JPS6242374B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6242374B2 JPS6242374B2 JP16480381A JP16480381A JPS6242374B2 JP S6242374 B2 JPS6242374 B2 JP S6242374B2 JP 16480381 A JP16480381 A JP 16480381A JP 16480381 A JP16480381 A JP 16480381A JP S6242374 B2 JPS6242374 B2 JP S6242374B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning liquid
- cleaning
- liquid introduction
- opening area
- water
- Prior art date
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- Expired
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 11
- 238000005553 drilling Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000008214 highly purified water Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は物体の洗浄、特に半導体ウエハの水洗
に用いる洗浄槽の構造に関わる。
に用いる洗浄槽の構造に関わる。
半導体ウエハの水洗、洗浄は、半導体装置の製
造工程において重要な工程の一つである。水洗に
使う水は、脱イオン処理、フイルターによる濾過
などの特殊な処理を施した純度の高い水であり、
コストの点からも少ない水量で効率よく洗浄を行
うことが望まれる。本発明は、この目的に沿う構
造を具備した洗浄槽を提供するものである。
造工程において重要な工程の一つである。水洗に
使う水は、脱イオン処理、フイルターによる濾過
などの特殊な処理を施した純度の高い水であり、
コストの点からも少ない水量で効率よく洗浄を行
うことが望まれる。本発明は、この目的に沿う構
造を具備した洗浄槽を提供するものである。
従来の洗浄槽の例を第１図ａ，ｂに示す断面図
を用いて説明する。円板状半導体ウエハ１は治具
２に多数並べてセツトされ、洗浄槽３の中に入れ
られる。給水口５から入つた水は、底板４に多数
穿たれた導入孔６を経て洗浄槽３に供給される。
第１図ｃに平面図を示すように、導入孔６は、同
一大きさの孔が等間隔で底板４に穿たれている。
このような底板を有する洗浄槽の欠点は、洗浄す
べき半導体ウエハの有無に関係なくすべての領域
に水の導入がなされることである。このため、半
導体ウエハの存在する領域、すなわち第１図にお
けるｘ×ｙの領域と同じ流量で、不要な領域へも
水を送り、洗浄効率が必ずしも高くない欠点があ
る。
を用いて説明する。円板状半導体ウエハ１は治具
２に多数並べてセツトされ、洗浄槽３の中に入れ
られる。給水口５から入つた水は、底板４に多数
穿たれた導入孔６を経て洗浄槽３に供給される。
第１図ｃに平面図を示すように、導入孔６は、同
一大きさの孔が等間隔で底板４に穿たれている。
このような底板を有する洗浄槽の欠点は、洗浄す
べき半導体ウエハの有無に関係なくすべての領域
に水の導入がなされることである。このため、半
導体ウエハの存在する領域、すなわち第１図にお
けるｘ×ｙの領域と同じ流量で、不要な領域へも
水を送り、洗浄効率が必ずしも高くない欠点があ
る。
本発明は上記の欠点を除去し、必要な領域へよ
り多くの水を供給できるよう、底板の構造を改良
したものである。
り多くの水を供給できるよう、底板の構造を改良
したものである。
本発明にかかる実施例を第２図に示す。洗浄す
べき円板状の半導体ウエハの存在する領域に対応
する底板４１の範囲ｘ×ｙ内に、開口面積の大き
い孔６２（たとえば６mmφ）、更に大きい孔６１
（たとえば８mmφ）を設ける。第１図ａで示した
ように、洗浄すべき半導体ウエハ表面上の洗浄水
の流れ方向に平行な表面の距離は、半導体ウエハ
の中心部で大きくZ1、周辺部では小さくZ2であ
る。したがつて、これに対応して第２図では最も
大きい孔６１は、Z1の直下に設ける。なお、６３
は５mmφの洗浄液導入孔である。こうすることに
より、ウエハの中心部で流れる水の量が多くなり
効率のよい合理的な洗浄が可能となる。また、底
板４１の中央部６４には、小さい孔を設けた。こ
れは給水口５の位置に対応していて、水流が十分
強い場合には、小さい孔でもかなりの水量が得ら
れるためである。
べき円板状の半導体ウエハの存在する領域に対応
する底板４１の範囲ｘ×ｙ内に、開口面積の大き
い孔６２（たとえば６mmφ）、更に大きい孔６１
（たとえば８mmφ）を設ける。第１図ａで示した
ように、洗浄すべき半導体ウエハ表面上の洗浄水
の流れ方向に平行な表面の距離は、半導体ウエハ
の中心部で大きくZ1、周辺部では小さくZ2であ
る。したがつて、これに対応して第２図では最も
大きい孔６１は、Z1の直下に設ける。なお、６３
は５mmφの洗浄液導入孔である。こうすることに
より、ウエハの中心部で流れる水の量が多くなり
効率のよい合理的な洗浄が可能となる。また、底
板４１の中央部６４には、小さい孔を設けた。こ
れは給水口５の位置に対応していて、水流が十分
強い場合には、小さい孔でもかなりの水量が得ら
れるためである。
第３図の実施例で示す底板は半導体ウエハの領
域に対応する範囲ｘ×ｙの内にあつて、前記のZ1
の直下に相当する場所の付近（x1×ｙ）６５に、
高い密度で同一開口面積の導入孔を設けた底板４
２である。個々の孔の開口面積は同一でも、密度
の大小により、有効開口面積に関しては第２図の
例と同じ効果を発揮できる。
域に対応する範囲ｘ×ｙの内にあつて、前記のZ1
の直下に相当する場所の付近（x1×ｙ）６５に、
高い密度で同一開口面積の導入孔を設けた底板４
２である。個々の孔の開口面積は同一でも、密度
の大小により、有効開口面積に関しては第２図の
例と同じ効果を発揮できる。
以上説明したように、本発明の洗浄槽であれ
ば、同一の水量であつても洗浄すべき半導体ウエ
ハの表面の長さの大小に応じて必要な領域に、よ
り多くの量の洗浄水が送られ、効率よく洗浄が行
われる利点がある。なお、上記の実施例では、被
洗浄物として半導体ウエハを例示したが、この例
に限られるものでないこと勿論である。
ば、同一の水量であつても洗浄すべき半導体ウエ
ハの表面の長さの大小に応じて必要な領域に、よ
り多くの量の洗浄水が送られ、効率よく洗浄が行
われる利点がある。なお、上記の実施例では、被
洗浄物として半導体ウエハを例示したが、この例
に限られるものでないこと勿論である。
第１図ａ，ｂは洗浄槽を説明するための断面
図、第１図ｃは従来例の底板の平面図、第２図、
第３図は本発明の実施例の底板の平面図である。 １……洗浄すべき半導体ウエハ、３……洗浄
槽、４１，４２……底板、６１，６２，６３……
洗浄液導入孔。
図、第１図ｃは従来例の底板の平面図、第２図、
第３図は本発明の実施例の底板の平面図である。 １……洗浄すべき半導体ウエハ、３……洗浄
槽、４１，４２……底板、６１，６２，６３……
洗浄液導入孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 洗浄液の流入部に、複数個の洗浄液導入孔が
穿設されて前記洗浄液の流入を制御する制御板を
配設するとともに、前記洗浄液導入孔の開口面積
が、被洗浄物の中心部と対応する第１部分では、
大きく、端部と対応する第２部分では第１部分よ
りも小さく、被洗浄物の存在しない部分と対応す
る第３部分では第２部分よりもさらに小さく選定
されていることを特徴とする洗浄槽。 ２ 複数個の洗浄液導入孔の開口面積の大小が洗
浄液導入孔の孔径の大小で付与されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の洗浄
槽。 ３ 複数個の洗浄液導入孔の開口面積の大小が洗
浄液導入孔の穿設密度の大小で付与されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の洗
浄槽。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480381A JPS5866333A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 洗浄槽 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480381A JPS5866333A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 洗浄槽 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5866333A JPS5866333A (ja) | 1983-04-20 |
| JPS6242374B2 true JPS6242374B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=15800215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16480381A Granted JPS5866333A (ja) | 1981-10-14 | 1981-10-14 | 洗浄槽 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5866333A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3110218B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2000-11-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体洗浄装置及び方法、ウエハカセット、専用グローブ並びにウエハ受け治具 |
| US5503171A (en) * | 1992-12-26 | 1996-04-02 | Tokyo Electron Limited | Substrates-washing apparatus |
| JP3320640B2 (ja) * | 1997-07-23 | 2002-09-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
| JPH1154471A (ja) | 1997-08-05 | 1999-02-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
| EP0898301B1 (en) * | 1997-08-18 | 2006-09-27 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for cleaning both sides of a substrate |
| US6539963B1 (en) | 1999-07-14 | 2003-04-01 | Micron Technology, Inc. | Pressurized liquid diffuser |
-
1981
- 1981-10-14 JP JP16480381A patent/JPS5866333A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5866333A (ja) | 1983-04-20 |
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