JPH0595042U - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0595042U JPH0595042U JP3487892U JP3487892U JPH0595042U JP H0595042 U JPH0595042 U JP H0595042U JP 3487892 U JP3487892 U JP 3487892U JP 3487892 U JP3487892 U JP 3487892U JP H0595042 U JPH0595042 U JP H0595042U
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- JP
- Japan
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- cleaning
- tank
- pure water
- semiconductor manufacturing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体基板の洗浄を効率良く行える半導体装
置を提供する。 【構成】 洗浄槽１の側壁に排水用のスリット５を設け
た構造である。洗浄水（純水）は洗浄槽１の底面の供給
口２からすのこ３を通して槽内に供給される。スリット
５は、そこからの流出量が、洗浄水の供給量よりも少な
くなるような形状とされている。この構成により、洗浄
の終わった排水はスリット５および、カット部４の双方
から流出するので、洗浄効率が向上する。
置を提供する。 【構成】 洗浄槽１の側壁に排水用のスリット５を設け
た構造である。洗浄水（純水）は洗浄槽１の底面の供給
口２からすのこ３を通して槽内に供給される。スリット
５は、そこからの流出量が、洗浄水の供給量よりも少な
くなるような形状とされている。この構成により、洗浄
の終わった排水はスリット５および、カット部４の双方
から流出するので、洗浄効率が向上する。
Description
【０００１】
本考案は、半導体製造装置に関するものであり、特にウェットエッチング工程 酸・アルカリ薬液洗浄工程後の純水洗浄に使用される洗浄槽に関するものである 。
【０００２】
図２（ａ）にウェットエッチング酸・アルカリ薬液洗浄工程の流れを示す、流 れとして薬液槽から１次純水洗浄槽ついで２次純水洗浄槽の順であり、一般的に ウェットエッチング酸・アルカリ薬液洗浄後の洗浄は純水により薬液を洗い流す 方法が行われている。従来の純水洗浄に使用されている洗浄槽の構成を図２（ｂ ）に示し、以下に説明する。純水を溜める槽１と、純水供給口２と、純水導入口 と吹出口の大きさが等しく、純水を均一に槽内に導入するためのすのこ３より構 成されており、前記槽１にはオーバーフロー時の水きれを良くするためのカット 部４が設けられている。実際に純水洗浄を行う場合には前記すのこ３上に基板を 入れたカセットを設置し、前記供給口２より純水を導入し、オーバーフローさせ ることにより洗浄を行う。
【０００３】
従来の洗浄槽では、純水の排水がオーバーフローにより槽上部より行われるの みであり、純水の表面張力等により排水が円滑に行われず、洗浄に時間を要した り十分に洗浄できないことが起こりやすい。本考案は前記課題を解決するもので 、洗浄効率の良い洗浄槽を提供することを目的としている。
【０００４】
上記目的を達成するために、本考案の半導体製造装置は、槽側壁の任意位置に 任意寸法のスリットもしくは穴などの排水口と、すのこの純水流入口に加工を施 したものを有し、洗浄効率を向上させるようにした洗浄槽を有するものである。
【０００５】
上記した構成により、半導体基板の洗浄効率の向上と、半導体基板への汚染問 題を一掃することができる。
【０００６】
以下本考案の一実施例について図１を参照しながら説明する。図１において１ は槽、２は純水供給口、３はすのこ、４はカット部、５は側壁排水部、６はすの こ純水流入口である。槽１の側壁に側壁排水部５を設ける。側壁排水部５の設け られている位置は槽１内にカセットをセットした際のカセット上面（ａ）から底 面（ｂ）の位置内であり、本実施例ではスリットになっているが、排水を目的と しているため形状は穴等でもさしつかえない。ただし側壁排水部５からの排水量 は純水供給口２から供給される量より少ないものである。また、すのこ３の純水 流入口６の形状を、吹出口の面を小さく、導入口の面を大きくした形状とする。 上記構成による洗浄方法を示すと、純水供給口２から供給された純水は、すのこ ３を通し基板方向へ純水流入圧力が高い状態で供給され、槽をいっぱいにする。 この状態でオーバーフローにより、カット部４から排水され、なおかつ側壁排水 部５からも排水される。このことより、槽内の汚染水が速やかに排水されるため 洗浄の効率が良い。したがって半導体基板の洗浄において、効率が良く洗浄が行 え、半導体基板への汚染問題もなくなる。
【０００７】
以上説明したように、本考案に係る半導体基板の洗浄槽によれば、半導体基板 の効率の良い洗浄ができ、洗浄中の汚染問題も防止することができる。
【図１】本考案の半導体製造装置の傾斜図及び断面図
【図２】洗浄工程の流れ図及び従来装置の斜視図
１ 槽 ２ 純水供給口 ３ すのこ ４ カット部 ５ 側壁排水部 ６ すのこ純水流入口 ７ カセット
Claims (1)
- 【請求項１】洗浄液を蓄えるごとく形成された槽と、前
記槽の内部に被洗浄物を設置するごとく形成された設置
台を有し、前記設置台の洗浄液導入口吹出口が導入口に
比べ小さくなるように形成されておりかつ、前記槽の側
壁部に導入された洗浄液が、所定の量だけ排出されるご
とく形成された個あるいは複数個の排出口よりなる洗浄
槽を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487892U JPH0595042U (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3487892U JPH0595042U (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0595042U true JPH0595042U (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=12426405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3487892U Pending JPH0595042U (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0595042U (ja) |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP3487892U patent/JPH0595042U/ja active Pending
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