JP2017117926A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】処理液を用いた基板処理において、処理液が処理槽内で局所に滞留することを抑制し、処理液を効果的に循環できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】この基板処理装置１は、処理液によって複数の基板２を処理する。基板処理装置１は、処理液を貯留する処理槽２０と、処理槽２０内に処理液を供給するノズル２３と、処理槽２０内に配置され、複数の基板２を処理液中に起立姿勢で保持する基板保持部３０と、処理槽２０内に配置され、回転軸９を中心に回転するインペラ７０と、インペラ７０を回転させるモータ８０と、を有する。これにより、処理層２０内の処理液が撹拌される。したがって、処理液は、処理槽２０内の局所に滞留することなく循環される。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の平板状の基板を処理液中に浸漬することにより、基板に対して洗浄やエッチング等の処理を行う基板処理装置及び基板処理方法に関するものである。

基板の製造工程においては、処理槽に貯留された処理液中に基板を浸漬することで基板の処理を行う基板処理装置が使用されている。このような基板処理装置では、基板への異物の付着や処理ムラを抑えるために、処理槽に貯留された処理液を処理槽内において循環させることが望ましい。このような技術は、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の基板処理装置は、処理槽の底部近傍に処理液を吐出する吐出ノズルを配設し、その吐出ノズルから処理液を吐出して処理槽上部からオーバーフローさせることで、処理液を循環させる。

また、特許文献１に記載の基板処理装置は、内槽の側壁に形成された断面Ｖ字形の溝部の、下側テーパー面に向けて処理液を吐出して内槽の内部に比較的低速の液流を形成する第三吐出ノズルを備える。そして、第三吐出ノズルから吐出され内槽の下側テーパー面に衝突した処理液の流れのうち、上方向に向かう流れを板状部材で阻止する。これにより、処理液が、処理槽内で局所に滞留することなく、均一に上方向に流すことができる旨が記載されている（請求項１、図４等参照）。

特開２０１３−７００２２号公報 特開２００７−２６２４６６号公報

しかしながら、特許文献１の技術を適用するためには、処理槽を従来の形状から変形させる必要がある。すなわち、既存の処理槽に、特許文献１の技術を適用するためには、設備の改造が必要となり、改造費用を要することとなる。

そこで、簡易な構成により処理槽内の処理液を循環させる手法として、インペラなどを使用して処理液を撹拌する手法が考えられる。特許文献２の技術では、処理液の流路中にある噴流ポンプに備えられたインペラによって、処理液を撹拌させる旨が記載されている（図１、段落９４等参照）。しかしながら、特許文献２の技術では、処理槽内での処理液の循環は考慮されていない。したがって、特許文献２の技術では、処理液が、処理槽内で局所に滞留することを十分に抑えることはできないと考えられる。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、処理液を用いた基板処理装置において、簡易な構成を適用することで装置の改造を抑えつつ、処理槽内において効果的に処理液を循環できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本願の第１発明は、処理液によって複数の基板を処理する基板処理装置であって、前記処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内に前記処理液を供給するノズルと、前記処理槽内に配置され、前記複数の基板を前記処理液中に起立姿勢で保持する基板保持部と、前記処理槽内に配置されるインペラと、前記インペラを回転軸を中心に回転させるモータと、を有する。

本願の第２発明は、第１発明の基板処理装置であって、前記インペラは、前記処理槽の底部と、前記基板との間に配置される。

本願の第３発明は、第１発明から第３発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記ノズルは、前記処理槽の側部から前記処理槽の内側へ向けて前記処理液を吐出し、前記インペラと、前記ノズルと、は水平方向に重なる。

本願の第４発明は、第１発明から第３発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記処理槽に貯留された処理液の液面に対して基板が下方に位置する浸漬状態と、前記液面に対して基板および前記基板保持部が上方に位置する露出状態との間で、基板と前記液面とを相対的に移動させる移動機構をさらに有し、前記インペラは、前記移動機構と連動して、上下に移動する。

本願の第５発明は、第１発明から第４発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記インペラは、前記回転軸に沿って延び、前記回転軸を中心に回転する第１シャフトと、前記第１シャフトに固定された、一つ以上の撹拌羽と、を有する。

本願の第６発明は、第５発明の基板処理装置であって、前記撹拌羽は、前記基板と、前記回転軸に直交する方向に重なる。

本願の第７発明は、第５発明または第６発明の基板処理装置であって、前記回転軸と交差する方向に延び、前記モータと接続される第２シャフトと、前記処理槽内に配置され、前記第１シャフトと、前記第２シャフトと、を接続する動力伝達部と、をさらに有し、前記モータは、前記第２シャフトを回転させ、前記動力伝達部は、前記第２シャフトの回転運動を、前記第１シャフトの回転運動へと、変換して伝達する。

本願の第８発明は、第７発明の基板処理装置であって、前記動力伝達部の外側面を覆うカバー部をさらに有する。

本願の第９発明は第１発明から第８発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記インペラの回転方向および回転速度を切り替える制御部をさらに有する。

本願の第１０発明は、処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、ａ）複数の前記基板を前記処理液が満たされた処理槽中に浸漬する工程と、ｂ）前記処理槽中に前記処理液を吐出する工程と、ｃ）前記処理槽中に吐出された前記処理液を撹拌する工程と、を有する。

本願の第１発明〜第１０発明によれば、インペラにより、処理液が処理槽内で撹拌される。これにより、基板表面付近で、処理液が、処理槽内の局所に滞留することを抑制できる。したがって、処理槽内で処理液が効果的に循環される。その結果、基板表面への異物の付着等の、処理不良の発生を抑制できる。

特に、第２発明、第３発明または第９発明によれば、処理液が処理槽内でより効果的に撹拌される。これにより、基板表面付近で、処理液が、局所に滞留することをより抑制できる。

特に、第４発明によれば、インペラは、基板保持部および基板が、処理槽内の浸漬位置へ移動することで、処理槽内に配置される。このようにすれば、処理槽の加工を施すことなく、インペラを処理槽内に配置できる。

特に、第５発明によれば、インペラを簡易な構成とすることができる。

特に、第６発明によれば、撹拌された処理液を、複数の基板に対して、均一に送ることができる。これにより、処理液による基板の処理ムラをより抑えることができる。

特に、第７発明によれば、処理槽の加工を施すことなく、インペラを処理槽内に配置できる。

特に、第８発明によれば、動力伝達部を処理液中に配置した場合であっても、動力伝達部の劣化を抑制することができる。

基板処理装置の前方から見た縦断面図である。 基板処理装置の側方から見た縦断面図である。 インペラの斜視図である。 インペラの無い処理槽内の液流を示す図である。 処理槽内の液流を示す図である。 基板処理のフローチャートである。 変形例に係る基板処理装置の側方から見た図である。 変形例に係る基板処理装置の側方から見た図である。 変形例に係るインペラの斜視図である。 変形例に係るインペラの斜視図である。 変形例に係るインペラの斜視図である。 変形例に係るインペラの斜視図である。

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。

＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の前方から見た縦断面図である。図２は、基板処理装置１の側方から見た縦断面図である。この基板処理装置１は、半導体の製造工程において、略円板状の基板である半導体ウエハ２に対して、リン酸等の処理液によるエッチング処理を行う装置である。この基板処理装置１では、複数枚の半導体ウエハ２が、一括して処理される。図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、処理槽２０、基板保持部３０、移動機構であるリフタ機構４０、処理液供給部５０、処理液回収部６０、インペラ７０、モータ８０および制御部９０を備えている。

処理槽２０は、処理液を貯留する貯留容器である。処理槽２０は、処理液を貯留してその内部に複数枚の半導体ウエハ２を浸漬させる内槽２１と、内槽２１の外周部に設けられた外槽２２とを有する。内槽２１の底部の両側部には、一対の処理液供給ノズル２３が設けられている。各処理液供給ノズル２３は、複数枚の半導体ウエハ２の配列方向に沿って、管状に延びている。また、各処理液供給ノズル２３には、複数の吐出口２５が設けられている。吐出口２５は、内槽２１の底部の中央に向けられている。処理液供給ノズル２３に処理液が供給されると、当該処理液は、複数の吐出口２５から吐出されて内槽２１の内部に貯留される。また、内槽２１の上部まで貯留された処理液は、内槽２１の上部からオーバーフローして、外槽２２へ捕集される。

基板保持部３０は、複数枚の半導体ウエハ２を保持する部位である。基板保持部３０は、複数枚の半導体ウエハ２の配列方向に沿って延びる３本の保持棒３１により構成されている。各保持棒３１の上面には、複数の保持溝（図示省略）が刻設されている。複数枚の半導体ウエハ２は、それらの周縁部を保持溝に嵌合させた状態で、３本の保持棒３１上に、互いに平行に起立姿勢で保持される。

リフタ機構４０は、基板保持部３０を上下に移動させる機構である。リフタ機構４０は、例えば、エアシリンダやモータの駆動力を利用して、実現することができる。リフタ機構４０を下向きに駆動させると、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２が、内槽２１の内部の浸漬位置Ｐ１へ移動する。すなわち、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２が、内槽２１に貯留された処理液の液面より下方に位置する浸漬状態（図１において実線で示す状態）となる。一方、リフタ機構４０を上向きに駆動させると、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２が、処理槽２０より上方の引き上げ位置Ｐ２へ引き上げられる。すなわち、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２が、内槽２１に貯留された処理液の液面より上方に位置する露出状態（図２において実線で示す状態）となる。

処理液供給部５０は、処理液供給ノズル２３へ処理液を供給するための機構である。処理液には、例えばリン酸が用いられる。ただし、処理液には、硝酸、フッ酸等の他の薬液が用いられてもよく、これらの混合液が用いられてもよい。図１に示すように、処理液供給部５０は、給液配管５１、処理液供給源５２、および第１開閉弁５３を有する。給液配管５１の上流側の端部は、処理液供給源５２に接続されている。給液配管５１の下流側の端部は、２本に分岐して、一対の処理液供給ノズル２３に、それぞれ接続されている。また、第１開閉弁５３は、給液配管５１の経路途中に介挿されている。このため、第１開閉弁５３を開放すると、処理液供給源５２から給液配管５１を通って一対の処理液供給ノズル２３へ、処理液が供給される。

処理液回収部６０は、外槽２２に捕集された使用済みの処理液を、基板処理装置１の外部へ排出するための機構である。図１に示すように、処理液回収部６０は、排液配管６１および第２開閉弁６２を有する。排液配管６１の上流側の端部は、外槽２２に接続されている。排液配管６１の下流側の端部は、工場内の排液ラインに接続されている。また、第２開閉弁６２は、排液配管６１の経路途中に介挿されている。このため、第２開閉弁６２を開放すると、外槽２２から排液配管６１を通って排液ラインへ、処理液が排出される。なお、排出された処理液を再生処理し、再び内槽２１へ循環供給してもよい。

インペラ７０は、処理槽２０の内槽２１の内部に配置され、回転軸９を中心に回転する部材である。回転軸９は、複数枚の半導体ウエハ２の配列方向に沿って延びている。インペラ７０は、例えば、処理液に対する耐性を備える樹脂材料等から構成される。ただし、インペラ７０は、他の材料から構成されてもよい。また、本実施形態では、二つのインペラ７０が、内槽２１の内部に配置されている。ただし、内槽２１の内部に配置されるインペラ７０の数は、一つであってもよく、三つ以上であってもよい。

モータ８０は、処理槽２０の外部に設置され、インペラ７０と接続される。インペラ７０は、モータ８０の駆動力によって、内槽２１の内部で回転し、処理液を撹拌する。これにより、処理液が、内槽２１の内部で局所に滞留することを抑制できる。すなわち、処理液供給ノズル２３から吐出された処理液が、内槽２１の内部で効果的に循環される。また、処理槽２０の改造は、モータ８０とインペラ７０とを接続するための貫通孔２４の形成のみに抑えることができる。このため、設備の改造費用を抑えつつ、処理液の撹拌性能を向上できる。また、既存の設備に対しても、容易にインペラ７０を設置することができる。

図３は、インペラ７０の斜視図である。図３に示すように、インペラ７０は、第１シャフト７１と、撹拌羽７３とを有する。第１シャフト７１は、回転軸９に沿って延びる。そして、第１シャフト７１は、処理槽２０に形成された貫通孔２４を介して、外部のモータ８０と接続される。

第１シャフト７１は、モータ８０の動力によって回転軸９を中心に回転する。撹拌羽７３は、第１シャフト７１に固定され、第１シャフト７１の回転に伴って、回転軸９を中心に回転する。これにより、内槽２１の内部の処理液が撹拌される。したがって、処理液が、内槽２１の内部で局所に滞留することを抑制できる。

また、本実施形態では撹拌羽７３は、第１シャフト７１を中心に対象な形状となっている。これにより、処理液は、均一に撹拌される。なお、第１シャフト７１と、撹拌羽７３とは、同一部材であってもよく、別部材であってもよい。

図４は、インペラの無い基板処理装置１ａの、処理液の流れを示す図（比較例）である。図５は、本実施形態の基板処理装置１における処理液の流れを示す図である。基板処理装置１ａでは、図４の矢印で示すように、処理液は、処理液供給ノズル２３ａから内槽２１ａの底部に向かう。次に、処理液は、内槽２１ａの中央付近に向かう。その後、処理液は、外槽２２ａへと向かう。このため、処理液は、内槽２１ａの中央付近から、水平方向外側に向かうにつれ、循環されにくくなる。したがって、半導体ウエハ２ａの中心部からやや水平方向外側の位置（図４中の破線で囲んだ位置）において、処理液の滞留が発生しやすくなる。

そこで、本実施形態では、図１、図２および図５に示すように、インペラ７０は、内槽２１の底部と半導体ウエハ２との間に配置される。そして、インペラ７０は、処理液供給ノズル２３とは水平方向に重なる位置に配置される。また、インペラ７０は、図５の破線矢印で示すように、撹拌羽７３の先端が内槽２１の底部から、処理液供給ノズル２３に向かう方向に（図５の右側のインペラ７０において反時計回りに）回転する。

これにより、図５の矢印で示すように、処理液供給ノズル２３から内槽２１の底部へと向かう処理液の流れの一部は、インペラ７０によって、処理液供給ノズル２３側へ向けて、押し戻される。そして、処理液供給ノズル２３側へ向けて押し戻された処理液は、外槽２２へと向かって流れる。したがって、半導体ウエハ２の中心から水平方向外側へも、循環された処理液が行きわたりやすくなる。その結果、処理液が、半導体ウエハ２の表面付近で局所に滞留することを抑制できる。

また、図２に示すように、本実施形態では撹拌羽７３は、半導体ウエハ２と回転軸９に直交する方向に重なる。これにより、撹拌羽７３により撹拌された処理液が、複数の半導体ウエハ２に対して、均一に行きわたりやすくなる。したがって、複数の半導体ウエハ２に対して、半導体ウエハ２の表面付近での局所的な処理液の滞留をより抑制できる。その結果、複数の半導体ウエハ２は、処理液による処理ムラが抑えられ、均一に処理される。

制御部９０は、図１および図２中に概念的に示したように、リフタ機構４０、第１開閉弁５３、第２開閉弁６２およびモータ８０と電気的に接続されている。制御部９０は、ＣＰＵ等の演算処理部やメモリを有するコンピュータにより構成されていてもよく、あるいは、電子回路基板により構成されていてもよい。制御部９０は、ユーザの操作、各種の入力信号、または予め設定されたプログラムに従って、リフタ機構４０、第１開閉弁５３、第２開閉弁６２およびモータ８０の動作を制御する。

＜２．エッチング処理の流れについて＞
続いて、上記の基板処理装置１を用いたエッチング処理の流れについて、図６のフローチャートを参照しつつ、説明する。基板処理装置１においてエッチング処理を行うときには、まず、当該処理を行う旨の指令が、制御部９０に入力される。制御部９０は、当該指令を受信すると、基板処理装置１内の各部を動作制御する。これにより、図６に示すエッチング処理が進行する。

基板処理装置１は、まず、第１開閉弁５３および第２開閉弁６２を開放する。そうすると、処理液供給源５２から給液配管５１を通って処理液が供給され、処理液供給ノズル２３から内槽２１の内部へ、処理液が吐出される。処理液供給ノズル２３から吐出された処理液は、内槽２１の内部に徐々に貯留され（ステップＳ１）、やがて内槽２１の上部から外槽２２へオーバーフローする。なお、処理液供給ノズル２３からの処理液の吐出は、以下のステップＳ２〜Ｓ４においても継続される。

続いて、基板処理装置１は、リフタ機構４０を動作させて、基板保持部３０を下降させる。そうすると、複数枚の半導体ウエハ２が、内槽２１の内部に貯留された処理液中に、浸漬される（ステップＳ２）。これにより、複数枚の半導体ウエハ２に対するエッチング処理が開始される。内槽２１の内部においては、処理液と反応することで、半導体ウエハ２の表面が選択的に溶解され除去される。そして、半導体ウエハ２から溶解した半導体成分は、処理液とともに内槽２１の内部で循環されつつ、徐々に内槽２１の外部へと排出される。

その後、基板処理装置１は、モータ８０を動作させて、インペラ７０を回転させる(ステップＳ３）。そうすると、処理液供給ノズル２３から吐出された処理液が、内槽２１の内部に撹拌される。そして、予め設定されたエッチング処理時間が経過すると、基板処理装置１は、リフタ機構４０を動作させて、基板保持部３０を上昇させる。これにより、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２を、浸漬位置Ｐ１から引き上げ位置Ｐ２へ引き上げる（ステップＳ４）。すなわち、基板保持部３０および複数枚の半導体ウエハ２を、内槽２１に貯留された処理液から露出した露出状態とする。以上をもって、複数枚の半導体ウエハ２に対するエッチング処理を終了する。

これにより、半導体ウエハ２の表面付近で、処理液が局所に滞留することが抑制される。特に、半導体ウエハ２としてＳｉウエハを用い、Ｓｉウエハをリン酸によりエッチング処理する場合、リン酸が局所に滞留することで、Ｓｉウエハの表面付近でのＳｉ濃度が高くなる。そうすると、Ｓｉウエハの表面にＳｉが再析出する。しかしながら、本実施形態の基板処理装置１では、リン酸が局所に滞留することなく効果的に循環される。したがって、ＳｉウエハへのＳｉの再析出を抑制することができる。

＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。

図７は、変形例に係る基板処理装置１Ａの、側方から見た縦断面図である。この基板処理装置１Ａのインペラ７０Ａは、第１シャフト７１Ａと、第２シャフト７２Ａと、撹拌羽７３Ａと、動力伝達部７４Ａと、カバー部７５Ａとを有する。

第２シャフト７２Ａは、第１シャフト７１Ａと交差する方向（図７の例では上下方向）に延びる。また、第２シャフト７２Ａは、モータ８０Ａと接続され、モータ８０Ａの駆動力により回転する。動力伝達部７４Ａは、内槽２１Ａ内に配置され、第２シャフト７２Ａと、第１シャフト７１Ａとを接続する。そして、動力伝達部７４Ａは、第２シャフト７２Ａの回転運動を、第１シャフト７１Ａの回転運動へと変換して伝達する。動力伝達部７４Ａには、例えば、交差軸の歯車機構を利用して、実現することができる。カバー部７５Ａは、動力伝達部７４Ａの外周部を覆う。これにより、動力伝達部７４Ａと処理液が接触することが防止される。

モータ８０Ａを駆動させると、第２シャフト７２Ａが回転し、第２シャフト７２Ａの回転と連動して第１シャフト７１Ａが回転する。これにより、インペラ７０Ａが回転し、内槽２１Ａ内の処理液が撹拌される。こうすることで、第１シャフト７１Ａと、モータ８０Ａとを接続するための貫通孔を、内槽２１Ａに設ける必要がなくなる。すなわち、処理槽２０Ａを加工することなく、インペラ７０Ａを内槽２１Ａ内に配置できる。

図８は、他の変形例に係る基板処理装置１Ｂの、側方から見た縦断面図である。この基板処理装置１Ｂのインペラ７０Ｂは、基板保持部３０Ｂに取り付けられる。そして、インペラ７０Ｂは、リフタ機構４０Ｂによる基板保持部３０Ｂの上下移動と連動して上下移動する。そして、インペラ７０Ｂは、基板保持部３０Ｂおよび複数枚の半導体ウエハ２Ｂが、内槽２１Ｂの内部の浸漬位置へ移動することで、内槽２１Ｂ内に配置される。このようにすれば、処理槽２０Ｂの加工を施すことなく、インペラ７０Ｂを内槽２１Ｂ内に配置できる。このとき、インペラ７０Ｂを回転させるモータ８０Ｂは、内槽２１Ｂに貫通孔を設けず配置されるのであれば、配置については特に限られない。

図９〜図１２は、変形例に係るインペラの斜視図である。図９に示すように、インペラ７０Ｃは、第１シャフト７１Ｃに複数の撹拌羽７３Ｃが固定されるものであってもよい。また、図１０に示すように、インペラ７０Ｄの撹拌羽７３Ｄは、回転軸９Ｄを中心に非対称な形状であってもよい。また、図１１および図１２に示すように、インペラ７０Ｅ，７０Ｆの撹拌羽７３Ｅ，７３Ｆは、一枚の板状部材により構成されてもよい。

また、上記実施形態では、エッチング処理は、ステップＳ１からステップＳ４の順序で行われていた。しかしながら、エッチング処理は、必ずしも当該順序で行われなくてもよい。例えば、半導体ウエハを浸漬させるステップＳ２と、インペラの回転を開始させるステップＳ３とを入れ替えてもよい。また、ステップＳ１からステップＳ４以外にも、インペラの回転方向を切り替えるステップおよびインペラの回転速度を切り替えるステップを加えてもよい。エッチング処理中に、制御部が、インペラの回転速度を切り替えるようにすれば、インペラによる処理液の撹拌の強さや向きに、変化をつけることができる。

また、上記実施形態では、基板保持部は、複数枚の半導体ウエハの配列方向に沿って延びる３本の保持棒により構成されていた。しかしながら、基板保持部は、その上面に半導体ウエハを起立姿勢で載置するものであれば、上記の実施形態とは異なる構成であってもよい。例えば、基板保持部を構成する保持棒の数が、２本であってもよい。

また、上記の実施形態では、基板処理装置は、エッチング処理用途として用いられていた。しかしながら、基板処理装置は、基板洗浄用途として用いられてもよい。この場合、処理液として、純水等の洗浄液を用いればよい。また、基板処理装置は、基板に対して、エッチングおよび洗浄以外の処理を行うものであってもよい。

また、上記の基板処理装置は、半導体ウエハを処理対象としていたが、本発明の基板処理装置および基板処理方法は、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を、処理対象とするものであってもよい。

また、基板処理装置の細部の構成については、本願の各図に示された形状と、相違していてもよい。また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。

１，１Ａ，１Ｂ 基板処理装置
２，２Ｂ，２ａ 半導体ウエハ
９，９Ｄ 回転軸
２０，２０Ａ，２０Ｂ 処理槽
２１，２１Ａ，２１Ｂ 内槽
２２ 外槽
２３ 処理液供給ノズル
２４ 貫通孔
２５ 吐出口
３０，３０Ｂ 基板保持部
３１ 保持棒
４０ リフタ機構
５０ 処理液供給部
５１ 給液配管
５２ 処理液供給源
５３ 第１開閉弁
６０ 処理液回収部
６１ 排液配管
６２ 第２開閉弁
７０，７０Ａ，７０Ｂ，７０Ｃ，７０Ｄ，７０Ｅ，７０Ｆ インペラ
７１，７１Ａ，７１Ｃ 第１シャフト
７２Ａ 第２シャフト
７３，７３Ａ，７３Ｃ，７３Ｄ，７３Ｅ，７３Ｆ 撹拌羽
７４Ａ 動力伝達部
７５Ａ カバー部
８０，８０Ａ モータ
９０ 制御部

Claims (10)

1. 処理液によって複数の基板を処理する基板処理装置であって、
   前記処理液を貯留する処理槽と、
   前記処理槽内に前記処理液を供給するノズルと、
   前記処理槽内に配置され、前記複数の基板を前記処理液中に起立姿勢で保持する基板保持部と、
   前記処理槽内に配置されるインペラと、
   前記インペラを回転軸を中心に回転させるモータと、
   を有する基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記インペラは、前記処理槽の底部と、前記基板との間に配置される基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ノズルは、前記処理槽の側部から前記処理槽の内側へ向けて前記処理液を吐出し、
   前記インペラと、前記ノズルと、は水平方向に重なる基板処理装置。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記処理槽に貯留された処理液の液面に対して基板が下方に位置する浸漬状態と、前記液面に対して基板および前記基板保持部が上方に位置する露出状態との間で、基板と前記液面とを相対的に移動させる移動機構をさらに有し、
   前記インペラは、前記移動機構と連動して、上下に移動する基板処理装置。
5. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記インペラは、
   前記回転軸に沿って延び、前記回転軸を中心に回転する第１シャフトと、
   前記第１シャフトに固定された、一つ以上の撹拌羽と、
   を有する基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記撹拌羽は、前記基板と、前記回転軸に直交する方向に重なる基板処理装置。
7. 請求項５または請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記回転軸と交差する方向に延び、前記モータと接続される第２シャフトと、
   前記処理槽内に配置され、前記第１シャフトと、前記第２シャフトと、を接続する動力伝達部と、
   をさらに有し、
   前記モータは、前記第２シャフトを回転させ、
   前記動力伝達部は、前記第２シャフトの回転運動を、前記第１シャフトの回転運動へと、変換して伝達する基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置であって、
   前記動力伝達部の外側面を覆うカバー部をさらに有する基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記インペラの回転方向および回転速度を切り替える制御部をさらに有する基板処理装置。
10. 処理液によって基板を処理する基板処理方法であって、
    ａ）複数の前記基板を前記処理液が満たされた処理槽中に浸漬する工程と、
    ｂ）前記処理槽中に前記処理液を吐出する工程と、
    ｃ）前記処理槽中に吐出された前記処理液を撹拌する工程と、
    を有する基板処理方法。

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