JPH01138721A - ウェットエッチング装置 - Google Patents
ウェットエッチング装置Info
- Publication number
- JPH01138721A JPH01138721A JP29803487A JP29803487A JPH01138721A JP H01138721 A JPH01138721 A JP H01138721A JP 29803487 A JP29803487 A JP 29803487A JP 29803487 A JP29803487 A JP 29803487A JP H01138721 A JPH01138721 A JP H01138721A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- vessel
- substrate
- pure water
- tank
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
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- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はウェットエツチング装置に関し、特に半導体基
板におけるエツチング後の水洗方法に関する。
板におけるエツチング後の水洗方法に関する。
従来、ウェットエツチング装置では、エツチングが終了
した基板をエツチング槽から持ち上げ、別の槽である水
洗槽につけることにより基板にっいたエツチング液を洗
い流していた。
した基板をエツチング槽から持ち上げ、別の槽である水
洗槽につけることにより基板にっいたエツチング液を洗
い流していた。
上述した従来ウェットエツチング装置では、エツチング
槽から一旦持ち上げてから水洗槽につける為に、エツチ
ング槽内のエツチング液中のパーティクルが付着した状
態で持ち上げられるという欠点がある。このパーティク
ルは、次の水洗槽につかるまでの空中でさらに付着力を
強固にし、水洗槽では離脱することはない。また、エツ
チング液中のパーティクルを除去する為に循環濾過を行
っているものもあるが、エツチング槽内に基板と共に持
ち込まれたパーティクルを、数分のエツチング時間内に
除去することは不可能である。
槽から一旦持ち上げてから水洗槽につける為に、エツチ
ング槽内のエツチング液中のパーティクルが付着した状
態で持ち上げられるという欠点がある。このパーティク
ルは、次の水洗槽につかるまでの空中でさらに付着力を
強固にし、水洗槽では離脱することはない。また、エツ
チング液中のパーティクルを除去する為に循環濾過を行
っているものもあるが、エツチング槽内に基板と共に持
ち込まれたパーティクルを、数分のエツチング時間内に
除去することは不可能である。
上述した従来ウェットエツチング装置に対し、本発明は
、基板をエツチング槽より持ち上げることなく、液中に
浸漬した状態で同一槽にて水洗を行うことが出来ると〜
・う相違点を有する。
、基板をエツチング槽より持ち上げることなく、液中に
浸漬した状態で同一槽にて水洗を行うことが出来ると〜
・う相違点を有する。
本発明のウェットエツチング装置では、純水を供給する
為の給水口とエツチング槽からのオーバーフローを受け
る外槽及び排水口をもった、エツチング槽を有する。
為の給水口とエツチング槽からのオーバーフローを受け
る外槽及び排水口をもった、エツチング槽を有する。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
エツチング槽1の下部に給水口2、上部周囲に外槽3が
あり、外槽3には排水口4がある。最初はエツチング槽
1はエツチング液で満されている、エツチング槽1内に
基板5が侵されエツチングが行なわれる。エツチングの
終了と同時にバルブ6を開き純水を供給する。純水によ
り薄められたエツチング液はオーバーフローし、外槽3
に流れ、排水口4より排水される。基板5はエツチング
槽l内が充分に純水で置換された後取り出され次の処理
が行なわれる。
あり、外槽3には排水口4がある。最初はエツチング槽
1はエツチング液で満されている、エツチング槽1内に
基板5が侵されエツチングが行なわれる。エツチングの
終了と同時にバルブ6を開き純水を供給する。純水によ
り薄められたエツチング液はオーバーフローし、外槽3
に流れ、排水口4より排水される。基板5はエツチング
槽l内が充分に純水で置換された後取り出され次の処理
が行なわれる。
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
エツチング槽8の下部に給水口9と、排水g10がある
。エツチング槽8内を純水置換する際、バルブ14を開
き、エツチング液を液面が基板13に触れるぎりぎりの
レベルまで排水する。次にバルブ14を閉めた後、バル
ブ15を開き純水を供給しオーバーフローさせる。その
後も同様にバルブ14とバルブ15を交互に開閉するこ
とにより、エツチング槽8内を純水置換することが出来
る。
。エツチング槽8内を純水置換する際、バルブ14を開
き、エツチング液を液面が基板13に触れるぎりぎりの
レベルまで排水する。次にバルブ14を閉めた後、バル
ブ15を開き純水を供給しオーバーフローさせる。その
後も同様にバルブ14とバルブ15を交互に開閉するこ
とにより、エツチング槽8内を純水置換することが出来
る。
この実施例は槽内な早く置換出来るという利点がある。
以上説明したように本発明により基板を空気中にさらす
ことなく、液中に浸漬した状態で同一槽にてエツチング
と水洗が可能となる。基板は、槽内が清浄な純水で置換
された後取り出される為、基板へのパーティクル付着を
防止できる。
ことなく、液中に浸漬した状態で同一槽にてエツチング
と水洗が可能となる。基板は、槽内が清浄な純水で置換
された後取り出される為、基板へのパーティクル付着を
防止できる。
第1図は実施例1の縦断面図である。
第2図は実施例2の縦断面図である。
1・・・・・・エツチング槽、2・・・・・・給水口、
3・旧・・外槽、4・・・・・・排水口、5・・・・・
・基板、6・旧・・給水バルブ、7・・・・・・給液管
、8・・・・・・エツチング槽、9・・・・・・給水口
、10・・・・・・排水口、11・・団・外槽、12・
・・・・・排水口、13・・・・・・基板、14・・・
・・・給水バルブ、15・・・・・・排水バルブ、16
・・・・・・給液管。 代理人 弁理士 内 原 音
3・旧・・外槽、4・・・・・・排水口、5・・・・・
・基板、6・旧・・給水バルブ、7・・・・・・給液管
、8・・・・・・エツチング槽、9・・・・・・給水口
、10・・・・・・排水口、11・・団・外槽、12・
・・・・・排水口、13・・・・・・基板、14・・・
・・・給水バルブ、15・・・・・・排水バルブ、16
・・・・・・給液管。 代理人 弁理士 内 原 音
Claims (1)
- ディップ式のウェットエッチングにおいて、基板を液
中に浸漬した状態でエッチングと水洗を同一槽内で行う
ことを特徴とするウェットエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29803487A JPH01138721A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29803487A JPH01138721A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ウェットエッチング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01138721A true JPH01138721A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17854266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29803487A Pending JPH01138721A (ja) | 1987-11-25 | 1987-11-25 | ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01138721A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227001A (en) * | 1990-10-19 | 1993-07-13 | Integrated Process Equipment Corporation | Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method |
US5730162A (en) * | 1995-01-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrates |
EP0782889A3 (en) * | 1995-12-07 | 1998-07-08 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates |
US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
-
1987
- 1987-11-25 JP JP29803487A patent/JPH01138721A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5227001A (en) * | 1990-10-19 | 1993-07-13 | Integrated Process Equipment Corporation | Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method |
US5730162A (en) * | 1995-01-12 | 1998-03-24 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrates |
US5817185A (en) * | 1995-01-12 | 1998-10-06 | Tokyo Electron Limited | Method for washing substrates |
EP0782889A3 (en) * | 1995-12-07 | 1998-07-08 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates |
US6001191A (en) * | 1995-12-07 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus |
US6431184B1 (en) | 1997-08-05 | 2002-08-13 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for washing substrate |
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