JP2002057106A - 処理装置のクリーニング方法及び処理装置 - Google Patents

処理装置のクリーニング方法及び処理装置

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JP2002057106A
JP2002057106A JP2000239426A JP2000239426A JP2002057106A JP 2002057106 A JP2002057106 A JP 2002057106A JP 2000239426 A JP2000239426 A JP 2000239426A JP 2000239426 A JP2000239426 A JP 2000239426A JP 2002057106 A JP2002057106 A JP 2002057106A
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gas
vacuum chamber
processing apparatus
plasma
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Shinsuke Oka
信介 岡
Atsushi Yokoyama
敦 横山
Risa Nakase
りさ 中瀬
Shuichi Ishizuka
修一 石塚
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Tokyo Electron Ltd
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Tokyo Electron Ltd
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    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーニングレートの高いクリーニングが可
能なプラズマ処理装置のドライクリーニング方法を提供
する。 【解決手段】 平行平板型プラズマ処理装置のドライク
リーニングにおいて、クリーニング用のガスを２つの両
電極に高周波電力を印加して処理チャンバ内でプラズマ
化し、このガスによりクリーニングを行う。また、処理
チャンバの外部に配設されたプラズマ発生装置によりプ
ラズマ化されたクリーニングガスをチャンバ内に導入
し、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して、処
理チャンバ内でさらに活性化してクリーニングを行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、効率的なクリーニ
ングの可能な処理装置及びそのクリーニング方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハ等の基板に成膜、エッチン
グ等の処理を行う方法には、プラズマを用いた方法が用
いられる。このようなプラズマ処理を行う手法の一つと
して、互いに平行な上部電極と下部電極間に高周波電力
を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマにより成
膜を行う平行平板型プラズマ処理装置を用いる方法があ
る。
【０００３】一般に、ウェハに対する、成膜、エッチン
グ等のプラズマ処理では、ウェハ上だけでなく処理チャ
ンバ内のいたるところに膜堆積が起こる。このため、ウ
ェハ上以外に堆積した膜が剥がれて、ウェハに堆積され
た膜中に取り込まれたり、ウェハ表面に付着したりす
る。これは、このウェハが構成するデバイスの欠陥につ
ながり、デバイスの歩留まりの低下、デバイス特性の悪
化といった問題を生じる。従って、これらのチャンバ内
に付着、堆積した膜を定期的にクリーニングする必要が
ある。
【０００４】そのためのプラズマ処理装置のクリーニン
グとして、クリーニング用のガスをプラズマ化して装置
のクリーニングを行うドライクリーニングが主流となっ
ている。平行平板型プラズマ処理装置に関しては、装置
内にＮＦ３等のクリーニング用のガスを供給しつつ、上
部電極に高周波電力を印加して、このガスをプラズマ化
してクリーニングを行っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなクリーニング方法では、クリーニングに時間がかか
る、また、プロセスガスの吹き出し口（天板）等、十分
にクリーニングされない箇所が残る、といった問題があ
った。
【０００６】上記問題を解決するため、本発明は、クリ
ーニングレートが高く、かつ、チャンバ内でのクリーニ
ングレートの均等な処理装置及びそのクリーニング方法
の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係るプラズマ処理装置のクリ
ーニング方法は、２つの電極を備える平行平板型のプラ
ズマ処理装置の真空チャンバ内を、該真空チャンバの内
部でプラズマ化したガスを用いてクリーニングする、プ
ラズマ処理装置のクリーニング方法において、前記２つ
の電極の両方に高周波電力を印加してクリーニングを行
うことを特徴とする。
【０００８】上記構成の方法によれば、チャンバのクリ
ーニング用のガスを、チャンバ内部に備えられた２本の
電極に高周波電力を印加してプラズマ化し、電極の片方
に印加した場合よりもクリーニングガスのクリーニング
活性を高めることができ、従って、クリーニングレート
を向上させることができる。
【０００９】上記目的を達成するため、本発明の第２の
観点に係るプラズマ処理装置のクリーニング方法は、２
つの電極を備える平行平板型のプラズマ処理装置の真空
チャンバ内を、該真空チャンバの外部で活性化したガス
を用いてクリーニングする、プラズマ処理装置のクリー
ニング方法において、前記２つの電極の少なくとも１つ
に高周波電力を印加してクリーニングを行うことを特徴
とする。
【００１０】上記構成の方法によれば、チャンバの外部
でプラズマ化した、チャンバのクリーニング用のガス
を、チャンバ内部に備えられた電極に高周波電力を印加
してさらに活性化することができ、従って、クリーニン
グガスのクリーニング活性をさらに高めることによりク
リーニングレートを向上させることができる。
【００１１】上記目的を達成するため、本発明の第３の
観点に係る処理装置のクリーニング方法は、被処理体に
所定の処理を施す処理装置の真空チャンバ内を、該真空
チャンバの外部で活性化したガスを用いてクリーニング
する、処理装置のクリーニング方法において、クリーニ
ングするためのガスを、前記真空チャンバに設けられた
３カ所以上のガス供給口から該真空チャンバ内に供給す
ることを特徴とする。
【００１２】上記構成の方法によれば、チャンバの外部
でプラズマ化した、チャンバのクリーニング用のガスを
チャンバ内に３カ所以上のガス供給口から供給して、ク
リーニングガス供給の偏りを無くし、チャンバ内を均一
にクリーニングすることができる。
【００１３】上記目的を達成するため、本発明の第４の
観点に係るプラズマ処理装置のクリーニング方法は、被
処理体に所定の処理を施す処理装置の真空チャンバ内
を、該真空チャンバの外部で活性化したガスを用いてク
リーニングする、処理装置のクリーニング方法におい
て、前記ガスは、前記真空チャンバの内部に多方向に吹
き出されて供給されることを特徴とする。
【００１４】上記構成の方法によれば、チャンバの外部
でプラズマ化した、チャンバのクリーニング用のガスを
チャンバ内に供給する際、１つのクリーニングガスの流
れが多方向に分けられて供給されるので、クリーニング
ガス供給の偏りを無くし、チャンバ内を均一にクリーニ
ングすることができる。
【００１５】上記目的を達成するため、本発明の第５の
観点に係る処理装置のクリーニング方法は、被処理体に
所定の処理を施す処理装置の真空チャンバ内を、該真空
チャンバの外部で活性化したガスを用いてクリーニング
する、処理装置のクリーニング方法において、クリーニ
ング中、前記真空チャンバの内部の圧力を１００〜４０
０Ｐａとすることを特徴とする。
【００１６】上記構成の方法によれば、クリーニング時
のチャンバ内の圧力を低真空状態に保つことにより、ク
リーニングガスを構成する気体分子の量を増加させるこ
とができ、従って、クリーニングレートを向上させるこ
とができる。
【００１７】上記目的を達成するため、本発明の第６の
観点に係る処理装置のクリーニング方法は、被処理体に
所定の処理を施す処理装置の真空チャンバ内を、活性化
したガスを用いてクリーニングする、処理装置のクリー
ニング方法において、クリーニング中、前記真空チャン
バの内部を加熱することを特徴とする。
【００１８】上記構成の方法によれば、クリーニング時
のチャンバ内を加熱することにより、チャンバ壁等に堆
積したクリーニングされる膜を加熱活性化してクリーニ
ングガスとの反応性を高めることができ、従って、クリ
ーニングレートを向上させることができる。
【００１９】上記第６の観点に係るプラズマ処理装置の
クリーニング方法において、前記加熱を、前記真空チャ
ンバの壁の内部に温調媒体を通して行ってもよい。
【００２０】上記第６の観点に係るプラズマ処理装置の
クリーニング方法において、前記加熱を、前記真空チャ
ンバの壁の内部に備えたヒータにより行ってもよい。
【００２１】上記第６の観点に係るプラズマ処理装置の
クリーニング方法において、前記加熱を、前記真空チャ
ンバの壁に設けられた窓を通した、該真空チャンバの外
部からの光の照射により行ってもよい。
【００２２】上記目的を達成するため、本発明の第７の
観点に係るプラズマ処理装置は、互いに並行する２つの
平板電極を備えた真空チャンバと、前記真空チャンバを
クリーニングするためのガスを該真空チャンバ内に供給
可能に構成されたガス供給ラインと、から構成される処
理装置において、前記２つの平板電極の両方に高周波電
力を印加してクリーニングを行うことを特徴とする。
【００２３】上記構成の装置によれば、チャンバのクリ
ーニング用のガスを、チャンバ内部に備えられた２本の
電極に高周波電力を印加してプラズマ化し、電極の片方
に印加した場合よりもクリーニングガスのクリーニング
活性を高めることができ、従って、クリーニングレート
を向上させることができる。
【００２４】上記目的を達成するため、本発明の第８の
観点に係るプラズマ処理装置は、互いに並行する２つの
平板電極を備えた真空チャンバと、前記真空チャンバを
クリーニングするためのガスを該真空チャンバ内に供給
可能に構成されたガス供給ラインと、前記ガス供給ライ
ンを介して、前記真空チャンバに供給されるガスを供給
可能に構成されたガス活性化手段と、から構成される処
理装置において、前記２つの平板電極の少なくとも１つ
に高周波電力を印加してクリーニングを行うことを特徴
とする。
【００２５】上記構成の装置によれば、チャンバの外部
でプラズマ化した、チャンバのクリーニング用のガス
を、チャンバ内部に備えられた電極に高周波電力を印加
してさらに活性化することができ、従って、クリーニン
グガスのクリーニング活性をさらに高めることによりク
リーニングレートを向上させることができる。
【００２６】上記目的を達成するため、本発明の第９の
観点に係る処理装置は、真空チャンバと、前記真空チャ
ンバをクリーニングするためのガスを該真空チャンバ内
に供給可能に構成されたガス供給ラインと、前記ガス供
給ラインを介して、前記真空チャンバに供給されるガス
を供給可能に構成されたガス活性化手段と、から構成さ
れる処理装置において、前記ガス供給ラインは、前記真
空チャンバ内に設けられた３カ所以上のガス供給口から
該真空チャンバ内にガスを供給することを特徴とする。
【００２７】上記構成の装置によれば、チャンバの外部
でプラズマ化した、チャンバのクリーニング用のガスを
チャンバ内に３カ所以上のガス供給口から供給して、ク
リーニングガス供給の偏りを無くし、チャンバ内を均一
にクリーニングすることができる。
【００２８】上記第９の観点に係る処理装置において、
前記ガス供給口は、気体が通過可能に構成された複数の
開口部を有する蓋部材で覆われ、該開口部の総平面面積
は、該ガス供給口の面積に対して、５０〜８０％である
ことが望ましい。
【００２９】上記第９の観点に係る処理装置において、
前記ガス供給口は、気体が通過可能に構成された複数の
開口部を有する蓋部材で覆われ、該開口部は、前記クリ
ーニングガスを多方向に吹き出し可能に構成されている
ことが望ましい。
【００３０】上記目的を達成するため、本発明の第１０
の観点に係る処理装置は、真空チャンバと、前記真空チ
ャンバをクリーニングするためのガスを該真空チャンバ
内に供給可能に構成されたガス供給ラインと、前記ガス
供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給されるガ
スを供給可能に構成されたガス活性化手段と、から構成
される処理装置において、クリーニング中、前記真空チ
ャンバの内部の圧力を１００〜４００Ｐａとすることを
特徴とする。
【００３１】上記構成の装置によれば、クリーニング時
のチャンバ内の圧力を低真空状態に保つことにより、ク
リーニングガスを構成する気体分子の量を増加させるこ
とができ、従って、クリーニングレートを向上させるこ
とができる。
【００３２】上記目的を達成するため、本発明の第１１
の観点に係る処理装置は、真空チャンバと、前記真空チ
ャンバをクリーニングするためのガスを該真空チャンバ
内に供給可能に構成されたガス供給ラインと、前記ガス
供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給されるガ
スを供給可能に構成されたガス活性化手段と、から構成
される処理装置において、クリーニング中、前記真空チ
ャンバの内部を加熱することを特徴とする。
【００３３】上記構成の装置によれば、クリーニング時
のチャンバ内を加熱することにより、チャンバ壁等に堆
積したクリーニングされる膜を加熱活性化してクリーニ
ングガスとの反応性を高めることができ、従って、クリ
ーニングレートを向上させることができる。
【００３４】上記第１１の観点に係る処理装置におい
て、前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内部に温調媒
体を通して行ってもよい。
【００３５】上記第１１の観点に係る処理装置におい
て、前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内部に備えた
ヒータにより行ってもよい。
【００３６】上記第１１の観点に係る処理装置におい
て、前記加熱を、前記真空チャンバの壁に設けられた窓
を通した、該真空チャンバの外部からの光の照射により
行ってもよい。
【００３７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態に係る処理装
置について、以下図面を参照して説明する。 （第１の実施の形態）図１は第１の実施の形態に係るプ
ラズマ処理装置の構成例を示す。このプラズマ処理装置
は、ＳｉＨ４、ＳｉＦ４をプロセスガスとして、被処理
体にＳｉＯＦ膜を成膜し、被処理体以外のチャンバ内に
堆積したＳｉＯＦ膜をＮＦ３、Ａｒのクリーニングガス
によりクリーニングする機能を有する。
【００３８】図１に示すように、このプラズマ処理装置
は、処理チャンバ１０１と、サセプタ２１と、電極板２
２と、ガス供給ラインＬ１と、クリーニングガス供給ラ
インＬ２と、システムコントローラ１００とから構成さ
れる。
【００３９】サセプタ２１は処理チャンバ１０１の中央
に設けられ、例えば、アルミニウムからなり、ほぼ円柱
状に形成されている。サセプタ２１には、被処理体、例
えば、半導体ウェハが戴置される。サセプタ２１の表面
には静電チャック（図示せず）が設けられている。この
静電チャックは、薄い静電層の中にチャック電極を埋設
して構成され、チャック電極は直流電圧源から直流電圧
が印加されることにより、ウェハを静電吸着するもので
ある。
【００４０】サセプタ２１内には、温調媒体の流路が形
成され、温調媒体供給管２５から供給された温調媒体が
温調媒体流路２４を通って温調媒体排出管２６から排出
されるよう構成されている。処理されるウェハの温度
は、この温調媒体による冷熱等により調整される。
【００４１】サセプタ２１は平行平板型電極の一方の電
極である下部電極としても機能する。サセプタ２１は、
処理チャンバ１０１に対して絶縁されるように、絶縁体
２７の上に配置されている。そして、下部電極であるサ
セプタ２１と基準電位、例えば、アースとの間には、整
合器２８及び第１のＲＦ電源３０が接続されている。
【００４２】サセプタ２１の上部周縁部には、半導体ウ
ェハに反応性イオンを効果的に入射させるために絶縁材
よりなるフォーカスリング３２が設けられている。ま
た、ウェハの受け渡し用のリフトピン（図示せず）が、
サセプタ２１及び静電チャックを貫通して昇降可能に設
けられている。
【００４３】電極板２２は、処理チャンバ１０１の天井
部に、サセプタ２１に対して平行に、かつ、対向するよ
うに設けられ、上部電極として機能する。この電極板２
２は、例えば、ＳｉＯ２によりコーティングされたアル
ミニウムから構成される。
【００４４】電極板２２の電極支持体３３中には、ガス
供給ラインＬ１に接続されたガス流路（図示せず）が形
成されており、ガス供給ラインＬ１からのガスはガス流
路を介して電極板２２のガス供給穴３５から処理チャン
バ１０１内に供給される。ここで、電極板２２及び電極
支持体３３は、絶縁体３４により処理チャンバ１０１に
対して絶縁されている。上部電極である電極板２２と基
準電位、例えば、アースとの間には整合器２９及び第２
のＲＦ電源３１が接続されている。
【００４５】ガス供給ラインＬ１は、バルブＶ１を介し
て、ＳｉＨ４、ＳｉＦ４、ＮＦ３、Ａｒ等のガス供給源
ＳＡ、ＳＢ、ＳＣ、ＳＤに接続されている。ガス供給源
ＳＡ、ＳＢ、ＳＣ、ＳＤは、マスフローコントローラＭ
Ａ、ＭＢ、ＭＣ、ＭＤにより、所望の処理に応じてガス
を所定の順序、流量で供給する。
【００４６】クリーニングガス供給ラインＬ２は、Ｓｉ
Ｈ４、ＳｉＦ４等のプロセスガスとの反応を防ぐため、
ガス供給ラインＬ１とは別に設けられ、バルブＶ２を介
して、ＮＦ３ガス供給源ＳＥに接続されている。ガス供
給源ＳＥは、マスフローコントローラにＭＥより、所望
の処理に応じてガスを所定の順序、流量で供給する。
【００４７】処理チャンバ１０１の排気側には、圧力調
整弁（ＡＰＣ）１０４を介してターボ分子ポンプ（ＴＭ
Ｐ）１０３が接続されている。ターボ分子ポンプ１０３
は、処理チャンバ１０１内を排気し、圧力調整弁１０４
により、処理チャンバ１０１内の圧力は所定の真空度と
される。
【００４８】システムコントローラ１００は、成膜処理
及びクリーニング処理時に、ガス供給系、処理チャンバ
１０１、圧力調整弁１０４等、プラズマ処理装置全体の
制御を行う。
【００４９】次に、本実施の形態のプラズマ処理装置の
クリーニング時の動作に関して、図１を参照して説明す
る。システムコントローラ１００の制御の下、被処理体
であるウェハを処理チャンバ１０１内へ搬入後、ＳｉＦ
４、ＳｉＨ４、Ｏ２、Ａｒといったプロセスガスを処理
チャンバ１０１内に供給し、上部電極２２及び下部電極
にＲＦ電力を印加して、ウェハ上にＳｉＯＦ膜を成膜す
る。所定の膜厚のＳｉＯＦ膜がウェハ上に成膜された
後、ウェハは処理チャンバ１０１から搬出される。上述
の動作で所定枚数のウェハを処理した後、システムコン
トローラ１００は、処理チャンバ１０１のクリーニング
を開始する。
【００５０】まず、クリーニング用のダミーウェハを処
理チャンバ１０１内に搬入してサセプタ２１上に戴置
し、静電チャックにより吸着保持する。続いて、バルブ
Ｖ１を開放し、ガス供給源ＳＤからＡｒガスを、マスフ
ローコントローラＭＣにより所定の流量に調整して、ガ
ス供給穴３５を介して処理チャンバ１０１内に供給す
る。
【００５１】Ａｒガスの供給の後、上部電極２２とアー
ス間に第２のＲＦ電源３１により、ＲＦ電力を印加する
とともに、下部電極とアース間に第１のＲＦ電源３０に
よりＲＦ電力を印加する。
【００５２】この後、ＮＦ３ガスをマスフローコントロ
ーラＭＥにより所定の流量に調整して、ガス供給源ＳＥ
からクリーニングガス供給ラインＬ２を介してガス供給
穴３５から、処理チャンバ１０１に供給する。供給され
たＮＦ３ガスは、上部電極２２及び下部電極へのＲＦ電
力の印加によりプラズマ化されてフッ素ラジカルＦ＊を
発生し（化学式１）、処理チャンバ１０１内に堆積、付
着したＳｉＯＦ膜と反応してＳｉＦ４等となり（化学式
２）、これら反応生成物は排気とともに除去される。
【化１】ＮＦ３→３Ｆ＊＋１／２Ｎ２
【化２】ＳｉＯＦ＋３Ｆ＊→ＳｉＦ４↑＋１／２Ｏ２↑
【００５３】システムコントローラ１００は、クリーニ
ングが終点に達したと判断すると、上部電極２２及び下
部電極へのＲＦ電力の印加をオフとし、Ａｒガス、ＮＦ
３ガスの供給を止める。続いて、ガス供給源ＳＣ、ＳＤ
からマスフローコントローラＭＣ、ＭＤにより所定の流
量に調整してＯ２ガス、Ａｒガスを供給するとともに、
ウェハ除電のため、上部電極２２へＲＦ電力を印可す
る。その所定時間後、Ａｒガスの供給を止め、上部電極
２２へのＲＦ電力の印加をオフとする。続いて、ウェハ
の吸着状態を解除し、Ｏ２ガスの供給を止める。最後
に、ダミーウェハを処理チャンバ１０１から搬出し、ク
リーニングを終了する。ここで、システムコントローラ
１００は、クリーニング中、処理チャンバ１０１の外部
に設けられたプラズマ発光センサ（図示せず）により、
発生するＯ２プラズマの発光強度をモニタして終点を検
出する。
【００５４】図２は、第１の実施の形態のプラズマ処理
装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５μ
ｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行った
ときの結果である。クリーニング時、上部電極２２に
１．５ＫｗのＲＦ電力を印加した。ＮＦ３ガスは５００
ｓｃｃｍ、Ａｒガスは５００ｓｃｃｍとし、処理チャン
バ１０１内の圧力は１３Ｐａとした。
【００５５】図２に見られるように、下部電極にＲＦ電
力を印加してクリーニングを行った場合には、印加しな
い場合に比べてクリーニング時間が短縮される。従っ
て、上部電極２２のみにＲＦ電力を印加し、下部電極に
は印加しない従来のプラズマを用いたドライクリーニン
グ方法に比べ、上部電極２２及び下部電極にＲＦ電力を
印加する本実施の形態では、高いクリーニングレートが
得られる。
【００５６】（第２の実施の形態）図３に第２の実施の
形態に係るプラズマ処理装置の構成を示す。図４は、処
理チャンバ１０１の内部を詳細に示す断面図である。図
３及び図４において、図１と同一の部分には同一の符号
を付す。
【００５７】第２の実施の形態のプラズマ処理装置は、
被処理体にプラズマ処理を行った後、チャンバの外部で
プラズマ化させたクリーニングガス（リモートプラズマ
ガス）を用いてチャンバをクリーニングする、リモート
プラズマドライクリーニングを行うもので、図２に示す
ように、処理チャンバ１０１と、プラズマ発生装置１０
２と、システムコントローラ１００とから構成される。
【００５８】プラズマ発生装置１０２は、バルブＶ３及
びマスフローコントローラＭＦ、ＭＧを介してクリーニ
ングガス供給源ＳＦ、ＳＧに接続されている。プラズマ
発生装置１０２は、プラズマ発生機構を有し、内部を通
過するガスをプラズマ化する。クリーニングガス供給源
ＳＦ、ＳＧから供給されるＮＦ３等のクリーニングガス
は、プラズマ発生装置１０２を通ってプラズマ化され、
排気側に接続されたクリーニングガス供給ラインＬ３を
介して処理チャンバ１０１に供給される。
【００５９】このようなリモートプラズマクリーニング
では、リモートプラズマガスの活性は、チャンバ内部で
発生させたプラズマガスに比べ穏やかであり、プラズマ
化により生成した活性種によるチャンバ壁、フォーカス
リング等の攻撃は抑えられ、装置の消耗を防ぐことがで
きるので、チャンバの内部でプラズマを発生させる方法
よりも好ましい。
【００６０】図４に示すように、プラズマ処理装置の外
壁にはクリーニングガス供給口４１が設けられている。
クリーニングガス供給口４１は処理チャンバ１０１の外
部に配設されたプラズマ発生装置１０２の排気側にクリ
ーニングガス供給ラインＬ３を介して接続されている。
また、プラズマ発生装置１０２の吸気側には、クリーニ
ングガス、ＮＦ３ガス、Ａｒのガス供給源ＳＦ、ＳＧが
それぞれバルブ、マスフローコントローラＭＦ、ＭＧを
介して接続されている。
【００６１】以下、第２の実施の形態におけるクリーニ
ングの動作について、図３及び図４を参照して説明す
る。まず、クリーニング用のダミーウェハを処理チャン
バ１０１内に搬入してサセプタ２１上に戴置し、静電チ
ャックにより吸着保持する。続いて、バルブＶ３を開放
して、ＮＦ３ガス、Ａｒガスをガス供給源ＳＦ、ＳＧか
らプラズマ発生装置１０２、クリーニングガス供給ライ
ンＬ３を介して処理チャンバ１０１内に供給する。
【００６２】クリーニングガスの供給後、プラズマ発生
装置１０２の電源をオンとし、プラズマ発生装置１０２
内にリモートプラズマガスを発生させ、発生したプラズ
マガスをクリーニングガス供給ラインＬ３を介してクリ
ーニングガス供給口４１から処理チャンバ１０１内に供
給する。
【００６３】システムコントローラ１００は、クリーニ
ングが終点に達したと判断すると、プラズマ発生装置１
０２をオフとし、バルブＶ３を閉鎖し、クリーニングガ
スの処理チャンバ１０１内への供給を止める。次に、バ
ルブＶ１を開放し、Ｏ２ガス、Ａｒガスを処理チャンバ
１０１内に供給すると共に、ウェハ除電のため、上部電
極２２へＲＦ電力を印可する。その所定時間後、Ａｒガ
スの供給を止め、上部電極２２へのＲＦ電力の印加をオ
フとする。続いて、ウェハの吸着状態を解除し、バルブ
Ｖ１を閉鎖してＯ２ガスの流入を止める。最後に、ダミ
ーウェハを処理チャンバ１０１から搬出し、クリーニン
グは終了する。ここで、システムコントローラ１００
は、クリーニング中、処理チャンバ１０１の外部に設け
られたプラズマ発光センサ（図示せず）により、発生す
るＯ２プラズマの発光強度をモニタして終点を検出す
る。
【００６４】上記クリーニングを行う際、処理チャンバ
１０１の内部の圧力は、１０Ｐａ程度であった従来より
も高圧、例えば、１００〜４００Ｐａに保たれる。図５
は、処理チャンバ１０１内の圧力を１００〜４００Ｐａ
とした時のクリーニング時間を示す。クリーニングは、
電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５μｍのＳｉＯＦ
膜を成膜した後、ＮＦ３ガスは５００ｓｃｃｍ、Ａｒガ
スは５００ｓｃｃｍとして行った。
【００６５】図に見られるように、クリーニング時の処
理チャンバ１０１内の圧力を従来よりも高圧とした場合
には、クリーニング時間が短く、従来のリモートプラズ
マクリーニングに比べ、高いクリーニングレートが得ら
れる。しかし、４００Ｐａ程度の圧力とした場合には、
従来の圧力でのクリーニングに対する時間の短縮が見ら
れるが、２００Ｐａにおけるクリーニング時間よりは遅
いものとなる。また、圧力の増加は気体、すなわち、ク
リーニングガスの体積の増加を意味し、過剰なクリーニ
ングガスのチャンバへの供給はチャンバ部材の劣化をも
たらし好ましくない。従って、過剰な高圧は望ましくな
く、２００Ｐａ〜４００Ｐａ程度の圧力とすることが望
ましい。
【００６６】（第３の実施の形態）以下、第３の実施の
形態におけるクリーニングの動作について、図３及び図
４を参照して説明する。第３の実施の形態では、上記第
２の実施の形態の装置のリモートプラズマクリーニング
において、処理チャンバ１０１の外部でプラズマ化した
クリーニングガスを、電極にＲＦ電力を印加して処理チ
ャンバ１０１内でさらに活性化してクリーニングを行
う。
【００６７】まず、クリーニング用のダミーウェハを処
理チャンバ１０１内に搬入してサセプタ２１上に戴置
し、静電チャックにより吸着保持する。続いて、バルブ
を開放して、ＮＦ３ガス、Ａｒガスをガス供給源ＳＦ、
ＳＧからプラズマ発生装置１０２、クリーニングガス供
給ラインＬ３を介して処理チャンバ１０１内に供給す
る。
【００６８】クリーニングガスの供給後、プラズマ発生
装置１０２の電源をオンとし、プラズマ発生装置１０２
内にリモートプラズマガスを発生させ、発生したプラズ
マガスをクリーニングガス供給ラインＬ３を介してクリ
ーニングガス供給口４１から処理チャンバ１０１内に供
給する。その後、処理チャンバ１０１内の上部電極２２
とアース間に第２のＲＦ電源３１によりＲＦ電力を印加
する。
【００６９】システムコントローラ１００は、クリーニ
ングが終点に達したと判断すると、プラズマ発生装置１
０２をオフとし、上部電極２２への高周波電力の印加を
オフとする。次に、バルブＶ３を閉鎖し、クリーニング
ガスの処理チャンバ１０１内への供給を止める。さら
に、バルブＶ１を開放し、Ｏ２ガス、Ａｒガスを処理チ
ャンバ１０１内に供給すると共に、ウェハ除電のため、
上部電極２２へＲＦ電力を印可する。その所定時間後、
Ａｒガスの供給を止め、上部電極２２へのＲＦ電力の印
加をオフとする。続いて、ウェハの吸着状態を解除し、
バルブＶ１を閉鎖してＯ２ガスの流入を止める。最後
に、ダミーウェハを処理チャンバ１０１から搬出し、ク
リーニングは終了する。ここで、システムコントローラ
１００は、クリーニング中、処理チャンバ１０１の外部
に設けられたプラズマ発光センサ（図示せず）により、
発生するＯ２プラズマの発光強度をモニタして終点を検
出する。
【００７０】図６は、第３の実施の形態のプラズマ処理
装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５μ
ｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行った
ときの結果である。クリーニング時、上部電極２２に
１．５ＫｗのＲＦ電力を印加し、ＮＦ３ガスは５００ｓ
ｃｃｍ、Ａｒガスは５００ｓｃｃｍとし、処理チャンバ
１０１内の圧力は２００Ｐａとした。
【００７１】図６に見られるように、上部電極２２にＲ
Ｆ電力を印加してリモートプラズマガスによるクリーニ
ングを行った場合には、印加しない場合に比べてクリー
ニング時間が２０％以下に短縮される。従って、従来の
リモートプラズマクリーニングに比べ、上部電極２２に
ＲＦ電力を印加して処理チャンバ１０１内でリモートプ
ラズマガスを活性化してクリーニングを行う本実施の形
態により、高いクリーニングレートが得られる。
【００７２】（第４の実施の形態）図７に、第４の実施
の形態のプラズマ処理装置の構成を示す。図７におい
て、図３と同一の部分には同一の符号を付す。図７に示
すように、この実施の形態では、クリーニングガス供給
口４１が処理チャンバ１０１の壁に等間隔に３カ所設け
られた構成を有する。
【００７３】第４の実施の形態のプラズマ処理装置は、
ＳｉＨ４、ＳｉＦ４をプロセスガスとして、被処理体に
ＳｉＯＦ膜を成膜し、被処理体以外のチャンバ内に堆積
したＳｉＯＦ膜をＮＦ３、Ａｒのクリーニングガスによ
りクリーニングする機能を有するもので、上記第２の実
施の形態で説明したものと同様の、図４に示す構成を有
する。
【００７４】図８は、第４の実施の形態のプラズマ処理
装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５μ
ｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行った
ときの結果である。クリーニング時、ＮＦ３ガスは１ｓ
ｌｍ、Ａｒガスは１ｓｌｍとし、処理チャンバ１０１内
の圧力は１３Ｐａとした。
【００７５】図中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、図７に示す
処理チャンバ１０１内の各地点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを示
し、各データは、上記各地点にシリコン熱酸化膜のチッ
プを置き、各地点でのクリーニングレートを調べたもの
である。なお、地点ａのチップはサセプタ上に戴置し、
他の各地点ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、サセプタと同一平面上に
あるよう配置した。
【００７６】図８に、クリーニングガス供給口４１を２
カ所として同一の条件でクリーニングを行った結果を並
記する。図よりわかるように、２カ所から供給する構成
では、クリーニングガス供給口４１から遠い地点ｂのク
リーニングレートは遅い。しかし、３カ所から供給する
構成では、このようなクリーニングレートの不均一性は
見られない。
【００７７】以上説明したように、処理チャンバ１０１
の外部でプラズマ化したクリーニングガスを、処理チャ
ンバ１０１内に３カ所から供給する本実施の形態によれ
ば、均一なクリーニングが可能となる。
【００７８】上記第４の実施の形態では、クリーニング
ガス供給口４１を処理チャンバ１０１の壁に等間隔に３
カ所備えた構成とした。しかし、クリーニングガス供給
口４１を配置する間隔は調整可能であり、また、クリー
ニングガス供給口４１は３カ所に限られず、３カ所以上
設けてもよい。
【００７９】（第５の実施の形態）リモートプラズマガ
スを用いる上記実施の形態では、クリーニングガス供給
口４１は、図９に示すような形状のＡｌ２Ｏ３等より構
成される蓋部材４２で覆われ、処理チャンバ１０１から
クリーニングガス供給ラインＬ３へのガスの流入を防
ぐ。この蓋部材４２のスリット状開口部９１を通してリ
モートプラズマガスが処理チャンバ１０１内に供給され
る。
【００８０】第５の実施の形態のプラズマ処理装置は、
ＳｉＨ４、ＳｉＦ４をプロセスガスとして、被処理体に
ＳｉＯＦ膜を成膜し、被処理体以外のチャンバ内に堆積
したＳｉＯＦ膜をＮＦ３、Ａｒのクリーニングガスによ
りクリーニングする機能を有するもので、上記第２の実
施の形態で説明したものと同様の構成を有し、上記蓋部
材４２の開口率を５０〜８０％とした構成である。ここ
で、開口率とは、蓋部材４２の開口部９１の総面積の、
蓋部材４２の総面積に対する割合であり、（開口率
（％））＝（開口部９１の総面積）／（蓋部材４２の総
面積）ｘ１００で与えられる。
【００８１】図１０は、第５の実施の形態のプラズマ処
理装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５
μｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行っ
たときの結果である。蓋部材４２の開口率は６２％であ
り、クリーニング時、ＮＦ３ガスは１ｓｌｍ、Ａｒガス
は１ｓｌｍとし、処理チャンバ１０１内の圧力は１３Ｐ
ａとした。
【００８２】第４の実施例で説明したのと同様に、図
中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、図７に示す処理チャンバ１
０１内の各地点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを示し、各データ
は、上記各地点にシリコン熱酸化膜のチップを置き、各
地点でのクリーニングレートを調べたものである。
【００８３】図よりわかるように、開口率を６２％とし
た場合に、処理チャンバ１０１内の各地点で最も高いク
リーニングレートが得られる。従って、クリーニングガ
ス供給口４１の蓋部材４２の開口率を５０〜８０％とし
てリモートプラズマクリーニングガスを処理チャンバ１
０１内に供給する本実施の形態によれば、高いクリーニ
ングレートのクリーニングが可能である。
【００８４】この実施の形態では、蓋部材４２の開口部
９１はスリット形状としたが、必要な開口率が得られる
限り円形等、他のいかなる形状も可能である。
【００８５】（第６の実施の形態）第６の実施の形態の
蓋部材４２の断面図を図１１（ａ）に示す。図１１
（ａ）に示すように、蓋部材４２の各スリットは、中央
部では９０°、中間部では６０°、端部では４５°とい
うように、別々の吹き出し角度を有し、クリーニングガ
ス供給ラインＬ３から供給されるガスが処理チャンバ１
０１内の各方向に均等に吹き出すようにした構成を有す
る。
【００８６】図１２は、第６の実施の形態のプラズマ処
理装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５
μｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行っ
たときの結果である。蓋部材４２の開口率は３５％であ
り、クリーニング時、ＮＦ３ガスは１ｓｌｍ、Ａｒガス
は１ｓｌｍとし、処理チャンバ１０１内の圧力は１３Ｐ
ａとした。
【００８７】第４の実施例で説明したのと同様に、図
中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、図７に示す処理チャンバ１
０１内の各地点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを示し、各データ
は、上記各地点にシリコン熱酸化膜のチップを置き、各
地点でのクリーニングレートを調べたものである。
【００８８】図１２に、クリーニングガスが蓋部材４２
に対して垂直に吹き出す、図１０（ｂ）に示す構造の蓋
部材４２を用いて同一の条件でクリーニングを行った場
合の結果を並記する。図１２よりわかるように、クリー
ニングガスが各方向に均等に吹き出すように構成された
蓋部材４２を用いた場合には、各地点でのクリーニング
レートの向上及び均一性の向上が見られる。従って、本
実施の形態によれば、クリーニングレートが高く、か
つ、均一なクリーニングが可能となる。
【００８９】上記実施の形態では、蓋部材４２の構造
は、中央部では９０°、中間部では６０°、端部では４
５°という吹き出し角度としたが、上記構成に限らず、
供給されるガスの各方向への均等な吹き出しが可能な構
造であれば、いかなるものであってもよい。
【００９０】（第７の実施の形態）図１３に、第７の実
施の形態のプラズマ処理装置の構成を示す。図１３にお
いて、図３と同一の部分には同一の符号を付す。なお、
ガス供給系及び上部電極系は省略した。
【００９１】第７の実施の形態のプラズマ処理装置は、
ＳｉＨ４、ＳｉＦ４をプロセスガスとして、被処理体に
ＳｉＯＦ膜を成膜し、被処理体以外のチャンバ内に堆積
したＳｉＯＦ膜をＮＦ３、Ａｒのクリーニングガスによ
りクリーニングする機能を有するもので、上記第２の実
施の形態で説明したものと同様の、図４に示す構成を有
する。
【００９２】図１３に示す第７の実施の形態では、ガス
供給（天板）部分２２及びチャンバ壁に温調媒体の流路
９３が形成されている。この流路９３に温調媒体を流
し、天板部分２２及びチャンバ壁を所定の高温に保つこ
とができる。天板部分２２は、最も、堆積膜が付きやす
く、かつ、最もクリーニングされにくい部分であるの
で、天板部分２２を加熱することにより、この部分のク
リーニングレートを高めることができる。システムコン
トローラ１００は、上記第２の実施の形態で説明したク
リーニング動作時、温調媒体の流れを制御して上記部分
の温度調節を行う。
【００９３】図１４は、第７の実施の形態のプラズマ処
理装置を用い、電極間距離が５０ｍｍで、ウェハ上に５
μｍのＳｉＯＦ膜を成膜した後に、クリーニングを行っ
たときの結果である。天板部分２２及びチャンバ壁は温
調媒体を流して１００℃に保った。蓋部材の開口率は３
５％であり、クリーニング時、ＮＦ３ガスは１ｓｌｍ、
Ａｒガスは１ｓｌｍとし、処理チャンバ１０１内の圧力
は１３Ｐａとした。
【００９４】第４の実施例で説明したのと同様に、図
中、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅは、図７に示す処理チャンバ１
０１内の各地点ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅを示し、各データ
は、上記各地点にシリコン熱酸化膜のチップを置き、各
地点でのクリーニングレートを調べたものである。
【００９５】図１４よりわかるように、天板部分２２を
加熱すると、加熱しない場合と比べて天板部分２２のク
リーニングレートは向上する。従って、天板部分２２を
加熱する本実施の形態によれば、クリーニングされにく
い天板部分２２のクリーニングレートを高めることがで
き、より均一なクリーニングを可能とする。また、天板
部分２２及びチャンバ壁を加熱することにより、処理チ
ャンバ１０１内全体が加熱され、クリーニングレートを
向上させることができる。
【００９６】（第８の実施の形態）図１５に第８の実施
の形態のプラズマ処理装置の構成を示す。図１５におい
て、図３と同一の部分には同一の符号を付す。なお、ガ
ス供給系及び上部電極系は省略した。
【００９７】第８の実施の形態のプラズマ処理装置は天
板部分及びチャンバ壁部分にニクロム線等より構成され
たヒータ９４が埋設された構成を有し、上記第７の実施
の形態と同様に、天板部分２２及びチャンバ壁部分を加
熱可能に構成されている。システムコントローラ１００
は、上記第２の実施の形態で説明したクリーニング動作
時、ヒータ９４を制御して上記部分の温度調節を行う。
【００９８】図１４に、第８の実施の形態のプラズマ処
理装置において、上記第７の実施の形態と同一の条件で
クリーニングを行った結果を示す。図よりわかるよう
に、天板部分２２を加熱することにより、天板部分２２
のクリーニングレートは向上する。従って、天板部分２
２を加熱する本実施の形態によれば、クリーニングされ
にくい天板部分２２のクリーニングレートを高めること
ができ、より均一なクリーニングを可能とする。また、
天板部分２２及びチャンバ壁を加熱することにより、処
理チャンバ１０１内全体が加熱され、クリーニングレー
トを向上させることができる。
【００９９】（第９の実施の形態）図１６に第９の実施
の形態のプラズマ処理装置の構成を示す。図１６におい
て、図３と同一の部分には同一の符号を付す。なお、ガ
ス供給系及び上部電極系は省略した。
【０１００】第９の実施の形態のプラズマ処理装置は、
処理チャンバ１０１の外部にハロゲンランプ等の光源９
５を備え、処理チャンバ１０１の壁に備えられた窓９６
から天板部分２２及びチャンバ壁に光照射可能に構成さ
れている。システムコントローラ１００は、上記第２の
実施の形態で説明したクリーニング動作時、この光源９
５の光照射を制御して上記部分を加熱し、上記部分の温
度調節を行う。
【０１０１】図１４に、第９の実施の形態のプラズマ処
理装置において、上記第７の実施の形態と同一の条件で
クリーニングを行った結果を示す。図１４よりわかるよ
うに、天板部分２２を加熱することにより、天板部分２
２のクリーニングレートは向上する。従って、天板部分
２２を加熱する本実施の形態によれば、クリーニングさ
れにくい天板部分２２のクリーニングレートを高めるこ
とができ、より均一なクリーニングを可能とする。ま
た、天板部分２２及びチャンバ壁を加熱することによ
り、処理チャンバ１０１内全体が加熱され、クリーニン
グレートを向上させることができる。
【０１０２】上記実施の形態では、天板部分２２等の加
熱は１００℃としたが、クリーニングレートが高く、か
つ、均一なクリーニングの可能な温度であれば、いかな
る温度でもよい。
【０１０３】上記実施の形態ではクリーニングガスとし
てＮＦ３を用いた。しかし、他のドライクリーニングに
用いるクリーニングガス、例えば、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、
ＳＦ ６、ＮＦ３等のフッ素系物質やＣｌ２、ＢＣｌ４等
の塩素系物質を含むガスを使用してもよい。
【０１０４】上記実施の形態は、半導体ウェハ上にＳｉ
ＯＦ膜等の薄膜形成を行うプラズマ処理装置のドライク
リーニングである。しかし、この本発明のクリーニング
方法はプラズマ処理装置に限らず、ドライクリーニング
の適用可能ないかなる装置に対しても適用可能である。
【０１０５】
【発明の効果】本発明により、クリーニングレートが高
く、かつ、均等なクリーニングの可能なプラズマ処理装
置のクリーニング方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構
成例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係るプラズマ処理装置のク
リーニング結果を示す図である。
【図３】第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構
成例を示す図である。
【図４】第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構
成例を示す図である。
【図５】第２の実施の形態に係るプラズマ処理装置のク
リーニング結果を示す図である。
【図６】第３の実施の形態に係るプラズマ処理装置のク
リーニング結果を示す図である。
【図７】第４の実施の形態に係るプラズマ処理装置の構
成例を示す図である。
【図８】第４の実施の形態に係るプラズマ処理装置のク
リーニング結果を示す図である。
【図９】蓋部材を示す図である。
【図１０】第５の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
クリーニング結果を示す図である。
【図１１】蓋部材を示す図である。
【図１２】第６の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
クリーニング結果を示す図である。
【図１３】第７の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
構成例を示す図である。
【図１４】天板部分を加熱した場合のクリーニング結果
を示す図である。
【図１５】第８の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
構成例を示す図である。
【図１６】第９の実施の形態に係るプラズマ処理装置の
構成例を示す図である。
【符号の説明】
１００ システムコントローラ １０１ 処理チャンバ １０２ プラズマ発生装置 １０３ ターボ分子ポンプ １０４ 圧力調整弁 ２１ サセプタ ２２ 上部電極／電極板（天板） ２４ 温調媒体流路 ２５ 温調媒体供給管 ２６ 温調媒体排出管 ２７、３４ 絶縁体 ２８、２９ 整合器 ３０、３１ ＲＦ電源 ３２ フォーカスリング ３３ 電極支持体 ３５ ガス供給穴 ４１ クリーニングガス供給口 ４２ 蓋部材 ９１ 開口部 ９３ 流路 ９４ ヒータ ９５ 光源 ９６ 窓
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中瀬 りさ 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 東京エレクトロン宮城株式会社内 (72)発明者 石塚 修一 山梨県韮崎市穂坂町三ッ沢650 東京エレ クトロン宮城株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 DA06 EA06 FA03 JA09 KA22 KA37 5F004 AA15 BA03 BA04 BB13 BC03 BD04 DA17 5F045 AB31 AC01 AC02 BB14 DP03 EB06 EE06 EH13 EK06 EK07

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】２つの電極を備える平行平板型のプラズマ
    処理装置の真空チャンバ内を、該真空チャンバの内部で
    プラズマ化したガスを用いてクリーニングする、プラズ
    マ処理装置のクリーニング方法において、 前記２つの電極の両方に高周波電力を印加してクリーニ
    ングを行うことを特徴とするプラズマ処理装置のクリー
    ニング方法。
  2. 【請求項２】２つの電極を備える平行平板型のプラズマ
    処理装置の真空チャンバ内を、該真空チャンバの外部で
    活性化したガスを用いてクリーニングする、プラズマ処
    理装置のクリーニング方法において、 前記２つの電極の少なくとも１つに高周波電力を印加し
    てクリーニングを行うことを特徴とするプラズマ処理装
    置のクリーニング方法。
  3. 【請求項３】被処理体に所定の処理を施す処理装置の真
    空チャンバ内を、該真空チャンバの外部で活性化したガ
    スを用いてクリーニングする、処理装置のクリーニング
    方法において、 クリーニングするためのガスを、前記真空チャンバに設
    けられた３カ所以上のガス供給口から該真空チャンバ内
    に供給することを特徴とする処理装置のクリーニング方
    法。
  4. 【請求項４】被処理体に所定の処理を施す処理装置の真
    空チャンバ内を、該真空チャンバの外部で活性化したガ
    スを用いてクリーニングする、処理装置のクリーニング
    方法において、 前記ガスは、前記真空チャンバの内部に多方向に吹き出
    されて供給されることを特徴とする処理装置のクリーニ
    ング方法。
  5. 【請求項５】被処理体に所定の処理を施す処理装置の真
    空チャンバ内を、該真空チャンバの外部で活性化したガ
    スを用いてクリーニングする、処理装置のクリーニング
    方法において、 クリーニング中、前記真空チャンバの内部の圧力を１０
    ０〜４００Ｐａとすることを特徴とする処理装置のクリ
    ーニング方法。
  6. 【請求項６】被処理体に所定の処理を施す処理装置の真
    空チャンバ内を、活性化したガスを用いてクリーニング
    する、処理装置のクリーニング方法において、 クリーニング中、前記真空チャンバの内部を加熱するこ
    とを特徴とする処理装置のクリーニング方法。
  7. 【請求項７】前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内部
    に温調媒体を通して行うことを特徴とする請求項６に記
    載の処理装置のクリーニング方法。
  8. 【請求項８】前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内部
    に備えたヒータにより行うことを特徴とする請求項６に
    記載の処理装置のクリーニング方法。
  9. 【請求項９】前記加熱を、前記真空チャンバの壁に設け
    られた窓を通した、該真空チャンバの外部からの光の照
    射により行うことを特徴とする請求項６に記載の処理装
    置のクリーニング方法。
  10. 【請求項１０】互いに並行する２つの平板電極を備えた
    真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真
    空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ライン
    と、 から構成される処理装置において、 前記２つの平板電極の両方に高周波電力を印加してクリ
    ーニングを行うことを特徴とするプラズマ処理装置。
  11. 【請求項１１】互いに並行する２つの平板電極を備えた
    真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真
    空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ライン
    と、 前記ガス供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給
    されるガスを供給可能に構成されたガス活性化手段と、 から構成される処理装置において、 前記２つの平板電極の少なくとも１つに高周波電力を印
    加してクリーニングを行うことを特徴とするプラズマ処
    理装置。
  12. 【請求項１２】真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真
    空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ライン
    と、 前記ガス供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給
    されるガスを供給可能に構成されたガス活性化手段と、 から構成される処理装置において、 前記ガス供給ラインは、前記真空チャンバ内に設けられ
    た３カ所以上のガス供給口から該真空チャンバ内にガス
    を供給することを特徴とする処理装置。
  13. 【請求項１３】前記ガス供給口は、気体が通過可能に構
    成された複数の開口部を有する蓋部材で覆われ、該開口
    部の総平面面積は、該ガス供給口の面積に対して、５０
    〜８０％であることを特徴とする請求項１２に記載の処
    理装置。
  14. 【請求項１４】前記ガス供給口は、気体が通過可能に構
    成された複数の開口部を有する蓋部材で覆われ、該開口
    部は、前記クリーニングガスを多方向に吹き出し可能に
    構成されていることを特徴とする請求項１２又は１３に
    記載の処理装置。
  15. 【請求項１５】真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真
    空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ライン
    と、 前記ガス供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給
    されるガスを供給可能に構成されたガス活性化手段と、 から構成される処理装置において、 クリーニング中、前記真空チャンバの内部の圧力を１０
    ０〜４００Ｐａとすることを特徴とする処理装置。
  16. 【請求項１６】真空チャンバと、 前記真空チャンバをクリーニングするためのガスを該真
    空チャンバ内に供給可能に構成されたガス供給ライン
    と、 前記ガス供給ラインを介して、前記真空チャンバに供給
    されるガスを供給可能に構成されたガス活性化手段と、 から構成される処理装置において、 クリーニング中、前記真空チャンバの内部を加熱するこ
    とを特徴とする処理装置。
  17. 【請求項１７】前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内
    部に温調媒体を通して行うことを特徴とする請求項１６
    に記載の処理装置。
  18. 【請求項１８】前記加熱を、前記真空チャンバの壁の内
    部に備えたヒータにより行うことを特徴とする請求項１
    ６に記載の処理装置。
  19. 【請求項１９】前記加熱を、前記真空チャンバの壁に設
    けられた窓を通した、該真空チャンバの外部からの光の
    照射により行うことを特徴とする請求項１６に記載の処
    理装置。
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