JP7466372B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
まず、本開示による基板処理の一例について図1を参照して説明する。図1は、基板処理の一例を示す図である。
<基板処理装置の構成>
まず、第1実施形態に係る基板処理装置の構成について図2を参照して説明する。図2は、第1実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
内槽11は、上方が開放された箱形の槽であり、内部に処理液を貯留する。複数のウエハWにより形成されるロットは、内槽11に浸漬される。このように、内槽11は、複数の基板を処理液に浸漬させてエッチング処理を行う処理槽の一例に相当する。
基板保持部20は、複数のウエハWを垂直姿勢(縦向きの状態)で保持する。また、基板保持部20は、複数のウエハWを、水平方向(ここでは、Y軸方向)に一定の間隔で並べられた状態で保持する。基板保持部20は、図示しない昇降機構に接続されており、複数のウエハWを内槽11の内部における処理位置と内槽11の上方における待機位置との間で移動させることができる。
処理液供給部30は、内槽11の内部において複数のウエハWよりも下方に配置され、内槽11の内部に処理液を吐出する。
図2に戻る。循環流路50は、外槽12と処理液供給部30_1~30_3とを接続する。具体的には、循環流路50は、排出路51と、複数の供給路52_1~52_3と、複数のバイパス路53_1~53_3とを備える。排出路51は、外槽12の底部に接続される。
流量変更部60_1~60_3は、たとえばLFC(liquid Flow Controller)であり、処理液供給部30_1~30_3へ供給される処理液の流量を変更する。すなわち、流量変更部60_1~60_3は、処理液供給部30_1~30_3に設けられた複数の吐出口32_1~32_3から吐出される処理液の流量を変更する。
制御装置70は、たとえばコンピュータであり、制御部71と記憶部72とを備える。記憶部72は、たとえば、RAM、フラッシュメモリ(Flash Memory)等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現され、基板処理装置1において実行される各種の処理を制御するプログラムを記憶する。制御部71は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含み、記憶部72に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置1の動作を制御する。
次に、第1実施形態に係る基板処理装置1の具体的動作について図3および図4を参照して説明する。図4は、第1実施形態に係る基板処理装置1が実行する処理の手順を示すフローチャートである。なお、図4に示す各処理は、制御部71の制御に従って実行される。
次に、上述した第1実施形態に係る基板処理装置1の変形例について図8を参照して説明する。図8は、第1実施形態の変形例に係る基板処理装置の構成を示す図である。
図10は、第2実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。図10に示すように、第2実施形態に係る基板処理装置1Bは、循環流路50Bを備える。
第1実施形態では、基板処理装置1,1Aが3つのノズル31_1~31_3を備える場合の例について説明したが、基板処理装置1,1Aは、少なくとも2つ以上のノズルを備えていればよい。
11 :内槽
12 :外槽
20 :基板保持部
30 :処理液供給部
30_1~30_3 :処理液供給部
31_1~31_3 :ノズル
32_1~32_3 :吐出口
50 :循環流路
51 :排出路
52_1~52_3 :供給路
53_1 :バイパス路
55 :ポンプ
56 :ヒータ
57 :フィルタ
60_1~60_3 :流量変更部
70 :制御装置
71 :制御部
72 :記憶部
80 :気体供給部
81 :ノズル
82 :吐出口
83 :供給路
84 :気体供給源
85 :流量変更部
100 :ポリシリコン膜
101 :タングステン膜
102 :窒化チタン膜
103 :シリコン酸化膜
W :ウエハ
Claims (10)
- 複数の基板を処理液に浸漬させてエッチング処理を行う処理槽と、
前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽の内部に前記処理液を吐出する第1の吐出口群および第2の吐出口群と、
前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する第1の変更部と、
前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する第2の変更部と、
前記処理槽からオーバーフローした前記処理液を貯留するオーバーフロー槽と、
前記オーバーフロー槽と前記第1の吐出口群および前記第2の吐出口群とを接続する循環流路と、
各部を制御する制御部と
を備え、
前記循環流路は、
前記オーバーフロー槽に接続される排出路と、
前記排出路から分岐して前記第1の吐出口群に接続される第1の供給路と、
前記排出路から分岐して前記第2の吐出口群に接続される第2の供給路と、
前記第1の供給路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続される第1のバイパス路と、
前記第2の供給路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続される第2のバイパス路と、
を有し、
前記制御部は、前記エッチング処理中、前記第1の変更部および前記第2の変更部を制御して、前記第1のバイパス路および前記第2のバイパス路から吐出される前記処理液の流量をそれぞれ増加および減少させることで、前記循環流路を流れる前記処理液の流量を一定の流量に維持しつつ、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる流量変更処理を行う
基板処理装置。 - 複数の基板を処理液に浸漬させてエッチング処理を行う処理槽と、
前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置され、前記処理槽の内部に前記処理液を吐出する第1の吐出口群および第2の吐出口群と、
前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する第1の変更部と、
前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する第2の変更部と、
前記処理槽からオーバーフローした前記処理液を貯留するオーバーフロー槽と、
前記オーバーフロー槽と前記第1の吐出口群および前記第2の吐出口群とを接続する循環流路と、
各部を制御する制御部と
を備え、
前記循環流路は、
前記オーバーフロー槽に接続される排出路と、
前記排出路から分岐して前記第1の吐出口群に接続される第1の供給路と、
前記排出路から分岐して前記第2の吐出口群に接続される第2の供給路と、
前記排出路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続されるバイパス路と、
を有し、
前記制御部は、前記エッチング処理中、前記第1の変更部および前記第2の変更部を制御して、前記バイパス路から吐出される前記処理液の流量を増加および減少させることで、前記循環流路を流れる前記処理液の流量を一定の流量に維持しつつ、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる流量変更処理を行う
基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記流量変更処理を複数回行う、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記エッチング処理が開始されてから終了するまでの間、前記流量変更処理を繰り返す、請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記流量変更処理において、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する処理と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を変更する処理とを異なるタイミングで行う、請求項1~4の何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記制御部は、
前記流量変更処理において、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を増加させるタイミングで、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量を減少させる、請求項1~4の何れか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第1の変更部は、前記第1のバイパス路に設けられ、
前記第2の変更部は、前記第2のバイパス路に設けられる、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第1の変更部は、前記第1の供給路に設けられ、
前記第2の変更部は、前記第2の供給路に設けられる、請求項2に記載の基板処理装置。 - 複数の基板を処理液に浸漬させる処理槽を用い、前記複数の基板をエッチングする工程と、
前記処理槽からオーバーフローした前記処理液をオーバーフロー槽で貯留する工程と、
前記オーバーフロー槽に貯留された前記処理液を、循環流路を経由して、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置された第1の吐出口群および第2の吐出口群に供給する工程と、
前記エッチングする工程において、前記第1の吐出口群および前記第2の吐出口群から前記処理槽の内部に前記処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出する工程において、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる流量変更工程と
を含み、
前記循環流路は、
前記オーバーフロー槽に接続される排出路と、
前記排出路から分岐して前記第1の吐出口群に接続される第1の供給路と、
前記排出路から分岐して前記第2の吐出口群に接続される第2の供給路と、
前記第1の供給路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続される第1のバイパス路と、
前記第2の供給路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続される第2のバイパス路と、
を有し、
前記流量変更工程は、前記エッチングする工程中、前記第1のバイパス路および前記第2のバイパス路から吐出される前記処理液の流量をそれぞれ増加および減少させることで、前記循環流路を流れる前記処理液の流量を一定の流量に維持しつつ、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる
基板処理方法。 - 複数の基板を処理液に浸漬させる処理槽を用い、前記複数の基板をエッチングする工程と、
前記処理槽からオーバーフローした前記処理液をオーバーフロー槽で貯留する工程と、
前記オーバーフロー槽に貯留された前記処理液を、循環流路を経由して、前記処理槽の内部において前記複数の基板よりも下方に配置された第1の吐出口群および第2の吐出口群に供給する工程と、
前記エッチングする工程において、前記第1の吐出口群および前記第2の吐出口群から前記処理槽の内部に前記処理液を吐出する工程と、
前記処理液を吐出する工程において、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる流量変更工程と
を含み、
前記循環流路は、
前記オーバーフロー槽に接続される排出路と、
前記排出路から分岐して前記第1の吐出口群に接続される第1の供給路と、
前記排出路から分岐して前記第2の吐出口群に接続される第2の供給路と、
前記排出路から分岐して前記オーバーフロー槽に接続されるバイパス路と、
を有し、
前記流量変更工程は、前記エッチングする工程中、前記バイパス路から吐出される前記処理液の流量を増加および減少させることで、前記循環流路を流れる前記処理液の流量を一定の流量に維持しつつ、前記第1の吐出口群から吐出される前記処理液の流量と、前記第2の吐出口群から吐出される前記処理液の流量とをそれぞれ異なる態様で増加および減少させる
基板処理方法。
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