KR100267085B1 - 배스 - Google Patents

Abstract

개시된 배스는 배스 본체 내에 작용 액의 데드 영역이 존재하지 않고, 배스 본체로 유입되는 작용 액의 흐름이 원활하게 이루어져 식각율을 향상시키며, 또한 유입되는 작용 액의 흐름이 원활하여 반도체 웨이퍼의 소정 부위를 균일하게 식각하고 세정 효율을 향상시킬 수 있으며, 반도체 웨이퍼를 세정할 경우에 반도체 웨이퍼에서 분리된 이물질을 용이하게 제거할 수 있으며, 반도체 웨이퍼를 식각 및 세정할 경우에 소모되는 세정 액의 양을 줄일 수 있다.

본 발명은 배스 본체의 측면과 바닥면의 사이에 배스 경사면을 구비하여 배스 본체의 체적이 감소되게 하고, 배스 경사면의 중앙부에 작용 액이 유입되는 작용 액 유입구를 형성하고, 바닥면의 중앙부에 작용 액 작용 액 유출구를 형성하여, 작용 액 유입구로 유입되는 작용 액이 작용 액 작용 액 유출구를 통해 드레인으로 회수됨과 아울러 배스 본체에서 오버 플로우되어 드레인으로 회수됨으로써 작용 액의 흐름이 원활하여 식각 효율 및 세정 효율이 향상되며, 배스 본체의 측면에 직경이 작은 보조 유출구를 형성하여 작용 액이 유출되게 함으로써 작용 액 내에서 부유되는 이물질들이 보조 유출구를 통해 유출되게 되어 이물질의 제거 능력이 향상된다.

Description

배스

본 발명은 반도체의 제조 공정에서 반도체 웨이퍼를 습식 식각하거나 또는 순수로 세정할 경우에 사용하는 배스(bath)에 관한 것이다.

일반적으로 반도체를 제조할 경우에 반도체 웨이퍼의 소정 부위를 식각 액에 침지시켜 식각하거나 또는 순수로 깨끗하게 세정하는 경우가 있다.

이와 같이 반도체 웨이퍼의 소정 부위를 식각하거나 세정할 경우에 통상적으로 배스를 사용하고 있다.

도 1은 종래의 배스를 보인 도면이다.

여기서, 부호 10은 배스 본체이다.

상기 배스 본체(10)는 상부가 개구된 정육면체 또는 직육면체를 이루고 있다.

상기 배스 본체(10)의 저면 중앙부에는 식각 액 또는 순수(이하, '작용 액'이라고 약칭함)가 유입되는 작용 액 유입구(12)가 천공된다.

이러한 구성을 가지는 종래의 배스는 반도체 웨이퍼의 식각 공정을 수행하거나 또는 세정 공정을 수행할 경우에 배스 본체(10) 내에 반도체 웨이퍼(14)를 넣고, 작용 액 유입구(12)를 통해 작용 액을 유입시키게 된다.

그러면, 배스 본체(10) 내에 넣은 반도체 웨이퍼(14)의 소정 부위가 작용 액에 침지되어 식각 또는 세정된다.

그리고 상기 작용 액 유입구(12)를 통해 계속 작용 액을 유입시킴에 따라 오버 플로우(over flow)가 발생하게 되고, 오버 플로우가 발생한 작용 액은 배스 본체(10)의 하부에 설치되는 드레인(도면에 도시되지 않았음)에 회수된다.

이러한 종래의 배스는 반도체 웨이퍼(14)를 식각 또는 세정할 경우에 작용 액 유입구(12)로 유입되는 작용 액이 화살표로 표시된 바와 같이 단일 방향으로 진행하면서 오버 플로우가 발생하여 드레인으로 회수된다.

그러므로 배스 본체(10)의 바닥면과 측면 사이에, 작용 액의 원활한 대류 및 와류 현상이 발생하지 않아, 도 1에 점선으로 도시된 바와 같이 반도체 웨이퍼(14)에 대하여 작용 액의 작용이 약한 데드 영역(dead zone)(16)이 존재하게 된다.

상기 데드 영역(16)에서는 작용 액의 흐름이 부족하므로 반도체 웨이퍼(14)의 식각 율이 저하되고, 이로 인하여 식각 단차의 발생률이 높았음은 물론 반도체 웨이퍼(14)를 세정할 경우에 균일하게 세정되지 않았다.

그리고 반도체 웨이퍼(14)를 세정할 경우에 반도체 웨이퍼(14)에서 분리된 이물질이 작용 액의 최상단의 액면까지 부상해서 오버 플로우되어 제거되므로 이물질의 제거 능력이 부족하고, 작용 액의 최상단의 액면까지 부상하지 않고, 작용 액 내에서 순환되고 있는 비중이 무거운 이물질은 제거하지 못하였다.

또한 상기 배스 본체(10)는 정육면체 또는 직육면체의 함체로 이루어진 것으로서 체적이 크고, 이로 인하여 식각 공정 및 세정 공정을 수행할 경우에 많은 양의 작용 액이 소모되었다.

따라서 본 발명의 목적은 배스 본체 내에 데드 영역이 존재하지 않는 배스를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 배스 본체로 유입되는 작용 액이 원활하게 흘러 식각율을 향상시키고, 유입되는 작용 액의 흐름이 원활하여 반도체 웨이퍼의 소정 부위를 균일하게 식각하고 세정 효율을 향상시킬 수 있는 배스를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼를 세정할 경우에 반도체 웨이퍼에서 분리된 이물질이 용이하게 제거되는 배스를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 반도체 웨이퍼를 식각 및 세정할 경우에 소모되는 세정 액의 양을 줄일 수 있는 배스를 제공하는 데 있다.

도 1은 종래의 배스의 구조를 보인 도면,

도 2는 본 발명의 배스의 구조를 보인 도면이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

20 : 배스 본체 21 : 측면

22 : 바닥면 23 : 배스 경사면

24 : 작용 액 유입구 25 : 작용 액 작용 액 유출구

26 : 보조 유출구 27 : 반도체 웨이퍼

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 배스에 따르면, 배스 본체의 측면과 바닥면의 사이에 배스 경사면을 구비하여 배스 본체의 체적이 감소되게 한다.

그리고 상기 배스 경사면의 대략 중앙부에 작용 액이 유입되는 작용 액 유입구를 형성하고, 바닥면의 중앙부에 작용 액 유출구를 형성하여, 작용 액 유입구로 유입되는 작용 액이 상기 작용 액 유출구를 통해 드레인으로 회수됨과 아울러 배스 본체를 오버 플로우되어 드레인으로 회수됨으로써 작용 액의 흐름이 원활하여 식각 효율 및 세정 효율이 향상된다.

또한 배스 본체의 측면에 직경이 작은 보조 유출구를 형성하여 작용 액이 유출되게 함으로써 작용 액 내에서 부유되는 이물질들이 보조 유출구를 통해 유출되게 함으로써 이물질의 제거 능력이 향상된다.

이하 본 발명의 배스의 바람직한 실시예를 보인 도 2의 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 2는 본 발명의 배스를 보인 도면이다.

여기서, 부호 20은 상부가 개구된 함체로 된 배스 본체이다.

상기 본체(20)의 중간 하부의 측면(21) 및 바닥면(22)의 사이에는 배스 경사면(23)이 형성된다.

그리고 상기 배스 경사면(23)에는 작용 액이 유입되는 작용 액 유입구(24)가 구비되고, 상기 바닥면(22)의 중앙부에는 상기 본체(20)로 유입된 작용 액이 유출되는 작용 액 유출구(25)가 형성되며, 상기 측면(21)의 상단에 작용 액이 유출되는 보조 유출구(26)가 구비된다.

이와 같이 구성된 본 발명의 배스는 반도체 웨이퍼(27)의 소정 부위를 식각하는 식각 공정을 수행하거나 또는 순수로 세정하는 세정 공적을 수행할 경우에 먼저 배스 본체(20) 내에 공정을 수행할 반도체 웨이퍼(27)를 넣게 된다.

이와 같은 상태에서 배스 경사면(23)에 구비되어 있는 작용 액 유입구(24)를 통해 작용 액을 유입시킨다.

상기 작용 액 유입구(24)를 통해 배스 본체(20)로 유입된 작용 액은, 화살표로 도시된 바와 같이 흐르면서 바닥면(22)에 형성된 작용 액 유출구(25)를 통해 유출되어 드레인으로 회수되고, 측면(21)에 형성된 보조 유출구(26)를 통해 유출되어 드레인으로 회수됨과 아울러 배스 본체(20)에서 오버 플로우되어 드레인으로 회수된다.

그러므로 배스 본체(20)로 유입된 작용 액이 반도체 웨이퍼(27)의 전체 면에서 원활한 흐름이 이루어지고, 이로 인하여 반도체 웨이퍼(27)의 식각 효율이 향상됨은 물론 균일하게 식각되고, 세정할 경우에 반도체 웨이퍼(27)에서 이물질이 용이하게 제거되어 깨끗이 세정된다.

그리고 배스 본체(20)로 유입된 작용 액이 작용 액 유출구(25)를 통해 유출됨과 아울러 배스 본체(20)를 오버 플로우하게 되므로 작용 액내의 무거운 이물질은 작용 액 유출구(25)를 통해 유출되고, 가벼운 이물질은 배스 본체(20)에서 오버 플로우되어 유출된다.

또한 본 발명은 보조 유출구(26)를 구비하여 작용 액이 유출되므로 작용 액내에서 부유되는 이물질은 보조 유출구(26)를 통해 유출되어 배스 본체(20)내의 이물질이 신속하게 제거된다.

또한 배스 본체(20)에는 배스 경사면(23)을 구비하여 전체 체적이 줄어들게 되므로 식각 공정 및 세정 공정을 수행할 경우에 소모되는 작용 액의 양을 줄일 수 있다.

이상에서와 같이 본 발명에 따르면, 작용 액의 원활한 흐름으로 식각 효율의 향상, 균일 식각 및 세정 효율이 향상되고, 세정 공정시 반도체 웨이퍼에서 분리된 이물질을 신속하게 제거할 수 있으며, 소모되는 작용 액의 양을 줄일 수 있어 원가 절감의 효과도 있다.

Claims (2)

1. 상부가 개구되는 함체로 된 배스에 있어서,

   상기 배스의 본체의 측면 및 바닥면의 사이에 형성되는 배스 경사면;

   상기 배스 경사면에 천공되어 작용 액이 유입되는 작용 액 유입구; 및

   상기 바닥면에 천공되어 상기 배스 본체로 유입된 작용 액이 반도체 웨이퍼에 작용한 후 유출되는 작용 액 유출구를 구비한 것을 특징으로 하는 배스.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 측면에는;

   작용 액내에서 부유되는 이물질을 제거하기 위한 보조 유출구가 구비된 것을 특징으로 하는 배스.