JP2009081240A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置1は、吐出ノズル13から内槽11の側壁112a,112bに形成された溝部14に向けてフッ酸溶液を吐出する。このため、吐出ノズル13から吐出されたフッ酸溶液は、溝部14に衝突して拡散し、低速かつ一律な液流として内槽11の上部に向けて進行する。したがって、内槽11の内部に発生した金属成分や異物は、内槽11の内部において攪拌されることなく内槽11の上部へ浮上し、フッ酸溶液とともに速やかに外槽12へ排出される。
【選択図】図3
Description
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1を、基板Wの主面と平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、基板処理装置1が有する制御系や給排液系の構成も示されている。また、図2は、基板処理装置1を、基板Wの主面と垂直な平面で切断した縦断面図である。図1および図2には、装置内の各部の位置関係を明確化するために、共通のXYZ直交座標系が示されている。
続いて、上記の基板処理装置1において基板Wを処理するときの動作について、図4のフローチャートを参照しつつ説明する。この基板処理装置1において基板Wの処理を行うときには、まず、開閉弁33および開閉弁42を開放する。これにより、フッ酸溶液供給源31から配管32を介して吐出ノズル13へフッ酸溶液を供給し、吐出ノズル13から内槽11の内部へフッ酸溶液を吐出する(ステップS1)。吐出ノズル13から吐出されたフッ酸溶液は、内槽11の内部に徐々に貯留され、やがて内槽11の上部から外槽12へオーバーフローする。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、吐出ノズル13は、溝部14の下部テーパ面14bに向けてフッ酸溶液を吐出していたが、吐出ノズル13は、溝部14の他の部位に向けてフッ酸溶液を吐出してもよい。他の実施形態として、図5に示したように、吐出ノズル13から上下のテーパ面14a,14bの境界部に向けてフッ酸溶液を吐出するようにしてもよい。
10 処理槽
11 内槽
12 外槽
13 吐出ノズル
13a 吐出口
14 溝部
14a,14b テーパ面
20 リフタ
30 フッ酸溶液供給部
40 フッ酸溶液排出部
50 制御部
111 底壁
112a〜112d 側壁
W 基板
Claims (7)
- 処理液中に基板を浸漬することにより基板の処理を行う基板処理装置であって、
側壁と底壁とを有し、その内部に処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽の内部に処理液を吐出する吐出手段と、
前記処理槽の上部からオーバーフローした処理液を排出する排出手段と、
前記処理槽の内部と前記処理槽の上方位置との間で基板を昇降移動させる移動手段と、
を備え、
前記吐出手段は、前記処理槽の内部において前記側壁または前記底壁に向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、前記側壁または前記底壁に形成された凹部に向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記吐出手段は、一対の吐出ノズルを有し、
前記一対の吐出ノズルは、前記処理槽の対向する一対の側壁に形成された凹部に向けてそれぞれ処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記一対の側壁の下端部にそれぞれ形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた断面V字形状の溝であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置であって、
前記吐出ノズルは、前記断面V字形状の溝を構成する一対のテーパ面のうち、下側のテーパ面へ向けて処理液を吐出することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3または請求項4に記載の基板処理装置であって、
前記凹部は、前記処理槽の内側へ向けて開いた曲面状の溝であることを特徴とする基板処理装置。
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