KR100603434B1 - 플라즈마 세정장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 상압에서 플라즈마를 발생시켜서 재료를 세정하는 플라즈마 세정장치에 관한 것이다.
본 발명은, 유전체와 결합된 전극 다수개가 일정한 간격을 두고 나란히 설치되는 전극부,상기 전극부에서 발생되는 열을 외부로 방열시키는 방열부, 상기 방열부로 원료가스를 공급하는 원료가스 도입부, 상기 방열부를 통과하여 확산된 원료가스를 전극부로 공급하는 원료가스 공급로, 상기 원료가스 도입부 좌우측의 분리된 공간에 각각 구비되어 배기기능 및 흡기기능을 수행하는 흡배기부를 포함하여 구성된다.
플라즈마, 상압 플라즈마, 세정

Description

플라즈마 세정장치{Cleaning Apparatus using plasma generating device}
도 1은 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치의 구조를 나타내는 측단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치의 구조를 나타내는 정면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치의 구조를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 돌출형 방열판의 구조를 나타내는 사시도이다.
도 5는 제2 가스 통로 및 플라즈마 배출구의 구조를 나타내는 플라즈마 세정장치의 저면 사시도이다.
도 6은 본 발명에 따른 플라즈마 세정 시스템의 구조를 나타내는 측단면도이다.
도 7 내지 도 12은 본 발명에 따른 플라즈마 세정 시스템의 운영 방식에 대한 각 실시예를 나타내는 측단면도이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 세정장치
110 : 전극부 120 : 방열부
121 : 방열핀 122 : 돌출형 방열판
124 : 방열벽 130 : 원료가스 도입부
132 : 원료가스 도입관 140 : 원료가스 공급로
142 : 원료가스 임시 저장부 144 : 세라믹 볼
150 : 흡배기부 152 : 제1 가스통로
154 : 제2 가스 통로 220 : 흡기구
본 발명은 상압에서 플라즈마를 발생시켜서 재료를 세정하는 플라즈마 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로 어떠한 공정을 수행하는 경우에도 모든 재료의 표면세정 정도는 그 재료 위에 다른 소재를 증착, 도포 또는 접합하는 등의 후속 작업에 있어서, 다른 소재의 접착력 및 밀착력에 매우 큰 영향을 미친다.
따라서 재료의 표면 세정은 매우 중요한 공정이며, 종래에 이용되던 표면 세정방법으로는 여러가지의 화학약품들을 이용하여 재료의 표면을 세정하는 방법이 있다. 그러나 이러한 방법은 화학약품들에 의한 환경공해 문제로 인해 그 사용이 매우 제한되고 있다.
따라서 새로운 표면세정 방법들이 많이 연구되고 있으며, 실제로 공정에서 이용되는 방법도 있다. 이러한 새로운 표면세정 방법들 중의 하나로 저온 저압 상태의 플라즈마를 이용하는 방법을 들 수 있다. 저압플라즈마를 이용한 표면세정 방법은 저압의 진공챔버를 형성시키고, 상기 진공챔버 내에 플라즈마를 발생시켜 만들어진 이온이나 활성화된 가스를 재료의 표면과 접촉시켜 재료표면의 불순물이나 오염물질을 제거하는 방법을 말한다.
이러한 저압상태의 플라즈마를 이용하는 표면세정방법은 우수한 세정효과에도 불구하고 널리 이용되지 않고 있는 실정이다. 그 이유는 저압 플라즈마를 발생시키기 위해서는 진공장치가 필요하여, 대기압 상태에서 이루어지는 연속공정에는 적용되기 어렵기 때문이다.
따라서 최근에는 대기압 상태에서 플라즈마를 발생시켜 표면세정에 이용하고자 하는 연구가 매우 활발하게 이루어지고 있다.
상압 플라즈마는 여러가지 방법을 이용하여 발생시킬 수 있으며, 가장 보편적으로 사용되는 방법으로는 오존 발생장치에서 이미 오랫동안 사용되어져 왔던 무성방전 방식이다.
무성방전의 원리는 이미 잘 알려진 바와 같이, 상압하에서 금속 전극의 한쪽 또는 양쪽을 절연체로 절연하고 금속 전극에 고전압의 교류 또는 펄스를 인가하게 되면 양 전극 사이의 공간에서 고전압에 의한 방전이 일어나고 그에 의해 플라즈마가 발생되는 원리이다.
이와 같은 원리에 의해 발생된 플라즈마를 세정에 이용하기 위해서는 양 전극 사이의 공간에 시료를 위치시켜 시료의 표면을 세정하여야 하는데, 이 경우 매우 얇은 판상 형태의 시료만이 세정이 가능한 제한이 있다. 또한 시료가 절연체가 아닌 도전성을 지닌 금속 및 반도체 시료일 경우, 고전압에 의하여 시료가 손상될 수 있어서 이용분야가 매우 제한적이라는 문제점이 있다.
따라서 플라즈마 발생장치를 이용하여 발생된 플라즈마를 외부로 배출시켜서 재료를 세정하는 기술이 개발되어 이용되고 있으나, 이 경우 상압 플라즈마의 특성상 플라즈마 발생과 동시에 발생되는 오존 등 인체 유해 물질 때문에 작업자의 안전에 심각한 위험을 초래하는 문제점이 있다.
또한 플라즈마 발생장치와 재료간의 거리가 가까운 경우에는 전극과 전극사이에서가 아니라, 재료와 전극 간에 아킹이 발생하는 등 세정되는 재료가 손상되는 문제점과 고전압이 인가되는 플라즈마 발생장치의 특성상 감전의 위험이 상존한다는 문제점이 있다.
본 발명의 다른 목적은 플라즈마 발생과정에서 발생하는 유해물질 및 세정과정에서 발생하는 파티클 등을 제거할 수 있는 플라즈마 세정장치를 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 플라즈마 세정장치를 이용하여 균일한 플라즈마를 발생시키면서도 플라즈마 세정장치의 냉각 및 플라즈마 처리 과정에서 발생하는 불순물 및 오염물을 효과적으로 제거할 수 있으며, 그 내부에 구비되는 플라즈마 세정장치의 갯수를 임으로 조정할 수 있는 플라즈마 세정 시스템을 제공하는 데 있다.
전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 유전체와 결합된 전극 다수개가 일정한 간격을 두고 나란히 설치되는 전극부; 상기 전극 중 외측에 설치되는 전극 의 외부면에 접촉되어 마련되며, 다수개의 방열핀이 돌출 형성되어 있는 돌출형 방열판, 상기 방열핀의 상단에 접촉되어 마련되며, 상기 돌출형 방열판이 설치된 공간을 외부와 분리하는 방열벽으로 구성되는 방열부; 상기 방열부의 외측에 외부와 분리된 공간으로 마련되되, 상측에서 원료가스가 도입되고, 하측에서 상기 돌출형 방열판과 연통되어 원료가스가 상기 돌출형 방열판측으로 배출되는 원료가스 도입부; 상기 전극부 및 방열부의 상측에 마련되며, 상기 방열부를 통과한 원료가스가 상기 전극부로 공급되는 경로를 제공하는 원료가스 공급로; 상기 원료가스 도입부 좌우측의 분리된 공간에 각각 구비되며, 그 상부에는 외부와 연결되는 제1 가스 통로가 형성되고, 그 하부에는 외부와 연결되는 제2 가스통로가 형성된 흡배기부; 를 포함하여 구성되는 플라즈마 세정장치를 제공한다.
그리고 본 발명에서는, 상기 원료가스 공급로의 중간 소정 부분에, 공급된 원료가스가 임시로 머무는 원료가스 임시 저장부가 더 마련되며, 상기 원료가스 임시 저장부에는 소정 직경의 세라믹 볼이 다수개 채워지는 것이, 균일하게 확산된 원료가스를 전극부로 공급할 수 있어서 바람직하다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
다음으로 본 발명에 따른 플라즈마 세정장치(100)는 도 1, 2, 3에 도시된 바 와 같이, 전극부(110), 방열부(120), 원료가스 도입부(130), 원료가스 공급로(140); 흡배기부(150)를 포함하여 구성된다.
먼저 상기 전극부(110)는 전극 다수개를 플라즈마 세정장치(100)의 중앙부분에 일정한 간격으로 이격시켜서 나란하게 배열하여 구성된다. 이때 각 전극이 완전한 평행을 이루도록 하여 균일한 플라즈마가 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 이때 배열되는 전극은 홀수개이며, 예를 들어 3개의 전극이 형성되는 경우에는 중앙에 형성되는 전극에는 고압의 전원이 인가되고, 나머지 전극은 접지된다. 이때 상기 전극에 공급되는 전원은 고압의 전원이므로 일반전압을 그대로 사용할 수 없다. 따라서 일반전원을 고압의 전원으로 변경시켜주는 별도의 전원장치(도면에 미도시)가 구비되는 것이 바람직하다. 상기 전원장치에는 컨버터와 인버터가 모두 구비된다.
다음으로 상기 방열부(120)는 돌출형 방열판(122)과 방열벽(124)으로 구성된다. 여기에서 돌출형 방열판(122)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 전극부(110) 외측에 접촉하여 구비된다. 즉, 상기 돌출형 방열판(122)은 상기 전극부(110)와 접촉하여 전극부(110)에서 발생하는 열을 전도하여 방열시킴으로써, 전극부(110)의 온도를 낮추는 역할을 하는 것이다. 이때, 상기 돌출형 방열판(122)은 도 4에 도시된 바와 같이, 직육면체 형상의 방열핀(121)이 소정 간격으로 다수개 형성되는 것이 바람직하다. 즉, 상기 돌출형 방열판(122)이 배치되는 공간에서 흐르는 기체와의 접촉면적을 최대로 하기 위하여 5면을 가지는 직육면체 형상의 방열핀(121)을 형성시키는 것이다. 그리고 상기 방열핀(121)을 동일 면적에 최대한 많이 형성시키 는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서는 이 방열핀이 형성되어 있는 사이사이의 공간으로 원료가스가 통과하므로 이 방열핀 사이를 통과하는 원료가스가 균일하게 확산되도록 하기 위하여 방열핀을 서로 엇갈리게 배치하는 것이 바람직하다. 따라서 방열핀 사이를 통과하는 원료가스가 상방으로 진행하면서 엇갈리게 배치된 방열핀의 방해에 의하여 고르게 확산된다. 특히 방열핀에서는 열이 방열되어 온도가 상승하게 되므로 원료가스의 기체 운동을 활발하게 하여 기체 확산이 더욱 활성화되는 장점이 있다. 또한 방열핀 사이로 외부에서 공급된 저온의 원료가스가 통과하므로 방열핀의 열을 흡수하여 방열핀의 온도를 낮춘다. 따라서 상기 돌출형 방열판의 냉각이 용이하게 이루어지는 장점이 있다.
그리고 방열벽(124)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 돌출형 방열판(122)이 설치된 공간을 외부와 분리시키는 구성요소이다. 따라서 이 방열벽(124)은 방열핀(121)의 상단과 접촉되어 마련되며, 상기 방열핀(121)의 길이만큼 돌출형 방열판(122)과 이격되어 원료가스가 통과할 수 있는 공간을 만든다. 이때 상기 방열벽(124)의 하부는 개방되어, 상기 원료가스 도입부(130)와 연통되도록 마련된다. 따라서 상기 원료가스 도입부(130)를 통하여 공급된 원료가스가 방열부(120)로 도입되는 것이다.
다음으로 상기 원료가스 도입부(130)는 외부에서 원료가스를 도입하여 상기 방열부(120)로 공급하는 구성요소이다. 따라서 이 원료가스 도입부(130)는 상기 방열부(120)의 외측에 외부와 분리된 공간으로 마련된다. 그러므로 상기 원료가스 도 입부(130)의 상측에는 원료가스 도입관(132)이 마련되어 원료가스가 도입되고, 하측에서는 상기 방열부(120)와 연통되어 원료가스가 상기 돌출형 방열판 측으로 배출된다.
다음으로 원료가스 공급로(140)는 상기 방열부(120)를 통과하여 확산된 원료가스를 전극부(110)에 공급하는 구성요소이다. 따라서 상기 원료가스 공급로(140)는 상기 전극부(110) 및 방열부(120)의 상측에 마련되어, 상기 방열부(120)를 통과한 원료가스가 상기 전극부(110)로 공급되는 경로를 제공한다. 이때 이 원료가스 공급로(140)의 중간 소정 부분에는, 공급된 원료가스가 임시로 머무는 원료가스 임시 저장부(142)가 더 마련되며, 상기 원료가스 임시 저장부(142)에는 도 1, 2에 도시된 바와 같이, 소정 직경의 세라믹 볼(144)이 채워지는 것이 원료가스의 균일한 확산을 위하여 바람직하다.
마지막으로 상기 흡배기부(150)는 도 1, 3에 도시된 바와 같이, 상기 원료가스 도입부(130)가 형성된 공간의 좌우측의 분리된 공간에 각각 구비되며, 그 상부에는 외부와 연결되는 제1 가스 통로(152)가 형성되고, 그 하부에는 외부와 연결되는 제2 가스통로(154)가 형성된다. 즉, 상기 흡배기부(150)는 상기 원료가스 도입부(130) 외측에 형성되는 벽에 의하여 상기 원료가스 도입부(130)와 분리되며, 냉각 가스 및 오염가스가 이동할 수 있는 별도의 공간을 제공한다. 상기 제1 가스통로(152)는 관 형태로 외부와 연결되며, 상기 제2 가스 통로(154)는 도 5에 도시된 바와 같이, 벽면에 다수개의 틈이 소정 간격으로 형성된 구조로 구비되는 것이 바람직하다.
이때 상기 제2 가스통로(154)는 지면과 수평되게 형성될 수도 있지만, 도 1에 도시된 바와 같이 지면과 경사지게 형성되어 전극부(110)로부터 배출되는 플라즈마의 세정작용을 방해하지 않으면서도 세정작업에서 발생되는 오염물질을 효과적으로 배출할 수 있도록 구비되는 것이 더욱 바람직하다.
그리고 상기 제1 가스통로(152)는 플라즈마 세정장치(110) 외부로부터 상기 흡배기부(150)에 냉각가스를 공급하는 기능을 수행할 수 있음은 물론, 상기 흡배기부(150) 내에 존재하는 공기를 흡수하여 외부로 배출하는 기능도 수행할 수 있도록 구비되는 것이 바람직하다. 또한 상기 제2 가스통로(154)는 상기 제1 가스통로(152)의 배기기능 또는 흡기기능에 의하여 상기 흡배기부(152)의 가스를 외부로 배출하거나, 외부의 공기를 흡배기부(150)로 유입시키는 통로 역할을 한다. 이때, 상기 제1 가스통로(152)로부터 공급되는 냉각가스를 제2 가스통로(154)를 통하여 배기하는 기능을 배기기능이라고 하고, 상기 제2 가스통로(154)로부터 흡입되는 가스를 제1 가스통로(152)를 통하여 내보내는 기능을 흡기기능이라고 한다.
즉, 상기 제1 가스통로(152)에 의하여 냉각가스가 공급되는 경우에는 그 냉각가스가 상기 흡배기부(150)를 지나서 상기 제2 가스통로(154)를 통하여 세정작업이 이루어질 재료가 지나가는 공간으로 배출되며, 상기 제1 가스통로(152)에 의하여 흡배기부(150) 내의 기체를 흡수하는 경우에는 세정작업이 진행되는 공간 내의 오염물질 및 파티클 등의 기체를 제2 가스통로(154)를 통하여 흡입하여 외부로 배출하는 기능을 하는 것이다. 또한 양기능은 모드전환 수단에 의하여 언제든지 전환할 수 있도록 구비되는 것이 바람직하다.
따라서, 상기 제1 가스통로(152)는 외부의 냉각가스 공급수단(도면에 미도시) 및 가스 흡입수단(도면에 미도시)과 연결되어 구비된다.
다음으로 플라즈마 세정 시스템(200)은 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 플라즈마 세정장치(100)를 다수개 병렬연결하여 형성된다. 이때 상기 플라즈마 세정 시스템(200)에는 플라즈마 세정장치(100)를 고정시킬 수 있는 고정장치(도면에 미도시)가 구비되고, 상기 플라즈마 세정장치(100)가 다수개 병렬 연결되어 세정작업을 수행한다. 상기 플라즈마 세정 시스템(200)에 있어서, 연결되는 플라즈마 세정장치(100)의 갯수는 임의로 선택하여 결합할 수 있으며, 각 플라즈마 세정장치(100)는 독립적으로 탈부착 가능한 구조로 구비된다.
따라서 세정되는 재료에 따라 높은 세정력이 요구되는 경우에는 상기 플라즈마 세정장치(100)의 갯수를 증가시키고, 낮은 정도의 세정력이 요구되는 경우에는 그 갯수를 감소시켜 연결할 수 있도록 구비되는 것이다.
그리고 상기 플라즈마 세정 시스템(200)은, 도 7 내지 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치(100)에 구비되어 있는 각 흡배기부()를 통합제어 하여 상기 플라즈마 세정장치(100)의 냉각기능 및 플라즈마 처리과정에서 발생하는 유해가스 제거기능을 동시에 수행하도록 한다. 즉, 상기 플라즈마 세정장치 1개로 세정작업을 수행하는 경우와 달리 다수개의 플라즈마 세정장치로 구성된 플라즈마 세정 시스템을 하나의 시스템으로 제어하기 위하여 전체 플라즈마 세정 시스템의 흡배기 기능이 효과적으로 이루어지도록 각 흡배기부를 통합제어하는 것 이다.
이하에서는 그 통합 제어 방법의 예를 몇가지 설명한다.
우선 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부가 흡기기능을 수행하도록 제어하는 방법이다. 이 경우에는 세정 작업을 진행하면서 발생하는 각종 오염물질 및 오존 등의 유해물질을 강력하게 흡입하여 외부로 배출하는 기능이 강하게 요구되는 경우에 적용되는 제어 방법이다.
다음으로 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부를 배기기능을 수행하도록 제어하는 방법이다. 이 경우에는 냉각 기능이 매우 강하게 수행되는 경우이다.
다음으로 도 9에 도시된 바와 같이, 플라즈마 세정 시스템의 최외곽에 위치된 흡배기부만 배기기능을 수행하도록 제어하고, 나머지 흡배기부는 흡기기능을 수행하도록 제어하는 것이다. 또한 도 10에 도시된 바와 같이, 반대로 제어할 수 도 있다. 이경우에는 냉각기능과 흡배기기능 모두를 효과적으로 수행하기 위한 경우이다.
그리고 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치 중 외측에 구비되어 있는 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 흡배기부 중 다른 플라즈마 세정장치와 이웃하지 않는 흡배기부를 흡기기능을 수행하도록 하고, 나머지 흡배기부는 인접하는 흡배기부끼리 흡기기능과 배기기능을 각각 수행하도록 제어하는 것도 가능하다.
마지막으로 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치간에 소정 간격이 형성되도록 다수개의 플라즈마 세정장치를 결합시키고, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부는 배기 기능을 수행하고, 상기 플라즈마 세정장치 사이에 별도의 흡기구(220)를 설치하고, 상기 흡기구(220)를 이용하여 흡기기능을 수행하도록 하는 것도 가능하다.
본 발명에 따르면 플라즈마를 발생시키는 원료가스가 방열핀 사이를 지나서 공급되므로 방열핀에서 발생되는 열을 효과적으로 흡수하여 방열핀의 온도를 효과적으로 낮추는 장점이 있다.
또한 원료가스가 방열핀 사이를 지나면서 열을 흡수하여 온도가 상승으로 기체 운동이 활발해지므로 원료가스의 확산이 활성화되는 장점이 있다. 더구나 원료가스가 방열핀 사이사이를 통과하면서 방열핀의 방해에 의하여 방열부 내의 공간으로 균일하게 확산되므로, 균일하게 확산된 원료가슬 전극부내로 공급하여 균일한 플라즈마를 얻을 수 있는 장점이 있다.

Claims (15)

  1. 유전체와 결합된 전극 다수개가 일정한 간격을 두고 나란히 설치되는 전극부;
    상기 전극 중 외측에 설치되는 전극의 외부면에 접촉되어 마련되며, 다수개의 방열핀이 돌출 형성되어 있는 돌출형 방열판, 상기 방열핀의 상단에 접촉되어 마련되며, 상기 돌출형 방열판이 설치된 공간을 외부와 분리하는 방열벽으로 구성되는 방열부;
    상기 방열부의 외측에 외부와 분리된 공간으로 마련되되, 상측에서 원료가스가 도입되고, 하측에서 상기 돌출형 방열판과 연통되어 원료가스가 상기 돌출형 방열판측으로 배출되는 원료가스 도입부;
    상기 전극부 및 방열부의 상측에 마련되며, 상기 방열부를 통과한 원료가스가 상기 전극부로 공급되는 경로를 제공하는 원료가스 공급로;
    상기 원료가스 도입부 좌우측의 분리된 공간에 각각 구비되며, 그 상부에는 외부와 연결되는 제1 가스 통로가 형성되고, 그 하부에는 외부와 연결되는 제2 가스통로가 형성된 흡배기부;
    를 포함하여 구성되는 플라즈마 세정장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 원료가스 공급로에는,
    그 중간 소정 부분에 마련되며, 공급된 원료가스가 임시로 머무는 원료가스 임시 저장부가 더 마련되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 원료가스 임시 저장부에는,
    소정 직경의 세라믹 볼이 다수개 채워지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 흡배기부는,
    제1 가스통로로부터 공급되는 냉각가스를 제2 가스통로를 통하여 배기하는 배기기능 및 제2 가스통로로부터 흡입되는 가스를 제1 가스통로를 통하여 내보내는 흡기기능을 모두 수행할 수 있도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 흡배기부는,
    배기기능을 수행하는 배기모드와 흡기기능을 수행하는 흡기모드 간에 모드전환이 가능하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2 가스통로는,
    지면에 수직되는 방향으로 가스가 분사되도록 지면과 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2 가스통로는,
    지면에 비스듬한 방향으로 가스가 분사되도록 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정장치.
  8. 제1항의 플라즈마 세정장치를 다수개 병렬연결하고, 상기 다수개의 플라즈마 세정장치 중 각 플라즈마 세정장치는 독립적으로 탈부착이 가능하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  9. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 각 흡배기부를 통합제어 하여 상기 플라즈마 세정장치의 냉각기능 및 플라즈마 처리과정에서 발생하는 유해가스 제거기능을 동시에 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  10. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부를 흡기기능을 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  11. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부를 배기기 능을 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  12. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치 중 외측에 구비되어 있는 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 흡배기부 중 다른 플라즈마 세정장치와 이웃하지 않는 면의 흡배기부는 배기기능을 수행하도록 하고, 나머지 흡배기부는 흡기기능을 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  13. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치 중 외측에 구비되어 있는 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 흡배기부 중 다른 플라즈마 세정장치와 이웃하지 않는 면의 흡배기부는 배기기능을 수행하도록 하고, 나머지 흡배기부는 인접하는 흡배기부끼리 흡기기능과 배기기능을 각각 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  14. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치 중 외측에 구비되어 있는 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 흡배기부 중 다른 플라즈마 세정장치와 이웃하지 않는 면의 흡배기부는 흡기기능을 수행하도록 하고, 나머지 흡배기부는 인접하는 흡배기부끼리 흡기기능과 배기기능을 각각 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
  15. 제8항에 있어서, 상기 플라즈마 세정 시스템은,
    상기 다수개의 플라즈마 세정장치에 구비되어 있는 모든 흡배기부는 배기 기능을 수행하고, 상기 플라즈마 세정장치 사이에 별도의 흡기구를 설치하고, 상기 흡기구를 이용하여 흡기기능을 수행하도록 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 세정 시스템.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5010875B2 (ja) * 2006-08-28 2012-08-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置及び洗浄方法
DE202008008729U1 (de) * 2008-07-02 2009-11-19 Melitta Haushaltsprodukte Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Reinigung von Gegenständen
CN102652946A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 富葵精密组件(深圳)有限公司 等离子清洁装置及等离子清洁方法
WO2013173578A2 (en) 2012-05-18 2013-11-21 Rave N.P., Inc. Contamination removal apparatus and method
KR101511490B1 (ko) * 2013-07-26 2015-04-13 주식회사 테스 박막증착장치
CN207587690U (zh) * 2015-01-22 2018-07-06 陈家陞 非热软式等离子清洁系统
KR101901560B1 (ko) * 2016-12-09 2018-09-27 (주)트리플코어스코리아 파우더 흡착방지 장치가 구비된 배기모듈 및 이를 포함하는 플라즈마 스크러버 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252101A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2000200697A (ja) 1998-10-26 2000-07-18 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002018276A (ja) 2000-07-10 2002-01-22 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマ処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06252101A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2000200697A (ja) 1998-10-26 2000-07-18 Matsushita Electric Works Ltd プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP2002018276A (ja) 2000-07-10 2002-01-22 Pearl Kogyo Kk 大気圧プラズマ処理装置

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