JPH05166773A - 半導体基板の洗浄方法および装置 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法および装置Info
- Publication number
- JPH05166773A JPH05166773A JP32936691A JP32936691A JPH05166773A JP H05166773 A JPH05166773 A JP H05166773A JP 32936691 A JP32936691 A JP 32936691A JP 32936691 A JP32936691 A JP 32936691A JP H05166773 A JPH05166773 A JP H05166773A
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- Japan
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- tank
- carrier
- chemical treatment
- hanger
- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薬品処理後のウエハ洗浄に関し，洗浄の完全
化を目的とする。 【構成】 １）半導体基板を保持するキャリアと, 薬品
処理槽と, リンス液をオーバフローさせる洗浄槽と, 槽
から槽へ該キャリアを移動させるためのハンガで構成さ
れた装置を用い，薬品処理工程の次のリンス工程，もし
くはそのリンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛沫
や蒸気をリンス液で洗い流すように構成する，２）半導
体基板４を保持するキャリア３と, 薬品処理槽７と, リ
ンス液をオーバフローさせる洗浄槽１と, 薬品処理槽か
ら洗浄槽へ該キャリアを移動させるためのハンガ５で構
成された装置であって，洗浄槽上もしくは薬品処理槽と
洗浄槽の中間部に設けられたハンガ洗浄用シャワ６を有
することを特徴とする半導体基板の洗浄装置
化を目的とする。 【構成】 １）半導体基板を保持するキャリアと, 薬品
処理槽と, リンス液をオーバフローさせる洗浄槽と, 槽
から槽へ該キャリアを移動させるためのハンガで構成さ
れた装置を用い，薬品処理工程の次のリンス工程，もし
くはそのリンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛沫
や蒸気をリンス液で洗い流すように構成する，２）半導
体基板４を保持するキャリア３と, 薬品処理槽７と, リ
ンス液をオーバフローさせる洗浄槽１と, 薬品処理槽か
ら洗浄槽へ該キャリアを移動させるためのハンガ５で構
成された装置であって，洗浄槽上もしくは薬品処理槽と
洗浄槽の中間部に設けられたハンガ洗浄用シャワ６を有
することを特徴とする半導体基板の洗浄装置
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の薬品処理後
の洗浄方法と装置に関する。
の洗浄方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板の自動洗浄装置は, 半導体基
板を保持するキャリアと, 酸, アルカリ, 超純水が入っ
た槽と, 槽から槽へキャリアを移動させるためのハンガ
で構成されている。
板を保持するキャリアと, 酸, アルカリ, 超純水が入っ
た槽と, 槽から槽へキャリアを移動させるためのハンガ
で構成されている。
【０００３】酸, アルカリ中でウエハをキャリアごとに
処理した後, ハンガを用いて超純水の槽に移してその中
でリンス処理を行うことで, ウエハやキャリアやハンガ
に付着した酸, アルカリを超純水で置換している。
処理した後, ハンガを用いて超純水の槽に移してその中
でリンス処理を行うことで, ウエハやキャリアやハンガ
に付着した酸, アルカリを超純水で置換している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来例のように, ウエ
ハやキャリアに付着した酸, アルカリを超純水で完全に
置換することが超純水のオーバフロー等によるリンス工
程の目的であるが, この置換は現状では必ずしも完全と
はいえない。
ハやキャリアに付着した酸, アルカリを超純水で完全に
置換することが超純水のオーバフロー等によるリンス工
程の目的であるが, この置換は現状では必ずしも完全と
はいえない。
【０００５】図６(A),(B) は従来例による洗浄方法の問
題点を説明する断面図である。図において，１は洗浄
槽，２は純水供給口，３はキャリア，４はウエハ，５は
ハンガ，７は薬品処理槽，８はヒータである。
題点を説明する断面図である。図において，１は洗浄
槽，２は純水供給口，３はキャリア，４はウエハ，５は
ハンガ，７は薬品処理槽，８はヒータである。
【０００６】薬品処理によって，ハンガが直接薬品と接
触していない部分でも飛沫や蒸気による薬品の付着があ
り，これは超純水のリンスによって取りきれない。この
ような状態では，次の処理に移るためにハンガでキャリ
アを移動させている間にハンガに付着した薬品がだれ落
ち，例えばキャリアに付着する。そうすると，この付着
した薬品が次の処理槽に混入してしまうことになる。ま
た，次が最後の乾燥工程である場合は薬品の蒸気がウエ
ハ全体に付着してしまう。
触していない部分でも飛沫や蒸気による薬品の付着があ
り，これは超純水のリンスによって取りきれない。この
ような状態では，次の処理に移るためにハンガでキャリ
アを移動させている間にハンガに付着した薬品がだれ落
ち，例えばキャリアに付着する。そうすると，この付着
した薬品が次の処理槽に混入してしまうことになる。ま
た，次が最後の乾燥工程である場合は薬品の蒸気がウエ
ハ全体に付着してしまう。
【０００７】本発明は薬品処理後のウエハ洗浄の完全化
を目的とする。
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は， １）半導体基板を保持するキャリアと, 薬品処理槽と,
リンス液をオーバフローさせる洗浄槽と, 槽から槽へ該
キャリアを移動させるためのハンガで構成された装置を
用い，薬品処理工程の次のリンス工程，もしくはそのリ
ンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛沫や蒸気をリ
ンス液で洗い流す半導体基板の洗浄方法，あるいは ２）半導体基板(4）を保持するキャリア(3）と, 薬品処
理槽(7) と, リンス液をオーバフローさせる洗浄槽(1)
と, 薬品処理槽から洗浄槽へ該キャリアを移動させるた
めのハンガ(5) で構成された装置であって，洗浄槽上も
しくは薬品処理槽と洗浄槽の中間部に設けられたハンガ
洗浄用シャワ(6) を有する半導体基板の洗浄装置により
達成される。
リンス液をオーバフローさせる洗浄槽と, 槽から槽へ該
キャリアを移動させるためのハンガで構成された装置を
用い，薬品処理工程の次のリンス工程，もしくはそのリ
ンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛沫や蒸気をリ
ンス液で洗い流す半導体基板の洗浄方法，あるいは ２）半導体基板(4）を保持するキャリア(3）と, 薬品処
理槽(7) と, リンス液をオーバフローさせる洗浄槽(1)
と, 薬品処理槽から洗浄槽へ該キャリアを移動させるた
めのハンガ(5) で構成された装置であって，洗浄槽上も
しくは薬品処理槽と洗浄槽の中間部に設けられたハンガ
洗浄用シャワ(6) を有する半導体基板の洗浄装置により
達成される。
【０００９】
【作用】本発明では薬品処理工程の次のリンス工程，も
しくはそのリンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛
沫や蒸気をリンス液自身で洗い流し，リンス工程を完全
なものにすることで，薬品をリンス液で完全に置換した
状態で次工程へ移動させるようにしている。
しくはそのリンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛
沫や蒸気をリンス液自身で洗い流し，リンス工程を完全
なものにすることで，薬品をリンス液で完全に置換した
状態で次工程へ移動させるようにしている。
【００１０】
【実施例】図１は本発明の実施例(1) の断面図である。
図において，１は洗浄槽，２は純水供給口，３はキャリ
ア，４はウエハ，５はハンガ，６はハンガ洗浄用シャワ
である。
図において，１は洗浄槽，２は純水供給口，３はキャリ
ア，４はウエハ，５はハンガ，６はハンガ洗浄用シャワ
である。
【００１１】この装置を使って，ウエハを25枚／バッチ
をキャリアに保持し，キャリアをまずアンモニア／過酸
化水素溶液中で処理する。処理終了後，液中のキャリア
をハンガでつかんで次の超純水の洗浄槽に移してリンス
する。
をキャリアに保持し，キャリアをまずアンモニア／過酸
化水素溶液中で処理する。処理終了後，液中のキャリア
をハンガでつかんで次の超純水の洗浄槽に移してリンス
する。
【００１２】この超純水の洗浄槽は槽の底部に設けられ
た純水供給口２から５〜10リッタ／分の流量で超純水を
供給して槽の上部よりオーバフローさせている。この洗
浄槽中にキャリアを静止させた時点で，水面から例えば
20cm上部に設けられたハンガ洗浄用シャワ６より１〜５
リッタ／分の流量で超純水を供給する。この時間は任意
であるが，リンス工程が終わるまでに終了するようにす
る。
た純水供給口２から５〜10リッタ／分の流量で超純水を
供給して槽の上部よりオーバフローさせている。この洗
浄槽中にキャリアを静止させた時点で，水面から例えば
20cm上部に設けられたハンガ洗浄用シャワ６より１〜５
リッタ／分の流量で超純水を供給する。この時間は任意
であるが，リンス工程が終わるまでに終了するようにす
る。
【００１３】このシャワ６はハンガの数だけ設け，ハン
ガの形状に合わせて形状や大きさを変えるようにする。
図２は本発明の実施例(2) の断面図である。
ガの形状に合わせて形状や大きさを変えるようにする。
図２は本発明の実施例(2) の断面図である。
【００１４】洗浄槽中にキャリアを静止させた時点で，
ハンガ洗浄用シャワ６より１〜５リッタ／分の流量で超
純水を供給する。このシャワ６は内側より外側に向かっ
て設置されいるため，洗い落とした薬品の洗浄槽への浸
入を少なくしている。
ハンガ洗浄用シャワ６より１〜５リッタ／分の流量で超
純水を供給する。このシャワ６は内側より外側に向かっ
て設置されいるため，洗い落とした薬品の洗浄槽への浸
入を少なくしている。
【００１５】さらに，図のように内側と同時に外側にも
シャワ６を設けて，ハンガ全体にまんべんなく超純水を
供給する。また，シャワーに首振り機能を付加して，超
純水をハンガ全体に走査するようにしてもよい。
シャワ６を設けて，ハンガ全体にまんべんなく超純水を
供給する。また，シャワーに首振り機能を付加して，超
純水をハンガ全体に走査するようにしてもよい。
【００１６】図３は本発明の実施例(3）の断面図であ
る。洗浄槽中にキャリアを静止させた時点で，洗浄槽槽
の中心に水面より例えば20cm上部に設けられた回転式の
ハンガ洗浄用シャワ６より 0.2〜２リッタ／分の流量で
超純水を供給する。
る。洗浄槽中にキャリアを静止させた時点で，洗浄槽槽
の中心に水面より例えば20cm上部に設けられた回転式の
ハンガ洗浄用シャワ６より 0.2〜２リッタ／分の流量で
超純水を供給する。
【００１７】図４は本発明の実施例(4）の断面図であ
る。この例は，薬品処理液中のキャリアをつかんで次の
超純水洗浄槽に移し変える途中で一旦ハンガの移動を止
め，その位置のハンガ上部に設置されたシャワ６から１
〜５リッタ／分の流量で約１分間超純水を供給する。
る。この例は，薬品処理液中のキャリアをつかんで次の
超純水洗浄槽に移し変える途中で一旦ハンガの移動を止
め，その位置のハンガ上部に設置されたシャワ６から１
〜５リッタ／分の流量で約１分間超純水を供給する。
【００１８】図５(A),(B) は本発明の実施例(5) の断面
図である。洗浄槽中にキャリアを静止させた時点で，水
面から例えば20cm上部に設けられたハンガ自身の周囲に
設けられた多くの孔（１〜２mmφ) ６より１〜５リッタ
／分の流量で約１分間超純水を供給する。図５はハンガ
の孔の拡大図である。
図である。洗浄槽中にキャリアを静止させた時点で，水
面から例えば20cm上部に設けられたハンガ自身の周囲に
設けられた多くの孔（１〜２mmφ) ６より１〜５リッタ
／分の流量で約１分間超純水を供給する。図５はハンガ
の孔の拡大図である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば，薬品処理後のウエハ洗
浄において，薬品から超純水への置換が完全に行えるよ
うになった。
浄において，薬品から超純水への置換が完全に行えるよ
うになった。
【００２０】従来の方法では酸処理後のリンス工程の
後, もう一度一定量の静止した超純水中にハンガを漬け
たところ, その超純水のpHは6.5 を示してしたのに対
し, 実施例では6.9 を示し, 純水置換がより確実に行わ
れていることが分かった。
後, もう一度一定量の静止した超純水中にハンガを漬け
たところ, その超純水のpHは6.5 を示してしたのに対
し, 実施例では6.9 を示し, 純水置換がより確実に行わ
れていることが分かった。
【図１】 本発明の実施例(1) の断面図
【図２】 本発明の実施例(2) の断面図
【図３】 本発明の実施例(3）の断面図
【図４】 本発明の実施例(4）の断面図
【図５】 本発明の実施例(5) の断面図
【図６】 従来例による洗浄方法を説明する断面図
１ 洗浄槽 ２ 純水供給口 ３ キャリア ４ ウエハ ５ ハンガ ６ ハンガ洗浄用シャワ ７ 薬品処理槽 ８ ヒータ
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を保持するキャリアと, 薬品
処理槽と, リンス液をオーバフローさせる洗浄槽と, 槽
から槽へ該キャリアを移動させるためのハンガで構成さ
れた装置を用い，薬品処理工程の次のリンス工程，もし
くはそのリンス工程直前でハンガに付着した薬品の飛沫
や蒸気をリンス液で洗い流すことを特徴とする半導体基
板の洗浄方法。 - 【請求項２】 半導体基板(4）を保持するキャリア(3）
と, 薬品処理槽(7)と, リンス液をオーバフローさせる
洗浄槽(1) と, 薬品処理槽から洗浄槽へ該キャリアを移
動させるためのハンガ(5) で構成された装置であって，
洗浄槽上もしくは薬品処理槽と洗浄槽の中間部に設けら
れたハンガ洗浄用シャワ(6) を有することを特徴とする
半導体基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32936691A JPH05166773A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体基板の洗浄方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32936691A JPH05166773A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体基板の洗浄方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05166773A true JPH05166773A (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=18220655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32936691A Withdrawn JPH05166773A (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | 半導体基板の洗浄方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05166773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5778911A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-14 | Sony Disc Technology Inc. | Liquid supplying apparatus |
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP32936691A patent/JPH05166773A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5778911A (en) * | 1994-10-13 | 1998-07-14 | Sony Disc Technology Inc. | Liquid supplying apparatus |
| US5779816A (en) * | 1997-01-30 | 1998-07-14 | Trinh; Tieu T. | Nozzle and system for use in wafer cleaning procedures |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |