JP2000160349A - 無電解めっき装置 - Google Patents
無電解めっき装置Info
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- JP2000160349A JP2000160349A JP10337488A JP33748898A JP2000160349A JP 2000160349 A JP2000160349 A JP 2000160349A JP 10337488 A JP10337488 A JP 10337488A JP 33748898 A JP33748898 A JP 33748898A JP 2000160349 A JP2000160349 A JP 2000160349A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 均一な膜厚のめっき膜が形成でき、且つ付着
した液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反応や局所
的に付着する液の乾燥等に起因する汚染やシミが発生す
ることのない無電解めっき装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 被めっき基板２０の無電解めっきを施す
無電解めっき装置においてい、めっき液循環槽１５、め
っき液循環ポンプ１７、切換弁（開閉弁Ｖ1〜Ｖ8）を具
備し、無電解めっき処理槽１０に被めっき基板２０を配
置すると共に、該めっき液循環槽１５から無電解めっき
液Ｑ1を供給し、該無電解めっき液Ｑ1を外気と完全に遮
断し、密閉状態で該被めっき基板２０の表面に無電解め
っき膜を形成する。無電解めっき処理槽１０内に配置さ
れた被めっき基板２０を外気に曝すことなく、めっき処
理、水洗処理、乾燥処理を連続して実施する。
した液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反応や局所
的に付着する液の乾燥等に起因する汚染やシミが発生す
ることのない無電解めっき装置を提供することを目的と
する。 【解決手段】 被めっき基板２０の無電解めっきを施す
無電解めっき装置においてい、めっき液循環槽１５、め
っき液循環ポンプ１７、切換弁（開閉弁Ｖ1〜Ｖ8）を具
備し、無電解めっき処理槽１０に被めっき基板２０を配
置すると共に、該めっき液循環槽１５から無電解めっき
液Ｑ1を供給し、該無電解めっき液Ｑ1を外気と完全に遮
断し、密閉状態で該被めっき基板２０の表面に無電解め
っき膜を形成する。無電解めっき処理槽１０内に配置さ
れた被めっき基板２０を外気に曝すことなく、めっき処
理、水洗処理、乾燥処理を連続して実施する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハー及び
基板等の被めっき基板に金属めっきを施す無電解めっき
装置に関するものである。
基板等の被めっき基板に金属めっきを施す無電解めっき
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のめっき装置においては、
めっき処理、水洗処理及び乾燥処理をそれぞれ専用の処
理槽で実施するように構成している。そのため処理槽間
を被めっき品を搬送する場合、被めっき品をめっき液や
洗浄水で濡れた状態で大気に曝すことが不可避であっ
た。
めっき処理、水洗処理及び乾燥処理をそれぞれ専用の処
理槽で実施するように構成している。そのため処理槽間
を被めっき品を搬送する場合、被めっき品をめっき液や
洗浄水で濡れた状態で大気に曝すことが不可避であっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の無
電解めっき装置では、被めっき品をめっき液や洗浄水で
濡れた状態で大気に曝すことが不可避であったため、下
記のような不都合が生じる。
電解めっき装置では、被めっき品をめっき液や洗浄水で
濡れた状態で大気に曝すことが不可避であったため、下
記のような不都合が生じる。
【０００４】被めっき品の表面に残存・付着している
めっき液による局部的めっきにより不均一な膜厚のめっ
き膜が形成される。
めっき液による局部的めっきにより不均一な膜厚のめっ
き膜が形成される。
【０００５】被めっき品の表面に付着した液質に依存
する無用の酸化・還元・腐食反応等が発生する。
する無用の酸化・還元・腐食反応等が発生する。
【０００６】被めっき品の表面に局所的に付着する液
の乾燥等に起因する汚染やシミが発生する。
の乾燥等に起因する汚染やシミが発生する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点に鑑み
てなされたもので、上記問題点を除去し、均一な膜厚の
めっき膜が形成でき、且つ付着した液質に依存する無用
の酸化・還元・腐食反応、局所的に付着する液の乾燥等
に起因する汚染やシミが発生することのない無電解めっ
き装置を提供することを目的とする。
てなされたもので、上記問題点を除去し、均一な膜厚の
めっき膜が形成でき、且つ付着した液質に依存する無用
の酸化・還元・腐食反応、局所的に付着する液の乾燥等
に起因する汚染やシミが発生することのない無電解めっ
き装置を提供することを目的とする。
【０００８】上記課題を解決するため請求項１に記載の
発明は、無電解めっき処理槽を具備し、該無電解めっき
処理槽内に無電解めっき液を収容すると共に、該無電解
めっき液に被めっき基板を浸漬し、該被めっき基板に無
電解めっきを施す無電解めっき装置において、めっき液
循環槽、めっき液循環ポンプ、切換弁を具備し、無電解
めっき処理槽に被めっき基板を配置すると共に、該めっ
き液循環槽から無電解めっき液を供給し、該無電解めっ
き液を外気と完全に遮断し、密閉状態で該被めっき基板
の表面に無電解めっき膜を形成することを特徴とする。
発明は、無電解めっき処理槽を具備し、該無電解めっき
処理槽内に無電解めっき液を収容すると共に、該無電解
めっき液に被めっき基板を浸漬し、該被めっき基板に無
電解めっきを施す無電解めっき装置において、めっき液
循環槽、めっき液循環ポンプ、切換弁を具備し、無電解
めっき処理槽に被めっき基板を配置すると共に、該めっ
き液循環槽から無電解めっき液を供給し、該無電解めっ
き液を外気と完全に遮断し、密閉状態で該被めっき基板
の表面に無電解めっき膜を形成することを特徴とする。
【０００９】上記のように、無電解めっき液を外気と完
全に遮断し、密閉状態で該被めっき基板の表面に無電解
めっき膜を形成するので、被めっき基板の表面に付着し
ためっき液の液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反
応等が発生することがない。
全に遮断し、密閉状態で該被めっき基板の表面に無電解
めっき膜を形成するので、被めっき基板の表面に付着し
ためっき液の液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反
応等が発生することがない。
【００１０】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の無電解めっき装置において、無電解めっき処理
槽に給水口、排水口を設け、該無電解めっき処理槽内に
配置された被めっき基板を外気に曝すことなく、めっき
処理及び水洗処理を連続して実施できるように構成した
ことを特徴とする。
に記載の無電解めっき装置において、無電解めっき処理
槽に給水口、排水口を設け、該無電解めっき処理槽内に
配置された被めっき基板を外気に曝すことなく、めっき
処理及び水洗処理を連続して実施できるように構成した
ことを特徴とする。
【００１１】上記のように無電解めっき処理槽内に配置
された被めっき基板を外気に曝すことなく、めっき処理
及び水洗処理を連続して実施するので、被めっき基板の
表面に残存・付着しているめっき液による局部的めっき
により不均一な膜厚のめっき膜が形成されることがなく
なる。
された被めっき基板を外気に曝すことなく、めっき処理
及び水洗処理を連続して実施するので、被めっき基板の
表面に残存・付着しているめっき液による局部的めっき
により不均一な膜厚のめっき膜が形成されることがなく
なる。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の無電解めっき装置において、無電解めっ
き処理槽に不活性ガス供給源及び真空ポンプを接続し、
めっき液及び水洗水を該無電解めっき処理槽から急速に
排出することができるように構成したことを特徴とす
る。
又は２に記載の無電解めっき装置において、無電解めっ
き処理槽に不活性ガス供給源及び真空ポンプを接続し、
めっき液及び水洗水を該無電解めっき処理槽から急速に
排出することができるように構成したことを特徴とす
る。
【００１３】上記のようにめっき液及び水洗水を該無電
解めっき処理槽から急速に排出することにより、被めっ
き基板の表面に付着した液質に依存する無用の酸化・還
元・腐食反応等の発生が抑制されると共に、被めっき基
板の表面に残存・付着しているめっき液による局部的め
っきによる不均一な膜厚のめっき膜の形成も抑制され
る。
解めっき処理槽から急速に排出することにより、被めっ
き基板の表面に付着した液質に依存する無用の酸化・還
元・腐食反応等の発生が抑制されると共に、被めっき基
板の表面に残存・付着しているめっき液による局部的め
っきによる不均一な膜厚のめっき膜の形成も抑制され
る。
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
又は２又は３に記載の無電解めっき装置において、無電
解めっき処理槽にハロゲンランプ又はマイクロウエーブ
発生器を設け、めっき処理、水洗処理及び乾燥処理を連
続して実施できるように構成したことを特徴とする。
又は２又は３に記載の無電解めっき装置において、無電
解めっき処理槽にハロゲンランプ又はマイクロウエーブ
発生器を設け、めっき処理、水洗処理及び乾燥処理を連
続して実施できるように構成したことを特徴とする。
【００１５】上記のようにめっき処理、水洗処理及び乾
燥処理を連続して実施できることにより、上記作用効果
は被めっき基板の表面に付着した液質に依存する無用の
酸化・還元・腐食反応等及び被めっき基板の表面に残存
・付着しているめっき液による局部的めっきによる不均
一な膜厚のめっき膜の形成が更に抑制される。また、被
めっき基板の表面に局所的に付着する液の乾燥等に起因
する汚染やシミの発生も抑制される。
燥処理を連続して実施できることにより、上記作用効果
は被めっき基板の表面に付着した液質に依存する無用の
酸化・還元・腐食反応等及び被めっき基板の表面に残存
・付着しているめっき液による局部的めっきによる不均
一な膜厚のめっき膜の形成が更に抑制される。また、被
めっき基板の表面に局所的に付着する液の乾燥等に起因
する汚染やシミの発生も抑制される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る無電解めっ
き装置の構成を示す図である。図１において、１０は無
電解めっき処理槽であり、該無電解めっき処理槽１０は
内部に無電解めっき液等を収容する空間１２が形成され
た槽本体１１、槽本体１１の空間１２を閉塞する蓋体１
３、及び該蓋体１３の上部に配置したハロゲンランプ又
はマイクロウエーブ発生器１４を具備する。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る無電解めっ
き装置の構成を示す図である。図１において、１０は無
電解めっき処理槽であり、該無電解めっき処理槽１０は
内部に無電解めっき液等を収容する空間１２が形成され
た槽本体１１、槽本体１１の空間１２を閉塞する蓋体１
３、及び該蓋体１３の上部に配置したハロゲンランプ又
はマイクロウエーブ発生器１４を具備する。
【００１７】１５はめっき液循環槽であり、該めっき液
循環槽１５にはヒータ１６が配置されている。１７はめ
っき液循環ポンプ、１８は真空ポンプ、１９は気水分離
器、Ｖ1〜Ｖ8はそれぞれ開閉弁である。
循環槽１５にはヒータ１６が配置されている。１７はめ
っき液循環ポンプ、１８は真空ポンプ、１９は気水分離
器、Ｖ1〜Ｖ8はそれぞれ開閉弁である。
【００１８】上記構成の無電解めっき装置において、常
時は開閉弁Ｖ1を開くと共に開閉弁Ｖ2、Ｖ3を閉じ、め
っき液循環ポンプ１７を運転し、めっき液循環槽１５内
の無電解めっき液Ｑ1を循環させておく、この時ヒータ
１６により、無電解めっき液Ｑ1の液温が所定の温度に
なるようにする。
時は開閉弁Ｖ1を開くと共に開閉弁Ｖ2、Ｖ3を閉じ、め
っき液循環ポンプ１７を運転し、めっき液循環槽１５内
の無電解めっき液Ｑ1を循環させておく、この時ヒータ
１６により、無電解めっき液Ｑ1の液温が所定の温度に
なるようにする。
【００１９】無電解めっき処理槽１０の槽本体１１には
無電解めっき液及び洗浄液を供給排出する給水口１１
ａ、排水口１１ｂが設けられており、無電解めっき液及
び洗浄液を供給排出できるようになっている。また、空
間１２の底部には被めっき基板２０が配置されており、
該空間１２には開閉弁Ｖ4を通して窒素（Ｎ2）ガス等の
不活性ガスを充填できるようになっている。
無電解めっき液及び洗浄液を供給排出する給水口１１
ａ、排水口１１ｂが設けられており、無電解めっき液及
び洗浄液を供給排出できるようになっている。また、空
間１２の底部には被めっき基板２０が配置されており、
該空間１２には開閉弁Ｖ4を通して窒素（Ｎ2）ガス等の
不活性ガスを充填できるようになっている。
【００２０】被めっき基板２０に無電解めっき処理を施
すには、開閉弁Ｖ4、Ｖ5、Ｖ7、Ｖ8を閉じ、開閉弁Ｖ6
を開いて、真空ポンプ１８を起動し、槽本体１１の空間
１２の窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを抜きとる。該
空間１２の真空度が所定の値になったら、この状態で開
閉弁Ｖ1、Ｖ6を閉じ、開閉弁Ｖ2、Ｖ5を開いて、めっき
液循環槽１５内の無電解めっき液Ｑ1をめっき液循環ポ
ンプ１７により、槽本体１１の空間１２に充填、循環す
る。無電解めっき液Ｑ1が充填、循環された状態で所定
の時間が経過すると被めっき基板２０の表面に所定膜厚
の無電解めっき膜が形成される。
すには、開閉弁Ｖ4、Ｖ5、Ｖ7、Ｖ8を閉じ、開閉弁Ｖ6
を開いて、真空ポンプ１８を起動し、槽本体１１の空間
１２の窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを抜きとる。該
空間１２の真空度が所定の値になったら、この状態で開
閉弁Ｖ1、Ｖ6を閉じ、開閉弁Ｖ2、Ｖ5を開いて、めっき
液循環槽１５内の無電解めっき液Ｑ1をめっき液循環ポ
ンプ１７により、槽本体１１の空間１２に充填、循環す
る。無電解めっき液Ｑ1が充填、循環された状態で所定
の時間が経過すると被めっき基板２０の表面に所定膜厚
の無電解めっき膜が形成される。
【００２１】無電解めっき膜の形成が終了したら、開閉
弁Ｖ1を開くと共に開閉弁Ｖ2を閉じて無電解めっき液Ｑ
1を上記のように循環させる。続いて、開閉弁Ｖ4を開い
て窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを空間１２に供給す
ると共に開閉弁Ｖ8を開いてめっき液循環槽１５内を減
圧することにより、槽本体１１の空間１２内の無電解め
っき液Ｑ1を速やかにめっき液循環槽１５に戻す（押し
出す）。
弁Ｖ1を開くと共に開閉弁Ｖ2を閉じて無電解めっき液Ｑ
1を上記のように循環させる。続いて、開閉弁Ｖ4を開い
て窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを空間１２に供給す
ると共に開閉弁Ｖ8を開いてめっき液循環槽１５内を減
圧することにより、槽本体１１の空間１２内の無電解め
っき液Ｑ1を速やかにめっき液循環槽１５に戻す（押し
出す）。
【００２２】槽本体１１の空間１２内の無電解めっき液
Ｑ1の全部がめっき液循環槽１５に戻ったら、開閉弁
Ｖ4、Ｖ5、Ｖ8を閉じ、開閉弁Ｖ6を開いて、空間１２内
のガスを除去する。続いて、開閉弁Ｖ3、Ｖ7を開き、開
閉弁Ｖ3を通して洗浄水（Ｈ2Ｏ）等の洗浄液を槽本体１
１の空間１２内に供給し被めっき基板２０の表面を洗浄
する。この時、洗浄済みの洗浄液は開閉弁Ｖ7を通して
排水される。洗浄が終了したら、開閉弁Ｖ3を閉じ、空
間１２内の洗浄液を排水する。この時例えば開閉弁Ｖ4
を開いて窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを空間１２に
充填する。これにより空間１２内の洗浄液は速やかに排
出される。
Ｑ1の全部がめっき液循環槽１５に戻ったら、開閉弁
Ｖ4、Ｖ5、Ｖ8を閉じ、開閉弁Ｖ6を開いて、空間１２内
のガスを除去する。続いて、開閉弁Ｖ3、Ｖ7を開き、開
閉弁Ｖ3を通して洗浄水（Ｈ2Ｏ）等の洗浄液を槽本体１
１の空間１２内に供給し被めっき基板２０の表面を洗浄
する。この時、洗浄済みの洗浄液は開閉弁Ｖ7を通して
排水される。洗浄が終了したら、開閉弁Ｖ3を閉じ、空
間１２内の洗浄液を排水する。この時例えば開閉弁Ｖ4
を開いて窒素（Ｎ2）ガス等の不活性ガスを空間１２に
充填する。これにより空間１２内の洗浄液は速やかに排
出される。
【００２３】続いて、開閉弁Ｖ4、Ｖ7を閉じ開閉弁Ｖ6
を開き、槽本体１１の空間１２内の不活性ガスを排気す
る。この時ハロゲンランプ又はマイクロウエーブ発生器
１４を起動し、被めっき基板２０の表面にハロゲンラン
プ光又はマイクロウエーブを照射する。これにより、被
めっき基板２０に付着した洗浄液は蒸発し、真空ポンプ
１８により排気される。この排気は気水分離器１９を通
って水分が除去され所定の排気口に放出される。上記乾
燥処理の終了した被めっき基板２０を槽本体１１から搬
出することにより、めっき処理は終了する。
を開き、槽本体１１の空間１２内の不活性ガスを排気す
る。この時ハロゲンランプ又はマイクロウエーブ発生器
１４を起動し、被めっき基板２０の表面にハロゲンラン
プ光又はマイクロウエーブを照射する。これにより、被
めっき基板２０に付着した洗浄液は蒸発し、真空ポンプ
１８により排気される。この排気は気水分離器１９を通
って水分が除去され所定の排気口に放出される。上記乾
燥処理の終了した被めっき基板２０を槽本体１１から搬
出することにより、めっき処理は終了する。
【００２４】上記構成の無電解めっき装置によれば、槽
本体１１の空間１２の空間に搬入された被めっき基板２
０はめっき処理から洗浄及び乾燥処理が終了するまで、
大気に曝されることなく、処理できるので、上記乃至
の不都合、即ち、「被めっき基板の表面に残存・付着
しているめっき液による局部的めっきによる不均一な膜
厚のめっき膜の形成」、「被めっき基板の表面に付着し
た液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反応等の発
生」、「被めっき基板の表面に局所的に付着する液の乾
燥等に起因する汚染やシミの発生」の不都合がなくな
る。
本体１１の空間１２の空間に搬入された被めっき基板２
０はめっき処理から洗浄及び乾燥処理が終了するまで、
大気に曝されることなく、処理できるので、上記乃至
の不都合、即ち、「被めっき基板の表面に残存・付着
しているめっき液による局部的めっきによる不均一な膜
厚のめっき膜の形成」、「被めっき基板の表面に付着し
た液質に依存する無用の酸化・還元・腐食反応等の発
生」、「被めっき基板の表面に局所的に付着する液の乾
燥等に起因する汚染やシミの発生」の不都合がなくな
る。
【００２５】半導体ウエハや基板等の被めっき基板２０
には配線用の微細な溝や孔が形成されており、該微細溝
や孔に銅等の高導電性の金属を埋め込んで配線を形成す
るのであるが、上記構成の無電解めっき装置はこのよう
な微細溝や孔を銅等の金属めっきで埋め込むのに好適で
ある。
には配線用の微細な溝や孔が形成されており、該微細溝
や孔に銅等の高導電性の金属を埋め込んで配線を形成す
るのであるが、上記構成の無電解めっき装置はこのよう
な微細溝や孔を銅等の金属めっきで埋め込むのに好適で
ある。
【００２６】上記構成の無電解めっき装置を用いて、銅
の無電解めっきを施す場合は、無電解めっき液としては
例えば下記のものを用いる。 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ３〜１０ｇ／ｌ 錯化剤（エチレンジアミン４酢酸） １０〜２０ｇ／ｌ 還元剤（ホルマリン） 微量 ＰＨ調整剤（アルカリ溶液） 適量 添加剤 微量
の無電解めっきを施す場合は、無電解めっき液としては
例えば下記のものを用いる。 硫酸銅（ＣｕＳＯ4・５Ｈ2Ｏ） ３〜１０ｇ／ｌ 錯化剤（エチレンジアミン４酢酸） １０〜２０ｇ／ｌ 還元剤（ホルマリン） 微量 ＰＨ調整剤（アルカリ溶液） 適量 添加剤 微量
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように請求項１に記載の発
明によれば、無電解めっき液を外気と完全に遮断し、密
閉状態で該被めっき基板の表面に無電解めっき膜を形成
するので、無電解めっき液が外気に曝されることによ
り、被めっき基板の表面に付着した液質に依存する無用
の酸化・還元・腐食反応等が発生するという不都合を解
消することができる。
明によれば、無電解めっき液を外気と完全に遮断し、密
閉状態で該被めっき基板の表面に無電解めっき膜を形成
するので、無電解めっき液が外気に曝されることによ
り、被めっき基板の表面に付着した液質に依存する無用
の酸化・還元・腐食反応等が発生するという不都合を解
消することができる。
【００２８】請求項２に記載の発明によれば、無電解め
っき処理槽内に配置された被めっき基板を外気に曝すこ
となく、めっき処理及び水洗処理を連続して実施するの
で、被めっき基板の表面に残存・付着しているめっき液
による局部的めっきにより不均一な膜厚のめっき膜が形
成されるという不都合を解消できる。また、被めっき基
板の表面に付着した液質に依存する無用の酸化・還元・
腐食反応等が発生するという不都合も抑制することがで
きる。
っき処理槽内に配置された被めっき基板を外気に曝すこ
となく、めっき処理及び水洗処理を連続して実施するの
で、被めっき基板の表面に残存・付着しているめっき液
による局部的めっきにより不均一な膜厚のめっき膜が形
成されるという不都合を解消できる。また、被めっき基
板の表面に付着した液質に依存する無用の酸化・還元・
腐食反応等が発生するという不都合も抑制することがで
きる。
【００２９】請求項３に記載の発明によれば、無電解め
っき処理槽に不活性ガス供給源及び真空ポンプを接続
し、めっき液及び水洗水を該無電解めっき処理槽から急
速に排出することができるようにしたので、上記不都合
が極力抑制されると共に、処理が迅速となる。
っき処理槽に不活性ガス供給源及び真空ポンプを接続
し、めっき液及び水洗水を該無電解めっき処理槽から急
速に排出することができるようにしたので、上記不都合
が極力抑制されると共に、処理が迅速となる。
【００３０】請求項４に記載の発明によれば、無電解め
っき処理槽にハロゲンランプ又はマイクロウエーブ発生
器を設け、めっき処理、水洗処理及び乾燥処理を連続し
て実施できるように構成したので、上記不都合が極力抑
制されると共に、被めっき基板の表面に局所的に付着す
る液の乾燥等に起因する汚染やシミの発生も抑制するこ
とができる。
っき処理槽にハロゲンランプ又はマイクロウエーブ発生
器を設け、めっき処理、水洗処理及び乾燥処理を連続し
て実施できるように構成したので、上記不都合が極力抑
制されると共に、被めっき基板の表面に局所的に付着す
る液の乾燥等に起因する汚染やシミの発生も抑制するこ
とができる。
【図１】本発明に係る無電解めっき装置の構成を示す図
である。
である。
１０ 無電解めっき処理槽 １１ 槽本体 １２ 空間 １３ 蓋体 １４ ハロゲンランプ又はマイクロウエーブ
発生器 １５ めっき液循環槽 １６ ヒータ １７ めっき液循環ポンプ １８ 真空ポンプ １９ 気水分離器 ２０ 被めっき基板 Ｖ1〜Ｖ8 開閉弁
発生器 １５ めっき液循環槽 １６ ヒータ １７ めっき液循環ポンプ １８ 真空ポンプ １９ 気水分離器 ２０ 被めっき基板 Ｖ1〜Ｖ8 開閉弁
フロントページの続き (72)発明者 奥山 修一 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 千代 敏 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA05 AA42 BA08 DA01 DB11 DB17 DB18 EA02 4M104 BB04 DD53 5E343 DD33 FF16
Claims (4)
- 【請求項１】 無電解めっき処理槽を具備し、該無電解
めっき処理槽内に無電解めっき液を収容すると共に、該
無電解めっき液に被めっき基板を浸漬し、該被めっき基
板に無電解めっきを施す無電解めっき装置において、 めっき液循環槽、めっき液循環ポンプ、切換弁を具備
し、前記無電解めっき処理槽に被めっき基板を配置する
と共に、該めっき液循環槽から無電解めっき液を供給
し、該無電解めっき液を外気と完全に遮断し、密閉状態
で該被めっき基板の表面に無電解めっき膜を形成するこ
とを特徴とする無電解めっき装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の無電解めっき装置にお
いて、 前記無電解めっき処理槽に給水口、排水口を設け、該無
電解めっき処理槽内に配置された被めっき基板を外気に
曝すことなく、めっき処理及び水洗処理を連続して実施
できるように構成したことを特徴とする無電解めっき装
置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の無電解めっき装
置において、 前記無電解めっき処理槽に不活性ガス供給源及び真空ポ
ンプを接続し、めっき液及び水洗水を該無電解めっき処
理槽から急速に排出することができるように構成したこ
とを特徴とする無電解めっき装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２又は３に記載の無電解め
っき装置において、 前記無電解めっき処理槽にハロゲンランプ又はマイクロ
ウエーブ発生器を設け、前記めっき処理、水洗処理及び
乾燥処理を連続して実施できるように構成したことを特
徴とする無電解めっき装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337488A JP2000160349A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 無電解めっき装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10337488A JP2000160349A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 無電解めっき装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005150068A Division JP2005256179A (ja) | 2005-05-23 | 2005-05-23 | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000160349A true JP2000160349A (ja) | 2000-06-13 |
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ID=18309131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10337488A Pending JP2000160349A (ja) | 1998-11-27 | 1998-11-27 | 無電解めっき装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000160349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013015491A1 (ko) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 한국과학기술원 | 진공 도금 장치 및 방법 |
| CN108513448A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-07 | 苏州普瑞得电子有限公司 | 一种电脑用电路板电镀治具 |
-
1998
- 1998-11-27 JP JP10337488A patent/JP2000160349A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013015491A1 (ko) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 한국과학기술원 | 진공 도금 장치 및 방법 |
| CN108513448A (zh) * | 2018-04-23 | 2018-09-07 | 苏州普瑞得电子有限公司 | 一种电脑用电路板电镀治具 |
| CN108513448B (zh) * | 2018-04-23 | 2023-12-15 | 苏州普瑞得电子有限公司 | 一种电脑用电路板电镀治具 |
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