JPWO2014123028A1 - クリーニング方法 - Google Patents

クリーニング方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014123028A1
JPWO2014123028A1 JP2014560725A JP2014560725A JPWO2014123028A1 JP WO2014123028 A1 JPWO2014123028 A1 JP WO2014123028A1 JP 2014560725 A JP2014560725 A JP 2014560725A JP 2014560725 A JP2014560725 A JP 2014560725A JP WO2014123028 A1 JPWO2014123028 A1 JP WO2014123028A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cleaning
gas
predetermined
limit value
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014560725A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6403577B2 (ja
Inventor
守田　修
修 守田
森　真一朗
真一朗 森
亀田　賢治
賢治 亀田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Publication of JPWO2014123028A1 publication Critical patent/JPWO2014123028A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6403577B2 publication Critical patent/JP6403577B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32853—Hygiene
    • H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H01J37/32935—Monitoring and controlling tubes by information coming from the object and/or discharge
    • H01J37/32981—Gas analysis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/26—Acting in response to an ongoing measurement without interruption of processing, e.g. endpoint detection, in-situ thickness measurement
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4408—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber by purging residual gases from the reaction chamber or gas lines
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02—Details
    • H01J2237/022—Avoiding or removing foreign or contaminating particles, debris or deposits on sample or tube
    • H01J2237/0225—Detecting or monitoring foreign particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本発明は、クリーニングガスにより生成される所定のガスの濃度を示す信号を所定の範囲内に収まるように制御することが可能な技術を提供するものである。本発明は、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有するクリーニング方法であって、このクリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御されるクリーニング方法を提供するものである。

Description

本発明は、基板処理装置におけるレシピ制御に係り、特に、メンテナンス用レシピを実行してメンテナンスする技術に関するものである。
基板処理装置には、基板を多段に保持する基板保持具を反応炉内に装入した状態で、反応炉内に処理ガスを供給して、基板保持具が保持する基板に対する処理を行うように構成されたバッチ式のものがある。例えば、特許文献１によれば、操作画面上に保守情報画面を表示することが記載されている。これにより、基板処理装置を構成する部品のメンテナンス時期を各構成部品の使用回数や処理時間で判断することができる。
従来、基板処理装置では、保守時期に達した各構成部品は新品と交換していたため、装置を停止させていた。しかしながら、近年、装置稼働率の向上及び工場内のオートメーション化などの背景から、極力装置を停止させないような装置運用が求められてきている。縦型のバッチ式基板処理装置においても、このような背景から、メンテナンス用レシピを実行することにより、所定のクリーニングガスを供給して反応炉内を構成する部材(反応管や基板保持具等)に付着している副生成物を除去している。例えば、特許文献２によれば、反応管内にクリーニングガスを供給して、前記反応管内壁等に付着した付着物を除去することが開示されている。また、特許文献３によれば、枚葉式の基板処理装置において、処理室内に堆積している堆積膜が閾値に達したらメンテナンス用レシピを実行して累積した堆積膜を除去している。
ところで、クリーニングガスを供給するステップ時間は、予めクリーニングが終了する時間を計算により算出し、その算出した時間で設定されている。よって、クリーニングが終了しているか否かの判定はできていない。一方、成膜処理が繰り返し行われると、副生成物が発生し、この副生成物が放置されると装置を構成する各構成部品に付着したままとなり、成膜に悪影響を及ぼすため、一定周期でガスクリーニングが行われている。
従来、クリーニングの終了判定は、クリーニング時に反応熱により温度上昇が生じる現象を利用している。即ち、クリーニング前の所定の温度を閾値として設け、この閾値と所定の実測値(温度)とを比較し、クリーニング前の状態に落ち着いたかを判断することによりクリーニングの終了を判定する方法が行われていた。しかしながら、この方法では、誤差が大きくクリーニングの終了判定が適切にできていなかった。
特許第３３００８１６号公報 特許第４５４１７３９号公報 特許第３８５４１５７号公報
本発明は斯かる実情に鑑み、クリーニングガスにより生成される所定のガスの濃度を示す信号を所定の範囲内収まるように制御することが可能な技術を提供するものである。
本発明の一態様によれば、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有するクリーニング方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御されるクリーニング方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御される半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、 前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する基板処理装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記構成部品に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、 前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
本発明の更に他の態様によれば、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
本発明によれば、クリーニングガスにより生成される所定のガスの濃度を示す信号を所定の範囲内収まるように制御が行えるので、次に生産される基板の処理結果が安定することにより、基板の品質が維持される。
本発明の基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の基板処理装置を示す側断面図である。 本発明の基板処理装置における装置コントローラの構成を示す図である。 本発明の基板処理装置における主コントローラの構成を示すブロック図である。 本発明の基板処理装置におけるプロセス系コントローラの構成を示す図である。 (ａ)本発明の一実施形態における保守情報一覧画面の図示例である。(ｂ)本発明の一実施形態におけるメンテナンス項目設定画面の図示例である。 本発明の一実施形態におけるプロセスレシピのステップを設定するステップ設定画面の図示例である。 本発明の一実施形態におけるメンテナンス用レシピを設定するレシピ設定画面の図示例である。 本発明の一実施形態におけるクリーニング処理を実行するサブレシピのコマンド設定画面の図示例である。 本発明の一実施形態におけるサブレシピ設定画面の図示例である。 本発明の一実施形態におけるクリーニング終了判定の詳細設定を説明するための図である。 （ａ）本願発明におけるクリーニングレシピの概要とそのフローを説明する図である。（ｂ）クリーニングレシピが呼び出すサブレシピのフローチャートを示す図である。 本発明の一実施形態におけるクリーニング終了判定信号の挙動を説明するための図示例である。 本発明の基板処理装置における一実施形態の詳細(実施例１)を示す図である。 本発明の基板処理装置における他の実施形態の詳細(実施例２)を示す図である。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
先ず、図１、図２に於いて、本発明が実施される基板処理装置について説明する。
図１、図２は基板処理装置の一例として縦型の基板処理装置を示している。尚、該基板処理装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成る半導体ウェーハが示されている。
基板処理装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。
前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。
該ポッド９は密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。
前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。
前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送機構（容器搬送機構）１５が設置されており、該ポッド搬送機構１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。
前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。
該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。
前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送機構１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハ１８を載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持体）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。
前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室２９を形成し、該処理室２９の下端部は炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）３１により開閉される様になっている。
前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３２が設置されている。該ボートエレベータ３２の昇降台に連結されたアーム３３には蓋体としてのシールキャップ３４が水平に取付けられており、該シールキャップ３４は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室２９に装入した状態で前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。
前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８をその中心に揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。
前記ボートエレベータ３２側と対向した位置にはクリーンユニット３５が配設され、該クリーンユニット３５は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３６を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３５との間には、ウェーハ１８の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。
前記クリーンユニット３５から吹出された前記クリーンエア３６は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３５によって前記移載室２３内に吹出されるように構成されている。
次に、前記基板処理装置１の作動について説明する。
前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。
この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３６が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３６として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遙かに低く設定されている。
前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。
前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。
該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。
一方（上端又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によりウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。
予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると前記炉口シャッタ３１によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が前記炉口シャッタ３１によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３２によって上昇され、前記処理室２９に搬入（ローディング）される。
ローディング後は、前記シールキャップ３４によって炉口部が気密に閉塞される。尚、本実施の形態において、このタイミングで(ローディング後)、前記処理室２９が不活性ガスに置換されるパージ工程(プリパージ工程)を有する。
前記処理室２９が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室２９が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度迄加熱される。
又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室２９を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、ウェーハ１８の表面上に所定の処理が実施される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室２９から排気される。
予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室２９が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室２９の圧力が常圧に復帰される(アフターパージ工程)。そして、前記ボートエレベータ３２により前記シールキャップ３４を介して前記ボート２６が降下される。
処理後のウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。
前記処理炉２８、少なくとも基板を搬送する機構であるポッド搬送機構１５、ウェーハ移載機構２４、ボートエレベータ３２を含む搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置２４０について、図３、図４を参照して説明する。
次に、図３を参照して、主制御部としての主コントローラ２０１を中心とした制御装置２４０の構成について説明する。図３に示すように、制御装置としての装置コントローラ２４０は、主コントローラ２０１と、主コントローラ２０１に接続されるスイッチングハブ２１５と、主コントローラ２０１に接続される表示制御部２１６と、スイッチングハブ２１５を介して主コントローラ２０１に接続される副表示部としての副表示制御部２１７と、搬送制御部としての搬送系コントローラ２１１と、処理制御部としてのプロセス系コントローラ２１２と、を備えている。主コントローラ２０１には、スイッチングハブ２１５を介して例えば１００ＢＡＳＥ−Ｔ等のＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）により搬送系コントローラ２１１及びプロセス系コントローラ２１２が電気的に接続されている。
主コントローラ２０１には、外部記憶装置としての記録媒体であるＵＳＢメモリ等が挿脱される装着部としてのポート２１３が設けられている。主コントローラ２０１には、ポート２１３に対応するＯＳがインストールされている。また、主コントローラ２０１は、図示しない外部の上位コンピュータと、例えば通信ネットワークを介して接続される。このため、基板処理装置１がクリーンルーム内に設置されている場合であっても上位コンピュータがクリーンルーム外の事務所等に配置されることが可能である。
表示制御部２１６は、例えばビデオケーブルにより表示部としての表示装置２１８に接続されている。表示装置２１８は、例えば液晶表示パネルである。表示装置２１８には基板処理装置１を操作するための各操作画面が表示されるように構成されている。表示装置２１８は、基板搬送系２１１Ａや基板処理系の状態を確認するための画面を有し、また、操作画面には、基板搬送系２１１Ａや基板処理系（加熱機構２１２Ａ、ガス排気機構２１２Ｂ及びガス供給系２１２Ｃ）への動作指示を入力したりする入力部としての各操作ボタン（システムコマンドボタン、又はＰＭコマンドボタンともいう）を設けることも可能である。表示制御部２１６は、操作画面を介して基板処理装置１００内で生成される情報を表示装置２１８に表示させる。また、表示装置２１８に表示された情報を主コントローラ２０１に挿入されたＵＳＢメモリなどのデバイスに出力させる。表示制御部２１６は、表示装置２１８に表示される操作画面からの作業者の入力データ（入力指示）を受け付け、入力データを主コントローラ２０１に送信する。また、表示制御部２１６は、後述のメモリ(ＲＡＭ)等に展開されたレシピ若しくは後述する記憶部に格納された複数のレシピのうち任意の基板処理レシピ（プロセスレシピともいう）を実行させる指示（制御指示）を受け付け、主コントローラ２０１に送信するようになっている。なお、表示制御部２１６及び入力部と表示装置２１８はタッチパネルにより構成されていてもよい。又、副表示制御部２１７及び副表示装置２１９も上記表示制御部２１６及び表示装置２１８と同様な構成である。ここで、表示制御部１６と副表示制御部１７は主コントローラ２０１と別体で記載されているが、主コントローラ２０１に含む構成でもよい。以後、主コントローラ２０１と、表示制御部２１６と、表示装置２１８を少なくとも含む構成を操作部、主コントローラ２０１と、副表示制御部２１７と、副表示装置２１９を少なくとも含む構成を副操作部と記載する場合がある。
搬送系コントローラ２１１は、主に回転式ポッド棚１１，ボートエレベータ３２、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１５、ウェーハ移載機構（基板移載機構）２４、ボート２６及び回転機構(図示せず)により構成される基板搬送系２１１Ａに接続されている。搬送系コントローラ２１１は、回転式ポッド棚１１，ボートエレベータ３２、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１５、ウェーハ移載機構（基板移載機構）２４、ボート２６及び回転機構(図示せず)の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。
プロセス系コントローラ２１２は、温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄ、濃度検出器２５２を備えている。温度コントローラ２１２ａ、圧力コントローラ２１２ｂ及びガス供給流量コントローラ２１２ｃ、シーケンサ２１２ｄ、濃度検出器２５２はサブコントローラを構成し、プロセス系コントローラ２１２と電気的に接続されているため、各データの送受信や各ファイルのダウンロード及びアップロード等が可能となっている。尚、プロセス系コントローラ２１２とサブコントローラは、別体で図示されているが、一体構成でも構わない。
温度コントローラ２１２ａには、主にヒータ及び温度センサにより構成される加熱機構２１２Ａが接続されている。温度コントローラ２１２ａは、処理炉２８のヒータの温度を制御することで処理炉２８内の温度を調節するように構成されている。なお、温度コントローラ２１２ａは、サイリスタのスイッチング制御を行い、ヒータ素線に供給する電力を制御するように構成されている。
圧力コントローラ２１２ｂには、圧力センサと、圧力バルブとしてのＡＰＣ (Ａｕｔｏ
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌ) バルブ及び真空ポンプにより構成されるガス排気機構２１２Ｂが接続されている。圧力コントローラ２１２ｂは、圧力センサにより検知された圧力値に基づいて、処理室２９内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣバルブの開度及び真空ポンプのスイッチング(オンオフ)を制御するように構成されている。
ガス流量コントローラ２１２ｃは、ＭＦＣ(Ｍａｓｓ Ｆｌｏｗ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ)により構成される。シーケンサ２１２ｄは、処理ガス供給管，パージガス供給管からのガスの供給や停止を、バルブ２１２Ｄを開閉させることにより制御するように構成されている。また、プロセス系コントローラ２１２は、処理室２９内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ２１２ｃ（ＭＦＣ）、及びシーケンサ２１２ｄ(バルブ２１２Ｄ)を制御するように構成されている。
濃度検出器２５２は、ガスクリーニング時に生成される反応ガスの濃度を検知するように構成されている。そして、プロセス系コントローラ２１２は、この濃度検出器２５２が検知する信号を取得し、取得した信号から得られるガス濃度の挙動によりクリーニングの終了判定を行うように構成されている。ここで、濃度検出器２５２は、例えば、非分散型赤外線分析計（ＮＤＩＲ(Ｎｏｎ-Ｄｉｓｐｅｎｓｉｖｅ ＩｎｆｒａＲｅｄ)）または、フーリエ変換赤外分光法(ＦＴＩＲ(Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ))を利用して、排ガス中から所定のガスを検出することが可能な濃度検出器である。尚、所定のガスは、本発明の実施の形態においては、四フッ化ケイ素(ＳｉＦ４)である。
尚、本発明の実施の形態にかかる主コントローラ２０１、搬送系コントローラ２１１、プロセス系コントローラ２１２は、専用のシステムによらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、汎用コンピュータに、上述の処理を実行するためのプログラムを格納した記録媒体(フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど)から当該プログラムをインストールすることにより、所定の処理を実行する各コントローラを構成することができる。
そして、これらのプログラムを供給するための手段は任意である。上述のように所定の記録媒体を介して供給できる他、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給してもよい。この場合、例えば、通信ネットワークの掲示板に当該プログラムを掲示し、これをネットワークを介して搬送波に重畳して提供してもよい。そして、このように提供されたプログラムを起動し、ＯＳの制御下で、他のアプリケーションプログラムと同様に実行することにより、所定の処理を実行することができる。
次に、主コントローラ１４のブロック構成を、図４を参照しながら説明する。図４は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理装置１００の制御装置としての装置コントローラ２４０が備える主コントローラ２０１のブロック構成図である。
主制御部としての主コントローラ２０１は、処理部としてのＣＰＵ(中央処理装置)２２４、一時記憶部としてのメモリ(ＲＡＭ、ＲＯＭ等)２２６、記憶部としてのハードディスク(ＨＤＤ)２２２、通信部としての送受信モジュール２２８、時計機能を有する時刻部(図示せず)を備えたコンピュータとして構成されている。
ハードディスク２２２には、処理条件及び処理手順が定義されたレシピ等の各レシピファイル、これら各レシピファイルを実行させるための制御プログラムファイル、処理条件及び処理手順を設定するためのパラメータファイル、また、エラー処理のプログラムファイル及びエラー処理のパラメータファイルの他、各種画面ファイル、各種アイコンファイル等(いずれも図示せず)が格納されている。なお、主コントローラ２０１の送受信モジュール２２８には、表示制御部２１６及びスイッチングハブ２１５等が接続され、主コントローラ２０１は、ネットワークを介して外部のコンピュータ等とデータの送信及び受信を行うように構成されている。
また、図４に示すように、主コントローラ２０１は、ＣＰＵ２２４及びメモリ２２６などを少なくとも含む制御部２２０と、ネットワークを介して外部のコンピュータなどとデータの送信及び受信を行う通信部２２８と、ハードディスクドライブなどの記憶部２２２の他、液晶ディスプレイなどの表示装置並びにキーボード及びマウス等のポインティングデバイスを含むユーザインタフェース(ＵＩ)装置２１８を含む構成でも構わない。また、制御部２２０は、更に通信部２２８を含む構成としても良い。
また、主コントローラ２０１は、図示しないネットワークを介して外部のホスト装置等に対して基板処理装置本体１１１の状態などを送信する。基板処理装置本体１１１は、例えば基板に酸化並びに拡散処理及びＣＶＤ処理などを行なう縦型の装置である。尚、基板処理装置本体１１１は、例えば記憶部２２２記憶されている運転レシピ、制御パラメータ等に基づいて、装置コントローラ２４０により制御される。
図５には、プロセス系コントローラ２１２の詳細が記載されている。また、図示しないが搬送系コントローラ２１１も同様な構成である。
図５に示されるように、プロセス系コントローラ２１２は、処理部としてのＣＰＵ２３６を有するとともに、ＲＯＭ(read-only memory)２５０、及びＲＡＭ(random-access memory)２５１を少なくとも含む一時記憶部と、温度制御部２１２ａ、ＭＦＣ２１２ｃ、圧力制御部２１２ｂ、シーケンサ２１２ｄ及び濃度検出器２５２等とのＩ／Ｏ通信を行なうＩ／Ｏ通信部２５５を少なくとも有する。ＣＰＵ２３６は、例えば、表示装置２１８の操作画面等で作成又は編集され、ＲＡＭ２５１等に記憶されているレシピに基づいて、基板を処理するための制御データ(制御指示)を温度制御部２１２ａ等に対して出力する。
ＲＯＭ２５０又はＲＡＭ２５１には、シーケンスプログラム、複数のレシピや操作部としての表示装置２１８等から入力される入力データ(入力指示)、レシピのコマンド及びレシピ実行時の履歴データ等が格納される。このように、ＲＯＭ２５０又はＲＡＭ２５１は基板を処理する手順が記載されているレシピを記憶する記憶部としても用いられる。入力指示は、表示装置２１８に表示される操作画面から、副表示装置２１９に表示される副操作画面から、又は外部の表示装置に表示される操作画面からなされる。また、入力指示は、レシピを実行させる指示のほか、各ユーザの操作権限を設定する指示などがその一例として挙げられるが、これに限定されない。尚、プロセス系コントローラ２１２には、ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)等により実現される記憶部(不図示)が含まれてもよく、この場合、該記憶部には、ＲＡＭ２５１に格納されるデータと同様のデータが格納されるようにしても良い。
温度制御部２１２ａは、上述した処理炉２８の外周部に設けられたヒータにより処理炉２８内の温度を制御する。ガス制御部としてのＭＦＣ(マスフローコントローラ)２１２ｃは、処理炉２８のガス配管に設けられ、処理炉２８内に供給する反応ガス等の供給量を制御する。シーケンサ２１２ｄは、処理ガス供給管，パージガス供給管に設けられたバルブ２１２Ｄを開閉させることにより、所定のガスの供給や停止を制御する。また、プロセス系コントローラ２１２は、処理室２９内に供給するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ガス流量コントローラ２１２ｃ(ＭＦＣ)、シーケンサ２１２ｄ(バルブ２１２Ｄ)を制御するように構成されている。一方、圧力制御部２１２ｂは、処理炉２８の排気配管に設けられた圧力センサ２４６の出力値に基づいてＡＰＣバルブ２４２の開度を制御することにより処理炉２８内の圧力を制御する。
本実施の形態において、濃度検出器２５２は、反応炉２８内のクリーニングを実行したときの所定の反応ガスを検知する赤外センサとしてのＮＤＩＲ２５２ａと、このＮＤＩＲ２５２ａからの信号を検出する制御ユニット２５２ｂにより少なくとも構成される。
濃度検出器２５２は、メンテナンス用レシピのうちクリーニングレシピが実行して処理炉２８内をクリーニングしたときに発生する所定のガス濃度を赤外線センサとしてのＮＤＩＲ２５２ａにより測定し、測定されたガス濃度から信号を制御ユニット２５２ｂにより検出する。制御ユニット２５２ｂは、この検出された信号をクリーニング処理終了判定信号としてプロセス系コントローラ２１２へ送信する。プロセス系コントローラ２１２は、この判定信号の挙動からクリーニング終了判定を行うように構成されている。尚、ＮＤＩＲ２５２ａと制御ユニット２５２ｂは一体構造でも良いのは言うまでもない。以後、本実施の形態において、濃度検出器２５２を単にＮＤＩＲ２５２と記載する場合がある。
本実施形態における基板処理装置１においては、ファイルの種類毎に、ユーザ(作業者)の操作権限が設定される。例えば、種々のレシピファイルのうちプロセスレシピについていえば、プロセスレシピに対する操作権限が編集可能に設定された場合、登録されたユーザは、プロセスレシピ(ファイル)の参照、編集を行なうことができる。また、サブレシピ及びメンテナンス用レシピについても同様にユーザ(作業者)の各レシピファイルに対する操作権限が設定される。ここで、権限が編集可で登録されたユーザは、サブレシピ及びメンテナンス用レシピに関するデータについて、操作画面上で参照及び編集を行うことができる。
例えば、プロセスレシピは、表示部としての表示装置２１８の操作画面上でユーザの操作により作成または編集して保存されると、スイッチングハブ２１５を介してプロセス系コントローラ２１２の送受信処理部(図示せず)に送信され、ＲＯＭ２５０に格納される。若しくは、記憶部２２２に格納される。この場合、プロセスレシピを含む各ファイルが、記憶部２２２に格納しても良い。また、ＲＯＭ２５０及びＲＡＭ２５１に格納されるデータと同様のデータが格納しても良いのは言うまでもない。
そして、表示装置２１８の操作画面を介して入力部により、レシピを設定する為のデータや該レシピに対するユーザ(作業者)の操作権限等のデータ(入力データ)が入力されると、該入力データ(入力指示)は、一時記憶部としてのメモリ２２６に格納されると共に表示制御部２１６を介して操作画面に表示される。さらにスイッチングハブ２１５を介してプロセス系コントローラ２１２の送受信処理部に送信される。
ＣＰＵ２３６は、該入力データをＲＡＭ２５１に格納し、例えばＲＯＭ２５０に格納されたレシピや該レシピに対するユーザ（作業者）の操作権限等の設定入力を確定させる。また、ＣＰＵ２３６は、制御プログラムを起動し、該制御プログラムに従って、例えばＲＡＭ２５１に格納されたレシピのコマンドを呼び込み実行することで、ステップが逐次実行され、Ｉ／Ｏ通信部２５５を介して温度制御部２１２ａ、流量制御部２１２ｃ、圧力制御部２１２ｂに対して基板を処理するための制御指示を送信する。
このように、温度制御部２１２ａ等のサブコントローラは、プロセス系コントローラ２１２からの制御指示に基づいて基板処理装置１の各構成部品（ヒータ、温度センサ２６３、圧力バルブ２４２、圧力センサ２４６及びバルブ２１２Ｄ等）の制御を行なう。これにより、上述したウェーハ１８の処理が行われる。
本実施形態に係る基板処理装置１においては、メンテナンス用レシピのうちクリーニングレシピがプロセスレシピと同様に、上記制御プログラムに従って実行されるように構成される。また、クリーニングレシピの実行中に、サブレシピが所定のコマンドにより呼び込まれ実行されるように構成される。これらクリーニングレシピ及びサブレシピの操作画面上での設定に関しては後述する。
(基板処理方法)先ず、本実施形態に係る基板処理装置１を用いて実施する基板処理方法について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一工程である基板処理工程を実施する場合を例に挙げる。
基板処理工程の実施にあたって、先ず、実施すべき基板処理に対応する基板処理レシピ(プロセスレシピ)が、例えば、一時記憶部としてのＲＯＭ２５０から読み出され、主コントローラ２０１内のＲＡＭ２５１等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、主コントローラ２０１からプロセス系コントローラ２１２や搬送系コントローラ２１１へ動作指示が与えられる。このようにして実施される基板処理工程は、大別すると、移載工程と、搬入工程と、成膜工程と、ボート移送工程と、搬出工程とを有する。
（移載工程） 主コントローラ４１からは、搬送系コントローラ１１０に対して、ウェーハ移載機構２４の駆動指示が発せられる。そして、搬送系コントローラ１１０からの指示に従いつつ、ウェーハ移載機構２４は載置台としての授受ステージ２１上のポッド９からボート２６へのウェーハ１８の移載処理を開始する。この移載処理は、予定された全てのウェーハ１８のボート２６への装填(ウエハチャージ)が完了するまで行われる。
（搬入工程） 指定枚数のウェーハ１８がボート２６に装填されると、ボート２６は、搬送系コントローラ１１０からの指示に従って動作するボートエレベータ３２によって上昇されて、処理炉２８のインナーチューブ内に形成される処理室２９に装入(ボートロード)される。ボート２６が完全に装入されると、ボートエレベータ３２のシールキャップ３４は、処理炉２８のマニホールドの下端を気密に閉塞する。
（成膜工程） その後は、処理室２９内は、圧力制御部２１２ｂからの指示に従いつつ、所定の成膜圧力(真空度)となるように真空排気装置によって真空排気される。この際、処理室２９内の圧力は圧力センサ２４６で測定され、この測定された圧力情報に基づき圧力調整装置がフィードバック制御される。また、処理室２９内は、温度制御部２１２ａからの指示に従いつつ、所定の温度となるようにヒータによって加熱される。この際、処理室２９内の温度が所定の温度(成膜温度)となるように、温度検出器としての温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータへの通電具合がフィードバック制御される。続いて、搬送系コントローラ２１１からの指示に従いつつ、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を開始する。
例えば、処理室２９内が所定の成膜温度、所定の成膜圧力に維持された状態で、シリコン含有ガスの処理室２９内への供給が開始される。このとき、処理室２９内へ供給されるＮ２ガスは、成膜ガス(例えば、ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス)を希釈する希釈ガスとして、或いは処理室１０１内への拡散を促すキャリアガスとして機能する。Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、成膜ガス(ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス)の濃度や拡散速度を制御することができる。
処理室２９内に供給された成膜ガス(ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス)は、処理室２９内を通過する際にウェーハ１８の表面と接触する。この際、ウェーハ１８表面上に薄膜、すなわちシリコン膜（以下、単にＳｉ膜とも呼ぶ）が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過し、所定の膜厚のシリコン膜が成膜されたら、バルブが閉じられ、処理室２９内への成膜ガス(ＳｉＨ２Ｃｌ２ガス)の供給が停止される。
そして、処理室２９内へのＮ２ガスの供給を継続しつつ、処理室２９内を排気することで、処理室２９内をパージする。処理室２９内の雰囲気がＮ２ガスに置換されたら、圧力調整部としての圧力バルブ２４２の開度を調整して処理室２９内の圧力を常圧に復帰させる。また、ヒータへの通電を停止し、処理室２９内の温度を所定の温度(ウエハ搬出温度)に降温させる。尚、圧力バルブ２４２はＡＰＣバルブであっても良い。
（搬出工程） ボート２６に対する成膜工程が完了すると、搬送系コントローラ２１１からの指示に従いつつ、その後、回転機構によるボート２６及びウェーハ１８の回転を停止させ、ボートエレベータ３２によりシールキャップ３４を下降させてマニホールドの下端を開口させるとともに、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６を処理炉２８の外部に搬出(ボートアンロード)する。
そして、処理済のウェーハ１８を保持したボート２６は、クリーンユニット３５から吹出されるクリーンエア３６によって極めて効果的に冷却される。そして、例えば１５０℃以下に冷却されると、ボート２６から処理済のウェーハ１８を脱装(ウエハディスチャージ)してポッド９に移載した後に、新たな未処理ウェーハ１８のボート２６への移載が行われる。
以上のような各工程を繰り返すことで、本実施形態に係る基板処理装置１は、ウェーハ１８上へのシリコン膜の形成を、高スループットで行うことができる。
また例えば、シリコン含有ガスとしてジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガスを例示したが、本発明は係る形態に限らず、例えば、モノクロロシラン（ＳｉＨ３Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６、略称：ＨＣＤＳ）、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４、略称：ＳＴＣ）、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３、略称：ＴＣＳ）等の他のクロロシラン系や、トリシラン（Ｓｉ３Ｈ８、略称：ＴＳ）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）、モノシラン（ＳｉＨ４、略称：ＭＳ）等の無機原料や、アミノシラン系のテトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］４、略称：４ＤＭＡＳ）、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２Ｈ２、略称：２ＤＥＡＳ）、ビスターシャリーブチルアミノシラン（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２、略称：ＢＴＢＡＳ）などの有機原料を用いることができる。
(基板処理装置の保守方法) 上述した成膜工程は、ウェーハ１８上への膜形成を目的とするが、実際には、ウェーハ１８以外、例えば処理室２９を構成する反応管やボート２６等に対しても膜が形成されてしまう。形成された膜が厚く堆積すると、加わる応力が増大して割れが生じ、処理室２９内に異物(パーティクル)を発生させることがある。そこで、本実施形態に係る基板処理装置１は、上述の成膜工程を繰り返すことで処理室２９内等に堆積した膜の厚さが所定の厚さに到達したら、処理室２９内等を保守(メンテナンス)するための保守工程として、以下に述べるようなクリーニング工程を実施する。
（クリーニング工程） クリーニング工程は、処理室２９内等に付着した堆積物(累積した薄膜)の厚さが、堆積物に剥離・落下が生じる前の所定の厚さに達した時点で、その実施が開始される。累積膜厚が所定厚さに達したか否かは、例えば、反応管としてのプロセスチューブによって形成される処理室２９内に累積された累積膜厚値、例えば処理室２９を成膜工程に使用した使用回数や使用時間等から類推される膜厚推定値に基づいて判断することが考えられる。
つまり、プロセスチューブ等の累積膜厚値、使用回数、使用時間から選択される少なくとも一つの設定パラメータを用いて、その設定パラメータを所定閾値と比較することにより、メンテナンス時期であるか否かが主コントローラ２０１によって判定される。メンテナンス時期と判定されると、実行中のプロセスレシピはそのまま正常終了させるように構成されるが、次にバッチ処理するためのプロセスレシピは実行されないように構成される。
クリーニング工程の実施にあたって、主コントローラ２０１では、プロセスレシピではなく実施すべきクリーニングのためのメンテナンス用レシピが、例えば、一時記憶部２０６から読み出され、主コントローラ２０１内のＲＡＭ等のメモリに展開される。そして、必要に応じて、主コントローラ２０１からプロセス系コントローラ２１２や搬送系コントローラ２１１へ動作指示が与えられる。これにより、クリーニング工程が実施されることになる。
クリーニング工程を実施する場合は、例えば炉口シャッタ３１により、マニホールドの下端開口を気密に閉塞しておく。そして、処理室２９内が所定のクリーニング圧力(真空度)となるように真空排気装置によって真空排気するとともに、処理室２９内が所定のクリーニング温度となるようにヒータによって加熱する。その後は、処理室２９内が所定のクリーニング温度、所定のクリーニング圧力に維持された状態で、クリーニングガスを処理室２９内へ供給する。
処理室２９内に供給されたＦ２ガスは、処理室２９内を上昇し、インナーチューブの上端開口から筒状空間内に流出し、筒状空間内を流下した後、排気管から排気される。Ｆ２ガスは、処理室２９内を通過する際に、処理室２９内に累積したシリコン膜等と接触し、熱化学反応によりシリコン膜等を除去する。すなわち、加熱されて活性化したＦ２ガスはエッチング種となり、処理室２９内に累積したシリコン膜等をエッチングして除去する。シリコン膜等の除去が完了したら、処理室２９内へのＦ２ガスの供給を停止する。ここで、シリコン膜の除去の完了の判定、つまり、クリーニング終了の判定(クリーニング終了判定工程)に関しては後述する。
例えば、クリーニングガスとしてフッ素(Ｆ２)ガスを例示したが、これに限らず、例えば、フッ化水素(ＨＦ)ガス、三フッ化塩素(ＣｌＦ３)ガス、三フッ化窒素(ＮＦ３)ガス等のフッ素(Ｆ)や塩素(Ｃｌ)等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせて用いても良い。
このとき、クリーニングガス(例えば、Ｆ２ガス)を希釈する希釈ガスとして、或いは処理室２９内への拡散を促すキャリアガスとして、Ｎ２ガスを供給しても良い。これにより、Ｎ２ガスの供給流量を制御することで、Ｆ２ガスの濃度や拡散速度を制御することができる。
また、クリーニングガス(例えば、Ｆ２ガス)に添加する添加ガスとして、一酸化窒素(ＮＯ)ガスを供給しても良い。このような、添加ガスは、クリーニングガスによるエッチング速度を向上させるために用いられる。その他、酸素(Ｏ２)ガス、水素(Ｈ２)ガス等が添加ガスとして用いられる。
（メンテナンス用レシピ実行制御）次に、図６〜図８により、本実施の形態におけるクリーニングレシピの設定から実行までを説明する。まず、図６(ａ)は、本実施形態における基板処理装置の保守情報表示画面の図示例である。図６(ａ)の保守情報表示画面には、項目番号、メンテナンス名称、メンテナンス項目、現在値、第一設定値、第二設定値、単位、メンテナンス処理がそれぞれ項目(アイテム)として表示されている。
項目番号は、ボタン(アイコン)となっていて、押下されると、後述する図６(ｂ)のメンテナンス設定画面へ移行するように構成されている。メンテナンス名称は適宜付けられるように構成されている。メンテナンス項目は、膜厚値の他、非稼動時間なども設定できるように構成されている。第一設定値はクリーニング周期を指定する閾値である。現在値がこの第一設定値に到達すると、所定のメンテナンス処理が行われるように構成されている。第二設定値はメンテナンス限界値である。現在値がこのメンテナンス限界値に到達したとき、メンテナンスでの復旧処理(基板処理を行える状態への回復)が不可能な状態にあると判定され、即座に装置停止されるよう構成されている。
メンテナンス処理は、現在値が第一設定値に到達したときのメンテナンス処理が設定される。そして、項目番号(ボタン)の所定の番号が選択され、押下されると、図６(ａ)の保守情報表示画面上に図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面がポップアップ表示されるよう構成される。尚、図６(ａ)の保守情報表示画面から図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面に切替表示するように構成しても良い。また、項目番号毎に図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面が表示されるように構成されている。
図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面は、図６(ａ)の保守情報表示画面上で項目番号(ボタン)の１８番(No.１８)が押下された場合の画面を示す。先ず、図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面は、図６(ａ)の項目番号に相当するテーブル番号に数字で１８と表示される。図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面では、メンテナンス項目情報、現在値情報、スケジューリング開始値情報、メンテナンスリミット値情報の４項目が画面上で設定可能なように表示され、図６(ｂ)のメンテナンス項目設定画面は、図６(ａ)で表示される項目のそれぞれに対応して表示されている。
具体的には、メンテナンス項目情報は、メンテナンス名称を任意に変更可能に構成されている。また、現在のメンテナンス項目としてレシピ膜厚値(ステップ指定)が設定されている。次に、現在値情報は、現在値(モニタ値)を変更可能に構成されている。
第一設定値としてのスケジューリング開始値情報では、第一設定値の変更、現在値(モニタ値)が第一設定値に到達したときのメンテナンス処理の変更、及び現在値(モニタ値)が第一設定値に到達したにアラームを発生するか否かの設定が可能に構成されている。尚、現在の第一設定値は、２００００ｎｍ(２０μｍ)であり、膜種や用途などによって適宜修正される。ここで、第一設定値を超えた場合、所定のメンテナンス用レシピが実行される。
第二設定値としてのメンテナンスリミット値情報では、第二設定値の変更のみが可能に構成されている。また、第二設定値に到達したときの処理(メンテナンス処理)が設定されている。この図６(ｂ)では、ジョブ実行禁止が設定されており、例えば、現在のレシピを終了したときに、次のレシピを実行することができないように構成されている。
ここで、現在の第二設定値は、２５０００ｎｍ(２５μｍ)であり、第一設定値と同様に膜種や用途などによって適宜修正される。尚、この第二設定値を超えた場合、メンテナンス用レシピを含む全てのレシピ実行が禁止され、ボート２６交換等の保守作業が行われ、処理炉２８内が大気開放される。
図６(ｂ)に示すメンテナンス項目設定画面上の操作について説明する。例えば、メンテナンス項目情報のメンテナンス名称のセル(図にはＬＶ１-Ｃｈｅｃｋの表示)が選択されると、選択されたセルが有効となり、手入力で入力可能に構成される。若しくは、このメンテナンス名称セルが選択されると、所定の入力画面または所定の選択画面が表示されるように構成される。
そして、セルに直接所定のメンテナンス名称を手入力するか、所定の入力画面または所定の選択画面上でセルに表示されるメンテナンス名称が選択されることにより、メンテナンス名称の編集を行う。同様に、スケジューリング開始値情報のメンテナンス処理セル(図にはメンテナンスジョブ自動スタートの表示)及びアラーム発生有無セル(図にはアラーム無しの表示)の編集が行われる。
次に、現在値情報は、現在値変更(ボタン)が押下されると、所定の数値入力画面が表示され、その数値入力画面上で所定の数値を入力することにより、セルの編集が可能である。また、スケジューリング開始値情報の第一設定値としてのスケジューリング開始値セル(図には２００の表示)、または、メンテナンスリミット値情報の第二設定値としてのメンテナンスリミット値セル(図には２５０の表示)の編集についても、それぞれ同様に、各セルが選択されると、所定の数値入力画面が表示され、その数値入力画面上で所定の数値を入力することにより、セルの編集が可能である。
そして、メンテナンス項目情報、現在値情報、スケジューリング開始値情報、メンテナンスリミット値情報のそれぞれの情報について編集が終了すると、ＯＫボタンを押下して更新を確立すると共に、図６(ａ)の保守情報表示画面に戻る。また、キャンセルボタンが押下されると、図６(ｂ)に示すメンテナンス項目設定画面上での編集作業が破棄されて、図６(ａ)の保守情報表示画面に戻る。
図７は、プロセスレシピのステップを設定するステップ設定画面の図示例である。このステップ設定画面で指定されたステップのステップ時間を利用して現在値が計算されるように構成されている。図７では、ステップ２でのエッチングが計算されるように構成されている。
図８は、メンテナンス用レシピを設定するレシピ設定画面の図示例である。このレシピ設定画面では、少なくとも現在値が第一設定値としてのスケジューリング開始値に到達した際、実行されるメンテナンス用レシピであるクリーニングレシピが設定されるように構成されている。
そして、図６から図８までの設定画面における各設定が終了すると、所定の現在値(累積膜厚値)が所定の閾値(第一設定値)に到達したら自動的にクリーニングレシピが実行されるように構成される。更に、図９以降で説明する設定を行うことで、本発明におけるクリーニング終了判定が実現されるように構成されている。
（サブレシピ実行設定） 図９は、クリーニング処理を実行するサブレシピを設定するコマンド設定画面の図示例である。このコマンド設定画面は、クリーニング終了判定を検知するための検出信号に関する設定(図には終点検知アイテムの表示)と、クリーニング周期に利用しているメンテナンス項目の指定及び自動終点判定のための計算定数の設定(図にはコマンド仕様の表示)と、自動終点判定不可時のエラー処理の設定(図にはエラー処理の表示)と、がそれぞれ画面上で設定可能なように構成されている。
クリーニング終了判定用の検出信号を取得するための項目(アイテム)は、温度、ガス、圧力を含む制御パラメータ、及びＡＵＸ(Ａｕｘｉｌｉａｒｙ)等の予備パラメータを含むパラメータ種別(図には終点検知ポート種別の表示)及び検出信号を示す番号(図には終点検知ポートの表示)により設定される。この検出信号は、赤外センサ２５２ａを用いた所定ガスの濃度を検出する濃度検出器２５２からの検出信号が指定される。
次に、上述のコマンド仕様は、メンテナンス項目(図には膜厚メンテナンス項目No.(番号)の表示)と、最大サイクル数算出係数を含む。ここで、メンテナンス項目には、前述した図６(ａ)の保守情報表示画面の項目番号及びメンテナンス項目が設定されており、この項目番号及びメンテナンス項目に相当する累積膜厚値(図６(ａ)の保守情報表示画面の現在値)が計算定数として利用される。
この係数は、最小サイクル回数の算出に用いられる。また、他の計算定数として最大サイクル数算出係数が設定される。この係数は、最大サイクル回数の算出に用いられる。次に、終点判定不可時のエラー処理は、最大サイクル回数に到達した時(図には最大サイクル回数到達時の表示)の動作が設定される。図９には、次の基板処理が禁止(次ＪＯＢ停止)されるように指定されている。尚、最小サイクル回数及び最大サイクル回数については後述する。
図１０は、図９で設定したコマンドにより実行されるサブレシピのパラメータを設定するサブレシピ設定画面である。この設定画面では、少なくとも１回のクリーニング処理(サブレシピ)実行で除去できる推定膜厚量が設定されるように構成されている。
具体的には、マイナスの値を入力することで除去することが示される。ここで設定された膜厚値(マイナスの値)は、最小サイクル回数の算出に用いられる。尚、最小サイクル回数については後述する。また、図示しないが図１０において、所定のクリーニングガス流量、温度、圧力等の制御パラメータがプロセスレシピの各ステップでの設定と同様に設定される。本実施の形態においては、サブレシピは、少なくともガスクリーニング(エッチング処理)及びガス排気(排気工程)を実行するよう各ステップが設定可能に構成されている。
一例を示すと、ガスクリーニング処理条件は、クリーニングガスとしてフッ素(Ｆ２)ガス２ｓｌｍ、添加ガス８ｓｌｍ、希釈ガス(Ｎ２) ガス１ｓｌｍ、圧力６０００Ｐａ、温度３００℃であり、この後、スロー排気(Ｓ．Ｐ)が６６６(Ｐａ/Ｓ)で５０(秒)及びメイン排気(Ｍ．Ｐ)がバルブフルオープンの状態で１０(秒)行われる。尚、図１０に示されるように画面構成もプロセスレシピの各ステップの構成と同様である。
図１１は、クリーニング終了判定信号の指定を説明するための図である。クリーニングの終了判定はサブレシピの実行制御により実施されるので、このサブレシピを実行するために、レシピ上のコマンド指定欄で設定されるように構成される。尚、コマンド指定欄を選択されると、コマンド選択画面が表示される。表示形式は、切替表示でもポップアップ画面表示でも構わない。そして、コマンド選択画面にて、終了判定で使用するコマンドを選択(サブレシピボタンを押下)し、詳細ボタンを押下すると、選択したコマンドの詳細を設定するための設定画面が表示される。
この設定画面では、終点検知を行う項目(アイテム)と安定上限値、安定下限値、安定サイクル回数が表示される。ここで、安定上限値、安定下限値、安定サイクル回数がそれぞれ設定可能に構成されている。安定上限値及び安定下限値はそれぞれ所定の数値が設定され、安定下限値は、基本的には０が指定される。また、安定サイクル回数は、最大サイクル回数を算出するのに使用される数値である。
上述のように、図９から図１１までのそれぞれの設定画面での詳細設定が終了されると、クリーニングの終了判定を適切に行うことが可能な本実施の形態におけるクリーニング処理が実現可能となる。尚、クリーニングレシピもプロセスレシピと同様に、主コントローラ２０１からプロセス系コントローラ２１２や搬送系コントローラ２１１に動作指示が与えられ、実施される。
（サブレシピ実行制御）次に、図１２を用いて、図６から図１１までのそれぞれの画面で設定された内容に応じて実行される本実施の形態におけるクリーニングレシピを実行するためのフローチャートについて説明する。図１２（ａ）は、本実施の形態におけるクリーニングレシピの概要とそのフローを説明する図である。また、図１２（ｂ）は、クリーニングレシピが呼び出すサブレシピのフローチャートを示す図である。
尚、本実施の形態において、実質的にサブレシピがクリーニング処理を実行するように構成され、クリーニングが終了されるまでサブレシピを繰り返し実行することにより累積膜厚を除去する処理が繰り返し行われるようになっている。また、クリーニングレシピが、ボートロードステップ及びボートダウンステップを有するが、この形態に限定されず、少なくともクリーニング処理ステップがあればよい。更に、本実施の形態のように、後述するサブレシピを実行中に、濃度検出器２５２から送信される終点検知判定用の信号を取得できるので、ＮＤＩＲゼロ点調整ステップがあるのが好ましい。但し、ＮＤＩＲゼロ点調整ステップは、例えば、後述する所定回数としての最小ループ回数(最小サイクル回数)サブレシピを実行した後、濃度検出器２５２から送信される終点検知判定用の信号を取得すればよいため、省略しても構わない。
図１２（ａ）に示すように、クリーニングレシピは、ボートロードステップと、圧力調整ステップと、ＮＤＩＲゼロ点調整ステップと、クリーニングステップと、ボートダウンステップと、を少なくとも含む構成となっている。そしてクリーニングステップでは、サブレシピを複数回(Ｎ回)繰り返し実行させるように構成されている。また、サブレシピは、ガスクリーニング(エッチング処理)工程と、排気工程とを少なくとも含む構成であればよい。
図１２（ｂ）は、サブレシピの実行制御フローを示す。先ず、プロセス系コントローラ２１２は、クリーニングレシピを実行中に、コマンド設定されている所定のステップにて、最小ループ回数(最小サイクル回数)に到達するまで繰り返しサブレシピを呼び出し、実行させる。尚、濃度検出器２５２から送信される終点検知判定用の信号値の取得が、サブレシピ実行と共に開始される。
サブレシピの実行回数が、最小ループ回数(最小サイクル回数)に到達すると、濃度検出器２５２から送信される終点検知判定用の信号値が、サブレシピの終了後、予め設定された安定下限値と安定上限値の範囲内を確認する。尚、この終了検知判定用の信号値が、所定の閾値(安定上限値)以下に到達していない場合は、再度サブレシピが実行されて、この信号値の監視を継続する。但し、所定の閾値(安定上限値)以下に到達していない場合、エラーとしてサブレシピからクリーニングレシピに戻り、クリーニングレシピを終了させるようにしてもよい。
そして、この終了検知判定用の信号値が、所定の閾値(安定上限値)以下に到達しているのを確認後、サブレシピを実行している間(サブレシピの開始から終了までの間)、前記信号値の最大値及び最小値が前記安定下限値と前記安定上限値の範囲内であれば、連続安定サイクル数及び実行回数(総ループ回数)を算出する。
そして、連続安定数が安定サイクル数以下で、サブレシピの実行回数(総ループ回数)が最大ループ回数(最大サイクル回数)以下であれば、サブレシピを再実行する。一方、サブレシピの実行回数(総ループ回数)が最大ループ回数(最大サイクル回数)を超えていれば、終点検知不可のアラームを発生して、サブレシピを終了して、クリーニングレシピに戻る。
また、連続安定数が安定サイクル数以上で、サブレシピの実行回数(総ループ回数)が最大ループ回数(最大サイクル回数)以下であれば、サブレシピを終了してクリーニングレシピに戻る。一方、サブレシピの実行回数(総ループ回数)が最大ループ回数(最大サイクル回数)を超えていれば、終点検知不可のアラームを発生して、サブレシピを終了して、クリーニングレシピに戻る。
次に、クリーニングレシピに戻ると、プロセス系コントローラ２１２は、クリーニングレシピの次のステップに移行して実行する。そして、プロセス系コントローラ２１２は、ステップを実行し、クリーニングレシピを終了させる。
ここで、サブレシピにおける終点判定不可アラームが発生していた場合、クリーニングレシピは異常終了となり、次レシピの実行が不可となる。但し、図１２(ｂ)に示すように次レシピの実行に関して任意に指定させるように構成しても良い。
このように、本実施の形態では、クリーニングレシピを実行する際、サブレシピを実行制御することにより、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムとしての機能を実現できる。また、このサブレシピを実行制御することにより、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号(本実施の形態における終了検知判定用の信号)が、所定の閾値(本実施の形態における安定上限値)に到達後、所定の上下限値の範囲(本実施の形態における安定上限値と下限安定値の範囲)内に所定期間収まるように制御することができる。
図１３を用いて、本願発明におけるクリーニング終了判定について説明する。尚、図１３は、表示装置２１８の操作画面上に表示するように構成しても良い。
図１３は、クリーニング終了を検出するために予め設定された濃度検出器２５２が検出した検出信号の時系列グラフである。波形の上にある数値は、クリーニング処理実行回数を示し、実質的に、サブレシピの実行回数である。つまり、本実施形態においては、サブレシピが９回実行されたことを示している。波形の一つの山がサブレシピの開始から終了までを表している。
ここで、図１３では理解を高めるためにクリーニング処理実行回数を表示しているが、実際の表示装置２１０では、表示していなくても良い。尚、最大サイクル回数(１０回)前に終点検知が終了しているので、正常にクリーニング終了判定が行われたことを示している。
最小サイクル回数は、累積膜厚(図６(ａ)で示されるメンテナンス項目のうち、現在値で示される数値)からサブレシピを１回実行したときに除去できる膜厚(図１０のサブレシピ設定画面上で示される膜厚値に設定した数値)を割った数値である。最大サイクル回数は、最小サイクル回数に計算定数(図９で予め設定された最大サイクル数算出係数の値)をかけて、予め図１１で設定した安定サイクル回数の値を加えた数値である。これら、最小サイクル回数及び最大サイクル回数は、本サブレシピが実行開始時に自動的に計算されるように構成されている。
最小サイクル回数分、サブレシピが繰返し実行された後、濃度検出器２５２から送信される検出信号(終了検知判定用の信号)が所定の値(本実施の形態によれば安定上限値)以下に安定しているかの確認が行われる。つまり、本実施の形態によれば、検出信号の値が安定上限値と安定下限値の範囲内に収まったら、次の回数から終点判定される。図１３では、サブレシピが５回終了した時点から実行されているのが分かるので、最小サイクル回数が５であるのが分かる。
また、図１３より、６回目ではまだ安定上限値を超えているので、安定サイクル回数に加算されない。安定サイクル回数に加算される条件は、サブレシピを実行中の検出信号の最大値と最小値がそれぞれ安定上限値と安定下限値の範囲内に収まっていることである。
図１３では、７回目から９回目までサブレシピ実行中の検出信号の値が安定上限値と安定下限値の範囲内に収まっているので、安定サイクル回数は３ということが分かる。安定サイクル回数に到達する前に最大サイクル回数に到達した場合、終点検知が不可能と判定(異常判定)して、予め設定されたエラー処理が行われる。
このように、本実施の形態において、クリーニング用のメンテナンスレシピを実行するにあたり、最小のクリーニング処理実行回数は、対象メンテナンス項目の現在値(累積膜厚値)からクリーニングレシピ内累積値を割ることにより算出が可能である。更に、クリーニングの終了判定において、検出信号のチャタリング(振動)現象を考慮した最大クリーニング処理実行回数は、連続して安定上下限値内に収まると安定状態(クリーニング前の状態)と判断する終了判断実行回数に最小クリーニング実行回数に所定の定数を掛け算した値を加えることにより、算出することができる。
従って、最低限のクリーニング処理実行回数を確実に実行し、無限に終了条件を待つこと無く、有限処理実行回数で終了できる機能を実現することができる。また、クリーニング終了判定が正常判定か異常判定かにより、次に実行する基板処理の停止を指定することができるので、クリーニングが異常終了したまま、次の基板処理を実行することがなく、成膜変動の影響を抑制することができる。
尚、本実施形態によれば、終了検知判定用の信号が安定状態になっているかどうか判定は、所定回数、サブレシピを実行した後でもよい。この場合、サブレシピの実行回数が所定回数到達後、終了検知判定用の信号が、所定の上下限値の範囲(本実施の形態における安定上限値と下限安定値の範囲)内に所定期間収まるように制御される。この場合、所定期間は、サブレシピの１回当たりの実行時間に回数を掛け合わせた時間である。
＜本実施形態における効果＞ 本実施形態によれば、次の(１)乃至(５)のうち一つ以上の効果を奏する。
(１)従来のクリーニングレシピの場合、計算された時間を実行するのみなので、本当にクリーニングできているのかどうかの判定ができない。よって、長い時間を指定すれば、生産性が悪化し、短い時間を指定すれば、クリーニング自体が正常に実行されたか不明で、次の生産に悪影響を与える可能性があったが、本実施の形態におけるクリーニング処理の終了を自動判定できる仕組みによれば、次生産の成膜が安定する。
(２)従来のクリーニングでは、クリーニング完了を意味する所定の信号で終了判定した場合、この所定の信号のふらつきに対して対処できず、条件成立したら終了判定と判断されるため、クリーニング不十分の状態で次の生産を実行してしまうことがあったが、本実施の形態におけるクリーニング処理の終了を自動判定できる仕組みによれば、クリーニング判定条件に冗長性のある設定を設けることができるので、クリーニング処理時間の最適化が可能となり、結果として、生産性の向上が図れる。
(３)従来は、クリーニング周期の変更するたびにクリーニング用メンテナンスレシピの再調整が必要となり、クリーニングレシピも連動して修正する必要がある。このため、修正ミスや修正忘れがあると正しくクリーニングされないという問題があったが、本実施の形態におけるクリーニング処理の終了を自動判定できる仕組みによれば、クリーニング周期の変更に対して影響範囲を極力小さくすることができ、クリーニング周期変更時の修正項目の削減による修正ミスでのロットアウトを回避することができる。
(４)クリーニング処理に限らず、サイクルパージ処理、後述する失活処理などの他の処理での終了条件に応用できる。
(５)本実施の形態における濃度検出器２５２から取得される信号値を利用したクリーニングの終点判定方法は、後述する失活処理に採用された場合に有効である。ここで、処理炉２８から排気系からポンプ内に付着したＳｉ系化合物は、大気に暴露されると爆発の懸念があるため、クリーニングガス等を流し組成を変えてから、メンテナンス等を行っているが、その組成を変えることを失活という。よって、定期的な失活運用のために、場合に応じたクリーニングガスの流し方、運用をできる仕様が必要である。このような場合であっても、Ｓｉ系化合物の組成を変更させるためにクリーニングガスを流す際に、本実施の形態における所定のガス濃度の挙動により適切な終了時期を判定する技術は有用である。
＜本発明の変形例＞ 例えば、上述した基板処理装置１がバッチ式の縦型装置の場合、少なくとも１本のノズル(成膜用ガスを供給するノズル)を炉内に設けられている場合がある。このような形態におけるクリーニングレシピは、炉内の累積膜厚とノズル内の累積膜厚では、除去する条件が異なるため、炉内をクリーニングステップとノズル内をクリーニングするステップとがある。この場合、炉内クリーニングステップとノズル内クリーニングステップの両方に、本実施の形態におけるサブレシピによるクリーニング処理を実行するように構成できる。
また、ノズル内クリーニングは所定の時間クリーニングガスを供給する程度で除去することができるので、ノズル内クリーニングは従来通りのクリーニング方法を実行し、炉内クリーニングステップに本実施の形態におけるサブレシピによるクリーニング処理を実行するように構成できる。
＜実施例１＞ 次に、本発明の具体的な一実施形態について図１４を用いて説明する。
図１４ に示すように、基板処理装置１ は、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管３０２を備えている。反応管３０２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
反応管３０２の上端には、上端側に向かって縮径するように略円錐状に形成された頂部が設けられている。排気系は、排気配管と後述するバイパス管３２０とで構成されている。排気配管には、メインバルブとしての圧力バルブ２４２、バルブ３０９、ポンプ３１０などの圧力調整機構が配設された排気配管が接続されており、この圧力調整機構により反応管３０２内が所望の圧力（真空度）に制御される。
反応管３０２の下方には、マニホールド３０３が配置されている。また、図示しないボートエレベータによりシールキャップ３４が上昇されて、反応管３０２の下方側（炉口部分）に配置されたマニホールド３０９がシールキャップ３４により閉鎖されている。
ボート２６は、シールキャップ３４上に載置されている。ボート２６は、例えば、石英により形成されている。図示しない回転機構によりボート２６が回転する。反応管３０２の周囲には、反応管３０２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなるヒータが設けられている。このヒータにより反応管３０２の内部が所定の温度に加熱される。
反応管３０２の下端近傍の側面には、反応管３０２内に成膜ガスを導入する図示しない処理ガス導入管が挿通されている。処理ガス導入管は、図示しないマスフローコントローラ(ＭＦＣ)を介して、図示しない処理ガス供給源に接続されている。成膜用ガスとしては、例えば、ウェーハ１８上に窒化珪素膜を形成する場合には、ジクロロシラン(ＳｉＨ２Ｃｌ２)とアンモニア(ＮＨ３)との混合ガスがある。クリーニング用ガスは、基板処理装置１の内部に付着した付着物を除去可能なものであればよく、例えば、本実施の形態では、フッ素(Ｆ２)と窒素(Ｎ２)との混合ガスを供給する。
尚、図１４では処理ガス導入管を図示していないが、反応管３０２内に導入するガスの種類に応じ、複数本の処理ガス導入管が挿通されている。具体的には、反応管３０２内に成膜用ガスを導入する成膜用ガス導入管と、反応管３０２内にクリーニング用ガスを導入するクリーニング用ガス導入管とが、反応管３０２の下端のマニホールド３０３に挿通されている。また、反応管３０２の下端のマニホールド３０３には、パージガス供給管が挿通されている。パージガス供給管には、図示しないＭＦＣを介して図示しないパージガス供給源に接続されており、所望量のパージガスが反応管３０２内に供給される。尚、成膜用ガスとクリーニング用ガスを導入する供給管を共用しても良い。
マニホールド３０３と排気配管が気密に接続されている。排気配管には、その上流側から、メインバルブとしての圧力バルブ２４２と、バルブ３０９と、ポンプ３１０と、が介設されている。
メインバルブ２４２の開度を調整して、反応管３０２内及び排気配管内の圧力を所定の圧力に制御される。ポンプ３１０は、排気配管を介して反応管３０２内のガスを排気するとともに、メインバルブ２４２との協働により反応管３０２内、排気管３０５及び排気配管内の圧力を調整する。
また、排気配管には、バイパス管３２０が設けられている。バイパス管３２０は、メインバルブ２４２を跨ぐように、一端がメインバルブ２４２の上流側の排気配管に接続され、他端がメインバルブ２４２の下流側の排気配管に接続されている。このバイパス管３２０の径は、その排気流量(排気流量面積)が排気配管よりも小さくなるように設定されている。バイパス管３２０には、その上流側から、バルブ３０５と、圧力センサ３０６と、赤外センサを含む濃度検出器２５２と、ニードルバルブ３０７と、バルブ３０８と、が介設されている。
バルブ３０５を開放することにより、排気配管を流れるガスの一部がバイパス管３２０に流れる。ニードルバルブ３０７は、ニードルバルブ３０７の両端の圧力差が予め定められた値となるように、その開度が予め調整されている。
次に、基板処理装置１の洗浄方法について説明する。本実施の形態では、ウェーハ１８上に窒化珪素膜を形成することにより基板処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去する場合を例に、基板処理装置１の洗浄方法について説明する。なお、本実施の形態では、基板処理装置１の内部に窒化珪素が付着する成膜処理についても説明する。また、以下の説明において、基板処理装置１を構成する各部の動作は、装置コントローラ２４０により制御されている。
処理室２９を構成する反応管３０２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管からの窒素の供給を停止する。そして、図示しない処理ガス導入管１７から処理ガスとしてのジクロロシラン(ＳｉＨ２Ｃｌ２)またはヘキサクロロジシラン(Ｓｉ２Ｃｌ６)等のシリコン(Ｓｉ)含有ガスを所定量、例えば、０．１ リットル／ ｍｉｎ、そして、シリコン(Ｓｉ)含有ガスと反応させて窒素化合物を基板に堆積させるための反応ガスとして、例えば、アンモニア(ＮＨ３)等の窒素含有ガスを所定量、例えば、１リットル／ｍｉｎを反応管３０２内に導入する。
反応管３０２ 内に導入されたジクロロシラン及びアンモニアは、反応管３０２内の熱により熱分解反応が起こり、ウェーハ１８の表面に窒化珪素膜(Ｓｉ３Ｎ４)が堆積される。尚、これら成膜用ガスは、サイクリックに供給して成膜しても良い。これにより、ウェーハ１８の表面に窒化珪素膜(Ｓｉ３Ｎ４膜)が形成される(成膜工程)。
ウェーハ１８の表面に所定厚の窒化珪素膜が形成されると、図示しない処理ガス導入管からのジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）及びアンモニア(ＮＨ３)の供給を停止する。そして、パージガス供給管から反応管３０２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２４２の開度を制御しつつ、ポンプ３１０を駆動させて反応管３０２内のガスを排出する（パージ工程）。なお、反応管３０２内のガスを確実に排出するために、窒素の供給及び反応管３０２内のガスの排出を複数回繰り返すサイクルパージを行うことが好ましい。
そして、図示しないヒータにより、反応管３０２内を、所定の温度、例えば、３００℃にするとともに、パージガス供給管から反応管３０２内に窒素を所定量供給して、反応管３０２内の圧力を常圧に戻す。最後に、図示しないボートエレベータによりシールキャップ３４を下降させることにより、アンロードする（アンロード工程）。
尚、基板に堆積させるための膜は、本実施例においては、窒化珪素膜としたが、ケイ素膜であっても良いのはいうまでも無い。
以上のような成膜処理を複数回行うと、成膜処理によって生成される窒化珪素が、ウェーハ１８の表面だけでなく、装置内部、例えば、反応管３０２の内壁、ボート２６、マニホールド３０３、排気配管等にも堆積(付着)する。このため、成膜処理を所定回数行った後、本発明の基板処理装置１のクリーニング方法(エッチング処理)を実行する。エッチング条件としては、 温度：４００℃未満、好ましくは２００℃〜３５０℃、 圧力：１３３０Ｐａ（１０Ｔｏｒｒ）〜１０１３００Ｐａ（大気圧）、好ましくは１３３００Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以上５３３２０Ｐａ（４００Ｔｏｒｒ）、 Ｆ２ガス供給流量：０．５〜５ｓｌｍ、 ＮＯガス供給流量：０．５〜５ｓｌｍ、 Ｎ２ガス供給流量：１〜２０ｓｌｍ、 ＮＯガス／Ｆ２ガス流量比：０．５〜２、が例示され、それぞれのエッチング条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで、薄膜を含む堆積物のエッチングがなされる。本実施の形態の基板処理装置１の洗浄方法において、処理条件の一例として、ガスクリーニング工程(薄膜のエッチング工程)での反応管３０２内の温度を３００℃、Ｆ２ガスの流量を２．０ｓｌｍ、ＮＯガスの流量を１．０ｓｌｍ、反応管３０２内の圧力を６０００Ｐａとしている。クリーニング用ガスとしてのフッ素(Ｆ２)ガスと添加ガスとして一酸化窒素(ＮＯ)ガスを混合させて、反応管３０２内に導入して、反応管３０２等に付着した窒化珪素(Ｓｉ３Ｎ４)の除去(クリーニング)を行う。また、このクリーニングにおいては、反応管３０２内から排出されたガスに含まれる四フッ化珪素(ＳｉＦ４)の濃度を濃度検出器２５２により測定し、このＳｉＦ４の濃度に基づいてクリーニングの終点(エンドポイント)を決定する。
まず、ヒータにより反応管３０２内を所定のロード温度、例えば、３００℃に維持する。また、パージガス供給管から反応管３０２内に窒素を所定量供給した後、ウェーハ１８が収容されていないボート２６をシールキャップ３４上に載置し、図示しないボートエレベータによりシールキャップ３４を上昇させ、ボート２６を反応管３０２内にロードする(ロード工程)。
反応管３０２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管からの窒素の供給を停止する。そして、図示しない処理ガス導入管からクリーニング用ガスを反応管３０２内に導入する。本実施の形態では、フッ素(Ｆ２)を所定量、例えば、２リットル／ｍｉｎと、一酸化窒素(ＮＯ)を所定量、例えば、１リットル／ｍｉｎと、希釈ガスとしての窒素を所定量、８リットル／ｍｉｎと、からなるクリーニング用ガスを反応管３０２内に導入する。
導入されたクリーニング用ガスは反応管３０２内で加熱され、クリーニング用ガス中のフッ素が活性化、すなわち、反応性を有するフリーな原子を多数有した状態になる。この活性化されたフッ素が反応管３０２の内壁等に付着した窒化珪素(Ｓｉ３Ｎ４)に接触することにより、反応管３０２等に付着した窒化珪素(Ｓｉ３Ｎ４)がクリーニング用ガス(Ｆ２)と反応する。
この反応による生成物(ＳｉＦ４)が反応管３０２内から排気配管等を介して装置外部に排出される。この結果、基板処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去される（クリーニング工程）。
ここで、濃度検出器２５２は、反応管３０２から排出されるガスの少なくとも一部を採取する採取部としてのバイパス管３２０と、前記採取部で採取したガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスを抽出する抽出部を有するように構成してもよい。クリーニング工程においては、反応管３０２内から排出されたガスに含まれる所定のガス、本実施の形態では四フッ化珪素(ＳｉＦ４)の濃度を濃度検出器２５２により測定し、この測定結果を利用して、反応管３０２内から排出されたガス中に四フッ化珪素が含まれなくなると判断されると、反応管３０２等に付着した窒化珪素が除去されたものとして、クリーニング工程の終点(エンドポイント)を決定する。尚、終点判定の詳細については既に述べた通りであるため省略する。
このように、クリーニング工程では、クリーニング用ガスを反応管３０２内に導入し、反応管３０２等に付着した窒化珪素のクリーニングを開始するとともに、バルブ３０５を開放して反応管３０２内から排出されたガスの一部を排気配管からバイパス管３２０(濃度検出器２５２）に導入する。これにより、反応管３０２内から排出されたガス(特に、ＳｉＦ４ガス)が赤外センサのセル内に供給され、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)の濃度が濃度検出器２５２により測定される。そして、濃度検出器２５２から検出される検出信号により、クリーニング工程の終点(エンドポイント)を決定することにより、基板処理装置１を適切なクリーニングをすることができる。また、適切なクリーニング時間で装置内部の部材に付着した付着物を除去することができる。また、反応管３０２等の装置内部の部材が受けるダメージを低減することができ、パーティクルの発生を抑制することができる。また、クリーニングガスの使用量を抑えることができる。
クリーニング工程においては、赤外センサ用ヒータにより赤外センサのセル窓を少なくとも１５０℃に加熱することが好ましい。セル窓を少なくとも１５０℃に加熱することにより、反応管３０２内から排出された副生成物のパウダーがセル窓に付着することを防止できる。この結果、副生成物のパウダーの付着によるセル窓の透過率の低下を防止することができ、濃度検出器２５２の性能の低下を防止することができる。
基板処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去されると、処理ガス導入管からのクリーニング用ガスの導入を停止する。そして、パージガス供給管から反応管３０２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２４２の開度を制御しつつ、ポンプ３２２を駆動させて反応管３０２内のガスを排出する(パージ工程)。
そして、パージガス供給管から反応管３０２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２４２の開度を制御しつつ、ポンプ３２２を駆動させて、反応管３０２内の圧力を常圧に戻す。最後に、図示しないボートエレベータによりシールキャップ３４を下降させることにより、アンロードする(アンロード工程)。
以上説明したように、本発明の一実施形態によれば、濃度検出器２５２により検出した検出信号を利用して、クリーニング工程の終点(エンドポイント)を決定しているので、基板処理装置１ を適切にクリーニングすることができる。また、適切な洗浄時間でクリーニングすることができるので、反応管３０２等の装置内部の部材(構成部品)が受けるダメージを低減することができ、パーティクルの発生を抑制することができる。更に、クリーニングガスの使用量を抑えることができる。
本発明の一実施形態によれば、反応管３０２内から排出されたガスに含まれる四フッ化珪素により吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを濃度検出器２５２に入射するので、濃度検出器２５２は、四フッ化珪素の濃度のみを測定すればよく、その構成を簡単にすることができる。
また、上記実施形態では、排気配管にバイパス管３２０を設け、このバイパス管３２０に赤外センサを有する濃度検出器２５２が介設されている場合を例に本発明を説明したが、反応管３０２内から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定できればよく、例えば、バイパス管３２０を設けずに、排気配管に赤外センサを有する濃度検出器２５２を介設してもよい。また、ガスの濃度を測定する測定部は赤外センサの他、各種のセンサであってもよい。
＜実施例２＞ 次に、本発明の具体的な他の実施形態について図１５を用いて説明する。
反応管３０２から排気系及びポンプ３１０内に付着したＳｉ系化合物は、大気に急激に暴露されると爆発の懸念があるため、所定のクリーニングガス等を流し組成を変えてから、メンテナンス等を行う必要がある。図１５において、クリーニングガスとしてＦ２ガスを供給することにより、上記Ｓｉ系化合物と反応させて、ＳｉＦ４を発生させている。
尚、処理炉２８内のＳｉ系化合物がクリーニングガスにより全てＳｉＦ４へ組成変更された後(要するに、クリーニング終了)でも、排気系には、Ｓｉ系化合物が付着している可能性がある。もし、排気系へ直接クリーニングガスを流すことができなければ、処理炉２８を介してクリーニングガスを供給するしかないため、処理炉２８内の石英部材がオーバエッチングとなり、パーティクルの原因となる。一方、クリーニングガスによる組成変更処理(失活処理)が不十分であれば、Ｓｉ系化合物の爆発の恐れがある。よって、メンテナンス時に排気系の配管を大気に晒す場合があるので非常に危険である。
よって、本実施の形態において、図１５に示すように、メンテナンス用レシピが実行されると、ガス供給管から反応炉(Ｒｅａｃｔｏｒ)２８を介さずに圧力バルブ(ＭａｉｎＶａｌｖｅ)２４２の排気側に直接クリーニングガスを供給するようになっている。
図１５では、メインポンプ(Ｍａｉｎ Ｐｕｍｐ)３１０の排気側の排気配管に濃度検出器２５２が配置されている。濃度検出器２５２は、濃度を測定するためのセンサユニット２５２ａと、この赤外センサが測定した結果から濃度を算出して出力する制御ユニット２５２ｂとを構成する。ここで、濃度検出器２５２は、非分散型赤外線分析計（ＮＤＩＲ(Ｎｏｎ-Ｄｉｓｐｅｎｓｉｖｅ ＩｎｆｒａＲｅｄ)）であり、排ガス(排気側の排気配管中に流れるガス)中から所定のガスの濃度を検出する濃度検出器である。本実施の形態における濃度検出器２５２は、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）の濃度を測定する。そして、濃度出力として４-20ｍＡがＩ/Ｏ通信部２５５へ出力される。
このように、図１５では、濃度検出器により、失活処理により発生された四フッ化珪素(ＳｉＦ４)を検出することにより、Ｓｉ系化合物の組成変更処理が終了したかどうかの判定に利用することができる。
本実施の形態では、クリーニング工程において、処理炉２８内から排出されたガスに含まれる所定のガスだけでなく、処理炉２８から排気系及びポンプ３１０内に付着したＳｉ系化合物とクリーニングガス(Ｆ２)との反応により生成された四フッ化珪素(ＳｉＦ４)の濃度を濃度検出器２５２により測定し、この測定結果を利用して、排気系のガス中に四フッ化珪素が含まれなくなると判断されると、Ｓｉ系化合物の失活処理が終了したものとして、クリーニング工程の終了を決定することができる。
上記実施例１及び実施例２では、希釈ガスとしての窒素ガスを含む場合を例に本発明を説明したが、希釈ガスを含まなくてもよい。希釈ガスとしては、不活性ガスであることが好ましく、窒素ガスの他に、例えば、ヘリウムガス(Ｈｅ)、ネオンガス(Ｎｅ)、アルゴンガス(Ａｒ)が適用できる。
上記実施例１及び実施例２では、クリーニング工程において、排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度を連続的に測定した場合を例に本発明を説明したが、例えば、数分毎のように、断続的に測定してもよい。この場合、クリーニングが進むにつれて測定間隔が短くなるようにすることが好ましい。また、排気配管に濃度検出器２５２を複数設けてもよい。このように構成すれば、膜種が、二酸化ケイ素の場合であっても、１個の赤外センサで、四フッ化珪素（ＳｉＦ４）の濃度を測定し、他の１個でＨＦの濃度を測定することで、クリーニング工程の終了判定を適切に検出できる。
上記実施例１及び実施例２では、装置内部の部材が少なくとも一つは石英により形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、炭化珪素(ＳｉＣ)により形成されていてもよい。
＜本発明の他の実施形態＞前記装置内部に付着した付着物としては、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートがある。この場合、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムがある。及びこれらの副生成物等となる。
例えば、熱処理装置１の内部に付着した付着物が二酸化珪素（ＳｉＯ２）の場合には、クリーニングガスとして、フッ化水素を含むガス、フッ素とフッ化水素とを含むガス、フッ化水素とアンモニアを含むガスなどを用いることができる。この場合、測定するガスは、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)とすることが好ましい。
また、クリーニングガスとして、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を用いる場合、測定するガスは、被処理体に形成する膜の種類に応じて、次のようなガスとすることが好ましい。被処理体に窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）膜や酸化珪素（ＳｉＯ）膜を形成する場合、測定するガスは、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、または、三フッ化窒素（ＮＦ３）とすることが好ましい。被処理体に窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成する場合、測定するガスは、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、または、三フッ化窒素（ＮＦ３）とすることが好ましい。被処理体にタングステン（Ｗ）膜を形成する場合、測定するガスは、四フッ化タングステン（ＷＦ４）とすることが好ましい。被処理体にタングステンシリコン酸化(ＷＳｉＯ２)膜を形成する場合、測定するガスは、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、または、六フッ化タングステン（ＷＦ６）とすることが好ましい。
ＴＥＯＳ（Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）を用いて、ウェーハ１８の表面に二酸化珪素（ＳｉＯ２）を形成する場合、熱処理装置１の内部には、二酸化珪素や、炭素，水素， 酸素等からなる副生成物が付着する。クリーニングガスとして、例えば、フッ化水素（ＨＦ）とアンモニア（ＮＨ３）とを含むガスを用い、測定するガスとして、例えば、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）とすることにより、赤外センサを有する濃度検出器３２７，４２７による検出信号を用いたクリーニングの終点(エンドポイント)を判定することができる。
また、基板処理装置１の内部に付着した付着物が酸化アルミニウム(ＡｌＯ)、酸化ハフニウム(ＨｆＯ)、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートの場合、測定するガスとしては、例えば、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、または、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）がある。
また、例えば上述したように、本発明に係る処理炉２８の構成では、ウェーハ１８を多数処理するバッチ式装置として構成されているが、これに限らず、ウェーハ１８を１枚毎に処理する枚様式装置に本発明を適用してもよい。
例えば、上述した実施形態では、処理対象となる基板が半導体ウェーハ基板である場合を例にあげたが、本発明はこれに限定されることなく、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）装置等のガラス基板を処理する基板処理装置にも好適に適用できる。
また例えば、上述した実施形態では、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、その他成膜処理としては、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えば酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。
次に、本発明の好ましい態様を付記する。
［付記１］本発明の一態様によれば、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有するクリーニング方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御されるクリーニング方法が提供される。
［付記２］好ましくは、前記クリーニングガスは、フッ素(Ｆ２)ガス、フッ化水素(ＨＦ)ガス、三フッ化塩素(ＣｌＦ３)ガス、三フッ化窒素(ＮＦ３)ガス等のフッ素(Ｆ)や塩素(Ｃｌ)等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせである付記１のクリーニング方法が提供される。
［付記３］好ましくは、前記構成部品に付着した付着物は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートから少なくとも一つが選択される付記１のクリーニング方法が提供される。
［付記４］好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素(ＳｉＣｌ４)、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記１のクリーニング方法が提供される。
［付記５］本発明の他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御される半導体装置の製造方法が提供される。
［付記６］更に好ましくは、前記クリーニングガスは、フッ素(Ｆ２)ガス、フッ化水素(ＨＦ)ガス、三フッ化塩素(ＣｌＦ３)ガス、三フッ化窒素(ＮＦ３)ガス等のフッ素(Ｆ)や塩素(Ｃｌ)等のハロゲンを含むハロゲン含有ガス、または、これらの組み合わせである付記５の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記７］更に、好ましくは、前記構成部品に付着した付着物は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートから少なくとも一つが選択される付記５の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記８］更に、好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記５の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記９］本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、 前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する基板処理装置が提供される。
［付記１０］好ましくは、更に、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記排出部は、前記基板を処理する処理室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、前記測定部は、前記ポンプより上流側の前記排出路に介設されている付記９の基板処理装置が提供される。
［付記１１］好ましくは、更に、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記排出部は、前記基板を処理する処理室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、前記測定部は、前記ポンプより下流側の前記排出路に介設されている付記９の基板処理装置が提供される。
［付記１２］好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記９乃至付記１１にいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記１３］ 好ましくは、前記測定部は、前記処理室から排出されるガスの少なくとも一部を採取する採取部と、前記採取部で採取したガスの少なくとも一部に含まれる前記所定のガスを抽出する抽出部を有する付記１０または付記１１に記載の基板処理装置が提供される。
［付記１４］ 好ましくは、前記測定部は、前記排出路に複数設けられる付記１０または付記１１に記載の基板処理装置が提供される。
［付記１５］ 好ましくは、更に、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するためのレシピ(クリーニングレシピ)を少なくとも記憶する記憶部と、前記記憶部に格納された前記レシピを実行する実行部と、を有し、前記クリーニングレシピにおいて、クリーニング処理を実行するクリーニングステップでは、ガスクリーニング工程を有するサブレシピが、所定のガスの濃度を示す信号が所定の上限値以下に到達するまで、少なくとも繰り返し実行される付記９の基板処理装置が提供される。
［付記１６］好ましくは、前記サブレシピの実行回数は、第１所定回数(最小サイクル回数)と第２所定回数(最大サイクル回数)の間の回数である付記１５の基板処理装置が提供される。
［付記１７］好ましくは、前記第１所定回数は、現在の累積膜厚値から前記サブレシピを１回実行したときに除去できる膜厚値を割った数値である付記１５の基板処理装置が提供される。
［付記１８］好ましくは、前記サブレシピの実行後、前記実行回数が前記第２所定回数(最大サイクル回数)を超えた場合、終点検知不可のアラームを通知する付記１６の基板処理装置が提供される。
［付記１９］好ましくは、前記構成部品は、処理炉２８(若しくは処理室２９)を構成する部品である付記９または付記１５に記載の基板処理装置が提供される。
［付記２０］好ましくは、前記構成部品は、反応管３０２である付記１９の基板処理装置が提供される。
［付記２１］本発明の更に他の態様によれば、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記２２］本発明の更に他の態様によれば、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記構成部品に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
［付記２３］好ましくは、前記クリーニングガスは、フッ素(Ｆ２)ガス、フッ化水素(ＨＦ)ガス、三フッ化塩素(ＣｌＦ３)ガス、三フッ化窒素(ＮＦ３)ガス等のフッ素(Ｆ)や塩素(Ｃｌ)等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせである付記２２のクリーニングの終了判定方法が提供される。
［付記２４］好ましくは、前記構成部品に付着した付着物は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートから少なくとも一つが選択される付記２２のクリーニングの終了判定方法が提供される。
［付記２５］好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素(ＳｉＣｌ４)、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記２２のクリーニングの終了判定方法が提供される。
［付記２６］本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記２７］好ましくは、前記クリーニングガスは、フッ素(Ｆ２)ガス、フッ化水素(ＨＦ)ガス、三フッ化塩素(ＣｌＦ３)ガス、三フッ化窒素(ＮＦ３)ガス等のフッ素(Ｆ)や塩素(Ｃｌ)等のハロゲンを含むハロゲン含有ガスを用いても良く、またこれらを組み合わせである付記２６の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記２８］好ましくは、前記構成部品に付着した付着物は、窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、ポリシリコン（Ｐｏｌｙ-Ｓｉ）、酸化アルミニウム（ＡｌＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートから少なくとも一つが選択される付記２６の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記２９］好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素(ＳｉＣｌ４)、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記２６の半導体装置の製造方法が提供される。
［付記３０］処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記３１］好ましくは、前記排出部は、前記基板を処理する処理室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、前記測定部は、前記ポンプより上流側の前記排出路に介設されている付記３０の基板処理装置が提供される。
［付記３２］好ましくは、前記排出部は、前記基板を処理する処理室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、前記測定部は、前記ポンプより下流側の前記排出路に介設されている付記３０の基板処理装置が提供される。
［付記３３］好ましくは、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素(ＳｉＦ４)、四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）、三フッ化窒素(ＮＦ３)、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、四フッ化タングステン（ＷＦ４）、六フッ化タングステン（ＷＦ６）、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）、及びこれらの副生成物等から少なくとも一つが選択される付記３０乃至付記３２にいずれか一つに記載の基板処理装置が提供される。
［付記３４］ 好ましくは、前記測定部は、前記処理室から排出されるガスの少なくとも一部を採取する採取部と、前記採取部で採取したガスの少なくとも一部に含まれる前記所定のガスを抽出する抽出部を有する付記３１または付記３２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記３５］ 好ましくは、前記測定部は、前記排出路に複数設けられる付記３１または付記３２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記３６］ 好ましくは、更に、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するためのレシピ(クリーニングレシピ)を少なくとも記憶する記憶部と、前記記憶部に格納された前記レシピを実行する実行部と、を有し、前記クリーニングレシピにおいて、クリーニング処理を実行するクリーニングステップでは、ガスクリーニング工程を少なくとも有するサブレシピが、少なくとも所定回数実行される付記３０の基板処理装置が提供される。
［付記３７］好ましくは、前記サブレシピは、更に排気工程を有し、前記サブレシピが実行されることにより、クリーニング工程と排気工程を時系列に繰り返すサイクリッククリーニングを実現する付記３６の基板処理装置が提供される。
［付記３８］好ましくは、前記所定回数は、現在の累積膜厚値から前記サブレシピを１回実行したときに除去できる膜厚値を割った数値(回数)である付記３０の基板処理装置が提供される。
［付記３９］好ましくは、前記所定回数は、第１所定回数(最小サイクル回数)であって、前記サブレシピは、前記第１所定回数(最小サイクル回数)と第２所定回数(最大サイクル回数)の間の回数実行される付記３８の基板処理装置が提供される。
［付記４０］好ましくは、前記所定回数後、前記サブレシピを実行中に取得した信号の最大値及び最小値が、前記所定の上下限値の範囲内に収まるかを確認する付記３８の基板処理装置が提供される。
［付記４１］好ましくは、前記所定回数後、前記サブレシピを実行中に取得した信号の最大値及び最小値を監視し、前記所定の上下限値の範囲内に収まった回数が、前記第１所定回数(最小サイクル回数)と前記第２所定回数(最大サイクル回数)の間に連続して第３所定回数(安定サイクル回数)に達したら、クリーニング終了判定を正常判定とする付記３８の基板処理装置が提供される。
［付記４２］好ましくは、前記サブレシピの実行回数が前記第２所定回数(最大サイクル回数)を超えた場合、クリーニング終了判定が異常判定として終点検知不可のアラームを通知する付記３９または付記４１の基板処理装置が提供される。
［付記４３］好ましくは、前記クリーニング終了判定後、前記クリーニングレシピの次のステップを実行し、前記クリーニングレシピを終了させる付記４１または付記４２に記載の基板処理装置が提供される。
［付記４４］好ましくは、前記構成部品は、前記処理室を構成する部品である付記３０または付記３６に記載の基板処理装置が提供される。
［付記４５］好ましくは、前記構成部品は、反応管３０２である付記１９の基板処理装置が提供される。
［付記４６］ 本発明の更に他の態様によれば、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記４７］クリーニングガスを給排して、基板を処理する処理室内をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記処理室の内壁に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
［付記４８］本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、基板を処理する処理室の内壁に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記４９］処理ガスを供給して基板を処理する処理室を少なくとも備えた基板処理装置であって、前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理室内から排出される前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、前記処理室の内壁に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記５０］基板を処理する処理室内をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記処理室の内壁に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記５１］クリーニングガスを給排して、反応管をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記反応管に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
［付記５２］本発明の更に他の態様によれば、反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、前記反応管に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記５３］反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記反応管内から排出された前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、前記反応管に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記５４］反応管をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記反応管に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記５５］クリーニングガスを給排して、所定の温度に加熱された反応炉内をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記反応管に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
［付記５６］本発明の更に他の態様によれば、所定の温度に加熱された反応炉に処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、前記反応炉を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記５７］反応炉内に処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記反応炉内を所定の温度に加熱する加熱部と、前記反応炉内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記反応炉内から排出された前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、反応炉を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記５８］所定の温度に加熱された反応炉内をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記反応炉を構成する構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記５９］クリーニングガスを排気配管に供給して、失活処理するクリーニングの終了判定方法であって、前記排気配管に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法が提供される。
［付記６０］本発明の更に他の態様によれば、処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを排気配管に供給して、失活処理するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記排気配管に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記６１］反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記反応管内又は排気配管にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記排気配管を設けた排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、前記排気配管に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記５４］排気配管内を失活処理するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを前記排気配管に供給して、前記排気配管に付着した付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
［付記５５］本発明の更に他の態様によれば、反応管に付着した付着物を除去するクリーニングの終了判定方法であって、前記反応管内にクリーニングガスを供給して、前記反応管をクリーニングする際、前記反応管から排出されるガスに含まれる所定のガスの濃度を示す信号を測定し、前記濃度を示す信号が、所定の閾値に到達後、所定の上下限値の範囲内に収束しているか否かを判定するクリーニングの終了判定方法が提供される。
［付記５６］本発明の他の態様によれば、反応管内に処理ガスを供給して基板に膜を形成する工程と、前記反応管に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記反応管内にクリーニングガスを供給して、前記反応管をクリーニングするクリーニング工程では、前記反応管から排出されたガスに含まれる所定のガスの濃度を示す信号が、所定の閾値に到達後、所定の上下限値の範囲内に収束しているか否かを判定する半導体装置の製造方法が提供される。
［付記５７］本発明の更に他の態様によれば、反応管内に処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、前記反応管内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記反応管内から排出された前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、前記反応管に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の閾値に到達後、所定の上下限値の範囲内に収束しているか否かを判定する基板処理装置が提供される。
［付記５８］本発明の更に他の態様によれば、反応管に付着した付着物を除去するクリーニングの終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、前記反応管内にクリーニングガスを供給して、反応管をクリーニングする手順と、前記反応管内から排出されたガスに含まれる所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の閾値に到達後、所定の上下限値の範囲内に収束しているか否かを判定する手順と、を有する終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体が提供される。
尚、この出願は、２０１３年２月５日に出願された日本出願特願２０１３−０２０６７０を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
本発明は、メンテナンス(保守)に関する技術を提供する基板処理装置に好適に適用される。
１ 基板処理装置 １８ ウェーハ

Claims (8)

  1. クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有するクリーニング方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御されるクリーニング方法。
  2. 処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御される半導体装置の製造方法。
  3. 処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、 前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する基板処理装置。
  4. 装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるように制御する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
  5. クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニングの終了判定方法であって、前記構成部品に付着した付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する終了判定方法。
  6. 処理ガスを供給して基板を処理する工程と、クリーニングガスを給排して、装置を構成する構成部品に付着した付着物を除去するクリーニング工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する半導体装置の製造方法。
  7. 処理ガスを供給して基板を処理する基板処理装置であって、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、前記処理ガス又は前記クリーニングガスを排出する排出部と、前記クリーニングガス供給部及び前記排出部を制御して、装置を構成する構成部品に付着された付着物を除去するように、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスを排出するクリーニング制御部と、を備え、前記排出部は、前記所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、 前記クリーニング制御部は、前記所定のガスの濃度を示す信号を前記測定部により取得し、該取得した信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する基板処理装置。
  8. 装置を構成する構成部品をクリーニングするクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体であって、クリーニングガスを給排して、前記構成部品に付着した付着物を除去する手順と、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する手順と、前記濃度を示す信号が、所定の上限値以下に到達後、所定の上下限値の範囲内に所定期間収まるか否かを判定する手順と、を有するクリーニング終了判定プログラムを記録したコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
JP2014560725A 2013-02-05 2014-01-28 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム並びにクリーニング終了判定方法 Active JP6403577B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013020670 2013-02-05
JP2013020670 2013-02-05
PCT/JP2014/051750 WO2014123028A1 (ja) 2013-02-05 2014-01-28 クリーニング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014123028A1 true JPWO2014123028A1 (ja) 2017-02-02
JP6403577B2 JP6403577B2 (ja) 2018-10-10

Family

ID=51299625

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014560725A Active JP6403577B2 (ja) 2013-02-05 2014-01-28 クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム並びにクリーニング終了判定方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10724137B2 (ja)
JP (1) JP6403577B2 (ja)
TW (1) TW201443984A (ja)
WO (1) WO2014123028A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
WO2016182648A1 (en) * 2015-05-08 2016-11-17 Applied Materials, Inc. Method for controlling a processing system
US9687885B2 (en) 2015-07-17 2017-06-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Multi-cycle wafer cleaning method
JP6548349B2 (ja) * 2016-03-28 2019-07-24 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
JP6787215B2 (ja) * 2017-03-27 2020-11-18 株式会社豊田中央研究所 成膜装置と半導体装置の製造方法
JP6863107B2 (ja) * 2017-06-13 2021-04-21 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体
KR20190002318A (ko) * 2017-06-29 2019-01-08 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 배기계 설비 시스템
KR102519802B1 (ko) * 2017-09-04 2023-04-10 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 이상 감시 방법, 및 기록 매체에 저장된 프로그램
US10983447B2 (en) 2017-09-14 2021-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Exhaust system with u-shaped pipes
US10784174B2 (en) * 2017-10-13 2020-09-22 Lam Research Corporation Method and apparatus for determining etch process parameters
JP6804029B2 (ja) * 2017-12-21 2020-12-23 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
CN109950176B (zh) * 2017-12-21 2023-07-21 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质
JP6826558B2 (ja) * 2018-06-04 2021-02-03 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP6956147B2 (ja) * 2019-07-23 2021-10-27 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
US11817297B2 (en) * 2020-03-06 2023-11-14 Applied Materials, Inc. System and method for managing substrate outgassing
JP7482720B2 (ja) * 2020-08-28 2024-05-14 東京エレクトロン株式会社 クリーニング方法及び処理装置
CN116569022A (zh) * 2020-12-01 2023-08-08 株式会社堀场Stec 气体分析装置及气体分析方法
TWI763483B (zh) * 2021-05-14 2022-05-01 銓發科技股份有限公司 高穩定性半導體晶片半成品運送倉儲系統

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235955A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Matsushita Electronics Industry Corp Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2002057149A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びそのクリーニング方法
JP2004281673A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth Ｃｖｄ装置のクリーニング装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2007531996A (ja) * 2004-03-31 2007-11-08 東京エレクトロン株式会社 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法
JP2010050483A (ja) * 2001-12-25 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 受け渡し機構及び処理装置
JP2014049684A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Taiyo Nippon Sanso Corp クリーニング終点検知方法

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0619311B2 (ja) * 1985-10-19 1994-03-16 株式会社堀場製作所 多成分同時測定用ガス分析装置
US5126028A (en) * 1989-04-17 1992-06-30 Materials Research Corporation Sputter coating process control method and apparatus
US5060505A (en) * 1989-09-12 1991-10-29 Sensors, Inc. Non-dispersive infrared gas analyzer system
JP3300816B2 (ja) 1992-02-27 2002-07-08 株式会社日立国際電気 半導体製造装置管理方法及びその装置
US5528039A (en) * 1995-03-01 1996-06-18 O.I. Corporation Method and apparatus for linearization of non-dispersive infrared detector response
US5990006A (en) * 1997-02-10 1999-11-23 Micron Technology, Inc. Method for forming materials
US6114700A (en) * 1998-03-31 2000-09-05 Anatel Corporation NDIR instrument
US6422056B1 (en) * 1999-02-05 2002-07-23 Horiba, Ltd. Method for correcting the effect of a effect of a coexistent gas in a gas analysis and a gas analyzing apparatus using same
US7515264B2 (en) * 1999-06-15 2009-04-07 Tokyo Electron Limited Particle-measuring system and particle-measuring method
US6318384B1 (en) * 1999-09-24 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates
JP2001185489A (ja) * 1999-12-22 2001-07-06 Tokyo Electron Ltd クリ−ニング方法
JP3905678B2 (ja) * 2000-02-28 2007-04-18 株式会社堀場製作所 薄膜堆積方法とその装置および薄膜堆積方法に用いるｆｔｉｒガス分析計並びに薄膜堆積方法に用いる混合ガス供給装置
TW476996B (en) * 2000-02-28 2002-02-21 Mitsubishi Material Silicon Semiconductor manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus
JP3421329B2 (ja) * 2001-06-08 2003-06-30 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法
US6635573B2 (en) * 2001-10-29 2003-10-21 Applied Materials, Inc Method of detecting an endpoint during etching of a material within a recess
JP3854157B2 (ja) 2002-01-15 2006-12-06 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
US6843881B2 (en) * 2002-04-02 2005-01-18 Applied Materials, Inc. Detecting chemiluminescent radiation in the cleaning of a substrate processing chamber
JP2003303777A (ja) 2002-04-10 2003-10-24 Ulvac Japan Ltd プラズマ成膜装置及びクリーニング方法
US7323399B2 (en) * 2002-05-08 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Clean process for an electron beam source
JP3999059B2 (ja) * 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP3973605B2 (ja) * 2002-07-10 2007-09-12 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びこれに使用する原料供給装置、成膜方法
US7009714B2 (en) * 2003-02-26 2006-03-07 Hitachi High-Technologies Corporation Method of dry etching a sample and dry etching system
JP4264479B2 (ja) * 2003-03-14 2009-05-20 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置のクリーニング方法
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
KR100661729B1 (ko) * 2003-12-31 2006-12-26 동부일렉트로닉스 주식회사 챔버 압력을 이용한 챔버 클리닝 방법
JP4541739B2 (ja) 2004-03-26 2010-09-08 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び半導体装置の製造装置
TWI336823B (en) * 2004-07-10 2011-02-01 Onwafer Technologies Inc Methods of and apparatuses for maintenance, diagnosis, and optimization of processes
KR100642528B1 (ko) * 2006-07-13 2006-11-10 주식회사 미래보 반도체 생산장비에서의 자동교체식 부산물 포집장치 및그의 제어 방법
JP4101280B2 (ja) * 2006-07-28 2008-06-18 住友精密工業株式会社 終点検出可能なプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US20080047579A1 (en) * 2006-08-25 2008-02-28 Bing Ji Detecting the endpoint of a cleaning process
US20080124944A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US7758698B2 (en) * 2006-11-28 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
US7740706B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-22 Applied Materials, Inc. Gas baffle and distributor for semiconductor processing chamber
US20080121177A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Applied Materials, Inc. Dual top gas feed through distributor for high density plasma chamber
JP2008288340A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Panasonic Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及び洗浄時期予測プログラム
JP5078444B2 (ja) * 2007-05-31 2012-11-21 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法及び基板処理装置
JP5281766B2 (ja) * 2007-07-31 2013-09-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
JP5200551B2 (ja) * 2008-01-18 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置、成膜装置及び気化原料供給方法
US9997325B2 (en) * 2008-07-17 2018-06-12 Verity Instruments, Inc. Electron beam exciter for use in chemical analysis in processing systems
WO2010088267A2 (en) * 2009-01-31 2010-08-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching
US9347875B2 (en) * 2009-12-25 2016-05-24 Horiba, Ltd. Gas analyzing system
JP5855921B2 (ja) * 2010-12-17 2016-02-09 株式会社堀場エステック ガス濃度調整装置
JP5554252B2 (ja) * 2011-01-20 2014-07-23 株式会社東芝 半導体製造装置およびそのクリーニング方法
JP5700538B2 (ja) * 2011-03-29 2015-04-15 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US20130016344A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 Larry Bullock Method and Apparatus for Measuring Process Parameters of a Plasma Etch Process
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000235955A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Matsushita Electronics Industry Corp Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2002057149A (ja) * 2000-08-08 2002-02-22 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びそのクリーニング方法
JP2010050483A (ja) * 2001-12-25 2010-03-04 Tokyo Electron Ltd 受け渡し機構及び処理装置
JP2004281673A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Research Institute Of Innovative Technology For The Earth Ｃｖｄ装置のクリーニング装置およびｃｖｄ装置のクリーニング方法
JP2007531996A (ja) * 2004-03-31 2007-11-08 東京エレクトロン株式会社 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法
JP2014049684A (ja) * 2012-09-03 2014-03-17 Taiyo Nippon Sanso Corp クリーニング終点検知方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10724137B2 (en) 2020-07-28
TW201443984A (zh) 2014-11-16
TWI562215B (ja) 2016-12-11
US20150368794A1 (en) 2015-12-24
JP6403577B2 (ja) 2018-10-10
WO2014123028A1 (ja) 2014-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6403577B2 (ja) クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム並びにクリーニング終了判定方法
KR101427726B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6091487B2 (ja) 基板処理装置、基板処理装置の制御方法、基板処理装置の保守方法及びレシピ制御プログラム
US11335554B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US7494943B2 (en) Method for using film formation apparatus
US11735442B2 (en) Method of operating substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
US20130247937A1 (en) Substrate processing apparatus and its maintenance method, substrate transfer method and program
JP2012216696A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US11972934B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus, and recording medium
US11923193B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
CN102732855A (zh) 薄膜形成装置的清洗方法、薄膜形成方法及薄膜形成装置
JP2020198447A (ja) 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TW202017666A (zh) 清潔方法、半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及記錄媒體
JP7161603B2 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラムおよび基板処理装置
TWI777384B (zh) 半導體裝置之製造方法、基板處理方法、基板處理裝置及程式

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171106

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180411

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180511

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20180727

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180809

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180905

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180911

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6403577

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250