KR100639709B1 - 반도체 제조 공정에서의 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법 - Google Patents

반도체 제조 공정에서의 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 제조 공정에서의 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것이다. 기판 세정 장치는 제반 동작을 제어하는 제어부와, 처리조 상부에 샤워와 이에 연결되는 배관 및 밸브들을 구비한다. 제어부는 처리조에 들어있는 웨이퍼 기판이 파손되거나, 처리조의 하드웨어 불량 상태가 발생되면, 처리조 내에 있는 웨이퍼 기판의 손상을 방지하도록 배액과 샤워를 한다. 따라서 본 발명에 의하면, 이상 발생으로 인하여 발생되는 웨이퍼 기판의 손상을 방지함으로써, 반도체 디바이스의 불량률을 최소화하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
기판 세정 장치, 처리조, 이상 발생, 샤워

Description

반도체 제조 공정에서의 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법{WAFER CLEANNING SYSTEM AND METHOD FOR CINTROLLING THEREOF}
도 1은 일반적인 기판 세정 장치의 일부 구성을 도시한 도면;
도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 블럭도;
도 3은 도 2에 도시된 세정 처리부의 일 실시예에 따른 구성을 도시한 도면;
도 4는 도 2에 도시된 세정 처리부의 다른 실시예에 따른 구성을 도시한 도면;
도 5는 도 2에 도시된 기판 세정 장치의 타이밍도;
도 6은 도 2에 도시된 기판 세정 장치의 선 처리 기판에서의 이상 발생시, 처리 동작을 나타내는 도면;
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도; 그리고
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치의 동작 수순을 도시한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100, 100' : 기판 세정 장치 102 : 제어부
104 : 중앙처리장치 106 : 메모리부
108 : 알람부 110, 110' : 배스 유닛
112 : 샤워 114, 122 : 밸브
116 : 배관 120, 120' : 순환 유닛
124 : 히터 124' : 온도 센서
126 : 버퍼 탱크 126' : 배액용 탱크
130 : 로봇
본 발명은 반도체 제조 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 반도체 세정 공정에서의 선처리 기판에 이상 발생시, 긴급 조치를 위한 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 기술의 발달로 웨이퍼 기판의 직경이 예컨대, 300mm로 대형화되고, 소자가 더욱 고집적화 됨에 따라 웨이퍼 기판 표면에서 제거되어야 할 오염물의 수준이 더욱 엄격하게 요구되고 있다. 또한 습식 세정 공정에서 장비의 거대화와 세정 흔적의 증가, 화학액과 순수(DI water)의 사용량 증가에 따른 경제적, 환경적 문제점이 야기되고 있는 실정이다. 이에 많은 반도체 소자 제조 회사에서는 세정 공정의 공정 단계를 줄이고, 화학액과 순수의 사용량을 획기적으로 절감할 수 있는 세정 공정의 개발과 이에 대응하는 새로운 개념의 세정 장비 개발에 힘을 기울이고 있다. 그러나 이러한 개발에도 불구하고, 처리조에서의 이상이 발생되면, 후속 조처를 위한 세정 공정 및 세정 장치가 마련되지 못하여 웨이퍼 기판의 손상 및 생산성이 저하되는 경우가 빈번하다.
도 1을 참조하면, 일반적인 기판 세정 장치(10)는 웨이퍼 기판(2)을 이송하기 위한 로봇(12)과 다수의 처리조(14)들을 구비하고, 로봇(12)을 이용하여 웨이퍼 기판(2)을 각 처리조(14)에 순차적으로 로딩 및 언로딩하여 세정 및 건조 공정을 처리한다. 예를 들어, 처리조(14)는 웨이퍼를 로딩하는 로딩 처리조(LD), LAL 용액(또는 HF 용액)으로 세정하는 LAL 처리조(LAL), 급속 세척을 위한 퀵 덤프 린스 처리조(QDR), SC-1 용액으로 세정하는 SC-1 처리조(SC-1), 고온 급속 세척을 위한 고온 퀵 덤프 린스 처리조(HQDR), 최종 린스/건조 처리조(FRD) 및 세정 공정이 완료된 웨이퍼 기판을 언로딩하기 위한 언로딩 처리조(U/LD) 등이 포함된다.
이 때, 세정 공정 진행 중에 선 처리조(예를 들어, LAL 처리조 또는 SC-1 처리조)에서 웨이퍼 기판 파손, 로봇 이상, 센서 이상 또는 처리 시간 초과 등의 치명적인 이상이 발생되면, 처리 중인 웨이퍼 기판을 긴급 대피시켜야 한다.
선 처리조에서의 이상 발생 및 하드웨어 트러블의 유형은 다양하다. 예를 들어, 로봇에 의해 조치가 가능한 것은 상황에 따라 웨이퍼 기판을 다른 처리조(예를 들어, QDR 처리조 또는 HQDR 처리조)에 이동시킬 수 있다. 그러나 로봇의 이상 발생의 경우에는 웨이퍼를 다른 처리조로 이동시킬 수 없으며, 또한 다른 처리조에서 다른 웨이퍼 기판의 세정 공정이 진행 중인 경우에는 웨이퍼 기판을 이동시키기 위한 신속한 대응이 불가능하게 됨으로써, 웨이퍼 기판이 약액 등에 의해서 손상되는 치명적인 사고가 발생된다.
본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 선처리 웨이퍼 기판 또는 선 처리조에서의 이상 발생시 긴급 조치를 위한 기판 세정 장치를 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 선처리 웨이퍼 기판 또는 선 처리조에서의 이상 발생시 긴급 조치를 위한 기판 세정 장치의 제어 방법을 제공하는데 있다.
따라서 본 발명의 목적은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 선처리 웨이퍼 기판 또는 선 처리조에서의 이상 발생시 긴급 조치하여 웨이퍼 기판의 손상을 방지하고, 생산성을 향상시키기 위한 기판 세정 장치 및 그의 제어 방법을 구현하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 기판 세정 장치는, 웨이퍼 기판을 세정하는 처리조와; 상기 처리조로 약액 및/또는 순수를 공급하고, 상기 웨이퍼 기판의 세정 후, 상기 약액 및/또는 순수를 배출하기 위한 순환부와;
상기 처리조로 상기 순수를 분출하기 위한 샤워 및; 상기 처리조에 상기 웨이퍼 기판이 로딩된 상태에서 이상이 발생되면, 상기 약액을 배출하고, 상기 순수를 분출하도록 상기 순환부와 상기 샤워를 제어하는 제어부를 포함한다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 제어부는 상기 처리조의 상기 약액을 배출하면서, 상기 웨이퍼 기판이 상기 약액으로부터 노출되기 직전에 상기 순 수로 샤워하도록 제어한다. 또한, 상기 제어부는 동시에 상기 약액의 배액과 상기 순수로 샤워하도록 하는 것을 제어할 수 있으며, 상기 제어부는 컴퓨터 시스템 또는 프로그램어블 로직 컨트롤러로 구비된다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 순환부는 상기 약액의 배액 유량이 상기 샤워의 공급 유량보다 많다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 처리조는 상기 약액을 공급받아서 세정 공정을 처리하는 약액 처리조와, 상기 순수를 공급받아 린스 공정을 처리하는 린스 처리조를 포함하되, 상기 샤워는 상기 약액 처리조 상부에 구비된다.
기판 세정 장치의 제어 방법은, 웨이퍼 기판이 들어있는 선 처리조에서의 이상 발생되면, 상기 처리조의 동작을 정지하고, 알람을 발생하는 단계와; 상기 처리조의 약액을 배출하는 단계 및; 상기 처리조에 들어있는 상기 웨이퍼 기판을 보호하기 위하여 순수로 샤워하는 단계를 포함한다.
이 특징의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 알람이 발생되면, 상기 처리조의 처리 시간을 대기한 후, 상기 약액을 배출한다. 또한, 상기 약액이 배출되면, 상기 웨이퍼 기판이 노출되는지를 판별하는 단계를 더 포함하여, 상기 웨이퍼 기판이 노출되면, 상기 샤워할 수 있다. 그리고 상기 샤워하는 단계는 상기 약액의 배출하는 단계와 동시에 이루어질 수 있다.
따라서 본 발명에 의하면, 기판 세정 장치의 선 처리조에서 이상이 발생되면, 웨이퍼 기판을 보호하기 위하여 약액을 배출하고, 순수로 웨이퍼 기판을 샤워한다.
이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면에 의거하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세정 장치의 개략적인 구성을 도시한 블럭도이다. 본 발명의 기판 세정 장치(100)는 일반적인 기판 세정 장치에 있어서 선 처리 기판에 이상이 발생하거나, 또한 하드웨어의 트러블이 발생하는 경우, 처리 중인 런을 긴급 대피 작업을 하지 않아 치명적인 사고를 유발하는 문제점을 해결하기 위하여, 스트립(strip)을 제외한 에칭성이 있는 화학 약품 예를 들어, HF 계, SC-1 계 등의 약액에 대한 선처리 기판 이상 및 선 처리조에서의 이상 발생시, 긴급 조치를 위한 방안을 구비한다.
도면을 참조하면, 상기 기판 세정 장치(100)는 예컨대, 웨이퍼 기판의 세정, 린스 및 건조 공정을 일괄 처리하는 배치(batch)형 시스템으로, 신규한 제어부(102)와 세정 처리부(110, 120 또는 110', 120') 및 알람부(108)를 포함한다.
상기 제어부(102)는 예컨대, 컴퓨터(PC), 프로그램어블 로직 컨트롤러(PLC) 등으로 구비되며, 이들의 전형적인 구성요소들 즉, 중앙처리장치(CPU : 104) 및 메모리부(106) 등을 포함한다. 상기 제어부(102)는 상기 세정 처리부(110, 120 또는 110', 120')의 제반 동작을 모니터링(Monitoring)하고, 이를 제어(Control)한다. 그리고 상기 제어부(102)는 내조와 외조를 갖는 처리조의 일측 즉, 내조에 구비되는 레벨 센서(미도시됨)로부터 약액의 배출 및 웨이퍼 기판의 노출을 감지하고, 선 처리조에서 이상이 발생되면, 약액으로부터 웨이퍼 노출 직전에 순수를 공급하여 웨이퍼 기판을 샤워하도록 제어한다. 상기 레벨 센서는 예컨대, 질소 가스를 이용한 레벨 센서로, 처리조의 비어 있는 상태, 웨이퍼 보호 레벨(웨이퍼 기판의 상부 0 ~ 20 ㎜ 정도) 등을 감지한다. 따라서 상기 제어부(102)는 처리 시간 카운터(미도시됨)를 이용하여 처리 시간을 체크하고 있다가 해당 처리조에서 이상이 발생되면, 이에 대응되는 신호를 받아서 해당 처리조의 동작 중지 및 알람부(108)로 알람 신호(Alarm)를 출력한다. 이어서 해당 처리조의 처리 시간의 남은 시간 동안에 처리조 액상에서 대기하고 배액을 개시하며 웨이퍼 보호 레벨이 감지되면, 처리조 상부에서 순수로 샤워하도록 제어한다.
상기 메모리부(106)는 예컨대, 램, 롬 및/또는 보조 저장 장치를 포함하며, 상기 제어부(102)가 처리하는 제어 프로그램을 저장한다. 상기 제어 프로그램은 도 7 및 도 8에서 상세히 설명한다.
상기 알람부(108)는 상기 기판 세정 장치(100)에서 이상이 발생되면, 상기 제어부(102)의 제어를 받아서 외부로 이상 발생을 알려준다.
상기 세정 처리부(110, 120 또는 110', 120')는 도 3 또는 도 4에 도시된 바와 같이, 전형적인 약액 및 순수를 공급 및 배출하도록 하는 구성 요소들 예를 들어, 배관, 밸브, 필터, 온도 센서, 히터 탱크 등을 가지며, 이들 구성 요소들을 이용하여 약액 및 순수의 온도 제어, 필터링, 믹싱 관리한다. 그리고 상기 세정 처리부(110, 120 또는 110', 120')는 크게 배스 유닛(110 또는 110')과 순환 유닛(120 또는 120')으로 구분된다.
구체적으로 도 3을 참조하면, 상기 세정 처리부(110 또는 120)는 SC-1 약액을 이용하는 실시예로서, 내조와 외조로 이루어진 다수의 처리조(114)를 구비하는 배스 유닛(110)과 상기 처리조(114)로 약액 및 순수를 공급하거나, 배액하는 순환 유닛(120)으로 구성된다. 그리고 상기 세정 처리부(110 또는 120)는 상기 처리조(114) 상부에 구비되는 샤워(112)와, 이에 연결되는 배관(116) 및 다수의 밸브들(118)을 구비한다. 그리고 약액 및 순수를 공급하거나, 배액하기 위한 다수의 배관과, 다수의 밸브 및 펌프들을 더 구비한다.
상기 배스 유닛(110)은 상기 제어부(102)의 제어를 받아서, 상기 웨이퍼 기판이 구비되는 처리조(114)에 이상 발생시, 처리조(114) 내에 있는 웨이퍼 기판으로 순수를 분출하여 샤워한다.
상기 순환 유닛(120)은 약액 및 순수를 공급하거나, 배액하도록 약액 및 순수가 외조에서 내조로 오버플로우하면서 온도, 필터링 및 믹싱 관리한다.
그리고 도 4를 참조하면, 상기 세정 처리부(110' 또는 120')는 HF 계 약액을 이용하는 실시예로서, 상기 샤워(112)와 연결되는 배관(116) 및 밸브들(118')이 더 구비된다. 이들 밸브(118')는 고인 상태에서 발생되는 박테리아 등의 영향을 줄이기 위해 처리조를 통해 약액이 순환되도록 배출시키기 위한 것이다.
따라서 상기 제어부(102)는 세정 공정 진행 중에 선 처리조의 웨이퍼 기판이 손상되거나, 선 처리조의 하드웨어 불량 상태가 발생되면, 이를 감지하고 처리조 내에 있는 웨이퍼 기판의 손상을 방지하도록 배액과 샤워 동작을 제어한다.
도 5는 도 2에 도시된 기판 세정 장치의 이상 발생시 웨이퍼 기판의 손상을 방지하기 위한 동작 타이밍도이다.
도면을 참조하면, 상기 기판 세정 장치(100)는 선 처리조에서 이상이 발생되면, 이상이 발생되었음을 알리도록 알람부(108)로 경보 신호(Alarm)를 활성화시켜 출력하고, 선 처리조의 처리 동작을 정지시키기 위해 펌프 동작(Pump ON)을 비활성화 즉, 펌프를 정지시킨다. 그리고 해당 처리조의 외조에서 내조로 오버플로우되는 약액을 배출(Drain)한다. 이어서 시간 t(t≥0) 만큼의 시간이 경과되면, 처리조 내에 웨이퍼 기판을 샤워(Shower)한다. 이 때, 시간 t는 배액되기 시작한 후, 웨이퍼 기판이 노출되기 직전까지의 시간으로서, 웨이퍼 기판이 노출 직전에 샤워하는 것이 효과적이다. 물론, 시간 t는 약액이 배출 후 해당 처리조의 처리 시간이 경과될 때까지의 대기 시간이 될 수 있으며, 이후 웨이퍼 기판을 보호하기 위한 웨이퍼 보호 레벨에서 샤워하도록 제어할 수 있다. 또는 배액과 동시에 샤워할 수도 있음은 자명하다.
도 6은 도 2에 도시된 기판 세정 장치의 선 처리 기판 또는 선 처리조에서의 이상 발생시, 이를 해결하기 위한 제어 동작을 나타내는 도면이다.
도면을 참조하면, 상기 기판 세정 장치(100)는 웨이퍼 기판(2)이 들어있는 선 처리조(114) 예를 들어, LAL 처리조에서 이상이 발생되면, 도 5에 도시된 타이밍 수순에 의해 약액으로부터 웨이퍼의 손상을 방지하기 위하여 샤워시킨다. 또한 SC-1 처리조에서 이상이 발생되어도 샤워한다.
계속해서, 도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예에 따른 기판 세정 장치의 제어 수순을 도시한 흐름도들이다. 그리고 이 수순들은 상기 제어부(102)에서 상기 중앙처리장치(104)가 처리하는 프로그램으로서, 이 프로그램은 상기 메모리부(106)에 저장된다. 여기서 도 7은 배액과 샤워를 동시에 처리하는 수순이고, 도 8은 배액 후, 처리 시간이 경과된 후에 샤워하는 수순을 나타낸 것이다. 또한, 이들 수순은 웨이퍼 기판을 보호하기 위하여, 배액이 이루어져서 웨이퍼 기판이 노출되는 시점 전후 즉, 웨이퍼 보호 레벨에서 샤워하는 것으로 설명하고 있지만, 배약과 동시에 샤워하는 것은 당연하다.
도 7을 참조하면, 단계 S150에서 상기 제어부(102)는 선 처리조에서 이상이 발생되었는지를 판별한다. 이상 발생은 기판 세정 장치의 메이커마다 다양하게 정의되며, 비상 정지, 반송 정지, 스텝 정지, 사이클 정지 등의 여러 레벨로 관리된다. 예를 들어, 처리조에 들어있는 웨이퍼 기판의 파손된 경우, 약액 처리조에 웨이퍼 기판이 투입된 상태에서 웨이퍼의 이동이 불가능하고 해당 처리조의 펌퍼의 이상이 발생하는 경우, 누액이 발생하는 경우, 로봇의 웨이퍼 척의 오버 타임이 발생하는 경우 등 하드웨어 트러블이 이에 속한다.
판별 결과, 이상이 발생되면, 상기 제어부(102)는 단계 S152로 진행하여 이상 발생의 선 처리조의 처리 동작을 정지시키고, 단계 S154에서 알람부(108)를 통해 외부로 이상 발생을 통보한다. 이어서 단계 S156에서 선 처리조의 약액을 배출한다. 이어서 단계 S158에서 웨이퍼 기판이 노출되는 레벨 즉, 웨이퍼 보호 레벨인지를 판별한다. 판별 결과, 웨이퍼 보호 레벨이면, 이 수순은 단계 S160으로 진행하여 배액과 샤워를 동시에 실시한다.
그리고 상기 단계(S152)에서 이상이 발생되지 않으면, 단계 S162로 진행하여 일반적인 세정 공정을 진행한다.
그리고 도 8을 참조하면, 상기 제어부(102)는 단계 S180에서 선 처리조에서 이상이 발생되었는지를 판별한다. 예를 들어, 선 처리조에 들어있는 웨이퍼 기판 의 파손, 펌프 이상, 이송 로봇 이상 또는 센서 이상 등으로부터 이상 신호가 발생되면, 이를 상기 제어부(102)가 받아서 이상 발생을 감지한다. 판별 결과, 이상이 발생되면, 상기 제어부(102)는 단계 S182로 진행하여 이상 발생의 선 처리조의 처리 동작을 정지시키고, 단계 S184에서 알람부(108)를 통해 외부로 이상 발생을 통보한다. 그리고 상기 판별 결과 이상이 발생되지 않으면, 단계 S196으로 진행하여 일반적인 세정 공정을 처리한다.
이어서 단계 S186에서 선 처리조의 처리 시간이 경과되었는지를 판별한다. 이는 다른 처리조와의 처리 시간을 조절하거나 해당 처리조의 약액을 이용하여 선 처리조에 로딩된 웨이퍼 기판을 세정하기 위함이다. 처리 시간이 경과되면, 단계 S190으로 진행하여 약액을 배출하고, 처리 시간이 경과되지 않았으면 이 수순은 단계 S188으로 진행하여 선 처리조에서 공정 조건에 적합한 처리 시간이 경과될 때까지 대기한다.
그리고 단계 S192에서 배액이 이루어져서 웨이퍼 기판이 노출되는 레벨 즉, 웨이퍼 보호 레벨인지를 판별한다. 판별 결과, 웨이퍼 보호 레벨이면, 이 수순은 단계 S194로 진행하여 웨이퍼 기판을 보호하기 위해 배액과 샤워를 동시에 실시한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 기판 세정 장치(100)는 선 처리조에서 이상이 발생되는 경우 예를 들어, 약액 처리조에 웨이퍼 기판이 투입된 상태에서 웨이퍼 기판의 이동이 불가능한 경우하거나, 해당 처리조에서의 펌프에 이상이 발생되는 경우, 펌프의 동작을 중지시키고, 남은 처리 시간 동안 처리조에서 대기한 후, 약액을 배출하고 순수로 샤워하여 웨이퍼 기판의 손상을 방지한다. 또한, 누액이 발생되거나 로봇의 웨이퍼 척의 오버 타임이 발생되는 경우 등에도 순수를 공급하여 샤워함으로써 웨이퍼 기판을 보호할 수 있다.
상술한 바와 같이, 선 처리조에서의 웨이퍼 기판 또는 선 처리조에서 이상이 발생되면, 약액을 배출하면서 해당 처리조 내에 있는 웨이퍼 기판을 샤워시킴으로써, 웨이퍼의 손상을 방지할 수 있다. 따라서 생산성 향상은 물론, 반도체 디바이스의 불량률을 최소화할 수 있다.
삭제

Claims (10)

  1. 삭제
  2. 기판 세정 장치에 있어서:
    약액을 이용하여 웨이퍼 기판을 세정하는 처리조와;
    상기 처리조로 상기 약액 및/또는 순수를 공급하고, 상기 웨이퍼 기판의 세정 후, 상기 약액 및/또는 상기 순수를 배출하는 순환부와;
    상기 처리조 상부에 구비되어, 상기 처리조로 상기 순수를 분출하는 샤워 및;
    상기 처리조에 상기 웨이퍼 기판이 로딩된 상태에서 이상이 발생되면, 상기 약액을 배출하고, 상기 웨이퍼 기판이 상기 배출되는 약액으로부터 노출되기 직전에 상기 순수로 상기 웨이퍼 기판을 샤워하도록 상기 순환부와 상기 샤워를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  3. 기판 세정 장치에 있어서:
    약액을 이용하여 웨이퍼 기판을 세정하는 처리조와;
    상기 처리조로 상기 약액 및/또는 순수를 공급하고, 상기 웨이퍼 기판의 세정 후, 상기 약액 및/또는 상기 순수를 배출하는 순환부와;
    상기 처리조 상부에 구비되어, 상기 처리조로 상기 순수를 분출하는 샤워 및;
    상기 처리조에 상기 웨이퍼 기판이 로딩된 상태에서 이상이 발생되면, 상기 약액의 배출과 동시에 상기 순수를 분출하도록 상기 순환부와 상기 샤워를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 기판 세정 장치의 제어 방법에 있어서:
    웨이퍼 기판이 들어있고, 약액을 공급받아서 세정 공정을 처리하는 처리조에서 이상이 발생되는지를 판별하는 단계와;
    상기 처리조에 이상 발생되면, 상기 처리조의 동작을 중지시키는 단계와;
    외부로 알람을 발생시키는 단계와;
    상기 처리조의 상기 약액을 배출하는 단계 및;
    상기 처리조에 들어있는 상기 웨이퍼 기판을 보호하기 위하여 상기 처리조로 순수를 공급하여 상기 웨이퍼 기판을 샤워하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 약액을 배출하는 단계는;
    상기 알람이 발생되면, 상기 처리조의 공정 조건에 적합한 처리 시간을 대기한 후, 상기 약액을 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 제어 방법은;
    상기 약액이 배출되면, 상기 웨이퍼 기판이 노출되는지를 판별하는 단계를 더 포함하되,
    상기 웨이퍼 기판이 노출되면, 상기 순수를 공급하여 상기 웨이퍼 기판을 샤워하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 샤워하는 단계는 상기 약액의 배출하는 단계와 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치의 제어 방법.
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