JPH05160027A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
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- JPH05160027A JPH05160027A JP34171491A JP34171491A JPH05160027A JP H05160027 A JPH05160027 A JP H05160027A JP 34171491 A JP34171491 A JP 34171491A JP 34171491 A JP34171491 A JP 34171491A JP H05160027 A JPH05160027 A JP H05160027A
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- chamber
- inner chamber
- forming chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】成膜空間であるインナーチャンバーの真空度を
正確に測定して、高品質の薄膜を形成する。 【構成】インナーチャンバー０２に直接真空ゲージ７−
１を設置するか、または成膜チャンバー０１からインナ
ーチャンバー０２に貫通させて真空ゲージ７−２を設置
するか、あるいはガス導入管３１に当該ガス導入管３１
の真空度を測定する真空ゲージ７−３を設けた。 【効果】成膜チャンバー内で成膜空間を構成するインナ
ーチャンバーの真空度を正確に測定することが可能とな
る。
正確に測定して、高品質の薄膜を形成する。 【構成】インナーチャンバー０２に直接真空ゲージ７−
１を設置するか、または成膜チャンバー０１からインナ
ーチャンバー０２に貫通させて真空ゲージ７−２を設置
するか、あるいはガス導入管３１に当該ガス導入管３１
の真空度を測定する真空ゲージ７−３を設けた。 【効果】成膜チャンバー内で成膜空間を構成するインナ
ーチャンバーの真空度を正確に測定することが可能とな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空雰囲気空間中，あ
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。
るいは大気と遮断された空間中で気相または化学反応に
よって被成膜部材に薄膜を形成する成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁体基板や半導体基板などの被成膜部
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。
材（以下、基板という）の表面に所要の薄膜を形成する
この種の成膜装置としては、ＣＶＤ装置，プラズマＣＶ
Ｄ装置あるいは真空スパッタ装置等の蒸着装置が知られ
ている。近年、半導体素子，あるいは液晶表示素子の製
造における薄膜形成工程においては、プラズマＣＶＤ処
理が多用されている。
【０００３】特に、プラズマＣＶＤは非平衡プラズマ中
で気体状の物質（処理ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で処理ガス（例えばシランガス）を高周
波（以下、ＲＦという）電力あるいは直流電力エネルギ
ーの印加で活性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例
えばアモルファスシリコン膜）を生成堆積させるもので
ある。
で気体状の物質（処理ガス）を反応させて基板上に新し
い固体種を析出させる方法であり、真空処理室である成
膜チャンバー中で処理ガス（例えばシランガス）を高周
波（以下、ＲＦという）電力あるいは直流電力エネルギ
ーの印加で活性化（ラジカル化）し、基板上に薄膜（例
えばアモルファスシリコン膜）を生成堆積させるもので
ある。
【０００４】図５は従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構
造を説明する断面図であって、０１は真空雰囲気空間を
保持する成膜チャンバー、０２は成膜チャンバーの空間
内で独立した成膜空間を形成するインナーチャンバー、
０３は多数のガス噴出開口を有するＲＦ電極、０４は基
板電極、０５は排気口、０６はＲＦ電源、０７は成膜チ
ャンバーに設置された真空ゲージ、０９はガラス板ある
いは半導体ウエハ等の成膜対象である基板３１は反応ガ
ス導入管である。
造を説明する断面図であって、０１は真空雰囲気空間を
保持する成膜チャンバー、０２は成膜チャンバーの空間
内で独立した成膜空間を形成するインナーチャンバー、
０３は多数のガス噴出開口を有するＲＦ電極、０４は基
板電極、０５は排気口、０６はＲＦ電源、０７は成膜チ
ャンバーに設置された真空ゲージ、０９はガラス板ある
いは半導体ウエハ等の成膜対象である基板３１は反応ガ
ス導入管である。
【０００５】同図において、基板０９は、基板電極０４
上に載置され、真空雰囲気にあるインナーチャンバー０
２にガス導入管３１を通して反応ガスが導入される。こ
の反応ガスは、ＲＦ電極０３の基板電極側に設けられた
多数のガス噴出開口からインナーチャンバー０２内に噴
出される。ＲＦ電極０３には、ＲＦ電源０６からＲＦ電
力エネルギーが印加され、基板電極０４との間に高電界
が形成されて、上記噴射される反応ガスをプラズマ化す
る。このプラズマ化ガス（プラズマ種）は板０９の表面
において当該基板構成物質との間で化学反応を生起さ
せ、外基板の表面に所要の薄膜を生成させる。
上に載置され、真空雰囲気にあるインナーチャンバー０
２にガス導入管３１を通して反応ガスが導入される。こ
の反応ガスは、ＲＦ電極０３の基板電極側に設けられた
多数のガス噴出開口からインナーチャンバー０２内に噴
出される。ＲＦ電極０３には、ＲＦ電源０６からＲＦ電
力エネルギーが印加され、基板電極０４との間に高電界
が形成されて、上記噴射される反応ガスをプラズマ化す
る。このプラズマ化ガス（プラズマ種）は板０９の表面
において当該基板構成物質との間で化学反応を生起さ
せ、外基板の表面に所要の薄膜を生成させる。
【０００６】この成膜は、反応ガスの流入量，ＲＦ電力
エネルギーの大きさ，成膜空間であるインナーチャンバ
ー０２の真空度によって左右される。反応ガスの流入量
とＲＦ電力エネルギーは成膜装置の外部においてコント
ロールできる。従来、インナーチャンバー０２の真空度
は、成膜チャンバー０１にその内部真空度を測定する真
空ゲージ０７を取り付け、この真空ゲージ０７の測定値
からインナーチャンバーの真空度を算出していた。
エネルギーの大きさ，成膜空間であるインナーチャンバ
ー０２の真空度によって左右される。反応ガスの流入量
とＲＦ電力エネルギーは成膜装置の外部においてコント
ロールできる。従来、インナーチャンバー０２の真空度
は、成膜チャンバー０１にその内部真空度を測定する真
空ゲージ０７を取り付け、この真空ゲージ０７の測定値
からインナーチャンバーの真空度を算出していた。
【０００７】すなわち、インナーチャンバー０２に導入
される反応ガスの流入量をＱ，インナーチャンバー０２
の真空度をＰ1 ，成膜チャンバー０１の真空度をＰ2 ，
インナーチャンバー０２から成膜チャンバー０１に連通
する排気口０５のコンダクタンスをＣとすると、Ｐ1 ＝
Ｐ2＋Ｑ／Ｃで算出される。なお、このような成膜室を
用いて基板の表面に所要の膜を形成する従来技術を開示
したものとしては、特開昭５９−１０２２４号公報、あ
るいは特開平２−２９４０１８号公報等を挙げることが
できる。
される反応ガスの流入量をＱ，インナーチャンバー０２
の真空度をＰ1 ，成膜チャンバー０１の真空度をＰ2 ，
インナーチャンバー０２から成膜チャンバー０１に連通
する排気口０５のコンダクタンスをＣとすると、Ｐ1 ＝
Ｐ2＋Ｑ／Ｃで算出される。なお、このような成膜室を
用いて基板の表面に所要の膜を形成する従来技術を開示
したものとしては、特開昭５９−１０２２４号公報、あ
るいは特開平２−２９４０１８号公報等を挙げることが
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
の技術においては、インナーチャンバーの真空度を成膜
チャンバーの真空度の測定値に基づいて間接的に求めて
いたために、インナーチャンバー０２の内部真空度を正
確に知ることができず、したがって、成膜品質のばらつ
きをある程度以下に抑制することが困難であるという問
題があった。
の技術においては、インナーチャンバーの真空度を成膜
チャンバーの真空度の測定値に基づいて間接的に求めて
いたために、インナーチャンバー０２の内部真空度を正
確に知ることができず、したがって、成膜品質のばらつ
きをある程度以下に抑制することが困難であるという問
題があった。
【０００９】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、成膜空間であるインナーチャンバーの内部真空度
を正確に測定して、基板に形成する薄膜のばらつきを低
減し、高品質の成膜を形成できる成膜装置を提供するこ
とにある。
消し、成膜空間であるインナーチャンバーの内部真空度
を正確に測定して、基板に形成する薄膜のばらつきを低
減し、高品質の成膜を形成できる成膜装置を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、図１に示したような基本構成を採用した
ものである。図１は本発明による成膜装置の基本構成を
説明する模式図であり、同図に示したように、真空雰囲
気空間を保持する成膜チャンバー１と、前記成膜チャン
バー内に独立した成膜空間を形成するインナーチャンバ
ー２と、このインナーチャンバー０２の内部に設置され
たＲＦ電極３および基板電極４とを有し、前記インナー
チャンバー０２の内部空間に反応ガスを導入するガス導
入管３１および前記インナーチャンバー０２に前記成膜
チャンバー１と連通するガス排気口５を備えた成膜装置
において、前記インナーチャンバー０２に直接真空ゲー
ジ７−１を設置するか、または前記成膜チャンバー０１
から前記インナーチャンバー０２に貫通させて真空ゲー
ジ７−２を設置するか、あるいは前記ガス導入管３１に
当該ガス導入管３１の真空度を測定する真空ゲージ７−
３を設けたことによって、上記目的が達成される。図示
しないが、成膜処理後のガスは適宜の排出手段により成
膜チャンバー１から排出される。
に、本発明は、図１に示したような基本構成を採用した
ものである。図１は本発明による成膜装置の基本構成を
説明する模式図であり、同図に示したように、真空雰囲
気空間を保持する成膜チャンバー１と、前記成膜チャン
バー内に独立した成膜空間を形成するインナーチャンバ
ー２と、このインナーチャンバー０２の内部に設置され
たＲＦ電極３および基板電極４とを有し、前記インナー
チャンバー０２の内部空間に反応ガスを導入するガス導
入管３１および前記インナーチャンバー０２に前記成膜
チャンバー１と連通するガス排気口５を備えた成膜装置
において、前記インナーチャンバー０２に直接真空ゲー
ジ７−１を設置するか、または前記成膜チャンバー０１
から前記インナーチャンバー０２に貫通させて真空ゲー
ジ７−２を設置するか、あるいは前記ガス導入管３１に
当該ガス導入管３１の真空度を測定する真空ゲージ７−
３を設けたことによって、上記目的が達成される。図示
しないが、成膜処理後のガスは適宜の排出手段により成
膜チャンバー１から排出される。
【００１１】すなわち、本発明は、真空雰囲気空間を保
持する成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置
されて当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成す
るインナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内
部に対向配置された高周波電極および基板電極と、前記
インナーチャンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間
とを連通するガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの
外部から前記インナーチャンバー内に反応ガスを導入す
ると共に、前記高周波電極および基板電極との間に高周
波電界エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した
基板面に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の
前記反応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバー
を介して前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置
において、前記インナーチャンバーの内部真空度を測定
する真空ゲージを当該インナーチャンバーに直接設けた
ことを特徴とする。
持する成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置
されて当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成す
るインナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内
部に対向配置された高周波電極および基板電極と、前記
インナーチャンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間
とを連通するガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの
外部から前記インナーチャンバー内に反応ガスを導入す
ると共に、前記高周波電極および基板電極との間に高周
波電界エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した
基板面に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の
前記反応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバー
を介して前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置
において、前記インナーチャンバーの内部真空度を測定
する真空ゲージを当該インナーチャンバーに直接設けた
ことを特徴とする。
【００１２】また、本発明は、真空雰囲気空間を保持す
る成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置され
て当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成するイ
ンナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内部に
対向配置された高周波電極および基板電極と、前記イン
ナーチャンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間とを
連通するガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの外部
から前記インナーチャンバーの内部に反応ガスを導入す
ると共に、前記高周波電極および基板電極との間に高周
波電界エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した
基板面に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の
前記反応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバー
を介して前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置
において、前記成膜チャンバーの外壁から前記インナー
チャンバーの内部に貫通して前記成膜チャンバーの内部
真空度を測定する真空ゲージを設けたことを特徴とす
る。
る成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置され
て当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成するイ
ンナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内部に
対向配置された高周波電極および基板電極と、前記イン
ナーチャンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間とを
連通するガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの外部
から前記インナーチャンバーの内部に反応ガスを導入す
ると共に、前記高周波電極および基板電極との間に高周
波電界エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した
基板面に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の
前記反応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバー
を介して前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置
において、前記成膜チャンバーの外壁から前記インナー
チャンバーの内部に貫通して前記成膜チャンバーの内部
真空度を測定する真空ゲージを設けたことを特徴とす
る。
【００１３】さらに、本発明は、真空雰囲気空間を保持
する成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置さ
れて当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成する
インナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内部
に対向配置された高周波電極および基板電極と、前記成
膜チャンバーの外部から前記インナーチャンバーの内部
に反応ガスを供給するガス導入管と、前記インナーチャ
ンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間とを連通する
ガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの外部から前記
インナーチャンバーの内部に反応ガスを導入すると共
に、前記高周波電極および基板電極との間に高周波電界
エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した基板面
に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の前記反
応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバーを介し
て前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置におい
て、前記ガス導入管の真空度を測定する真空ゲージを設
け、前記インナーチャンバーに供給されるガス流量を
Ｑ，前記ガス導入管の真空度をＰ，前記ガス導入管の前
記インナーチャンバー出口でのコンダクタンスをＣとし
たとき、前記インナーチャンバーの真空度Ｐ1 を、Ｐ1
＝Ｐ−Ｑ／Ｃで求めることを特徴とする。
する成膜チャンバーと、前記成膜チャンバー内に設置さ
れて当該成膜チャンバーとは独立の成膜空間を形成する
インナーチャンバーと、前記インナーチャンバーの内部
に対向配置された高周波電極および基板電極と、前記成
膜チャンバーの外部から前記インナーチャンバーの内部
に反応ガスを供給するガス導入管と、前記インナーチャ
ンバーの空間と前記成膜チャンバーの空間とを連通する
ガス排気孔を備え、前記成膜チャンバーの外部から前記
インナーチャンバーの内部に反応ガスを導入すると共
に、前記高周波電極および基板電極との間に高周波電界
エネルギーを印加して前記基板電極上に載置した基板面
に所定の薄膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の前記反
応ガスを前記ガス排気孔から前記成膜チャンバーを介し
て前記成膜チャンバーの外部に排出する成膜装置におい
て、前記ガス導入管の真空度を測定する真空ゲージを設
け、前記インナーチャンバーに供給されるガス流量を
Ｑ，前記ガス導入管の真空度をＰ，前記ガス導入管の前
記インナーチャンバー出口でのコンダクタンスをＣとし
たとき、前記インナーチャンバーの真空度Ｐ1 を、Ｐ1
＝Ｐ−Ｑ／Ｃで求めることを特徴とする。
【００１４】なお、反応ガスの成膜チャンバー１内への
導入は上記構成によるものに限るものではなく、他の適
宜の手段で導入してもよく、例えば、ＲＦ電極３に近接
または接触させて石英板等の絶縁平板、あるいはこの絶
縁平板に多数のガス噴射口を穿設したものを備えて、こ
のガス噴射口から基板方向に反応ガスをシャワー状に噴
射させることにより、プラズマ種を有効に利用する構成
とすることができる。
導入は上記構成によるものに限るものではなく、他の適
宜の手段で導入してもよく、例えば、ＲＦ電極３に近接
または接触させて石英板等の絶縁平板、あるいはこの絶
縁平板に多数のガス噴射口を穿設したものを備えて、こ
のガス噴射口から基板方向に反応ガスをシャワー状に噴
射させることにより、プラズマ種を有効に利用する構成
とすることができる。
【００１５】また、図１はプラズマＣＶＤ方式の成膜装
置の概略構成図として本発明の構成を示しているが、本
発明はこのようなものに限るものではなく、常圧ＣＶ
Ｄ，減圧ＣＶＤ方式、あるいは真空スパッタ装置，エッ
チング装置、その他処理空間を二重化した蒸着装置，加
工装置全般に適用できるものである。
置の概略構成図として本発明の構成を示しているが、本
発明はこのようなものに限るものではなく、常圧ＣＶ
Ｄ，減圧ＣＶＤ方式、あるいは真空スパッタ装置，エッ
チング装置、その他処理空間を二重化した蒸着装置，加
工装置全般に適用できるものである。
【００１６】
【作用】本発明は、上記のように構成したことにより、
インナーチャンバーの真空度を正確に測定することが可
能となり、この成膜チャンバーを用いた成膜装置を構成
するシステムのコントロールを正確に行うことができ、
基板に形成される成膜のばらつきを低減し、品質のよい
成膜を得ることができる。
インナーチャンバーの真空度を正確に測定することが可
能となり、この成膜チャンバーを用いた成膜装置を構成
するシステムのコントロールを正確に行うことができ、
基板に形成される成膜のばらつきを低減し、品質のよい
成膜を得ることができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。図２は本発明による成膜装置の第１実施例
を説明する概略縦断面図であって、１は成膜チャンバ
ー、２はインナーチャンバー、３はＲＦ電極、４は基板
電極、５はガス排気口、７−１は真空ゲージ、８は石英
シャワー板、９は成膜処理を行う基板である。なお、１
０は車輪、１１はレールであり、インナーチャンバーを
移動式とする場合に必要となるものである。
に説明する。図２は本発明による成膜装置の第１実施例
を説明する概略縦断面図であって、１は成膜チャンバ
ー、２はインナーチャンバー、３はＲＦ電極、４は基板
電極、５はガス排気口、７−１は真空ゲージ、８は石英
シャワー板、９は成膜処理を行う基板である。なお、１
０は車輪、１１はレールであり、インナーチャンバーを
移動式とする場合に必要となるものである。
【００１８】同図において、成膜チャンバー１は真空雰
囲気に保持され、ガス導入管３１から導入された反応ガ
スがＲＦ電極３のガス孔からシャワー板８のガス孔を通
して基板９方向に噴射される。ＲＦ電極３と基板電極４
との間にはＲＦ電界エネルギーによる高電界が形成さ
れ、この高電界によって活性化された反応ガスのプラズ
マ種が基板９の表面において化学反応を生起し、該基板
上に所要の薄膜を生成する。
囲気に保持され、ガス導入管３１から導入された反応ガ
スがＲＦ電極３のガス孔からシャワー板８のガス孔を通
して基板９方向に噴射される。ＲＦ電極３と基板電極４
との間にはＲＦ電界エネルギーによる高電界が形成さ
れ、この高電界によって活性化された反応ガスのプラズ
マ種が基板９の表面において化学反応を生起し、該基板
上に所要の薄膜を生成する。
【００１９】反応ガスはインナーチャンバー２の底部に
設けたガス排出孔５から成膜チャンバー１を介して、適
宜の図示しない手段によって外部に排出される。なお、
基板電極の背面には基板９を所要の成膜条件温度に加熱
するヒータは設置されるが、図示は省略する。インナー
チャンバー２の側壁に設置された真空ゲージ７−１は、
インナーチャンバー２の内部空間の真空度を直接測定
し、図示しない信号伝達手段を介して成膜チャンバーの
外部に取り出される。
設けたガス排出孔５から成膜チャンバー１を介して、適
宜の図示しない手段によって外部に排出される。なお、
基板電極の背面には基板９を所要の成膜条件温度に加熱
するヒータは設置されるが、図示は省略する。インナー
チャンバー２の側壁に設置された真空ゲージ７−１は、
インナーチャンバー２の内部空間の真空度を直接測定
し、図示しない信号伝達手段を介して成膜チャンバーの
外部に取り出される。
【００２０】この構成によれば、インナーチャンバー２
の内部真空度を直接測定でき、その測定値は最も正確な
ものとなる。そし、この実施例をインナーチャンバー移
動形式の成膜装置に適用する場合は、インナーチャンバ
ーそれぞれに真空ゲージを設置して置く。図３は本発明
による成膜装置の第２実施例を説明する概略縦断面図で
あって、図２と同一符号は同一部分に対応し、７−２は
真空ゲージである。
の内部真空度を直接測定でき、その測定値は最も正確な
ものとなる。そし、この実施例をインナーチャンバー移
動形式の成膜装置に適用する場合は、インナーチャンバ
ーそれぞれに真空ゲージを設置して置く。図３は本発明
による成膜装置の第２実施例を説明する概略縦断面図で
あって、図２と同一符号は同一部分に対応し、７−２は
真空ゲージである。
【００２１】この実施例においては、インナーチャンバ
ー２の内部真空度を測定するための真空ゲージ７−２
を、成膜チャンバー１の側壁からインナーチャンバー２
の側壁を貫通して設け、成膜チャンバー１の外部からイ
ンナーチャンバー２の内部真空度を直接測定するように
したものである。インナーチャンバー２が固定式である
場合は、真空ゲージ７−２は図示した状態で固定状態に
設置してよいが、インナーチャンバー２が移動される形
式では、真空ゲージ７−２は成膜チャンバー側から挿入
／引抜き可能に設置する。
ー２の内部真空度を測定するための真空ゲージ７−２
を、成膜チャンバー１の側壁からインナーチャンバー２
の側壁を貫通して設け、成膜チャンバー１の外部からイ
ンナーチャンバー２の内部真空度を直接測定するように
したものである。インナーチャンバー２が固定式である
場合は、真空ゲージ７−２は図示した状態で固定状態に
設置してよいが、インナーチャンバー２が移動される形
式では、真空ゲージ７−２は成膜チャンバー側から挿入
／引抜き可能に設置する。
【００２２】何れの場合も、成膜チャンバーと真空ゲー
ジとの間には真空パッキングを介して成膜チャンバーの
真空度を保持するようにする。この実施例においても、
上記第１実施例と同様に、インナーチャンバー２の内部
真空度を直接測定でき、その測定値は最も正確なものと
なる。図４は本発明による成膜装置の第３実施例を説明
する概略縦断面図であって、図１，図２と同一符号は同
一部分に対応し、７−３は真空ゲージである。
ジとの間には真空パッキングを介して成膜チャンバーの
真空度を保持するようにする。この実施例においても、
上記第１実施例と同様に、インナーチャンバー２の内部
真空度を直接測定でき、その測定値は最も正確なものと
なる。図４は本発明による成膜装置の第３実施例を説明
する概略縦断面図であって、図１，図２と同一符号は同
一部分に対応し、７−３は真空ゲージである。
【００２３】同図においては、反応ガスの導入管３１に
真空ゲージ７−３を設置し、このガス導入管３１の真空
度を測定してインナーチャンバー２の内部真空度を知る
ように構成したものである。すなわち、ガス導入管３１
から前記インナーチャンバー２に供給されるガス流量を
Ｑ，真空ゲージ７−３で測定した前記ガス導入管の真空
度をＰ，前記ガス導入管の前記インナーチャンバー出口
（ＲＦ電極３のガス孔、またはシャワー板８を備えたも
のにおいては当該シャワー板のガス孔）のコンダクタン
スをＣとしたとき、前記インナーチャンバーの真空度Ｐ
1 を、Ｐ1 ＝Ｐ−Ｑ／Ｃで求めるものである。
真空ゲージ７−３を設置し、このガス導入管３１の真空
度を測定してインナーチャンバー２の内部真空度を知る
ように構成したものである。すなわち、ガス導入管３１
から前記インナーチャンバー２に供給されるガス流量を
Ｑ，真空ゲージ７−３で測定した前記ガス導入管の真空
度をＰ，前記ガス導入管の前記インナーチャンバー出口
（ＲＦ電極３のガス孔、またはシャワー板８を備えたも
のにおいては当該シャワー板のガス孔）のコンダクタン
スをＣとしたとき、前記インナーチャンバーの真空度Ｐ
1 を、Ｐ1 ＝Ｐ−Ｑ／Ｃで求めるものである。
【００２４】この実施例によれば、インナーチャンバー
２の真空度を反応ガスの導入側で算出するため、前記図
５で説明した従来の真空度測定にように、成膜チャンバ
ー１の真空度Ｐ2 からインナーチャンバー２の真空度Ｐ
1の算出を行うものがインナーチャンバー２の構造間隙
等による予測できない真空度の変動で不正確な値となる
ものに比較し、より正確な値を得ることができる。
２の真空度を反応ガスの導入側で算出するため、前記図
５で説明した従来の真空度測定にように、成膜チャンバ
ー１の真空度Ｐ2 からインナーチャンバー２の真空度Ｐ
1の算出を行うものがインナーチャンバー２の構造間隙
等による予測できない真空度の変動で不正確な値となる
ものに比較し、より正確な値を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
成膜チャンバー内で成膜空間を構成するインナーチャン
バーの真空度を正確に測定することが可能となり、この
成膜チャンバーを用いた成膜装置を構成するシステムの
コントロールを正確に行うことができ、基板に形成され
る成膜のばらつきを低減し、品質のよい成膜を得ること
ができる。
成膜チャンバー内で成膜空間を構成するインナーチャン
バーの真空度を正確に測定することが可能となり、この
成膜チャンバーを用いた成膜装置を構成するシステムの
コントロールを正確に行うことができ、基板に形成され
る成膜のばらつきを低減し、品質のよい成膜を得ること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による成膜装置の基本構成を説明する模
式図である。
式図である。
【図２】本発明による成膜装置の第１実施例を説明する
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図３】本発明による成膜装置の第２実施例を説明する
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図４】本発明による成膜装置の第３実施例を説明する
概略縦断面図である。
概略縦断面図である。
【図５】従来のプラズマＣＶＤ装置の概略構造を説明す
る断面図である。
る断面図である。
１ 成膜チャンバー ２ インナーチャンバー ３ ＲＦ電極 ４ 基板電極 ５ ガス排気口 ６ ＲＦ電源 ７−１，７−２，７−３ 真空ゲージ ９ 基板 ３１ 反応ガス導入管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 文雄 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内 (72)発明者 竹田 智彦 富山県婦負郡八尾町保内２丁目１番地 国 際電気株式会社富山工場内
Claims (3)
- 【請求項１】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー
と、前記成膜チャンバー内に設置されて当該成膜チャン
バーとは独立の成膜空間を形成するインナーチャンバー
と、前記インナーチャンバーの内部に対向配置された高
周波電極および基板電極と、前記インナーチャンバーの
空間と前記成膜チャンバーの空間とを連通するガス排気
孔を備え、前記成膜チャンバーの外部から前記インナー
チャンバー内に反応ガスを導入すると共に、前記高周波
電極および基板電極との間に高周波電界エネルギーを印
加して前記基板電極上に載置した基板面に所定の薄膜を
生成し、前記薄膜生成に関与後の前記反応ガスを前記ガ
ス排気孔から前記成膜チャンバーを介して前記成膜チャ
ンバーの外部に排出する成膜装置において、 前記インナーチャンバーの内部真空度を測定する真空ゲ
ージを当該インナーチャンバーに直接設けたことを特徴
とする成膜装置。 - 【請求項２】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー
と、前記成膜チャンバー内に設置されて当該成膜チャン
バーとは独立の成膜空間を形成するインナーチャンバー
と、前記インナーチャンバーの内部に対向配置された高
周波電極および基板電極と、前記インナーチャンバーの
空間と前記成膜チャンバーの空間とを連通するガス排気
孔を備え、前記成膜チャンバーの外部から前記インナー
チャンバーの内部に反応ガスを導入すると共に、前記高
周波電極および基板電極との間に高周波電界エネルギー
を印加して前記基板電極上に載置した基板面に所定の薄
膜を生成し、前記薄膜生成に関与後の前記反応ガスを前
記ガス排気孔から前記成膜チャンバーを介して前記成膜
チャンバーの外部に排出する成膜装置において、 前記成膜チャンバーの外壁から前記インナーチャンバー
の内部に貫通して前記成膜チャンバーの内部真空度を測
定する真空ゲージを設けたことを特徴とする成膜装置。 - 【請求項３】真空雰囲気空間を保持する成膜チャンバー
と、前記成膜チャンバー内に設置されて当該成膜チャン
バーとは独立の成膜空間を形成するインナーチャンバー
と、前記インナーチャンバーの内部に対向配置された高
周波電極および基板電極と、前記成膜チャンバーの外部
から前記インナーチャンバーの内部に反応ガスを供給す
るガス導入管と、前記インナーチャンバーの空間と前記
成膜チャンバーの空間とを連通するガス排気孔を備え、
前記成膜チャンバーの外部から前記インナーチャンバー
の内部に反応ガスを導入すると共に、前記高周波電極お
よび基板電極との間に高周波電界エネルギーを印加して
前記基板電極上に載置した基板面に所定の薄膜を生成
し、前記薄膜生成に関与後の前記反応ガスを前記ガス排
気孔から前記成膜チャンバーを介して前記成膜チャンバ
ーの外部に排出する成膜装置において、 前記ガス導入管の真空度を測定する真空ゲージを設け、 前記インナーチャンバーに供給されるガス流量をＱ，前
記ガス導入管の真空度をＰ，前記ガス導入管の前記イン
ナーチャンバー出口でのコンダクタンスをＣとしたと
き、前記インナーチャンバーの真空度Ｐ1 を、Ｐ1 ＝Ｐ
−Ｑ／Ｃで求めることを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34171491A JPH05160027A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34171491A JPH05160027A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05160027A true JPH05160027A (ja) | 1993-06-25 |
Family
ID=18348213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34171491A Pending JPH05160027A (ja) | 1991-12-02 | 1991-12-02 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05160027A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
| DE10352606B4 (de) * | 2002-11-12 | 2007-12-27 | Sharp K.K. | Plasmabehandlungsvorrichtung |
| JP2016100530A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体 |
-
1991
- 1991-12-02 JP JP34171491A patent/JPH05160027A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002246314A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Komatsu Electronic Metals Co Ltd | 成膜装置 |
| DE10352606B4 (de) * | 2002-11-12 | 2007-12-27 | Sharp K.K. | Plasmabehandlungsvorrichtung |
| US7722738B2 (en) | 2002-11-12 | 2010-05-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device manufacturing unit and semiconductor device manufacturing method |
| JP2016100530A (ja) * | 2014-11-25 | 2016-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、記憶媒体 |
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