JPS61160941A - 水洗装置 - Google Patents
水洗装置Info
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- JPS61160941A JPS61160941A JP117185A JP117185A JPS61160941A JP S61160941 A JPS61160941 A JP S61160941A JP 117185 A JP117185 A JP 117185A JP 117185 A JP117185 A JP 117185A JP S61160941 A JPS61160941 A JP S61160941A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は水洗装置にかかり、とくに半導体装置製造工程
に使用される半導体ウェハーの水洗において、酸、アル
カリ、有機溶剤によって工、チング、洗浄を行なった後
の半導体クエハーの水洗装置に関するものである。
に使用される半導体ウェハーの水洗において、酸、アル
カリ、有機溶剤によって工、チング、洗浄を行なった後
の半導体クエハーの水洗装置に関するものである。
従来この種の水洗装置は、内外槽を具備した二重槽の内
槽底部から洗浄水（以下、代表例として「純水」と称す
る。）が供給され、内槽上縁よりあふれ出し、外槽から
排水されるといった構造を有し、内槽には純水導入管の
他に排水管が接続され、純水を重力で排水する方法や、
さらに内槽内へ純水を噴射するノズルを具備し、被洗浄
物に水を噴出して水洗を行なうといった方法が一般的で
あった。
槽底部から洗浄水（以下、代表例として「純水」と称す
る。）が供給され、内槽上縁よりあふれ出し、外槽から
排水されるといった構造を有し、内槽には純水導入管の
他に排水管が接続され、純水を重力で排水する方法や、
さらに内槽内へ純水を噴射するノズルを具備し、被洗浄
物に水を噴出して水洗を行なうといった方法が一般的で
あった。
第３図社、従来までの水洗装置の実施例を示す構造断面
図及び配管図である。第４図は、第３図の給排水の制御
法金示すものである。
図及び配管図である。第４図は、第３図の給排水の制御
法金示すものである。
以下、図面に従って詳細に説明する。
従来は、内槽１１の底部に接続された純水導入管１２か
ら純水を供給し、被洗浄物、ここでは収納治具９に収納
されたウェハー１Ｏｔ−水洗し、内槽１１の上縁よりあ
ふれ出させ、外槽１３１ｃよって回収され、排水管１４
によりて排出される構造を採用している。さらに内槽１
１の上方に純水噴射用ノズル１５を取り付け、純水導入
管１２に取り付けられた給水弁１６及び内槽１１の底部
に接続された排水用配管１７に取り付けられた排水弁１
Ｂ及び純水噴射用ノズル１５の元配管１９に取り付けら
れた純水噴出弁２００３つの弁を第４図の様に制御して
被洗浄物を水洗するといった方法が一般的である。
ら純水を供給し、被洗浄物、ここでは収納治具９に収納
されたウェハー１Ｏｔ−水洗し、内槽１１の上縁よりあ
ふれ出させ、外槽１３１ｃよって回収され、排水管１４
によりて排出される構造を採用している。さらに内槽１
１の上方に純水噴射用ノズル１５を取り付け、純水導入
管１２に取り付けられた給水弁１６及び内槽１１の底部
に接続された排水用配管１７に取り付けられた排水弁１
Ｂ及び純水噴射用ノズル１５の元配管１９に取り付けら
れた純水噴出弁２００３つの弁を第４図の様に制御して
被洗浄物を水洗するといった方法が一般的である。
上述した従来の水洗装置は、ウェハーを純水中に浸漬し
、内槽底部より純水を供給して水洗を行なう構造となっ
ているので、純水の比抵抗が回復するまでに時間がかか
り、量産設備に導入する事が困難である。また、上部よ
シウェハーに純水を噴出して同時に純水を重力で内槽底
部より排出する方法では、排水される純水の水面に浮遊
する塵埃が排水される過程でウェハーに再付着し、半導
体装置のバター／の細部に付着して除去困難となってし
まうという欠点がある。
、内槽底部より純水を供給して水洗を行なう構造となっ
ているので、純水の比抵抗が回復するまでに時間がかか
り、量産設備に導入する事が困難である。また、上部よ
シウェハーに純水を噴出して同時に純水を重力で内槽底
部より排出する方法では、排水される純水の水面に浮遊
する塵埃が排水される過程でウェハーに再付着し、半導
体装置のバター／の細部に付着して除去困難となってし
まうという欠点がある。
本発明の水洗装置は、底部よシ純水を導入できる水導入
用配管を接続した二重構造槽の内槽に、疎水性で、かつ
水よりも比重の大きな液体を貯液し、ウェハーが収納治
具に収納された状態で液体の中に浸漬し、さらに内槽底
部から水をフェノ・−へ接触させなから内槽上縁からあ
ふれ出させ、外槽で純水を回収し、排水する構造を有し
ている。
用配管を接続した二重構造槽の内槽に、疎水性で、かつ
水よりも比重の大きな液体を貯液し、ウェハーが収納治
具に収納された状態で液体の中に浸漬し、さらに内槽底
部から水をフェノ・−へ接触させなから内槽上縁からあ
ふれ出させ、外槽で純水を回収し、排水する構造を有し
ている。
次に、本発明について、図面を参照して説明する。第１
図は本発明の一実施例の斜視図である。
図は本発明の一実施例の斜視図である。
底部より純水を導入できる純水導入用配管１内槽２の底
部へ接続し、純水を矢印３の方向から供給し、疎水性で
かつ水より比重の大きな液体４中を通過し、内槽２の上
縁よりあふれ出し、外槽５によって排水を回収し、排水
管６を通り矢印７の方向へ排出する。
部へ接続し、純水を矢印３の方向から供給し、疎水性で
かつ水より比重の大きな液体４中を通過し、内槽２の上
縁よりあふれ出し、外槽５によって排水を回収し、排水
管６を通り矢印７の方向へ排出する。
第２図は、本発明の他の実施例の構造断面図である。底
部より純水を導入できる純水導入用配管１を内槽２の底
部へ接続し、純水を内槽２底部から整流板８を通し、均
一流にしたのち、疎水性でかつ水より比重の大きな液体
４中で被洗浄物ここでは収納治具９に収納されたウェハ
ー１０に接触させて内槽２からあふれ出させ、外槽５に
よって回収され、排水管６を通って排水させるものであ
る。
部より純水を導入できる純水導入用配管１を内槽２の底
部へ接続し、純水を内槽２底部から整流板８を通し、均
一流にしたのち、疎水性でかつ水より比重の大きな液体
４中で被洗浄物ここでは収納治具９に収納されたウェハ
ー１０に接触させて内槽２からあふれ出させ、外槽５に
よって回収され、排水管６を通って排水させるものであ
る。
以上説明したように本発明は底部において純水を導入で
きる純水導入用配管を接続した二重構造の槽の内槽に、
疎水性でかつ水よりも比重の大きな液体を貯液し、ウェ
ハーが収納治具に収納された状態で液体の中に浸漬され
、さらに内槽底部から純水をウェハーへ接触させなから
内槽上縁からあふれ出させ、外槽で純水ｔ−ｔａ収し、
排水する方法を採用することにより、液面上に浮遊する
塵埃は、内槽底部より供給される純水流により内槽上縁
からあふれ出させるので、浮遊塵埃のウェハーへの再付
着を防止する事ができる。また、前工程でウェハーの処
理に用いられた水溶性の酸、アルカリ、有機溶剤は、疎
水性でかつ水よりも比重の大きな液体中で純水流と接触
する事により、攪拌効果から純水中に溶解され、内槽上
縁からあふれ出させる為、ウェハー周囲の酸、アルカリ
、有機溶剤濃度が急激に低下することにより、水洗槽中
に於は名りエハー表面の薄膜のエツチングが進行すると
いう現象を抑制することが可能となる。
きる純水導入用配管を接続した二重構造の槽の内槽に、
疎水性でかつ水よりも比重の大きな液体を貯液し、ウェ
ハーが収納治具に収納された状態で液体の中に浸漬され
、さらに内槽底部から純水をウェハーへ接触させなから
内槽上縁からあふれ出させ、外槽で純水ｔ−ｔａ収し、
排水する方法を採用することにより、液面上に浮遊する
塵埃は、内槽底部より供給される純水流により内槽上縁
からあふれ出させるので、浮遊塵埃のウェハーへの再付
着を防止する事ができる。また、前工程でウェハーの処
理に用いられた水溶性の酸、アルカリ、有機溶剤は、疎
水性でかつ水よりも比重の大きな液体中で純水流と接触
する事により、攪拌効果から純水中に溶解され、内槽上
縁からあふれ出させる為、ウェハー周囲の酸、アルカリ
、有機溶剤濃度が急激に低下することにより、水洗槽中
に於は名りエハー表面の薄膜のエツチングが進行すると
いう現象を抑制することが可能となる。
このように本発明は、ウェハーに塵埃が再付着する事を
防ぎ、かつ酸、アルカリ、有機溶剤の混入による比抵抗
の降下を速やかに回復させることが実現できる水洗装置
を提供するものである。
防ぎ、かつ酸、アルカリ、有機溶剤の混入による比抵抗
の降下を速やかに回復させることが実現できる水洗装置
を提供するものである。
第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は本発明の
他の実施例の構造断面図、第３図は従来までの水洗装置
の一例を示す構造断面図及び配管図、第４図は第３図の
水洗装置の給排液の制御法を示す図である。 尚、図において、１・・・・・・純水導入用配管、２・
・・・・・内槽、３・・・・・・洗浄水導入方向を示す
矢印、４・・・・・・疎水性でかつ水より比重の大きな
液体、５・・・・・・外槽、６・・・・・・排水管、７
・・・・・・洗浄水排水方向を示す矢印、８・・・・・
・整流板、９・・・・・・収納治具、１０・・・・・・
ウェハー、１１・・・・・・内槽、１２・・・・・・純
水導入管、１３・・・・・・外槽、１４・・・・・・排
水管、１５・・・・・・純水噴出用ノズル、１６・・・
・・・給水弁、１７・・・・・・排水用配管、１８・・
・・・・排水弁、１９・・・・・・元配管、２０・・・
・・・純水噴出弁である。 第２図
他の実施例の構造断面図、第３図は従来までの水洗装置
の一例を示す構造断面図及び配管図、第４図は第３図の
水洗装置の給排液の制御法を示す図である。 尚、図において、１・・・・・・純水導入用配管、２・
・・・・・内槽、３・・・・・・洗浄水導入方向を示す
矢印、４・・・・・・疎水性でかつ水より比重の大きな
液体、５・・・・・・外槽、６・・・・・・排水管、７
・・・・・・洗浄水排水方向を示す矢印、８・・・・・
・整流板、９・・・・・・収納治具、１０・・・・・・
ウェハー、１１・・・・・・内槽、１２・・・・・・純
水導入管、１３・・・・・・外槽、１４・・・・・・排
水管、１５・・・・・・純水噴出用ノズル、１６・・・
・・・給水弁、１７・・・・・・排水用配管、１８・・
・・・・排水弁、１９・・・・・・元配管、２０・・・
・・・純水噴出弁である。 第２図
Claims (1)
- 底部において洗浄水を導入できる少なくとも１つの洗
浄水導入用配管を接続した内槽と、該内槽の全周にわた
って、該内槽上縁よりあふれ出す洗浄水を回収する構造
を有した外槽と、該内槽上縁よりあふれ出す洗浄水を排
水すべく該外槽底部に配設せしめた少なくとも１つの排
水管を有する水洗装置において、該内槽内部に疎水性で
かつ洗浄水よりも比重の大きな液体を、被洗浄物を完全
浸漬し、なおかつ該液体上面と該内槽上縁との間に洗浄
水を存在せしめ、該内槽上縁から洗浄水のみをあふれ出
させるべく貯液し、該内槽底部より洗浄水を導入し、該
液体中に被洗浄物を浸漬した状態で、被洗浄物の表面と
純水とを接触せしめ、被洗浄物を水洗する事を可能とす
ることを特徴とする水洗装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117185A JPS61160941A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 水洗装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP117185A JPS61160941A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 水洗装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61160941A true JPS61160941A (ja) | 1986-07-21 |
Family
ID=11493984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP117185A Pending JPS61160941A (ja) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | 水洗装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61160941A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6058947A (en) * | 1997-12-22 | 2000-05-09 | Seh America, Inc. | Contamination monitoring system |
-
1985
- 1985-01-08 JP JP117185A patent/JPS61160941A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6058947A (en) * | 1997-12-22 | 2000-05-09 | Seh America, Inc. | Contamination monitoring system |
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