JPH01138721A - ウェットエッチング装置 - Google Patents

ウェットエッチング装置

Info

Publication number
JPH01138721A
JPH01138721A JP29803487A JP29803487A JPH01138721A JP H01138721 A JPH01138721 A JP H01138721A JP 29803487 A JP29803487 A JP 29803487A JP 29803487 A JP29803487 A JP 29803487A JP H01138721 A JPH01138721 A JP H01138721A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
vessel
substrate
pure water
tank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP29803487A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuo Narutomi
成富 康夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamaguchi Ltd
Original Assignee
NEC Yamaguchi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Yamaguchi Ltd filed Critical NEC Yamaguchi Ltd
Priority to JP29803487A priority Critical patent/JPH01138721A/ja
Publication of JPH01138721A publication Critical patent/JPH01138721A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はウェットエツチング装置に関し、特に半導体基
板におけるエツチング後の水洗方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、ウェットエツチング装置では、エツチングが終了
した基板をエツチング槽から持ち上げ、別の槽である水
洗槽につけることにより基板にっいたエツチング液を洗
い流していた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来ウェットエツチング装置では、エツチング
槽から一旦持ち上げてから水洗槽につける為に、エツチ
ング槽内のエツチング液中のパーティクルが付着した状
態で持ち上げられるという欠点がある。このパーティク
ルは、次の水洗槽につかるまでの空中でさらに付着力を
強固にし、水洗槽では離脱することはない。また、エツ
チング液中のパーティクルを除去する為に循環濾過を行
っているものもあるが、エツチング槽内に基板と共に持
ち込まれたパーティクルを、数分のエツチング時間内に
除去することは不可能である。
上述した従来ウェットエツチング装置に対し、本発明は
、基板をエツチング槽より持ち上げることなく、液中に
浸漬した状態で同一槽にて水洗を行うことが出来ると〜
・う相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のウェットエツチング装置では、純水を供給する
為の給水口とエツチング槽からのオーバーフローを受け
る外槽及び排水口をもった、エツチング槽を有する。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の縦断面図である。
エツチング槽1の下部に給水口2、上部周囲に外槽3が
あり、外槽3には排水口4がある。最初はエツチング槽
1はエツチング液で満されている、エツチング槽1内に
基板5が侵されエツチングが行なわれる。エツチングの
終了と同時にバルブ6を開き純水を供給する。純水によ
り薄められたエツチング液はオーバーフローし、外槽3
に流れ、排水口4より排水される。基板5はエツチング
槽l内が充分に純水で置換された後取り出され次の処理
が行なわれる。
第2図は本発明の実施例2の縦断面図である。
エツチング槽8の下部に給水口9と、排水g10がある
。エツチング槽8内を純水置換する際、バルブ14を開
き、エツチング液を液面が基板13に触れるぎりぎりの
レベルまで排水する。次にバルブ14を閉めた後、バル
ブ15を開き純水を供給しオーバーフローさせる。その
後も同様にバルブ14とバルブ15を交互に開閉するこ
とにより、エツチング槽8内を純水置換することが出来
る。
この実施例は槽内な早く置換出来るという利点がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明により基板を空気中にさらす
ことなく、液中に浸漬した状態で同一槽にてエツチング
と水洗が可能となる。基板は、槽内が清浄な純水で置換
された後取り出される為、基板へのパーティクル付着を
防止できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例1の縦断面図である。 第2図は実施例2の縦断面図である。 1・・・・・・エツチング槽、2・・・・・・給水口、
3・旧・・外槽、4・・・・・・排水口、5・・・・・
・基板、6・旧・・給水バルブ、7・・・・・・給液管
、8・・・・・・エツチング槽、9・・・・・・給水口
、10・・・・・・排水口、11・・団・外槽、12・
・・・・・排水口、13・・・・・・基板、14・・・
・・・給水バルブ、15・・・・・・排水バルブ、16
・・・・・・給液管。 代理人 弁理士  内 原   音

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  ディップ式のウェットエッチングにおいて、基板を液
    中に浸漬した状態でエッチングと水洗を同一槽内で行う
    ことを特徴とするウェットエッチング装置。
JP29803487A 1987-11-25 1987-11-25 ウェットエッチング装置 Pending JPH01138721A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29803487A JPH01138721A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 ウェットエッチング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP29803487A JPH01138721A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 ウェットエッチング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01138721A true JPH01138721A (ja) 1989-05-31

Family

ID=17854266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP29803487A Pending JPH01138721A (ja) 1987-11-25 1987-11-25 ウェットエッチング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01138721A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227001A (en) * 1990-10-19 1993-07-13 Integrated Process Equipment Corporation Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
EP0782889A3 (en) * 1995-12-07 1998-07-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates
US6431184B1 (en) 1997-08-05 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5227001A (en) * 1990-10-19 1993-07-13 Integrated Process Equipment Corporation Integrated dry-wet semiconductor layer removal apparatus and method
US5730162A (en) * 1995-01-12 1998-03-24 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrates
US5817185A (en) * 1995-01-12 1998-10-06 Tokyo Electron Limited Method for washing substrates
EP0782889A3 (en) * 1995-12-07 1998-07-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for washing or for washing-drying substrates
US6001191A (en) * 1995-12-07 1999-12-14 Tokyo Electron Limited Substrate washing method, substrate washing-drying method, substrate washing apparatus and substrate washing-drying apparatus
US6431184B1 (en) 1997-08-05 2002-08-13 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for washing substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN209880549U (zh) 批次式湿法蚀刻清洗装置
JPH01138721A (ja) ウェットエッチング装置
JPH0691062B2 (ja) 半導体スライスの洗浄方法
JP3898257B2 (ja) ウエハ洗浄装置及びウエハ洗浄方法
JP4215869B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JPH0437131A (ja) 半導体ウエハの純水水洗槽及び水洗方法
JP2000100761A (ja) 半導体装置の製造方法及び製造装置
JPH04124824A (ja) 半導体ウェハの洗浄方法
KR930011433B1 (ko) 기판의 물빼기 건조장치
JP3756321B2 (ja) 基板処理装置および方法
JP3891776B2 (ja) 基板処理装置
KR0175280B1 (ko) 수중이동식 반도체 웨이퍼의 세정장치
JPS6169983A (ja) 処理装置
CN110544649A (zh) 批次式湿法蚀刻清洗装置及批次式湿法蚀刻清洗方法
JPH06267923A (ja) 半導体基板の洗浄装置
JPS62190729A (ja) 水洗装置
JPH03203234A (ja) ウエハ洗浄装置
JPH01242116A (ja) 循環濾過装置
KR100632044B1 (ko) 웨이퍼의 세정장치 및 방법
JPH088221A (ja) 半導体基板のウエット処理装置
JPH0226028A (ja) 純水洗浄槽及び純水洗浄方法
JPH01265522A (ja) 半導体基板ウェットエッチング装置
JPH08323306A (ja) 基板処理装置及び方法
JPH10150012A (ja) 基板処理装置
JP2000068241A (ja) 基板処理方法