JPH0710494Y2 - 基板エッチング装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔概要〕 半導体装置の製造設備、特に半導体装置用基板の裏面を
エッチングする装置に関し、 段差を生じることの無いエッチング装置の提供を目的と
し、 半導体装置用基板の一主面をエッチングする装置であっ
て、上面に開口し開口部が基板より大きい円錐形の液溜
部と、第１のエッチング液噴出孔と、第２のエッチング
液噴出孔とを具えてなる装置本体を有し、エッチング液
を交互に液溜部に供給するよう構成された、第１のエッ
チング液噴出孔が液溜部の中央に配設され、第２のエッ
チング液噴出孔が液溜部の周囲に沿って配設されるよう
に構成する。

〔産業上の利用分野〕

本考案は半導体装置の製造設備、特に半導体装置用基板
の裏面をエッチングする装置に関する。

半導体装置の製造に先立って基板の裏面は機械的に研削
される。しかし機械的な研削は基板に凹凸を生じ且つダ
メージを与える。そこで研削後の基板はエッチングによ
り凹凸が平坦化されダメージを受けた部分が除去され
る。

かかる基板裏面のエッチングにおいてエッチング量にむ
らがあると、基板の裏面に段差を生じ半導体チップを実
装する工程において不良が発生する。したがって基板裏
面エッチング装置はエッチングむらを生じてはならな
い。

〔従来の技術〕

第３図は従来のエッチング装置の主要部を示す側断面図
である。

従来のエッチング装置は図示の如く上面に開口する液溜
部２を具えた装置本体１を有し、円錐形をした液溜部２
の中央にエッチング液噴出孔３が開口している。半導体
装置用の基板４は表面が基板ホルダ５に吸着され、基板
４の裏面のみが液溜部２に充たされたエッチング液６に
浸されている。

液溜部２の開口部は基板４より大きくエッチング液噴出
孔３から供給されたエッチング液６は、矢印で示す如く
中央部から基板４に沿って周縁部方向に流れ、液溜部２
の周囲から装置本体１の外に溢れ出るよう構成されてい
る。

かかる装置においてエッチング液６の供給量が過多にな
ると基板４の周縁部よりも中央部に、また過少になると
基板４の中央部よりも周縁部にエッチング液６が多く供
給され、基板４の中央部と周縁部とでエッチング量に差
が生じる原因になる。そこでエッチング液６の供給量は
エッチング量に差が生じないよう設定されている。

〔考案が解決しようとする課題〕

エッチングによって発生した反応ガスが基板に付着する
と、反応ガスによってエッチング液との接触が断たれ基
板のエッチングが阻害される。しかるに従来の装置は基
板の中央部にエッチング液の動かない淀みができやす
く、そこに反応ガスが集まって段差が生じるという問題
があった。

本考案の目的は段差を生じることの無いエッチング装置
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本考案になるエッチング装置の一実施例を示す
側断面図である。なお全図を通し同じ対象物は同一番号
で表している。

上記課題は半導体装置用基板の一主面をエッチングする
装置であって、上面に開口し開口部が基板４より大きい
円錐形の液溜部２と、第１のエッチング液噴出孔８と、
第２のエッチング液噴出孔９とを具えてなる装置本体７
を有し、エッチング液を交互に液溜部２に供給するよう
構成された、第１のエッチング液噴出孔８が液溜部２の
中央に配設され、第２のエッチング液噴出孔９が液溜部
２の周囲に沿って配設されてなる、本考案の基板エッチ
ング装置によって達成される。

〔作用〕

第１図において装置本体に上面に開口し開口部が基板よ
り大きい円錐形の液溜部と、第１のエッチング液噴出孔
および第２のエッチング液噴出孔を設け、液溜部の中央
に配設された第１のエッチング液噴出孔と、液溜部の周
囲に沿って配設された第２のエッチング液噴出孔から、
液溜部にエッチング液が交互に供給されるよう構成する
ことによって、段差を生じることの無いエッチング装置
を実現することができる。

〔実施例〕

以下添付図により本考案の実施例について説明する。な
お第２図は本考案になる装置の動作を説明する側断面図
である。

本考案になる基板エッチング装置は第１図に示す如く装
置本体７に、上面に開口し開口部が基板４より大きい円
錐形の液溜部２と、液溜部２の中央に配設された第１の
エッチング液噴出孔８と、液溜部２の周囲に沿って配設
された第２のエッチング液噴出孔９が設けられている。

液溜部２のエッチング液６は第１のエッチング液噴出孔
８と、第２のエッチング液噴出孔９から交互に供給され
ており、半導体装置用の基板４は例えば表面が基板ホル
ダ５に吸着され、その反対側の面のみが液溜部２に充た
されたエッチング液６に浸されている。

かかる装置において第２図（ａ）に示す如くエッチング
液６が、第２のエッチング液噴出孔９を介して液溜部２
に供給される場合は、基板４の中央部よりも周縁部にエ
ッチング液６が多く供給され、且つ基板の中央部にエッ
チング液の動かない淀みが生じそこに反応ガスが集ま
る。

しかし第２図（ｂ）に示す如く第２のエッチング液噴出
孔９からのエッチング液供給が止まり、エッチング液６
が第１のエッチング液噴出孔８を介して液溜部２に供給
される場合は、基板４の周縁部よりも中央部にエッチン
グ液６が多く供給され、且つ基板の中央部に集まってい
た反応ガスが周縁部に押し出される。

なお基板の中央部におけるエッチング量と周縁部におけ
るエッチング量の差は、第１のエッチング液噴出孔８お
よび第２のエッチング液噴出孔９の、エッチング液の供
給量や時間間隔を制御することによって無くすことが可
能である。

このように装置本体に液溜部と第１のエッチング液噴出
孔と第２のエッチング液噴出孔を設け、液溜部の中央に
配設された第１のエッチング液噴出孔と、液溜部の周囲
に沿って配設された第２のエッチング液噴出孔から、液
溜部にエッチング液が交互に供給されるよう構成するこ
とによって、段差を生じることの無いエッチング装置を
実現することができる。

〔考案の効果〕

上述の如く本考案によれば段差を生じることの無い基板
エッチング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案になるエッチング装置の一実施例を示す
側断面図、 第２図は本考案になる装置の動作を説明する側断面図、 第３図は従来のエッチング装置の主要部を示す側断面
図、 である。図において ２は液溜部、４は基板、５は基板ホルダ、６はエッチン
グ液、７は装置本体、８、９はエッチング液噴出孔、を
それぞれ示す。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体装置用基板の一主面をエッチングす
   る装置であって、上面に開口し開口部が基板（４）より
   大きい円錐形の液溜部（２）と、第１のエッチング液噴
   出孔（８）と、第２のエッチング液噴出孔（９）とを具
   えてなる装置本体（７）を有し、 エッチング液を交互に該液溜部（２）に供給するよう構
   成された、第１のエッチング液噴出孔（８）が該液溜部
   （２）の中央に配設され、第２のエッチング液噴出孔
   （９）が該液溜部（２）の周囲に沿って、配設されてな
   ることを特徴とする基板エッチング装置。