의 기판(W)을 일렬로 배열해 기판(W)의 처리를 실시하는 경우, 일렬로 배열된 기판(W) 중 단(端)에 배치된 기판(W)은, 다른 기판과 비교해 균일하게 처리되지 않는 경우가 있다. 이 때문에, 일렬로 배열된 기판(W) 중 단에 배치된 기판(W)에 대향하는 정류판을 마련하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 22를 참조하여, 정류판(190)이 장착된 처리조(110)를 갖춘 기판 처리 장치(100)를 설명한다. 도 22(a)는, 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 처리조(110)의 모식도이다. 도 22(b) 및 도 22(c)는, 본 실시 형태의 기판 처리 방법을 설명하기 위한 모식도이다.
도 22(a)에 도시한 것처럼, 기판 처리 장치(100)에서, 처리조(110)에는 정류판(190)이 장착된다. 정류판(190)은, 처리조(110)의 저부에 장착된다. 정류판(190)은, 연직 상방(Z방향)을 따라 연장되는 판이다. 정류판(190)에는, 기판 보지부(120)의 보지봉(124)에 대응하는 3개의 요부(凹部)가 설치된다.
도 22(b)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)는, 처리조(110)의 상방에서 기판(W)을 보지(保持)한다. 기판 보지부(120)에 보지된 복수의 기판(W)은, 일렬로 배열된다.
도 22(c)에 도시한 것처럼, 기판 보지부(120)는 기판(W)을 보지한 채로 처리조(110)까지 하강한다. 이에 따라, 기판 처리 장치(100)에서, 처리조(110)에는, 일렬로 배열된 복수의 기판(W)이 침지된다. 정류판(190)의 요부(凹部)에는, 기판 보지부(120)의 보지봉(124)이 진입한다. 이 때문에, 기판 보지부(120)는 기판(W)을 보지한 채로 처리조(110)까지 하강했을 때에, 정류판(190)은, 일렬로 배열된 기판(W) 중 일방의 단부의 기판(W)에 대향한다. 따라서, 일렬로 배열된 기판(W) 중 일방의 단부의 기판(W)에 대해서도 다른 기판과 마찬가지로, 처리할 수 있다.
덧붙여, 도 22에 도시한 기판 처리 장치(100)에서는, 정류판(190)은, 처리조(110)에 장착되었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 정류판(190)은, 기판 보지부(120)에 장착되어도 무방하다.
다음으로, 도 23을 참조하여, 정류판(190)이 기판 보지부(120)에 장착된 본 실시 형태의 기판 처리 장치(100)에서의 기판 보지부(120)를 설명한다. 도 23은, 기판 보지부(120)의 모식도이다.
기판 보지부(120)는, 본체판(122)과, 보지봉(124)을 포함한다. 보지봉(124)에는, 복수의 기판(W)이 Y방향을 따라 일렬로 배열되어 지지된다. 보지봉(124) 중 +Y방향측의 단부에는, 정류판(190)이 장착되어 있다. 정류판(190)은, 복수의 기판(W) 중 +Y방향측의 기판(W)과 대향한다. 정류판(190)의 직경, 형상, 두께는 기판(W)과 대략 같은 것이 바람직하다. 예를 들면, 기판(W)이 얇은 원 형상인 경우, 정류판(190)도 얇은 원 형상인 것이 바람직하다.
또한, 기판 보지부(120)에 보지되는 기판(W)의 수가, 최대 가능 보지매(保持枚) 보다 적은 경우가 있다. 이 경우, 정류판(190)은, 보지봉(124)에 따라 Y방향으로 이동 가능한 것이 바람직하다.
덧붙여, 도 1에서 도 23을 참조하여 상술한 기판 처리 장치(100)에서는, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)의 저부에 배치되어, 처리조(110)에 저장된 처리액 내에 유체를 공급했지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 유체 공급부(130)는, 처리조(110)의 측방(側方)에 배치되어도 무방하다. 혹은, 유체 공급부(130)는, 처리조(110)에 저장된 처리액의 높이 보다 높은 위치에 배치되어, 처리액에 덮이지 않고 처리조(110)에 유체를 공급해도 무방하다.
덧붙여, 도 1로부터 도 23에 도시한 기판 처리 장치(100)는, 복수의 기판(W)을 동시에 처리하는 배치형(Batch type)이었지만, 본 실시 형태는 이것으로 한정되지 않는다. 기판 처리 장치(100)는 기판(W)을 1매씩 처리하는 매엽형(枚葉型)이어도 무방하다.
이상, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태를 설명했다. 단, 본 발명은, 상기의 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양한 양태에 있어 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상기의 실시 형태에 개시되는 복수의 구성 요소를 적절히 조합하는 것에 의해, 다양한 발명의 형성이 가능하다. 예를 들면, 실시 형태에 나타난 전체 구성 요소에서 일부의 구성 요소를 삭제해도 무방하다. 또한, 다른 실시 형태에 걸친 구성 요소를 적절히 조합해도 무방하다. 도면은, 이해하기 쉽도록 하기 위해, 각각의 구성 요소를 주체(主體)로 모식적으로 나타내고, 도시된 각 구성 요소의 두께, 길이, 개수, 간격 등은, 도면 작성의 사정상 실제와는 다른 경우도 있다. 또한, 상기의 실시 형태에서 나타낸 각 구성 요소의 재질, 형상, 치수 등은 일례이며, 특별히 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 효과로부터 실질적으로 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다.
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 바람직하게 이용된다.
100: 기판 처리 장치
110: 처리조(處理槽)
120: 기판 보지부(保持部)
130: 유체 공급부
140: 제어부
W: 기판
L: 처리액

Claims (10)

  1. 기판을 처리하기 위한 처리액을 저장하는 처리조와,
    상기 처리조의 상기 처리액 내에서 상기 기판을 보지(保持)하는 기판 보지부와,
    상기 처리조에 유체를 공급하는 유체 공급부와,
    상기 기판 보지부에 보지된 상기 기판의 하방에 배치되어, 상기 처리조에 액체를 공급하는 액체 공급부와,
    상기 유체 공급부 및 상기 액체 공급부를 제어하는 제어부
    를 갖추고,
    상기 유체 공급부는,
    상기 처리조 내의 제1 위치에 배치되어, 상기 처리조에 유체를 공급하는 제1 유체 공급부와,
    상기 처리조 내의 제2 위치에 배치되어, 상기 제1 유체 공급부가 상기 유체를 공급하는 기간과는 상이한 기간에 상기 처리조에 유체를 공급하는 제2 유체 공급부
    를 포함하고,
    상기 액체 공급부는, 제1 액체 공급관 및 제2 액체 공급관을 포함하고,
    상기 제1 액체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해 일방측에 배치되고,
    상기 제2 액체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해 타방측에 배치되고,
    상기 제1 액체 공급관에는, 상기 기판의 연직 중심축 측으로, 상기 기판의 연직 중심축에 경사지게 향해진 토출구가 설치되어 있고,
    상기 제2 액체 공급관에는, 상기 기판의 연직 중심축 측으로, 상기 기판의 연직 중심축에 경사지게 향해진 토출구가 설치되어 있고,
    상기 제1 유체 공급부는, 제1 유체 공급관 및 제2 유체 공급관을 가지고,
    상기 제1 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제1 액체 공급관과의 사이에 위치하고,
    상기 제2 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축과 상기 제2 액체 공급관과의 사이에 위치하고,
    상기 제2 유체 공급부는, 제3 유체 공급관 및 제4 유체 공급관을 가지고,
    상기 제3 유체 공급관과 상기 제1 유체 공급관과의 사이에 상기 제1 액체 공급관이 위치하고,
    상기 제4 유체 공급관과 상기 제2 유체 공급관과의 사이에 상기 제2 액체 공급관이 위치하고,
    상기 제어부는,
    제1 기간에 있어서, 상기 제1 액체 공급관 및 상기 제2 액체 공급관이 상기 액체를 공급하는 것과 함께 상기 제1 유체 공급관 및 상기 제2 유체 공급관이 상기 유체로서 기체를 공급하도록 상기 유체 공급부 및 상기 액체 공급부를 제어하고,
    제2 기간에 있어서, 상기 제1 액체 공급관 및 상기 제2 액체 공급관이 상기 액체를 공급하는 것과 함께 상기 제3 유체 공급관 및 상기 제4 유체 공급관이 상기 유체로서 기체를 공급하도록 상기 유체 공급부 및 상기 액체 공급부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 유체 공급관 및 상기 제2 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치되는, 기판 처리 장치.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3 유체 공급관 및 상기 제4 유체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치되는, 기판 처리 장치.
  6. 삭제
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 제1 유체 공급부에 의한 상기 유체의 공급 및 상기 제2 유체 공급부에 의한 상기 유체의 공급을 절환하여, 상기 제1 유체 공급부의 상기 유체 및 상기 제2 유체 공급부의 상기 유체 중 적어도 일방을 상기 처리조에 공급하도록 상기 제1 유체 공급부 및 상기 제2 유체 공급부를 제어하는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 액체 공급관 및 상기 제2 액체 공급관은, 상기 기판의 연직 중심축에 대해, 대칭으로 배치되는, 기판 처리 장치.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 기판은, 일렬로 복수 배열되어 있고,
    상기 제1 액체 공급관의 상기 토출구는, 복수의 기판 중 인접하는 2개의 기판의 사이에 위치하고,
    상기 제2 액체 공급관의 상기 토출구는, 복수의 기판 중 인접하는 2개의 기판의 사이에 위치하는, 기판 처리 장치.
KR1020210109977A 2018-09-21 2021-08-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR102408818B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-177250 2018-09-21
JP2018177250A JP7176904B2 (ja) 2018-09-21 2018-09-21 基板処理装置および基板処理方法
KR1020190100820A KR102294137B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190100820A Division KR102294137B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210109493A KR20210109493A (ko) 2021-09-06
KR102408818B1 true KR102408818B1 (ko) 2022-06-14

Family

ID=69883355

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190100820A KR102294137B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020210109977A KR102408818B1 (ko) 2018-09-21 2021-08-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190100820A KR102294137B1 (ko) 2018-09-21 2019-08-19 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20200098597A1 (ko)
JP (1) JP7176904B2 (ko)
KR (2) KR102294137B1 (ko)
CN (1) CN110943006A (ko)
TW (1) TWI754164B (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111524834B (zh) * 2020-04-29 2023-08-18 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种多晶硅清洗装置及方法
JP7466372B2 (ja) * 2020-05-13 2024-04-12 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7461269B2 (ja) 2020-10-09 2024-04-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP7510334B2 (ja) * 2020-10-30 2024-07-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR20230042647A (ko) * 2021-09-22 2023-03-29 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2023112618A (ja) 2022-02-01 2023-08-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP2023135013A (ja) * 2022-03-15 2023-09-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196343A (ja) 1999-10-27 2001-07-19 Toho Kasei Kk 基板処理装置
JP2008010495A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010040759A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR20070105699A (ko) * 2006-04-27 2007-10-31 삼성전자주식회사 기판 식각 장치 및 이를 이용한 기판 식각 방법
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP4803821B2 (ja) * 2007-03-23 2011-10-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TWI406330B (zh) * 2007-09-26 2013-08-21 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置及基板處理方法
KR20100050403A (ko) * 2008-11-04 2010-05-13 주식회사 실트론 대상물의 습식 처리 장치 및 방법과 이에 사용되는 유체 확산판
JP5599754B2 (ja) * 2010-05-31 2014-10-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
JP5890198B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6509104B2 (ja) * 2015-09-30 2019-05-08 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP6441198B2 (ja) 2015-09-30 2018-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6707412B2 (ja) * 2016-07-22 2020-06-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP6800675B2 (ja) * 2016-09-26 2020-12-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
JP6693846B2 (ja) 2016-09-28 2020-05-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6866148B2 (ja) * 2016-12-20 2021-04-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6971756B2 (ja) * 2017-02-01 2021-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
CN108376660B (zh) * 2017-02-01 2023-08-01 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置
JP6770915B2 (ja) * 2017-03-08 2020-10-21 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置
US11594430B2 (en) * 2017-09-11 2023-02-28 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001196343A (ja) 1999-10-27 2001-07-19 Toho Kasei Kk 基板処理装置
JP2008010495A (ja) 2006-06-27 2008-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010040759A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Mobile Display Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020047885A (ja) 2020-03-26
TWI754164B (zh) 2022-02-01
TW202013561A (zh) 2020-04-01
US20200098597A1 (en) 2020-03-26
KR20200034579A (ko) 2020-03-31
US20210327729A1 (en) 2021-10-21
KR102294137B1 (ko) 2021-08-25
JP7176904B2 (ja) 2022-11-22
KR20210109493A (ko) 2021-09-06
CN110943006A (zh) 2020-03-31
US11699601B2 (en) 2023-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102408818B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102206730B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US5474616A (en) Method for rinsing plate-shaped articles
KR101332976B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
KR100780789B1 (ko) 액 처리 장치 및 액 처리 방법
US8216417B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR102292278B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20090101820A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20150146397A (ko) 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법
JP7368264B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
TWI825502B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR20220058472A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7454986B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2014103149A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR102516920B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
WO2020171124A1 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2024004752A (ja) 基板処理方法、及び基板処理装置
KR20230001630U (ko) 기판 처리 장치
KR20230117520A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR100696726B1 (ko) 딥 타입 세정 시스템 및 그 세정 방법
JP2023169630A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
CN116889994A (zh) 基板处理装置和基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant