JP2017069529A - 基板液処理装置及び基板液処理方法 - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 435
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 397
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 296
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 70
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 13
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30604—Chemical etching
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】本発明では、複数の基板(8)を配列させた状態で処理液に浸漬して処理する処理槽(34)と、前記処理槽(34)の内部で前記基板(8)の下方に配置され、前記基板(8)の配列方向に沿って伸延させた管体(74)に前記処理液を吐出するための吐出口(76)を形成した処理液供給ノズル(49)とを有する基板液処理装置(1)において、前記吐出口(76)は、前記基板(8)の配列方向と直交する水平方向に間隔をあけて第1側面(78)及び第2側面(79)を形成し、前記第1側面(78)又は/及び前記第2側面(79)の外側端縁が、内側端縁を前記管体(74)の中心から半径方向に延長した位置(B1,D1)よりも水平方向に向けて外側に開いた位置(A1,C1)に設けられている。
【選択図】図6
Description
上記基板液処理装置1のエッチング処理装置26では、所定濃度の薬剤(リン酸)の水溶液を処理液(エッチング液)として用いて基板8を液処理(エッチング処理)する。
図8に示すエッチング処理装置82では、処理液循環部42の循環流路50の下流側の中途部に気泡供給部83を設けている。この気泡供給部83では、気泡となる気体(たとえば、窒素ガスなどの不活性ガス)を供給するための気体供給源84を循環流路50に流量調整器85を介して接続している。気体供給源84から供給された気体は、そのまま気泡となって循環流路50を通って処理液供給ノズル49から基板8の下方に処理液とともに供給される。この場合、気泡が循環流路50を通るため、循環流路50に設けられたポンプ51やフィルター52やヒータ53よりも下流側で、できるだけ処理液供給ノズル49の近傍に気体供給部83を接続することが望ましい。上記2重管からなる処理液吐出ノズル49では、内管75に気泡供給部83を直結してもよい。また、循環流路50や処理槽34の内部を処理液とともに気泡が流れるため、処理液の温度を低下させない温度に加熱した気体を供給することが望ましく、また、処理液と反応したり処理液に溶解しない種類の気体を供給することが望ましい。
図9に示すエッチング処理装置86では、処理液循環部42の循環流路50の上流側の中途部に気泡供給部87を設けている。気泡供給部87は、加熱(沸騰)することによって気泡となる液体(たとえば、アルコール)を供給するための液体供給源88を循環流路50に流量調整器89を介して接続している。液体供給源88から供給された液体は、循環流路50に設けられたヒータ53で加熱されて沸騰することで気化し、気泡となって循環流路50を通って処理液供給ノズル49から基板8の下方に処理液とともに供給される。この場合にも、循環流路50や処理槽34の内部を処理液とともに気泡が流れるため、処理液と反応したり処理液に溶解しない種類の液体を供給することが望ましい。この場合には、循環流路50に設けられた処理液を加熱するためのヒータ53で液体を処理液とともに加熱することができるが、気泡供給部87に液体を加熱するヒータを別に設けて、循環流路50に設けられたポンプ51やフィルター52やヒータ53よりも下流側で、できるだけ処理液供給ノズル49の近傍に気体供給部88を接続してもよい。この場合にも、液体を加熱する温度は、循環流路50の内部の圧力(流動圧力)が液体の種類や濃度や流速などによって変わるため、液体の種類や濃度や流速などを適宜変化させる予備的な実験を行って最適な温度を決定する。また、液体の沸点が大気圧の変動によって変わるため、処理槽34の外部に大気圧を計測する大気圧センサーSを設けて計測された大気圧(大気圧センサーSからの信号)によって液体を加熱する温度を補正するようにしてもよい。
上記実施例2、3に係るエッチング装置82,86では、処理液供給ノズル49の吐出口76から気泡を供給しているが、これに限られず、処理液供給ノズル49の吐出口76とは異なる位置から気泡を供給してもよい。
上記説明は、本発明を実施する場合の形態を示したものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変形することが可能である。
8 基板
34 処理槽
49 処理液供給ノズル
74 管体
76 吐出口
78 第1側面
79 第2側面
Claims (17)
- 複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬して処理する処理槽と、
前記処理槽の内部で前記基板の下方に配置され、前記基板の配列方向に沿って伸延させた管体に前記処理液を吐出するための吐出口を形成した処理液供給ノズルと、
を有し、
前記吐出口は、
前記基板の配列方向と直交する水平方向に間隔をあけて第1側面及び第2側面を形成し、前記第1側面又は/及び前記第2側面の外側端縁が、内側端縁を前記管体の中心から半径方向に延長した位置よりも水平方向に向けて外側に開いた位置に設けられていることを特徴とする基板液処理装置。 - 複数の基板を配列させた状態で処理液に浸漬して処理する処理槽と、
前記処理槽の内部で前記基板の下方に配置され、前記複数の基板の配列方向に沿って伸延させた管体に前記処理液を吐出するための吐出口を形成した処理液供給ノズルと、
を有し、
前記吐出口は、
前記基板の配列方向と直交する水平方向に間隔をあけて第1側面及び第2側面を形成し、前記第1側面と前記第2側面との開口角度が180度以上開いた状態で設けられていることを特徴とする基板液処理装置。 - 前記管体の内部に前記処理液を供給する内管を収容し、前記内管から前記管体に前記処理液を供給するための供給口を前記管体に形成した前記吐出口とは反対方向に向けて形成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板液処理装置。
- 前記配列された複数の基板の間に前記吐出口をそれぞれ配置するとともに、並設された前記吐出口の間に前記供給口をそれぞれ配置したことを特徴とする請求項3に記載の基板液処理装置。
- 前記管体の内部に前記処理液を供給する内管を収容し、前記内管の外周面を前記第1側面又は/及び前記第2側面よりも外側に突出させたことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記処理槽の内部に複数の前記処理液供給ノズルを、それぞれの前記吐出口の前記第1側面と前記第2側面との中央部における前記処理液の吐出方向が互いに交差しないように平行に配置したことを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記処理槽の内部に複数の前記処理液供給ノズルを、前記基板を配列させた状態で保持するために設けられた複数の基板保持体の間に配置したことを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記基板保持体の側面を前記吐出口の前記第1側面と前記第2側面との中央部における前記処理液の吐出方向と交差しないように平行に形成したことを特徴とする請求項7に記載の基板液処理装置。
- 前記処理槽の内部で前記基板の下方から気泡を供給するための気泡供給部をさらに有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の基板液処理装置。
- 前記気泡供給部は、前記処理液供給ノズルから処理液とともに気泡を吐出することを特徴とする請求項9に記載の基板液処理装置。
- 前記気泡は、前記処理液供給ノズルから吐出される処理液の流動圧力では液体状となっていることを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の基板液処理装置。
- 前記気泡は、処理液を沸騰させることで生成されたものであることを特徴とする請求項9〜請求項11のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記気泡は、処理液の流動圧力や処理液の温度や処理液の濃度の少なくともいずれかを制御することで生成されることを特徴とする請求項9〜請求項12のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記処理槽の外部に大気圧センサーを設け、前記大気圧センサーから取得した信号に応じて、前記気泡を生成させる処理液の温度や処理液の濃度を補正することを特徴とする請求項13に記載の基板液処理装置。
- 複数の基板を配列させた状態で処理槽に貯留した処理液に浸漬し、前記処理槽の内部で前記基板の下方に配置された処理液供給ノズルから前記処理液を供給して、前記基板を液処理する基板液処理方法において、
前記処理液供給ノズルから前記処理液を前記処理液供給ノズルの中心から半径方向より外側にも拡散させて吐出させることを特徴とする基板液処理方法。 - 複数の基板を配列させた状態で処理槽に貯留した処理液に浸漬し、前記処理槽の内部で前記基板の下方に配置された処理液供給ノズルから前記処理液を供給して、前記基板を液処理する基板液処理方法において、
前記処理液供給ノズルから前記処理液を前記処理液供給ノズルの中心から180度以上外側にも拡散させて吐出させることを特徴とする基板液処理方法。 - 前記基板の下方から気泡を供給させることを特徴とする請求項15又は請求項16に記載の基板液処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610849288.9A CN107017160B (zh) | 2015-09-30 | 2016-09-23 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
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Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015192688 | 2015-09-30 | ||
JP2015192688 | 2015-09-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017069529A true JP2017069529A (ja) | 2017-04-06 |
JP6509104B2 JP6509104B2 (ja) | 2019-05-08 |
Family
ID=58495266
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015248492A Active JP6509104B2 (ja) | 2015-09-30 | 2015-12-21 | 基板液処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6509104B2 (ja) |
KR (1) | KR102666693B1 (ja) |
CN (1) | CN107017160B (ja) |
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JP6509104B2 (ja) | 2019-05-08 |
CN107017160A (zh) | 2017-08-04 |
KR20170038678A (ko) | 2017-04-07 |
CN107017160B (zh) | 2021-10-01 |
KR102666693B1 (ko) | 2024-05-16 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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