JP2000183014A - 基板洗浄装置 - Google Patents
基板洗浄装置Info
- Publication number
- JP2000183014A JP2000183014A JP10354924A JP35492498A JP2000183014A JP 2000183014 A JP2000183014 A JP 2000183014A JP 10354924 A JP10354924 A JP 10354924A JP 35492498 A JP35492498 A JP 35492498A JP 2000183014 A JP2000183014 A JP 2000183014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- cleaning liquid
- cleaning
- semiconductor wafer
- cleaned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウェーハの基板面を洗浄液のノズル噴
射によってムラなく有効に洗浄する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１１０は吸着ヘッド１２
０に保持され、旋回される。半導体ウェーハ１１０の裏
面側には、供給ノズル１３０が近接配置されている。供
給ノズル１３０は、スリット状の洗浄液供給口１３２を
有し、洗浄液供給口１３２は、半導体ウェーハ１１０の
半径方向に沿って配置され、一方の端部が吸着ヘッド１
２０に近接する位置に配置され、他方の端部が半導体ウ
ェーハ１１０の外周縁部に近接する位置に配置されてい
る。洗浄液供給口１３２から噴射される洗浄液は、半導
体ウェーハ１１０の裏面に全体的に供給される。したが
って、半導体ウェーハ１１０の裏面全体をまんべんなく
洗浄できる。
射によってムラなく有効に洗浄する。 【解決手段】 半導体ウェーハ１１０は吸着ヘッド１２
０に保持され、旋回される。半導体ウェーハ１１０の裏
面側には、供給ノズル１３０が近接配置されている。供
給ノズル１３０は、スリット状の洗浄液供給口１３２を
有し、洗浄液供給口１３２は、半導体ウェーハ１１０の
半径方向に沿って配置され、一方の端部が吸着ヘッド１
２０に近接する位置に配置され、他方の端部が半導体ウ
ェーハ１１０の外周縁部に近接する位置に配置されてい
る。洗浄液供給口１３２から噴射される洗浄液は、半導
体ウェーハ１１０の裏面に全体的に供給される。したが
って、半導体ウェーハ１１０の裏面全体をまんべんなく
洗浄できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被洗浄基板を旋回
させながら、その基板面に洗浄液を供給して洗浄を行う
基板洗浄装置に関し、特に洗浄液を供給するための供給
ノズルの構造に関する。
させながら、その基板面に洗浄液を供給して洗浄を行う
基板洗浄装置に関し、特に洗浄液を供給するための供給
ノズルの構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、例えば半導体ウェーハの作製
工程において、半導体ウェーハの裏面に洗浄液を供給す
ることにより、半導体ウェーハの裏面に付着する不純物
を洗浄する装置が提案されている（例えば特開昭６０−
１２１７１９号公報参照）。すなわち、半導体ウェーハ
の表面には、ホトレジスト層の成膜や現像等の処理によ
って半導体回路層が形成されるが、この処理工程におい
て、半導体ウェーハの表面から現像液や洗浄液等に含ま
れて飛散したホトレジスト等の粒子が半導体ウェーハの
裏面に回り込んで付着するため、これを純水等のノズル
噴射によって除去することが行われている。
工程において、半導体ウェーハの裏面に洗浄液を供給す
ることにより、半導体ウェーハの裏面に付着する不純物
を洗浄する装置が提案されている（例えば特開昭６０−
１２１７１９号公報参照）。すなわち、半導体ウェーハ
の表面には、ホトレジスト層の成膜や現像等の処理によ
って半導体回路層が形成されるが、この処理工程におい
て、半導体ウェーハの表面から現像液や洗浄液等に含ま
れて飛散したホトレジスト等の粒子が半導体ウェーハの
裏面に回り込んで付着するため、これを純水等のノズル
噴射によって除去することが行われている。
【０００３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は、このような半導体
ウェーハの裏面洗浄に用いられる従来の洗浄装置の概要
を示す図であり、図３（Ａ）は斜視図、図３（Ｂ）は平
面図、図３（Ｃ）は側面図である。図示のように、従来
の洗浄装置では、半導体ウェーハ１０の中心部を裏面側
から吸着ヘッド２０によって保持するとともに、半導体
ウェーハ１０の裏面側の中心部寄りの位置に細管状の供
給ノズル３０を近接配置したものである。そして、吸着
ヘッド２０の回転により、半導体ウェーハ１０を旋回さ
せながら、供給ノズル３０より点噴射によって半導体ウ
ェーハ１０の裏面に洗浄液を噴きかけて、半導体ウェー
ハ１０の裏面を洗浄する。
ウェーハの裏面洗浄に用いられる従来の洗浄装置の概要
を示す図であり、図３（Ａ）は斜視図、図３（Ｂ）は平
面図、図３（Ｃ）は側面図である。図示のように、従来
の洗浄装置では、半導体ウェーハ１０の中心部を裏面側
から吸着ヘッド２０によって保持するとともに、半導体
ウェーハ１０の裏面側の中心部寄りの位置に細管状の供
給ノズル３０を近接配置したものである。そして、吸着
ヘッド２０の回転により、半導体ウェーハ１０を旋回さ
せながら、供給ノズル３０より点噴射によって半導体ウ
ェーハ１０の裏面に洗浄液を噴きかけて、半導体ウェー
ハ１０の裏面を洗浄する。
【０００４】供給ノズル３０より噴射された洗浄液は、
図３（Ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１０の旋回に
伴い、半導体ウェーハ１０の裏面の中心側から外周側に
流れ、半導体ウェーハ１０の裏面全体を洗浄する。な
お、上述のような供給ノズル３０を半導体ウェーハ１０
に対して同心位置に複数設けたものも知られている。
図３（Ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１０の旋回に
伴い、半導体ウェーハ１０の裏面の中心側から外周側に
流れ、半導体ウェーハ１０の裏面全体を洗浄する。な
お、上述のような供給ノズル３０を半導体ウェーハ１０
に対して同心位置に複数設けたものも知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような従来例では、洗浄液を点噴射によって供給するも
のであるため、半導体ウェーハ１０の裏面全体に洗浄液
を供給しづらいという問題がある。特に、半導体ウェー
ハ１０の裏面が平坦でなく、半導体回路等による段差等
があったり、比較的強固な付着物が存在する場合には、
点噴射によって噴きつけられた洗浄液の流れが、段差や
不純物によって遮られ、そこから外周側に流れることが
できず、外周側の洗浄ができなくなるという問題があ
る。
ような従来例では、洗浄液を点噴射によって供給するも
のであるため、半導体ウェーハ１０の裏面全体に洗浄液
を供給しづらいという問題がある。特に、半導体ウェー
ハ１０の裏面が平坦でなく、半導体回路等による段差等
があったり、比較的強固な付着物が存在する場合には、
点噴射によって噴きつけられた洗浄液の流れが、段差や
不純物によって遮られ、そこから外周側に流れることが
できず、外周側の洗浄ができなくなるという問題があ
る。
【０００６】そこで本発明の目的は、被洗浄基板の基板
面を洗浄液のノズル噴射によってムラなく有効に洗浄す
ることができる基板洗浄装置を提供することにある。
面を洗浄液のノズル噴射によってムラなく有効に洗浄す
ることができる基板洗浄装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、旋回装置に保持されて旋回する円板状の被洗
浄基板の基板面に洗浄液を供給して洗浄を行う基板洗浄
装置において、前記被洗浄基板の基板面に洗浄液を供給
する供給ノズルを有し、前記供給ノズルの洗浄液供給口
が、前記被洗浄基板の基板面に近接配置されるととも
に、前記被洗浄基板の内径側から外形側にわたって配置
されるスリット状に形成されていることを特徴とする。
するため、旋回装置に保持されて旋回する円板状の被洗
浄基板の基板面に洗浄液を供給して洗浄を行う基板洗浄
装置において、前記被洗浄基板の基板面に洗浄液を供給
する供給ノズルを有し、前記供給ノズルの洗浄液供給口
が、前記被洗浄基板の基板面に近接配置されるととも
に、前記被洗浄基板の内径側から外形側にわたって配置
されるスリット状に形成されていることを特徴とする。
【０００８】本発明の基板洗浄装置において、被洗浄基
板の洗浄を行う場合、旋回装置によって被洗浄基板を旋
回する。そして、供給ノズルの洗浄液供給口から被洗浄
基板の基板面に洗浄液を噴きつけて基板面の洗浄を行
う。ここで、供給ノズルの洗浄液供給口が、被洗浄基板
の内径側から外形側にわたって配置されるスリット状に
形成されているため、この洗浄液供給口から噴き出され
る洗浄液は被洗浄基板の内径側から外形側にかけて同時
に基板面に噴き出される。したがって、被洗浄基板の基
板面に全体的に洗浄液を供給できるため、基板面をまん
べんなく洗浄できるとともに、仮に被洗浄基板の基板面
に障害物がある場合でも、このような障害物によって洗
浄液の流れない領域が生じることもなくなり、洗浄ムラ
を防止できる。
板の洗浄を行う場合、旋回装置によって被洗浄基板を旋
回する。そして、供給ノズルの洗浄液供給口から被洗浄
基板の基板面に洗浄液を噴きつけて基板面の洗浄を行
う。ここで、供給ノズルの洗浄液供給口が、被洗浄基板
の内径側から外形側にわたって配置されるスリット状に
形成されているため、この洗浄液供給口から噴き出され
る洗浄液は被洗浄基板の内径側から外形側にかけて同時
に基板面に噴き出される。したがって、被洗浄基板の基
板面に全体的に洗浄液を供給できるため、基板面をまん
べんなく洗浄できるとともに、仮に被洗浄基板の基板面
に障害物がある場合でも、このような障害物によって洗
浄液の流れない領域が生じることもなくなり、洗浄ムラ
を防止できる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明による基板洗浄装置
の実施の形態について説明する。図１（Ａ）〜（Ｃ）
は、本発明による基板洗浄装置の具体例を示す図であ
り、図１（Ａ）は斜視図、図１（Ｂ）は平面図、図１
（Ｃ）は側面図である。また、図２は、図１に示す基板
洗浄装置に設けられる供給ノズルの構成を示す図であ
り、図２（Ａ）は斜視図、図２（Ｂ）は平面図、図２
（Ｃ）は正面図、図２（Ｄ）は側面図である。本実施の
形態では、半導体ウェーハの裏面洗浄に用いられる洗浄
装置を例に説明する。
の実施の形態について説明する。図１（Ａ）〜（Ｃ）
は、本発明による基板洗浄装置の具体例を示す図であ
り、図１（Ａ）は斜視図、図１（Ｂ）は平面図、図１
（Ｃ）は側面図である。また、図２は、図１に示す基板
洗浄装置に設けられる供給ノズルの構成を示す図であ
り、図２（Ａ）は斜視図、図２（Ｂ）は平面図、図２
（Ｃ）は正面図、図２（Ｄ）は側面図である。本実施の
形態では、半導体ウェーハの裏面洗浄に用いられる洗浄
装置を例に説明する。
【００１０】図示のように、本例の洗浄装置では、半導
体ウェーハ１１０の中心部を裏面側から吸着ヘッド（保
持部材）１２０によって保持するとともに、半導体ウェ
ーハ１１０の裏面側に供給ノズル１３０を近接配置した
ものである。吸着ヘッド１２０は、旋回装置としてのス
ピンドルモータ（図示せず）に支持されており、回転し
て半導体ウェーハ１１０を旋回することが可能である。
また、半導体ウェーハ１１０は、吸着ヘッド１２０に保
持された状態で、その表面に各種の成膜処理等が施さ
れ、半導体回路層が形成されるものである。また、半導
体ウェーハ１１０の裏面にも一定の段差が形成されてい
る場合があるものとする。
体ウェーハ１１０の中心部を裏面側から吸着ヘッド（保
持部材）１２０によって保持するとともに、半導体ウェ
ーハ１１０の裏面側に供給ノズル１３０を近接配置した
ものである。吸着ヘッド１２０は、旋回装置としてのス
ピンドルモータ（図示せず）に支持されており、回転し
て半導体ウェーハ１１０を旋回することが可能である。
また、半導体ウェーハ１１０は、吸着ヘッド１２０に保
持された状態で、その表面に各種の成膜処理等が施さ
れ、半導体回路層が形成されるものである。また、半導
体ウェーハ１１０の裏面にも一定の段差が形成されてい
る場合があるものとする。
【００１１】一方、本例の供給ノズル１３０は、スリッ
ト状の洗浄液供給口１３２を有するものである。すなわ
ち、この供給ノズル１３０は、洗浄液の供給パイプ（図
示せず）が接続されるネック部１３０Ａと、このネック
部１３０Ａに連設され、洗浄液を貯留する本体部１３０
Ｂとを有する。そして、本体部１３０Ｂは、半導体ウェ
ーハ１１０の径方向に、吸着ヘッド１２０の近傍位置か
ら半導体ウェーハ１１０の外周位置に至るやや長尺な矩
形筐型に形成されている。
ト状の洗浄液供給口１３２を有するものである。すなわ
ち、この供給ノズル１３０は、洗浄液の供給パイプ（図
示せず）が接続されるネック部１３０Ａと、このネック
部１３０Ａに連設され、洗浄液を貯留する本体部１３０
Ｂとを有する。そして、本体部１３０Ｂは、半導体ウェ
ーハ１１０の径方向に、吸着ヘッド１２０の近傍位置か
ら半導体ウェーハ１１０の外周位置に至るやや長尺な矩
形筐型に形成されている。
【００１２】また、本体部１３０Ｂの半導体ウェーハ１
１０の裏面に臨む端面は、図２（Ｃ）に示す正面方向か
ら見て先細り状に形成されており、この端面の頂部にス
リット状の洗浄液供給口１３２が形成されている。な
お、供給ノズル１３０の本体部１３０Ｂは、スリット状
の洗浄液供給口１３２に均一の噴出圧力を供給するた
め、一定の傾斜を有する形状となっている。また、この
ような供給ノズル１３０のネック部１３０Ａと本体部１
３０Ｂは、例えば厚さ０．４ｍｍのステンレス材によっ
て形成されている。そして、スリット状の洗浄液供給口
１３２は、例えば１．０ｍｍの間隔を有するものであ
り、半導体ウェーハ１１０の半径方向に沿って配置さ
れ、一方の端部が吸着ヘッド１２０に近接する位置に配
置され、他方の端部が半導体ウェーハ１１０の外周縁部
に近接する位置に配置されている。
１０の裏面に臨む端面は、図２（Ｃ）に示す正面方向か
ら見て先細り状に形成されており、この端面の頂部にス
リット状の洗浄液供給口１３２が形成されている。な
お、供給ノズル１３０の本体部１３０Ｂは、スリット状
の洗浄液供給口１３２に均一の噴出圧力を供給するた
め、一定の傾斜を有する形状となっている。また、この
ような供給ノズル１３０のネック部１３０Ａと本体部１
３０Ｂは、例えば厚さ０．４ｍｍのステンレス材によっ
て形成されている。そして、スリット状の洗浄液供給口
１３２は、例えば１．０ｍｍの間隔を有するものであ
り、半導体ウェーハ１１０の半径方向に沿って配置さ
れ、一方の端部が吸着ヘッド１２０に近接する位置に配
置され、他方の端部が半導体ウェーハ１１０の外周縁部
に近接する位置に配置されている。
【００１３】以上のような洗浄装置において、半導体ウ
ェーハ１１０の裏面洗浄を行う場合、スピンドルモータ
の作動によって半導体ウェーハ１１０を旋回する。そし
て、供給ノズル１３０の洗浄液供給口１３２から半導体
ウェーハ１１０の裏面に洗浄液を噴きつけて裏面洗浄を
行う。ここで、供給ノズル１３０の洗浄液供給口１３２
が、半導体ウェーハ１１０の内径側から外形側にわたっ
て配置されるスリット状に形成されているため、この洗
浄液供給口１３２から噴き出される洗浄液は半導体ウェ
ーハ１１０の内径側から外形側にかけて同時にウェーハ
裏面に噴き出され、図１（Ｂ）に示すように、帯状に流
れる。
ェーハ１１０の裏面洗浄を行う場合、スピンドルモータ
の作動によって半導体ウェーハ１１０を旋回する。そし
て、供給ノズル１３０の洗浄液供給口１３２から半導体
ウェーハ１１０の裏面に洗浄液を噴きつけて裏面洗浄を
行う。ここで、供給ノズル１３０の洗浄液供給口１３２
が、半導体ウェーハ１１０の内径側から外形側にわたっ
て配置されるスリット状に形成されているため、この洗
浄液供給口１３２から噴き出される洗浄液は半導体ウェ
ーハ１１０の内径側から外形側にかけて同時にウェーハ
裏面に噴き出され、図１（Ｂ）に示すように、帯状に流
れる。
【００１４】したがって、半導体ウェーハ１１０の裏面
に全体的に洗浄液を供給できるため、裏面全体をまんべ
んなく洗浄できるとともに、仮に半導体ウェーハ１１０
の裏面に障害物がある場合でも、このような障害物によ
って洗浄液の流れない領域が生じることもなくなり、洗
浄ムラを防止できる。これにより、適正な裏面洗浄を行
うことができ、半導体ウェーハ１１０の洗浄不良をなく
し、歩留を向上できる効果がある。
に全体的に洗浄液を供給できるため、裏面全体をまんべ
んなく洗浄できるとともに、仮に半導体ウェーハ１１０
の裏面に障害物がある場合でも、このような障害物によ
って洗浄液の流れない領域が生じることもなくなり、洗
浄ムラを防止できる。これにより、適正な裏面洗浄を行
うことができ、半導体ウェーハ１１０の洗浄不良をなく
し、歩留を向上できる効果がある。
【００１５】なお、上述の例では、半導体ウェーハの裏
面を洗浄する装置について説明したが、本発明の洗浄装
置は、円板状の被洗浄基板を旋回させながら、洗浄液を
供給して洗浄を行う各種の基板洗浄装置として広く応用
し得るものである。また、上述の例では、半導体ウェー
ハを吸着ヘッドによって保持する例について説明した
が、この代わりに、半導体ウェーハの外周を挟持する外
形チャックで保持して旋回する構成を用いてもよい。
面を洗浄する装置について説明したが、本発明の洗浄装
置は、円板状の被洗浄基板を旋回させながら、洗浄液を
供給して洗浄を行う各種の基板洗浄装置として広く応用
し得るものである。また、上述の例では、半導体ウェー
ハを吸着ヘッドによって保持する例について説明した
が、この代わりに、半導体ウェーハの外周を挟持する外
形チャックで保持して旋回する構成を用いてもよい。
【００１６】また、本発明の変形例として、スリット状
の洗浄液供給口は、必ずしも直線状である必要はなく、
湾曲したスリット状の洗浄液供給口を有するものを用い
てもよいし、また、スリットの間隔を外径側と内径側と
で変化させるような工夫を施すことも可能である。この
ような変形により、供給ノズルから噴き出す洗浄液の噴
出圧力や噴出形状をより適正に制御し、より効果的な洗
浄を行うような構成とすることも可能である。
の洗浄液供給口は、必ずしも直線状である必要はなく、
湾曲したスリット状の洗浄液供給口を有するものを用い
てもよいし、また、スリットの間隔を外径側と内径側と
で変化させるような工夫を施すことも可能である。この
ような変形により、供給ノズルから噴き出す洗浄液の噴
出圧力や噴出形状をより適正に制御し、より効果的な洗
浄を行うような構成とすることも可能である。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の基板洗浄装
置では、旋回する円板状の被洗浄基板の基板面に洗浄液
を供給して洗浄を行うための供給ノズルの洗浄液供給口
を、被洗浄基板の内径側から外形側にわたって配置され
るスリット状に形成した。このため、被洗浄基板の基板
面に全体的に洗浄液を供給できるため、基板面をまんべ
んなく洗浄できるとともに、仮に被洗浄基板の基板面に
障害物がある場合でも、このような障害物によって洗浄
液の流れない領域が生じることもなくなり、洗浄ムラを
防止でき、洗浄不良による歩留の低下をなくすことがで
きる効果がある。
置では、旋回する円板状の被洗浄基板の基板面に洗浄液
を供給して洗浄を行うための供給ノズルの洗浄液供給口
を、被洗浄基板の内径側から外形側にわたって配置され
るスリット状に形成した。このため、被洗浄基板の基板
面に全体的に洗浄液を供給できるため、基板面をまんべ
んなく洗浄できるとともに、仮に被洗浄基板の基板面に
障害物がある場合でも、このような障害物によって洗浄
液の流れない領域が生じることもなくなり、洗浄ムラを
防止でき、洗浄不良による歩留の低下をなくすことがで
きる効果がある。
【図１】本発明による基板洗浄装置の具体例を示す図で
あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面
図である。
あり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面
図である。
【図２】図１に示す基板洗浄装置に設けられる供給ノズ
ルの構成を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平
面図、（Ｃ）は正面図、（Ｄ）は側面図である。
ルの構成を示す図であり、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は平
面図、（Ｃ）は正面図、（Ｄ）は側面図である。
【図３】半導体ウェーハの裏面洗浄に用いられる従来の
洗浄装置の概要を示す図であり、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面図である。
洗浄装置の概要を示す図であり、（Ａ）は斜視図、
（Ｂ）は平面図、（Ｃ）は側面図である。
１１０……半導体ウェーハ、１２０……吸着ヘッド、１
３０……供給ノズル、１３０Ａ……ネック部、１３０Ｂ
……本体部、１３２……洗浄液供給口。
３０……供給ノズル、１３０Ａ……ネック部、１３０Ｂ
……本体部、１３２……洗浄液供給口。
Claims (6)
- 【請求項１】 旋回装置に保持されて旋回する円板状の
被洗浄基板の基板面に洗浄液を供給して洗浄を行う基板
洗浄装置において、 前記被洗浄基板の基板面に洗浄液を供給する供給ノズル
を有し、 前記供給ノズルの洗浄液供給口が、前記被洗浄基板の基
板面に近接配置されるとともに、前記被洗浄基板の内径
側から外形側にわたって配置されるスリット状に形成さ
れている、 ことを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項２】 前記被洗浄基板は表面に成膜処理層を有
し、前記供給ノズルは前記被洗浄基板の裏面に洗浄液を
供給するように配置されていることを特徴とする請求項
１記載の基板洗浄装置。 - 【請求項３】 前記被洗浄基板の裏面の中心部には、前
記旋回装置の保持部材が装着され、前記供給ノズルは前
記保持部材を避ける位置に配置されていることを特徴と
する請求項２記載の基板洗浄装置。 - 【請求項４】 前記供給ノズルの洗浄液供給口は、スリ
ットの一方の端部が前記保持部材に近接する位置に配置
され、他方の端部が前記被洗浄基板の外周縁部に近接す
る位置に配置されていることを特徴とする請求項１記載
の基板洗浄装置。 - 【請求項５】 前記供給ノズルの洗浄液供給口は、前記
被洗浄基板の半径方向に沿って配置されていることを特
徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。 - 【請求項６】 前記被洗浄基板は半導体ウェーハであ
り、前記成膜処理層は半導体回路層であり、前記供給ノ
ズルは前記半導体ウェーハの裏面に洗浄液を供給して前
記半導体回路層の形成工程において半導体ウェーハの裏
面に付着する不純物を洗浄するものであることを特徴と
する請求項２記載の基板洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354924A JP2000183014A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 基板洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10354924A JP2000183014A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 基板洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183014A true JP2000183014A (ja) | 2000-06-30 |
Family
ID=18440830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10354924A Pending JP2000183014A (ja) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | 基板洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000183014A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10679844B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-06-09 | C&D Semiconductor Services, Inc. | Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354924A patent/JP2000183014A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10679844B2 (en) | 2018-07-09 | 2020-06-09 | C&D Semiconductor Services, Inc. | Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device |
| US11239070B2 (en) | 2018-07-09 | 2022-02-01 | Thanh Truong | Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device |
| US11495451B2 (en) | 2018-07-09 | 2022-11-08 | Thanh Truong | Optimal exposure of a bottom surface of a substrate material and/or edges thereof for cleaning in a spin coating device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4474438B2 (ja) | 基板処理装置及び方法、そしてこれに用いられる噴射ヘッド | |
| JP3972065B2 (ja) | シリコンダスト除去用ウェーハのグラインディング研磨装置 | |
| JP2000306878A (ja) | 洗浄装置及び切削装置 | |
| JPH09181026A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH10106918A (ja) | 処理液吐出ノズルおよび基板処理装置 | |
| JP4033709B2 (ja) | 基板洗浄方法及びその装置 | |
| JP2007036066A (ja) | 枚葉式基板処理装置 | |
| JPH10199852A (ja) | 回転式基板処理装置 | |
| JP2002143749A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JP2000183014A (ja) | 基板洗浄装置 | |
| JP2001168067A (ja) | ダイシング装置 | |
| JPH09306974A (ja) | ワーク保持装置 | |
| JPH0334207B2 (ja) | ||
| JP2628168B2 (ja) | 半導体ウエーハの表面処理装置 | |
| JP2000077293A (ja) | 基板処理方法およびその装置 | |
| JP3210893B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JP3126878B2 (ja) | 基板裏面洗浄装置 | |
| JP2006344912A (ja) | 枚葉式基板処理装置 | |
| JP4011040B2 (ja) | 現像装置および現像方法 | |
| JPS5939363A (ja) | 液滴下用ノズル | |
| JPS5986226A (ja) | 薄板状材の洗浄装置 | |
| JP3903879B2 (ja) | 半導体基板のエッチング処理方法 | |
| JP3290773B2 (ja) | 処理装置および処理方法 | |
| JPH0778743A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3338544B2 (ja) | 乾燥方法及び乾燥装置 |