JPH0691062B2 - 半導体スライスの洗浄方法 - Google Patents
半導体スライスの洗浄方法Info
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- JPH0691062B2 JPH0691062B2 JP60087969A JP8796985A JPH0691062B2 JP H0691062 B2 JPH0691062 B2 JP H0691062B2 JP 60087969 A JP60087969 A JP 60087969A JP 8796985 A JP8796985 A JP 8796985A JP H0691062 B2 JPH0691062 B2 JP H0691062B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置製造工程に使用されるキャリア
（半導体スライス収納用治具）に収納された半導体スラ
イス（以下ウェハーと呼ぶ）の水洗を行う洗浄方法に関
するものである。
（半導体スライス収納用治具）に収納された半導体スラ
イス（以下ウェハーと呼ぶ）の水洗を行う洗浄方法に関
するものである。
従来、ウェハーの自動洗浄装置は、作業者又は作業ロボ
ットが装置のキャリア設置位置にキャリアを設置する
と、搬送機構部がキャリアを把持し、これを洗浄槽、エ
ッチング槽、薄膜除去槽等へ浸漬し、各々の処理を行な
い、搬出して次の水洗槽へ浸漬し、水洗後、乾燥しキャ
リア取り出し位置まで自動搬送するが、水洗槽での水洗
方法には、純水の水位に無関係にキャリアを浸漬し、浸
漬後、純水を全量排水させると同時に、上から純水を噴
射し、水洗する方法や、内槽の底部から純水を供給し、
オーバーフローさせて水洗する方法、さらにウェハーの
頂部が空気中に露出しない様に純水水位を制御して排
水、給水をくり返して水洗する方法がある。
ットが装置のキャリア設置位置にキャリアを設置する
と、搬送機構部がキャリアを把持し、これを洗浄槽、エ
ッチング槽、薄膜除去槽等へ浸漬し、各々の処理を行な
い、搬出して次の水洗槽へ浸漬し、水洗後、乾燥しキャ
リア取り出し位置まで自動搬送するが、水洗槽での水洗
方法には、純水の水位に無関係にキャリアを浸漬し、浸
漬後、純水を全量排水させると同時に、上から純水を噴
射し、水洗する方法や、内槽の底部から純水を供給し、
オーバーフローさせて水洗する方法、さらにウェハーの
頂部が空気中に露出しない様に純水水位を制御して排
水、給水をくり返して水洗する方法がある。
第５図は、従来の自動洗浄装置の概念図で、第６図は従
来の自動洗浄装置に於ける水洗槽の配管系統図を表わ
し、第７図は、水洗槽の水位の変化とウェハーの頂部と
の関係を表わした図である。以下図面に従って詳細に説
明する。
来の自動洗浄装置に於ける水洗槽の配管系統図を表わ
し、第７図は、水洗槽の水位の変化とウェハーの頂部と
の関係を表わした図である。以下図面に従って詳細に説
明する。
キャリア設置部１に作業者又は作業ロボット（図示省
略）によって設置されたウェハーりキャリア２は、搬送
機構部３に把持されて、洗浄槽４、水洗槽６、乾燥機７
へと順次搬送され、キャリア搬出部８へ送られて処理完
了する。この水洗槽６は第６図に示されるごとく、内槽
９の底部に接続された純水導入用配管10によって純水を
供給し、内槽９の上縁よりオーバーフローさせ、そのオ
ーバーフロー分の純水を外槽11にて回収し、これを純水
排水用配管12を介して排水する。この間に、純水シャワ
ーノズル13から純水をキャリア２内のウェハーＷに噴射
してウェハー表面上の薬液や塵埃を除去する方法や、さ
らに内槽９に接続された内槽排水用配管14及び排水バル
ブ15を用い、排水バルブ15の開閉を制御することによ
り、第７図に示される様に液面をコントロールして水洗
する方法が一般的であった。
略）によって設置されたウェハーりキャリア２は、搬送
機構部３に把持されて、洗浄槽４、水洗槽６、乾燥機７
へと順次搬送され、キャリア搬出部８へ送られて処理完
了する。この水洗槽６は第６図に示されるごとく、内槽
９の底部に接続された純水導入用配管10によって純水を
供給し、内槽９の上縁よりオーバーフローさせ、そのオ
ーバーフロー分の純水を外槽11にて回収し、これを純水
排水用配管12を介して排水する。この間に、純水シャワ
ーノズル13から純水をキャリア２内のウェハーＷに噴射
してウェハー表面上の薬液や塵埃を除去する方法や、さ
らに内槽９に接続された内槽排水用配管14及び排水バル
ブ15を用い、排水バルブ15の開閉を制御することによ
り、第７図に示される様に液面をコントロールして水洗
する方法が一般的であった。
以上説明した様に従来の自動洗浄装置に於いては、作業
者又は作業ロボットが装置のキャリア設置位置にキャリ
アを設置すると搬送機構がキャリアを把持し、洗浄槽、
エッチング槽、薄膜除去槽等へ浸漬し、各々の処理を行
なった後、搬出して、次の水洗槽へ浸漬するものである
が、この水洗槽に浸漬する際、純水の水位の高低に無関
係に浸漬するため、純水水位が浸漬されたキャリア内の
ウェハー頭頂部より低い場合があり、ウェハーのうち空
気中に放置された部位には前槽の薬品が残留しているた
めに、洗浄液やエッチング液によるアフターコロージョ
ンが発生し、ウェハー上の薄膜を必要以上に除去してし
まうため、LSI、超LSIのような微細パターンの場合に
は、デバイスの不良までも誘発するといった欠点があっ
た。また、純水水位をウェハー頂部よりも上に保ち、上
記欠点を克服するべく対策を施した自動洗浄装置におい
ても、水洗槽の水洗シーケンスにより、搬送機構が水洗
槽にウェハーを搬入した後、急速に純水の排出を行なう
ために、キャリアやウェハーに前槽から持ち込んだ微小
塵埃が水面上に浮遊しながらウェハーに再付着し、除去
困難となってしまう。さらに、ウェハー表面まで水位を
下降させずに水洗シーケンスをコントロールすると、前
槽の洗浄液、エッチング液等をキャリアやウェハーに付
着させた状態で持ち込むために、純水の比抵抗上昇が遅
くなり、完全な水洗が行なわれないだけでなく、弱酸、
弱アルカリ中にウェハーを放置してしまうこととなるの
で、ウェハー表面が再エッチングされ、薄膜を必要以上
に除去してしまうといった種々の欠点があった。
者又は作業ロボットが装置のキャリア設置位置にキャリ
アを設置すると搬送機構がキャリアを把持し、洗浄槽、
エッチング槽、薄膜除去槽等へ浸漬し、各々の処理を行
なった後、搬出して、次の水洗槽へ浸漬するものである
が、この水洗槽に浸漬する際、純水の水位の高低に無関
係に浸漬するため、純水水位が浸漬されたキャリア内の
ウェハー頭頂部より低い場合があり、ウェハーのうち空
気中に放置された部位には前槽の薬品が残留しているた
めに、洗浄液やエッチング液によるアフターコロージョ
ンが発生し、ウェハー上の薄膜を必要以上に除去してし
まうため、LSI、超LSIのような微細パターンの場合に
は、デバイスの不良までも誘発するといった欠点があっ
た。また、純水水位をウェハー頂部よりも上に保ち、上
記欠点を克服するべく対策を施した自動洗浄装置におい
ても、水洗槽の水洗シーケンスにより、搬送機構が水洗
槽にウェハーを搬入した後、急速に純水の排出を行なう
ために、キャリアやウェハーに前槽から持ち込んだ微小
塵埃が水面上に浮遊しながらウェハーに再付着し、除去
困難となってしまう。さらに、ウェハー表面まで水位を
下降させずに水洗シーケンスをコントロールすると、前
槽の洗浄液、エッチング液等をキャリアやウェハーに付
着させた状態で持ち込むために、純水の比抵抗上昇が遅
くなり、完全な水洗が行なわれないだけでなく、弱酸、
弱アルカリ中にウェハーを放置してしまうこととなるの
で、ウェハー表面が再エッチングされ、薄膜を必要以上
に除去してしまうといった種々の欠点があった。
本発明は前記問題点を解消した洗浄方法を提供するもの
である。
である。
上記目的を達成するため、本発明による半導体スライス
の洗浄方法においては、半導体スライスをキャリアに支
持し、該キャリアを洗浄槽，水洗槽，乾燥槽へ順に搬送
し、各槽にてキャリアに搭載された半導体スライスを処
理する装置における半導体スライスの洗浄方法であっ
て、 半導体スライスの水洗槽への搬入は、槽内にその底部か
ら純水を供給し、槽の上縁より純水をオーバーフローさ
せつつ槽内の水面下に浸漬させるものであり、 半導体スライスの水洗いは、槽内の半導体スライスの頂
部位置と、オーバーフローする上限位置との範囲で純水
の給排を繰返しつつ行うものであり、 半導体スライスの搬出は、槽内から純水がオーバーフロ
ーした状態で行うものであり、 次の半導体スライスの搬入は、槽内の純水を排水し、一
旦空にした後、槽内にその底部から純水を供給し、槽の
上縁より純水がオーバーフローしたことを確認した後に
行うものである。
の洗浄方法においては、半導体スライスをキャリアに支
持し、該キャリアを洗浄槽，水洗槽，乾燥槽へ順に搬送
し、各槽にてキャリアに搭載された半導体スライスを処
理する装置における半導体スライスの洗浄方法であっ
て、 半導体スライスの水洗槽への搬入は、槽内にその底部か
ら純水を供給し、槽の上縁より純水をオーバーフローさ
せつつ槽内の水面下に浸漬させるものであり、 半導体スライスの水洗いは、槽内の半導体スライスの頂
部位置と、オーバーフローする上限位置との範囲で純水
の給排を繰返しつつ行うものであり、 半導体スライスの搬出は、槽内から純水がオーバーフロ
ーした状態で行うものであり、 次の半導体スライスの搬入は、槽内の純水を排水し、一
旦空にした後、槽内にその底部から純水を供給し、槽の
上縁より純水がオーバーフローしたことを確認した後に
行うものである。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は水洗
槽の断面及び配管図、第３図は水洗槽の水位と時間、キ
ャリア搬入、搬出との相関関係をタイムチャート、第４
図は制御フローチャートの実施例を表わす。
る。第１図は本発明の一実施例の斜視図、第２図は水洗
槽の断面及び配管図、第３図は水洗槽の水位と時間、キ
ャリア搬入、搬出との相関関係をタイムチャート、第４
図は制御フローチャートの実施例を表わす。
キャリア設置部１に作業者又は作業ロボット（図示省
略）によって設置されたウェハー入りキャリア２は、搬
送機構部３に把持されて、半導体スライスをエッチング
処理する、或いはスライス上の薄膜を剥離する洗浄槽
４、水位センサー５付水洗槽６、乾燥機７へと順次搬送
され、キャリア搬出部８へ送られて処理が完了する。こ
の水洗槽６は第２図に示されるごとく、内槽９の底部に
接続された純水導入用配管10によって純水が供給され、
内槽９上縁よりオーバーフローした純水を外槽11で受
け、純水排水用配管12を介して排水される構造を有し、
内槽９上縁部に、水位を検出する水位センサー５を具備
している。
略）によって設置されたウェハー入りキャリア２は、搬
送機構部３に把持されて、半導体スライスをエッチング
処理する、或いはスライス上の薄膜を剥離する洗浄槽
４、水位センサー５付水洗槽６、乾燥機７へと順次搬送
され、キャリア搬出部８へ送られて処理が完了する。こ
の水洗槽６は第２図に示されるごとく、内槽９の底部に
接続された純水導入用配管10によって純水が供給され、
内槽９上縁よりオーバーフローした純水を外槽11で受
け、純水排水用配管12を介して排水される構造を有し、
内槽９上縁部に、水位を検出する水位センサー５を具備
している。
この水洗槽６の内槽９から純水がオーバーフローしてい
る状態で、キャリア２に入ったウェハーＷを搬送機構部
３によって水洗槽６に浸漬し、浸漬後、内槽排水用配管
14の内槽排水用バルブ15をあけて内槽９の水位を低下さ
せ、キャリア２に入ったウェハーＷの頂部より上部に水
面がある時に排水バルブ15を閉じ、その後純水供給配管
10から純水を供給して、内槽９の水位を上昇させ、再び
オーバーフローさせる。この後、内槽９から純水がオー
バーフローした状態でキャリア２に入ったウェハーＷを
搬送機構部３によって搬出し、純水を排水して槽内を一
旦空にし、そののち内槽排水バルブ15を閉じ、純水供給
配管10から純水を供給し、内槽９の水位を上昇させ、オ
ーバーフローさせる。第３図にそのフローを示す。オー
バーフローをしていること内槽９上縁部に設置した水位
センサー５によって検知し、オーバーフローを確認した
のちに次のキャリアに入ったウェハーを搬送機構部３に
よって搬入させる。
る状態で、キャリア２に入ったウェハーＷを搬送機構部
３によって水洗槽６に浸漬し、浸漬後、内槽排水用配管
14の内槽排水用バルブ15をあけて内槽９の水位を低下さ
せ、キャリア２に入ったウェハーＷの頂部より上部に水
面がある時に排水バルブ15を閉じ、その後純水供給配管
10から純水を供給して、内槽９の水位を上昇させ、再び
オーバーフローさせる。この後、内槽９から純水がオー
バーフローした状態でキャリア２に入ったウェハーＷを
搬送機構部３によって搬出し、純水を排水して槽内を一
旦空にし、そののち内槽排水バルブ15を閉じ、純水供給
配管10から純水を供給し、内槽９の水位を上昇させ、オ
ーバーフローさせる。第３図にそのフローを示す。オー
バーフローをしていること内槽９上縁部に設置した水位
センサー５によって検知し、オーバーフローを確認した
のちに次のキャリアに入ったウェハーを搬送機構部３に
よって搬入させる。
第４図は以上のシーケンスをタイマー３個とカウンター
１個を用いて実施した実施例のフローチャトである。こ
こで、T1は内槽排水バルブ15開及び内槽純水給水停止の
時間設定であり、自動運転前に任意に、ウェハーの頂部
が露出しない様に設定する。T2は内槽排水バルブ15閉及
び内槽純水給水の時間設定である。T3はキャリア搬出
後、内槽排水バルブ15開の時間設定である。カウンター
はT1,T2の繰り返し回数を規定するカウンターで、純水
の比抵抗値の回復状況によって設定するものである。
又、内槽９内のキャリア２に入ったウェハーＷに純水を
噴射すべく設置したノズル13でウェハーに純水を噴射す
ることも可能である。
１個を用いて実施した実施例のフローチャトである。こ
こで、T1は内槽排水バルブ15開及び内槽純水給水停止の
時間設定であり、自動運転前に任意に、ウェハーの頂部
が露出しない様に設定する。T2は内槽排水バルブ15閉及
び内槽純水給水の時間設定である。T3はキャリア搬出
後、内槽排水バルブ15開の時間設定である。カウンター
はT1,T2の繰り返し回数を規定するカウンターで、純水
の比抵抗値の回復状況によって設定するものである。
又、内槽９内のキャリア２に入ったウェハーＷに純水を
噴射すべく設置したノズル13でウェハーに純水を噴射す
ることも可能である。
以上説明したように、本発明は水洗槽より純水をオーバ
ーフローしている状態にて搬送機構部がキャリアに入っ
たウェハーを浸漬し、その後排水バルブを開けて少なく
ともウェハーの頂部よりも上の水位まで排水したのち、
排水バルブを閉じ、純水給水し、再度オーバーフローさ
せるというシーケンスを何度かくり返し、キャリアに入
ったウェハーを搬送機構部によって搬出させた後、槽の
排水バルブを開け、槽の純水を全量引き抜き、排水バル
ブを閉じて純水給水しオーバーフローさせ、この時内槽
上縁に設置された水位センサーによってオーバーフロー
が確認された後、次のキャリアに入ったウェハーを搬送
機構部によって水洗槽に浸漬させるために、ウェハーは
必ず純水がオーバーフローしている時に水洗槽に浸漬さ
れ、水洗され、前段の槽の洗浄液がウェハー上に残留し
た状態で放置される様な事態にならず、アフターコロー
ジョン等のウェハー上の薄膜浸食を防止できる。さらに
水洗中には、キャリアに入ったウェハーが空気中に露出
しないため、水面上に浮遊する塵埃がウェハーに再付着
せず、常に清浄な水洗を行うことができ、又、水洗終了
時にキャリアを搬出した後に、槽内の純水を全量引き抜
くため、常に新しい比抵抗の高い純水で水洗できること
から、水洗中のアフターコロージョンは従来までの方法
と比較して激減できる効果を有するものである。
ーフローしている状態にて搬送機構部がキャリアに入っ
たウェハーを浸漬し、その後排水バルブを開けて少なく
ともウェハーの頂部よりも上の水位まで排水したのち、
排水バルブを閉じ、純水給水し、再度オーバーフローさ
せるというシーケンスを何度かくり返し、キャリアに入
ったウェハーを搬送機構部によって搬出させた後、槽の
排水バルブを開け、槽の純水を全量引き抜き、排水バル
ブを閉じて純水給水しオーバーフローさせ、この時内槽
上縁に設置された水位センサーによってオーバーフロー
が確認された後、次のキャリアに入ったウェハーを搬送
機構部によって水洗槽に浸漬させるために、ウェハーは
必ず純水がオーバーフローしている時に水洗槽に浸漬さ
れ、水洗され、前段の槽の洗浄液がウェハー上に残留し
た状態で放置される様な事態にならず、アフターコロー
ジョン等のウェハー上の薄膜浸食を防止できる。さらに
水洗中には、キャリアに入ったウェハーが空気中に露出
しないため、水面上に浮遊する塵埃がウェハーに再付着
せず、常に清浄な水洗を行うことができ、又、水洗終了
時にキャリアを搬出した後に、槽内の純水を全量引き抜
くため、常に新しい比抵抗の高い純水で水洗できること
から、水洗中のアフターコロージョンは従来までの方法
と比較して激減できる効果を有するものである。
第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図は水洗
槽の断面図、第３図は水洗槽の水位と時間、キャリア搬
入、搬出との相関関係を示すタイムチヤート、第４図は
制御シーケンスのフローチャート、第５図は従来の自動
洗浄装置の斜視図、第６図は従来の自動洗浄装置の水洗
槽の断面図、第７図は、従来の自動洗浄装置における水
洗槽の水位の変化とウェハーの頭頂部との関係を表した
図である。 １……キャリア設置部、２……ウェハー入りキャリア、
３……搬送機構部、４……洗浄槽、５……水位センサ
ー、６……水洗槽、７……乾燥機、８……キャリア搬出
部、９……内槽、10……純水導入用配管、11……外槽、
13……純水シャワーノズル、14……内槽排水用配管、15
……内槽排水用バルブ。
槽の断面図、第３図は水洗槽の水位と時間、キャリア搬
入、搬出との相関関係を示すタイムチヤート、第４図は
制御シーケンスのフローチャート、第５図は従来の自動
洗浄装置の斜視図、第６図は従来の自動洗浄装置の水洗
槽の断面図、第７図は、従来の自動洗浄装置における水
洗槽の水位の変化とウェハーの頭頂部との関係を表した
図である。 １……キャリア設置部、２……ウェハー入りキャリア、
３……搬送機構部、４……洗浄槽、５……水位センサ
ー、６……水洗槽、７……乾燥機、８……キャリア搬出
部、９……内槽、10……純水導入用配管、11……外槽、
13……純水シャワーノズル、14……内槽排水用配管、15
……内槽排水用バルブ。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体スライスをキャリアに支持し、該キ
ャリアを洗浄槽，水洗槽，乾燥槽へ順に搬送し、各槽に
てキャリアに搭載された半導体スライスを処理する装置
における半導体スライスの洗浄方法であって、 半導体スライスの水洗槽への搬入は、槽内にその底部か
ら純水を供給し、槽の上縁より純水をオーバーフローさ
せつつ槽内の水面下に浸漬させるものであり、 半導体スライスの水洗いは、槽内の半導体スライスの頂
部位置と、オーバーフローする上限位置との範囲で純水
の給排を繰返しつつ行うものであり、 半導体スライスの搬出は、槽内から純水がオーバーフロ
ーした状態で行うものであり、 次の半導体スライスの搬入は、槽内の純水を排水し、一
旦空にした後、槽内にその底部から純水を供給し、槽の
上縁より純水がオーバーフローしたことを確認した後に
行うものであることを特徴とする半導体スライスの洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087969A JPH0691062B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体スライスの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60087969A JPH0691062B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体スライスの洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247034A JPS61247034A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0691062B2 true JPH0691062B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=13929674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60087969A Expired - Fee Related JPH0691062B2 (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体スライスの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691062B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02146428U (ja) * | 1989-05-15 | 1990-12-12 | ||
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