TW202115788A - 基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

實施形態提供一種可抑制液之流速不均之基板處理裝置。 實施形態之基板處理裝置具備可貯存液之處理槽。搬送部以複數個半導體基板之表面朝向大致水平方向之方式排列該複數個半導體基板，且可將複數個半導體基板搬送至處理槽內。複數個液供給部可自處理槽之下方朝向處理槽之內側方向供給液。複數個整流板配置於複數個半導體基板之排列之一端側或另一端側之至少一者。自複數個半導體基板之排列方向觀察時，複數個整流板設置於搬送部之兩側處之搬送部與處理槽之側壁之間的間隙中位於半導體基板上方之第1間隙區域。

Description

基板處理裝置
本實施形態係關於一種基板處理裝置。
分批式之基板處理裝置將半導體基板收納於處理槽內，並以藥液處理該半導體基板。此種基板處理裝置為將處理槽內之藥液之濃度等保持均勻而使該藥液循環。為使藥液循環，基板處理裝置自處理槽內之噴嘴供給藥液，自處理槽之上端部回收溢出之藥液，並進行雜質之去除等處理後，再次自噴嘴向處理槽供給。
於如此使藥液循環時，藥液之流速根據處理槽內之位置而變化。藥液之流速不均成為半導體基板之表面之蝕刻速度等處理速度不均之原因。又，於藥液之流速較慢之區域，亦有如氧化矽般之副產物於半導體基板之表面析出之虞。
實施形態提供一種可抑制液之流速不均之基板處理裝置。
實施形態之基板處理裝置具備可貯存液之處理槽。搬送部以複數個半導體基板之表面朝向大致水平方向之方式排列該複數個半導體基板，且可將複數個半導體基板搬送至處理槽內。複數個液供給部可自處理槽之下方朝向處理槽之內側方向供給液。複數個整流板配置於複數個半導體基板之排列之一端側或另一端側之至少一者。自複數個半導體基板之排列方向觀察時，複數個整流板設置於搬送部之兩側處之搬送部與處理槽之側壁之間的間隙中位於半導體基板上方之第1間隙區域。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態。本實施形態並非限定本發明者。圖式係模式性或概念性者，各部分之比例等未必與實物相同。於說明書與圖式中，對已出現之圖式相關且與上述者相同之要件，標註相同符號並適當省略詳細說明。
(第1實施形態) 圖1及圖2係顯示第1實施形態之基板處理裝置1之構成例之立體圖。基板處理裝置(以下，簡稱為處理裝置)1為例如如分批式之清洗裝置、濕式蝕刻裝置等將複數個半導體基板W浸漬於藥液C進行處理之裝置。例如，藥液C為熱磷酸溶液，可用於蝕刻形成於半導體基板W上之構造之氮化矽膜。
處理裝置1具備處理槽10、氣體供給管20、藥液供給管30a、30b、升降機40、驅動部50、循環槽60、氣體供給瓶70、控制器80、及整流板100a～100d。
處理槽10可貯存藥液C，可將複數個半導體基板W以豎立於大致鉛直方向之狀態收納。半導體基板W以豎立於大致鉛直方向之方式載置於升降機40，並與升降機40一同收納於處理槽10內。半導體基板W藉由收納於處理槽10而浸漬於藥液C。
作為氣體供給部之氣體供給管20設置於處理槽10之底部附近，位於收納於處理槽10內之半導體基板W之下方。氣體供給管20自半導體基板W之下方對藥液C供給氣泡。氣體供給管20較佳為，為攪拌藥液C而設置者。但，亦可不設置氣體供給管20。
作為藥液供給部之藥液供給管30a、30b設置於處理槽10之底部附近，且設置於收納於處理槽10內之半導體基板W之下方。藥液供給管30a、30b自處理槽10之下方，向處理槽10之內側方向噴出藥液C。藥液供給管30a、30b可以朝向內側方向之藥液C之供給方向交叉之方式供給藥液C。圖18(A)及圖18(B)係顯示藥液供給管30a、30b與半導體基板W之配置關係之圖。藥液供給管30a、30b具有以可對相鄰之半導體基板W間供給藥液C之方式以與半導體基板W間之間隔大致等間隔排列之噴嘴孔H。對半導體基板W與之後說明之升降機40之搬送板42之間供給藥液C之噴嘴孔H、及對半導體基板W與處理槽10之內壁之間供給藥液C之噴嘴孔H亦以大致等間隔配置。噴嘴孔H之方向可全部朝向相同方向，但未特別限定。其中，對相鄰之半導體基板W間供給藥液C之噴嘴孔H較佳朝向相同方向。
作為搬送部之升降機40構成為具備支持部41、搬送板42、支柱44、及連接板48，且可將半導體基板W搬送至處理槽10內。支持部41以將半導體基板豎立於大致鉛直方向之方式(以半導體基板W之表面朝向大致水平方向之方式)排列半導體基板W，並自下方支持半導體基板W之側部(下側端部)。搬送板42與支持部41相連，並與半導體基板W中排列於搬送板42附近之半導體基板W1之表面或背面對向。搬送板42與半導體基板W1之距離為例如20 mm～40 mm。升降機40之搬送板42連接於支柱44，可藉由驅動部50而於大致鉛直方向D1移動。又，連接板48設置於搬送板42之相反側，且連接複數個支持部41，並與搬送板42夾著該支持部41而固定。升降機40之側部於相對於半導體基板W之排列方向D2於大致水平面內正交之方向D3上開放半導體基板W之側部。因此，升降機40與用於搬送半導體基板之通常之運載箱之構成不同。
作為第1及第2整流板之整流板100a、100b配置於半導體基板W之排列之搬送板42側，作為第3及第4整流板之整流板100c、100d配置於半導體基板W之排列之連接板48側。整流板100a～100d固定於處理槽10之內壁，配置為於使升降機40於D1方向上下移動時，不接觸(干涉)升降機40及半導體基板W。整流板100a～100d例如具有板形狀或四棱柱之形狀，由氟樹脂、石英等具有耐腐蝕性之某材料構成。整流板100a～100d之進一步之構成及配置於之後說明。
循環槽60貯存自處理槽10溢出之藥液C。於半導體基板W之處理中，處理槽10充滿藥液C，將自處理槽10溢出之藥液C回收至循環槽60。循環槽60內之藥液C經由未圖示之配管、泵及過濾器自藥液供給管30a、30b返回至處理槽10。藉此，藥液C一面以過濾器過濾，一面於處理槽10與循環槽60之間循環。
氣體供給瓶70向氣體供給管20供給氣體，並自氣體供給管20供給氣泡。氣泡為攪拌藥液C，使藥液C內之磷酸濃度或氧化矽濃度均勻化而供給。控制器80控制驅動部50、循環槽60、氣體供給瓶70。
圖3係處理槽內部之側視圖。圖4係圖3之虛線圓4之放大圖。升降機40將複數個半導體基板W豎立於大致鉛直方向D1，並以其等之表面朝向大致水平方向之方式排列。如圖4所示，支持部41自下方支持複數個半導體基板W，並以將半導體基板W間之間隔設為特定值之方式具有槽TR。半導體基板W分別由槽TR容納，且大致等間隔地排列。搬送板42連接於支持部41，且自支持部41於D1方向延伸。於升降機40之下方，配置有藥液供給管30a、30b及氣體供給管20。另，相鄰之半導體基板W之對以彼此之表面(元件形成面)對向之方式排列，如此彼此表面對向之半導體基板W之對沿半導體基板W之排列方向D2，以於相鄰之對間半導體基板W彼此使背面對向般之狀態排列。但，半導體基板W之方向未限定於此。
又，整流板100a、100b配置於半導體基板W之排列之一端側，於自升降機40之側方(圖1之D3方向)觀察時，位於搬送板42與半導體基板W之間。整流板100a、100b以不接觸搬送板42及半導體基板W之方式自各者遠離。整流板100a、100b與鄰接於其之半導體基板W1之間之沿D2方向之距離較佳為與彼此相鄰之半導體基板W間之間隔大致相同(例如5 mm～10 mm)。但，整流板100a、100b與半導體基板W1之間之距離亦可略寬於彼此相鄰之半導體基板W間之間隔。例如，為使整流板100a、100b不接觸搬送板42及半導體基板W，整流板100a、100b與鄰接於其之半導體基板W1之間之沿D2方向之距離較佳為自半導體基板W間之間隔至其2倍之值。
整流板100c、100d配置於半導體基板W之排列之另一端側，於自升降機40之側方(圖1之D3方向)觀察時，位於連接板48與半導體基板W之間。整流板100c、100d以不接觸連接板48及半導體基板W之方式自各者遠離。整流板100c、100d與鄰接於其之半導體基板Wn(n為2以上之整數)之間之沿D2方向之距離較佳為與彼此相鄰之半導體基板W間之間隔大致相同(例如5 mm～10 mm)。但，整流板100c、100d與半導體基板Wn之間之距離亦可略寬於彼此相鄰之半導體基板W間之間隔。例如，為使整流板100c、100d不與搬送板42及半導體基板W接觸，整流板100c、100d與鄰接於其之半導體基板Wn之間之沿D2方向之距離較佳為自半導體基板W間之間隔至其2倍之值。
圖5係處理槽及升降機之前視圖。於自半導體基板W之排列方向(圖1之D2方向)觀察時，整流板100a～100d設置於D3方向之升降機40之兩側。
整流板100a、100c固定於處理槽10之側壁10a，且設置於升降機40與側壁10a之間之間隙Ga。整流板100a、100c由於配置於間隙Ga，且，如圖3所示配置於半導體基板W與搬送板42或連接板48之間，故於升降機40上下移動時不接觸(干涉)升降機40本體及半導體基板W。
整流板100b、100d固定於處理槽10之側壁10b，且設置於升降機40與側壁10b之間之間隙Gb。整流板100b、100d由於配置於間隙Gb，且，如圖3所示配置於半導體基板W與搬送板42或連接板48之間，故於升降機40上下移動時不接觸(干涉)升降機40本體及半導體基板W。
藥液C自位於升降機40或半導體基板W之中心之斜下方的藥液供給管30a、30b之噴嘴孔向半導體基板W之大致中心斜上方噴出。此時，藥液C於相鄰之半導體基板W間、或搬送板42與半導體基板W之間流向方向Da、Db。自藥液供給管30a噴出之藥液C與自藥液供給管30b噴出之藥液C於自兩個供給管之噴出方向之交叉位置X衝撞，合流，並欲向上方上升。
此處，對藥液C之流動進行說明。圖6係顯示無整流板100a～100d之基板處理裝置之構成之剖視圖。未設置整流板100a～100d之情形中，搬送板42附近之藥液C如虛線箭頭Ac所示，自交叉位置X流向上方，流動至半導體基板W之上端附近(位於半導體基板W之上方之藥液C之液面附近)。再者，於搬送板42附近，上升至半導體基板W之上端附近之藥液C朝D3方向兩側之區域Ra、Rb流動。作為第1間隙區域之區域Ra、Rb係間隙Ga、Gb中位於較半導體基板W之大致中心偏上方之區域。自D2方向觀察，於區域Ra、Rb中未設置搬送板42，且於搬送板42之單側無半導體基板W。因此，於區域Ra、Rb中，藥液C易自處理槽10溢出而循環，或易流向圖6之紙面垂直方向(圖2之D2方向中朝向搬送板42之方向)。
於連接板48附近亦可以說與搬送板42附近同樣。例如，連接板48附近之藥液C如虛線箭頭Ac般，自交叉位置X流向上方，並流向區域Ra、Rb。自D2方向觀察，於區域Ra、Rb中未設置連接板48，且於連接板48之單側無半導體基板W。因此，於區域Ra、Rb中，藥液C易自處理槽10溢出而循環，或易於圖6之紙面垂直方向(圖2之D2方向中朝向連接板48之方向)流動。
因此，於搬送板42及連接板48之附近，區域Ra、Rb中之藥液C容易向圖6之紙面垂直方向(D2)方向避開，沿側壁10a、10b流向大致鉛直下方向(D1方向中之下方向)之流速減小。
另一方面，通過相鄰之半導體基板W間之藥液C若超過半導體基板W之上端，則會流向區域Ra、Rb，但由於半導體基板W於D2方向之兩側相鄰，故區域Ra、Rb中之藥液C難以向D2方向避開，而容易沿著側壁10a、10b流向大致鉛直下方向(D1方向中之下方向)。且，於區域Ra、Rb中，若朝向下方向，則半導體基板W與側壁10a、10b之間之間隙減小，故藥液C之流速加快。
如此，藥液C之流速因處理槽10內之位置而異。此為增大藥液C之磷酸濃度或氧化矽濃度不均之原因。磷酸濃度或氧化矽濃度不均乃為蝕刻速度不均、或附著堆積物之原因。
對此，本實施形態之基板處理裝置如圖5所示，於區域Ra、Rb設置有整流板100a～100d。整流板100a、100b於搬送板42之附近，自D2方向觀察時，以遮住區域Ra、Rb之方式配置。藉此，整流板100a、100b於區域Ra、Rb中，阻擋朝向圖2之D2方向之搬送板42側之藥液C，並將其留於半導體基板W側。其結果，於搬送板42附近，藥液C自區域Ra、Rb沿側壁10a、10b流向大致鉛直下方向。
整流板100c、100d於連接板48之附近，於自D2方向觀察時，以遮住區域Ra、Rb之方式配置。藉此，整流板100c、100d於區域Ra、Rb中，阻擋朝向圖2之D2方向之連接板48側之藥液C，並將其留於半導體基板W側。其結果，於連接板48附近，藥液C自區域Ra、Rb沿側壁10a、10b流向大致鉛直下方向。
如此，整流板100a～100d可使搬送板42及連接板48附近之藥液C之流動接近於半導體基板W之排列之中間部分之藥液C之流動。
整流板100a～100d之上端之位置較佳與處理槽10之上端或藥液C之上端相等或位於較其更高之位置。藉此，整流板100a～100d於自D2方向觀察時，設置於區域Ra、Rb之全體，可使搬送板42及連接板48附近之藥液C之流動接近於中間部分之藥液C之流動。另一方面，整流板100a～100d之下端之位置可設置至處理槽10之底部，亦可設置至升降機40之搬送板42或連接板48之下端。又，如第2實施形態中說明所示，整流板100a～100d之下端之位置亦可上升至半導體基板W之中心之高度。另，為使藥液C之流動於半導體基板W之排列中大致均等，較佳使整流板100a～100d之形狀、大小、上端及下端之位置一致。
圖7係顯示藥液C之流速之模擬結果之圖表。W1表示半導體基板W之排列中最接近搬送板42之半導體基板W。Wn表示半導體基板W之排列中最接近連接板48之半導體基板W。Wk(1＜k＜n)表示半導體基板W之排列中配置於中間之半導體基板W。圖7之圖表對自D2方向觀察之半導體基板W1、Wk、Wn之各者顯示藥液C之流速分佈。Vc表示自區域Ra、Rb沿處理槽10之側壁10a、10b朝向下方之藥液C以某流速流動之區域。
無整流板100a～100d之情形，於半導體基板Wk中，存在藥液C以流速Vc流動之區域，但於半導體基板W1、Wn中，藥液C以流速Vc流動之區域非常少。即，可知若無整流板100a～100d，則自區域Ra、Rb朝向下方之藥液C之流速於半導體基板W之排列之端部(搬送板42及連接板48附近)與其中間部有較大不同。
另一方面，設置有整流板100a～100d之情形，於半導體基板W1、Wk、Wn中，藥液C以流速Vc流動之區域相同程度地分佈。即，可知設置有整流板100a～100d之情形，自區域Ra、Rb沿側壁10a、10b朝向下方之藥液C之流速並不依存於半導體基板W之排列之位置。
如此，根據本實施形態，藉由將整流板100a～100d設置於搬送板42及連接板48附近之區域Ra、Rb，可使搬送板42及連接板48附近之藥液C之流速接近於半導體基板W之排列之中間部分之藥液C之流速。其結果，可抑制藥液C之磷酸濃度或氧化矽濃度之不均，且抑制蝕刻速度之不均、或附著堆積物。
另，於本實施形態中，整流板100a～100d未必全部設置，亦可至少設置其一部分。例如，即便為設置整流板100a、100b，而無整流板100c、100d之情形，基板處理裝置亦可於某程度上獲得本實施形態之效果。反之，即便為設置整流板100c、100d，而無整流板100a、100b之情形，基板處理裝置亦可於某程度上獲得本實施形態之效果。
(第2實施形態) 圖8係第2實施形態之處理槽及升降機之前視圖。於第2實施形態中，整流板100a～100d之下端之位置位於較第1實施形態之該等更高之位置。整流板100a～100d於自D2方向觀察時，設置於圖6之區域Ra、Rb即可。因此，整流板100a～100d存在於半導體基板W之中心上方即可。即，整流板100a～100d之下端位於半導體基板W之中心附近之高度位置即可。
即便整流板100a～100d之下端位於較半導體基板W之中心更高之位置，亦可於某程度上獲得本實施形態之效果。但，為充分發揮本實施形態之效果，整流板100a～100d較佳於自D2方向觀察時，設置於圖6之區域Ra、Rb之全體。
(第3實施形態) 圖9係第3實施形態之處理槽及升降機之前視圖。於第3實施形態中，整流板100a～100d之形狀於自D2方向觀察時，形成為與圖6之區域Ra、Rb大致相等。即，整流板100a～100d之下端之一部分沿半導體基板W之外緣成形為大致圓弧形狀。即便為此種形狀，整流板100a～100d亦可於自D2方向觀察時，封塞圖6之區域Ra、Rb。因此，第3實施形態亦可獲得與第1實施形態同樣之效果。
(第4實施形態) 圖10係第4實施形態之處理槽及升降機之前視圖。於第4實施形態中，於自D2方向觀察時，於包含交叉位置X之搬送板42之中心部設置有開口部43。藉由具有開口部43，流動於搬送板42與半導體基板W之間之藥液C之一部分通過開口部43流向搬送板42之外側，而抑制於搬送板42與半導體基板W之間流向上方向之藥液C之流速。因此，抑制向上通過搬送板42與半導體基板W之間之藥液C之流速。其結果，向上通過搬送板42與半導體基板W之間之藥液C之流速與通過半導體基板W間之藥液C之流速幾乎無變化。藉此，可抑制藥液C之磷酸濃度或氧化矽濃度之不均，且抑制蝕刻速度之不均、或附著堆積物。
圖11(A)係顯示使用未設置開口部43之升降機40之情形之藥液C之流速分佈之圖。於圖11(A)及圖11(B)中，接近白色之部分表示藥液C之流速較慢，接近黑色之部分表示藥液C之流速較快。另，圖11(A)及圖11(B)顯示D3方向之半導體基板W之中心部之藥液C之情況。
如圖11(A)之圓CA所示，未設置開口部43之情形，於半導體基板W1之上端部附近，藥液C之流速較其他部分快非常多。其原因在於，由於流入至半導體基板W1與搬送板42之間之藥液C之逃逸場所較少，故當該藥液C到達半導體基板W1之上端部時，於半導體基板W1之上端部之上方猛烈流向搬送板42之反方向。藉此，藥液C如箭頭A1所示而流動。此成為增大藥液C之磷酸濃度或氧化矽濃度之不均之原因。
圖11(B)係顯示使用設置有開口部43之升降機40之情形之藥液C之流速分佈之圖。
如圖11(B)之圓CB所示，設置有開口部43之情形，於半導體基板W1之上端部附近，藥液C之流速並不快。其原因在於，流入至半導體基板W1與搬送板42之間之藥液C之一部分通過開口部43向升降機40之外側流出。因此，於半導體基板W1之上端部之上方流動之藥液C之流速相對較慢，與其他部分之流速同等。藉此，可抑制藥液C之磷酸濃度或氧化矽濃度不均，且抑制半導體基板之處理速度(例如蝕刻率)不均。如此，本實施形態之升降機40亦可於搬送板42具有開口部43。
第4實施形態可與第2或第3實施形態之整流板100a～100d組合。
(第5實施形態) 圖12係第5實施形態之處理槽及升降機之前視圖。於第5實施形態中，於整流板100c與整流板100d之間，設置有作為第5整流板之整流板110。整流板110於半導體基板W之排列中設置於與搬送板42相反側。整流板110可連接於升降機40之支持部41，或可固定於處理槽10之壁面。整流板110亦可與半導體基板W同樣地載置於升降機40之支持部41上。整流板110之下端具有與半導體基板W同樣之大致圓弧形狀，且具有沿著半導體基板W之下部之形狀。整流板110之兩側邊於大致鉛直方向直線狀地延伸。整流板110之D3方向之寬度，與整流板100c與整流板100d之間的間隔相同或較其略窄。藉此，整流板110可不與整流板100c、100d干涉地，與升降機40一起移動。再者，整流板110之上邊於大致水平方向直線狀地延伸。整流板110之上邊之高度亦可與處理槽10之上端之高度或藥液C之液面之高度相等或較其更低。
自D3方向觀察時，整流板110可配置於較整流板100a～100d更接近半導體基板W之位置，亦可配置於與整流板100a～100d大致相同位置。
整流板110於半導體基板W之排列中，配置於與搬送板42對向之位置。藉此，可於搬送板42附近之半導體基板W1與整流板110附近之半導體基板Wn之間，使藥液C之流動狀態相近。又，第5實施形態由於具有整流板100a～100d，故亦可獲得第1實施形態之效果。整流板110由於與整流板100a～100d同樣地遮住間隙Ga、Gb，故可進而抑制貫通間隙Ga、Gb之D2方向之藥液C之流動。
另，整流板110之下端之形狀未特別限定，亦可為大致直線狀等。又，第5實施形態亦可與第2或第3實施形態之整流板100a～100d組合。再者，第5實施形態可將第4實施形態之開口部43設置於搬送板42。藉此，第5實施形態可進而獲得第2～第4實施形態之任一者之效果。
(第6實施形態) 圖13係第6實施形態之處理槽及升降機之前視圖。圖14係第6實施形態之處理槽及升降機之側視圖。於第6實施形態中，於整流板100c與整流板100d之間，設置有作為第5整流板之整流板115。如圖14所示，整流板115於半導體基板W之排列中設置於搬送板42之相反側。整流板115固定於處理槽10之壁面。整流板115於自D3方向觀察時，位於連接板48與處理槽10之壁面之間。整流板115之下邊於半導體基板W之處理時，位於較半導體基板W更下方。又，整流板115於半導體基板W之處理時，延伸至較處理槽10內之藥液C之液面更高之位置，其上邊與搬送板42之上邊同樣地位於較藥液C之液面更上方。
整流板115之上邊自整流板100c之附近至整流板100d之附近遍及D3方向之大致全體而位於較藥液C之液面更上方。即，整流板115之上邊於間隙Ga、Gb間之大致全體，位於較藥液C之液面更上方。
整流板115之D3方向之寬度與整流板100c與整流板100d之間之間隔相同或較其略窄。整流板115之D3方向之寬度亦可與搬送板42者大致相同。如圖13所示，於自圖14之D2方向觀察時，整流板115配置於整流板100c與整流板100d之間。
整流板115於半導體基板W之排列中，配置於與搬送板42對向之位置。如圖14所示，整流板115與整流板100c、100d之間之間隔或整流板115與半導體基板Wn之間之間隔，與搬送板42與整流板100a、100b之間之間隔或搬送板42與半導體基板W1之間之間隔大致相同。藉此，可於搬送板42附近之半導體基板W1與整流板115附近之半導體基板Wn之間，使藥液C之流動狀態大致相等。
又，由於整流板115於間隙Ga、Gb之間之全體，位於較藥液C之液面更上方，故整流板115、100c、100d抑制藥液C自處理槽10向圖14之左方向溢出。另一方面，搬送板42、100a、100b抑制藥液C自處理槽10向圖14之右方向溢出。藉此，於半導體基板W1～Wn之上端附近(位於半導體基板W之上方之藥液C之液面附近)，可抑制圖14之D2方向之藥液C之流動。又，第6實施形態由於具有整流板100a～100d，故亦可獲得第1實施形態之效果。
另，第6實施形態可與第2或第3實施形態之整流板100a～100d、或第5實施形態之整流板110組合。再者，第6實施形態可將第4實施形態之開口部43設置於搬送板42。藉此，第6實施形態可進而獲得第2～第5實施形態之任一效果。
(第7實施形態) 圖15係第7實施形態之處理槽及升降機之前視圖。第7實施形態與第6實施形態之不同點在於，整流板115之下邊位於較第6實施形態者更高之位置。雖未圖示，但整流板115固定於處理槽10之壁面即可。第7實施形態之其他構成亦可與第6實施形態之對應之構成同樣。
即便為第7實施形態之整流板115，亦因整流板115於間隙Ga、Gb之間之大致全體，位於較藥液C之液面更上方，故整流板115、100c、100d可抑制藥液C自處理槽10向半導體基板W之排列方向之一側方向溢出，且於半導體基板W之上端附近，抑制半導體基板W之排列方向之藥液C之流動。第7實施形態除此以外亦可獲得第6實施形態之效果。又，第7實施形態由於具有整流板100a～100d，故亦可獲得第1實施形態之效果。
另，第7實施形態亦可與第2或第3實施形態之整流板100a～100d、或第5實施形態之整流板110組合。再者，第7實施形態可將第4實施形態之開口部43設置於搬送板42。藉此，第7實施形態可進而獲得第2～第5實施形態之任一效果。
例如，將第7實施形態之整流板115應用於第2實施形態之情形，成為圖16所示之構成。圖16係組合第2實施形態及第7實施形態之處理槽及升降機之前視圖。整流板115之下邊可為與整流板100c、100d之下端大致相等之高度。即便為此種構成，亦不失第7實施形態之效果。
(第8實施形態) 圖17係第8實施形態之處理槽及升降機之側視圖。於第8實施形態中，自圖17之D2方向觀察於整流板100a與整流板100b之間，進而設置有作為第6整流板之整流板120。第8實施形態之其他構成亦可與第5實施形態同樣。因此，自圖17之D2方向觀察，於整流板100c與整流板100d之間，設置有整流板110。
整流板120於半導體基板W之排列中設置於搬送板42側。整流板120可連接於升降機40之支持部41，或可與半導體基板W同樣地載置於升降機40之支持部41上。於自D2方向觀察時，整流板120之形狀亦可例如與圖12所示之整流板110之形狀相同。因此，整流板120之下端具有與半導體基板W同樣之大致圓弧形狀，且具有沿著半導體基板W之下部之形狀。整流板120之兩側邊於大致鉛直方向直線狀地延伸。整流板120之D3方向之寬度與整流板100a與整流板100b之間之間隔相同或較其略窄。再者，整流板120之上邊於大致水平方向直線狀地延伸。整流板120之上邊之高度可與處理槽10之上端之高度或藥液C之液面之高度相等或較其更低。
整流板120於半導體基板W之排列中，配置於搬送板42與半導體基板W之間。整流板120與接近其之半導體基板W1之間之距離大致等於整流板110與接近其之半導體基板Wn之間之距離。藉此，可於整流板120附近之半導體基板W1與整流板110附近之半導體基板Wn之間，使藥液C之流動狀態大致相等。又，第8實施形態由於具有整流板100a～100d，故亦可獲得第1實施形態之效果。整流板110由於與整流板100a～100d同樣地遮住間隙Ga、Gb，故可進而抑制貫通間隙Ga、Gb之D2方向之藥液C之流動。
另，整流板120之下端之形狀未特別限定，亦可為大致直線狀等。又，第8實施形態可與第6或第7實施形態組合。即，於第6或第7實施形態中，整流板120可於半導體基板W之排列中設置於搬送板42側。該情形時，於自D2方向觀察時，整流板120之形狀及安裝方法較佳與第6或第7實施形態各者之整流板110之形狀及安裝方法大致相同。其原因在於，藉此，D2方向之藥液C之流動之對稱性提高。
雖已說明本發明之若干實施形態，但該等實施形態係作為例子而提示者，並非意圖限定發明之範圍。該等實施形態可以其他各種形態實施，於不脫離發明主旨之範圍內可進行各種省略、置換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明範圍或主旨內，同樣包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
1:處理裝置 4:虛線圓 10:處理槽 10a:側壁 10b:側壁 20:氣體供給管 30a:藥液供給管 30b:藥液供給管 40:升降機 41:支持部 42:搬送板 43:開口部 44:支柱 48:連接板 50:驅動部 60:循環槽 70:氣體供給瓶 80:控制器 100a~100d:整流板 110:整流板 115:整流板 120:整流板 A1:箭頭 Ac:虛線箭頭 C:藥液 CA:圓 CB:圓 D1:方向 D2:方向 D3:方向 Da:方向 Db:方向 Ga:間隙 Gb:間隙 H:噴嘴孔 Ra:區域 Rb:區域 TR:槽 Vc:區域 W:半導體基板 W1:半導體基板 Wk:半導體基板 Wn:半導體基板 X:交叉位置
圖1係顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成例之立體圖。 圖2係顯示第1實施形態之基板處理裝置之構成例之立體圖。 圖3係處理槽內部之升降機之側視圖。 圖4係圖3之虛線圓4之放大圖。 圖5係處理槽及升降機之前視圖。 圖6係顯示無整流板之基板處理裝置之構成之剖視圖。 圖7係顯示藥液之流速之模擬結果之圖表。 圖8係第2實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖9係第3實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖10係第4實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖11(A)係顯示使用未設置開口部之升降機之情形之藥液之流速分佈之圖，(B)係顯示使用設置有開口部之升降機之情形之藥液之流速分佈之圖。 圖12係第5實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖13係第6實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖14係第6實施形態之處理槽及升降機之側視圖。 圖15係第7實施形態之處理槽及升降機之前視圖。 圖16係使第2實施形態及第7實施形態組合之處理槽及升降機之前視圖。 圖17係第8實施形態之處理槽及升降機之側視圖。 圖18(A)、(B)係顯示藥液供給管與半導體基板之配置關係之圖。
1:處理裝置
10:處理槽
20:氣體供給管
30a:藥液供給管
30b:藥液供給管
40:升降機
41:支持部
42:搬送板
44:支柱
48:連接板
50:驅動部
60:循環槽
70:氣體供給瓶
80:控制器
100a~100d:整流板
C:藥液
D1:方向
D2:方向
D3:方向
W:半導體基板
W1:半導體基板
Wn:半導體基板

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備： 處理槽，其可貯存液； 搬送部，其以複數個半導體基板之表面朝向大致水平方向之方式排列該複數個半導體基板，且可將上述複數個半導體基板搬送至上述處理槽內； 複數個液供給部，其可自上述處理槽之下方朝向上述處理槽之內側方向供給上述液；及 複數個整流板，其係配置於上述複數個半導體基板之排列之一端側或另一端側之至少一者之複數個整流板，且自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時，設置於上述搬送部之兩側處之上述搬送部與上述處理槽之側壁之間的間隙中位於上述半導體基板上方之第1間隙區域。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數個整流板之上端位於與上述處理槽之上端相同或較其更高之位置。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個整流板自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時，以遮住上述第1間隙區域之方式設置。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數個整流板配置於上述複數個半導體基板之排列之一端側；且 在上述複數個半導體基板之排列之一端側與上述複數個整流板相鄰之半導體基板、與上述複數個整流板之間之沿著上述複數個半導體基板之排列方向之距離，為自上述複數個半導體基板間之間隔至該間隔之2倍之間之值。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個整流板包含： 第1整流板及第2整流板，其配置於上述複數個半導體基板之排列之一端側，且自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時分別配置於上述搬送部之兩側；及 第3整流板及第4整流板，其配置於上述複數個半導體基板之排列之另一端側，且自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時分別配置於上述搬送部之兩側。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中在上述複數個半導體基板之排列之一端側與上述第1整流板及第2整流板相鄰之半導體基板、與上述第1整流板及第2整流板之間之沿著上述複數個半導體基板之排列方向之距離，為自上述複數個半導體基板間之間隔至該間隔之2倍之間之值。
  7. 如請求項6之基板處理裝置，其中在上述複數個半導體基板之排列之另一端側與上述第3整流板及第4整流板相鄰之半導體基板、與上述第3整流板及第4整流板之間之沿著上述複數個半導體基板之排列方向之距離，為自上述複數個半導體基板間之間隔至該間隔之2倍之間之值。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個整流板具有大致相同形狀，且設置於大致相同高度。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述搬送部藉由使上述複數個半導體基板於上下方向移動而對上述處理槽內搬入或搬出；且 上述複數個整流板設置於不與上述搬送部及上述半導體基板接觸之位置。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述第1間隙區域位於自上述複數個半導體基板之大致中心偏上方；且 上述複數個整流板之下端位於上述複數個半導體基板之中心附近之高度位置。
  11. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中上述複數個整流板之下端之一部分具有與上述複數個半導體基板之外緣對應之大致圓弧形狀。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述搬送部包含：支持部，其自下方支持上述複數個半導體基板；及搬送板，其與上述支持部相連並與上述複數個半導體基板對向；且 上述搬送板自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時，以包含自上述複數個液供給部供給之上述液之供給方向之交叉位置之方式具有開口部。
  13. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述搬送部包含：支持部，其自下方支持上述複數個半導體基板；及搬送板，其與上述支持部相連並與上述複數個半導體基板對向；且該基板處理裝置進而具備： 第5整流板，其相對於上述複數個半導體基板之排列設置於與上述搬送板相反側。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時，上述第5整流板配置於上述複數個整流板之間。
  15. 如請求項13或14之基板處理裝置，其中於上述複數個半導體基板之處理時，上述第5整流板之上邊位於較上述處理槽內之液面更上方。
  16. 如請求項13之基板處理裝置，其進而具備：第6整流板，其相對於上述複數個半導體基板之排列設置於上述搬送板側。
  17. 如請求項16之基板處理裝置，其中自上述複數個半導體基板之排列方向觀察時，上述第6整流板配置於上述複數個整流板之間。
  18. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述搬送部於相對於上述複數個半導體基板之排列方向於大致水平面內正交之方向上，將該複數個半導體基板之側部開放。
  19. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述複數個半導體基板以相鄰之半導體基板之對彼此使其半導體基板之元件形成面對向之方式排列。
  20. 如請求項1之基板處理裝置，其進而具備：複數個氣體供給部，其自上述複數個半導體基板之下方供給氣泡。
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