JPS5871630A - 処理液による処理方法および処理装置 - Google Patents

処理液による処理方法および処理装置

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JPS5871630A
JPS5871630A JP17038981A JP17038981A JPS5871630A JP S5871630 A JPS5871630 A JP S5871630A JP 17038981 A JP17038981 A JP 17038981A JP 17038981 A JP17038981 A JP 17038981A JP S5871630 A JPS5871630 A JP S5871630A
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JP
Japan
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processing
water
liquid
tank
supplied
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Pending
Application number
JP17038981A
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English (en)
Inventor
Itaru Yamanaka
山仲　格
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS5871630A publication Critical patent/JPS5871630A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は物体の処理液による処理の方法とそれに用いる
処理装置の構造に関し、特に、半導体ウェハの洗浄、液
体薬品による化学的な処理、水洗等に関する。
半導体ウエノ・を水洗する場合を例として、従来の例を
説明する。第１図に示す断面図において、ウェハ１はキ
ャリア２に多数枚釜べてセットさね、水洗槽３に浸けら
れる。この槽３には、底部の給水口４から水を供給し、
ウニ・・１を洗浄する。水は槽をオーバーフローして槽
の外へ捨てられる。
５はキャリア２に連なり、キャリアの槽への出し入れの
際に用いる把手である。従来の方法の欠点は、水洗の際
に発生した微粒子、微小片などの浮遊物６が水面に浮き
上って、蓄積されることである。
特に、水洗槽３が正確に水平に工作されていない時や、
水量の少ない時には、浮遊物がたまり、短時間には槽外
へ流出しない。この時キャリアを槽から引き上げると、
これらの浮遊物がウェハ１表面に付着することがある。
即ち、水洗したウェハが汚される結果となる。これをそ
のまま乾燥すると、次の水洗でも、容易に洗浄できない
ことが多く、水洗の効果を著しく損うことになる。この
ことは、半導体装置の製造にとって極めて不都合となる
。
本発明は、これらの欠点を除くため液面の洗浄物を強制
的に槽外へ流し出し、少なくともキャリアを槽から引き
上げる際には、液面に浮遊物が存在しないようにしたも
のである。
実施例を第２図に示す断面図に従って説明する。
第２図に示す水洗槽においては、液面に連なり、その下
流側の端部に深さの浅い皿部７を有し、さらに液面に平
行な水流を送るための第二の給水口８を備え、底部の給
水口４と、上記第二給水口８へ水を供給するための配管
が接続され、その各々の経路に開閉弁９，１ｏを有して
いる。
半導体ウェハの洗浄方法の一つは、開閉弁９゜１ｏを共
に開いて二つの給水口４・８から水を送る。水面に生ず
る浮遊物は、第２図において矢印で示すように第二給水
口８からの液面に平行な水流により、下流側に押し流さ
れ、槽外へ捨てられる。水流が少ない場合には、皿部７
に、浮遊物が浮き寄せられる。いずれの場合も、キャリ
アの引き上けの際には、少なくともキャリアの通る液面
には浮遊物は存在せずウェハ１を汚すことがない。
第二の水洗方法は、まず開閉弁９を開き、弁１０をしめ
て、槽の底部の給水口４からのみ水を送り、ウェハの水
洗を行列い、次に弁９をしめ弁１ｏを開いて第二給水弁
８から水を送り、液面に平行な水流をつくり浮遊物を皿
部７へ送り、更に槽外へ捨てる。この二つの操作を交互
に繰り返して水洗を行なう。この方法は、水流を交互に
流すため水量の少ない時には有効な方法である。
第三の水洗方法は、はじめに弁９を開き、水洗を底部か
らの給水のみで行ない、キャリアを引き上げる直前に弁
９をしめ、弁１ｏを開き、水面の浮遊物を皿部７へ掃き
寄せる。この方法は弁の開閉が１回だけであるので操作
の煩わしさがない。
これまでは、水洗について述べたが、半導体ウェハの化
学処理の場合にも適用できる。例えば、半導体ウェハ上
に塗付されたフォトレジストを除去液に浸けて取り去る
場合である。この場合、除去液を処理槽の底部から常時
供給することはしないが、処理終了時に液面−を槽の高
さまで上昇させ、ついで液面に平行な流れを与えること
により、未分解のレジストなど浮遊物を槽外へ捨ててキ
ャリアを引き上げる際にウエノ・に付着するのを防止す
る０ いずれの場合も液面に生ずる浮遊物を除去することによ
り、ウェハへの付着をなくし、清浄な処理を実施でき、
ひいては歩留の向上に資することになる。
以上のように本発明は不要な浮遊物の被処理体の付着を
な、くすることができ、工業的にすぐれた６・・−１ 効果をもたらすものである。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例の処理槽を示す概略構造図、第２図は本
発明の一実施例の処理槽の概略構造図である。 １・・・・・・洗浄すべき半導体ウエノ・、２・・・・
・・ウエノ・をセットするためのキャリア、３・・・・
・・処理槽、６・・・・・・液面に存在する浮遊物、７
・・・・・・処理槽に設けた皿部。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）処理液を処理槽の底部からと、液面に平行な方向
    に供給することを特徴とする処理液による処理方法。 （２）処理液を処理槽の底部からの供給と、液面に平行
    な方向への供給を同時に行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の処理液による処理方法。 （９）処理液を処理槽の底部からの供給と、液面に平行
    な方向への供給を交互に行うことを特徴とする特許請求
    の範囲第１項記載の処理液による処理方法。 （４処理液の液面に平行な方向への供給を、処理終了直
    前に行うことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
    処理液による処理方法。 （５９処理液を底部から供給するための供給経路と、液
    面に平行な方向に供１給するための供給経路とを有する
    ことを特徴とする処理装置。 （６）処理液を底部から供給するための供給経路と液面
    に平行な方向に供給するための供給経路のそれぞれに供
    給開閉弁を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第６
    項記載の処理装置。
JP17038981A 1981-10-23 1981-10-23 処理液による処理方法および処理装置 Pending JPS5871630A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4753258A (en) * 1985-08-06 1988-06-28 Aigo Seiichiro Treatment basin for semiconductor material
JPH01210092A (ja) * 1988-02-18 1989-08-23 Sonitsuku Fueroo Kk 精密洗浄の乾燥方法
WO2008010319A1 (fr) * 2006-07-20 2008-01-24 Nidec Sankyo Corporation Dispositif de nettoyage

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