CN115989559A - 半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置 - Google Patents

半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的技术，该技术具有：振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。

Description

半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置
技术领域
本公开涉及半导体装置的制造方法、异常预兆检测方法、异常预兆检测程序以及基板处理装置。
背景技术
已知有在硅晶圆等基板上形成薄膜来制造半导体装置的基板处理装置、半导体装置的制造方法。例如在日本特开2014-127702号公报中公开了一种半导体装置的制造方法，向收容基板的处理室依次供给原料气体、与原料气体发生反应的反应气体，在收容于处理室内的基板上形成薄膜。
通常，这样的基板处理装置由对处理室内进行真空排气的真空泵、控制反应性气体等的流量的质量流量控制器、开闭阀、压力计、对处理室进行加热的加热器、以及搬送基板的搬送机构等各种部件构成。
该各种部件分别随着使用而逐渐劣化并发生故障，因此需要更换为新的部件。
在此，在使用部件直到发生故障的情况下，故障时由基板处理装置处理的基板全部成为不良品，该基板以及故障时的生产时间有时会损失。另外，在故障前定期地更换的情况下，需要每隔未达到故障的期间、即具有足够富余的短期间进行更换，因此部件的更换频率变多，有时导致运用成本的增加。
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的目的在于提供一种能够检测部件的异常预兆的技术。
用于解决课题的手段
根据本公开的一个方式，提供一种执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的技术，该技术具有：振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比旋转频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
发明效果
根据本公开，提供一种能够检测部件的异常预兆的技术。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的概略结构的立体图。
图2是表示一实施方式的基板处理装置的处理炉的概略结构的纵剖视图。
图3是表示一实施方式的基板处理装置的主控制部的概略结构的框图。
图4是表示将一实施方式的基板处理装置用作半导体制造装置时的基板处理工序的流程图。
图5是表示一实施方式的基板处理装置的控制系统的框图。
图6是表示一实施方式的部件的异常预兆检测的判断顺序的说明图。
图7A是以时序示出一实施方式的部件的X轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
图7B是以时序示出一实施方式的部件的Y轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
图7C是以时序示出一实施方式的部件的Z轴上的成为异常预兆检测的指标的功率谱比的一例的图表。
图8是表示其他实施方式的基板处理装置的控制系统的一部分的框图。
图9是其他实施方式的基板处理装置的振动数据取得的时序图。
具体实施方式
以下，对本公开的一实施方式的半导体装置的制造方法、预兆检测程序以及基板处理装置进行说明。此外，在图1中，箭头F是指基板处理装置的正面方向，箭头B是指后面方向，箭头R是指右方，箭头L是指左方，箭头U是指上方，箭头D是指下方。以下，参照图1、图2对基板处理装置10的结构进行说明。在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图所示的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
＜处理装置的整体结构＞
如图1所示，基板处理装置10具备由耐压容器构成的框体12。在框体12的正面壁开设有以能够维护的方式设置的开口部，在该开口部设置有一对正面门14作为对开口部进行开闭的进入机构。此外，在该基板处理装置10中，作为收纳有后述的硅等基板(晶圆)16(参照图2)的基板收纳容器的晶圆盒(基板收纳器)18被用作向框体12内外输送基板16的载体。
在框体12的正面壁上，以连通框体12内外的方式开设有晶圆盒搬入搬出口。在晶圆盒搬入搬出口设置有装载端口20。在装载端口20上载置晶圆盒18，并且进行晶圆盒18的对位。
在框体12内的大致中央部的上部设置有旋转式晶圆盒架22。构成为在旋转式晶圆盒架22上保管多个晶圆盒18。旋转式晶圆盒架22具备垂直竖立设置并在水平面内旋转的支柱和在上中下段的各位置呈放射状地支承于支柱的多张架板。
在框体12内的装载端口20与旋转式晶圆盒架22之间设置有晶圆盒搬送装置24。晶圆盒搬送装置24具有能够在保持晶圆盒18的状态下进行升降的晶圆盒升降机24A和晶圆盒搬送机构24B。通过该晶圆盒升降机24A与晶圆盒搬送机构24B的连续动作，在装载端口20、旋转式晶圆盒架22及后述的晶圆盒开启器26之间相互搬送晶圆盒18。
在框体12内的下部，从框体12内的大致中央部到后端设置有子框体28。在子框体28的正面壁分别设置有将基板16向子框体28内外搬送的一对晶圆盒开启器26。
各晶圆盒开启器26具备载置晶圆盒18的载置台和装卸晶圆盒18的盖的盖装卸机构30。晶圆盒开启器26构成为，通过盖装卸机构30对载置于载置台上的晶圆盒18的盖进行装卸，由此对晶圆盒18的基板出入口进行开闭。
在子框体28内构成有与设置有晶圆盒搬送装置24、旋转式晶圆盒架22等的空间在流体上隔绝的移载室32。在移载室32的前侧区域设置有基板移载机构34。基板移载机构34由能够使基板16沿水平方向旋转或直线运动的基板移载装置34A和使基板移载装置34A升降的基板移载装置升降机34B构成。
基板移载装置升降机34B设置在子框体28的移载室32的前方区域右端部与框体12右侧的端部之间。另外，基板移载装置34A具备作为基板16的保持部的未图示的镊子。通过这些基板移载装置升降机34B以及基板移载装置34A的连续动作，能够将基板16相对于作为基板保持件的晶舟36进行装填(charging)以及取出(discharging)。
如图2所示，在子框体28(移载室32)内设置有使晶舟36升降的晶舟升降机38。在晶舟升降机38的升降台连结有臂40，在臂40上水平地安装有盖体(密封盖)42。盖体42构成为垂直地支承晶舟36，并能够封闭后述的处理炉44的下端部。
主要由图1所示的旋转式晶圆盒架22、晶圆盒搬送装置24、基板移载机构34、晶舟36、图2所示的晶舟升降机38及后述的旋转机构46构成搬送基板16的搬送机构。这些旋转式晶圆盒架22、晶舟升降机38、晶圆盒搬送装置24、基板移载机构34、晶舟36及旋转机构46分别与后述的搬送控制器48电连接。
如图1所示，在收纳晶舟36并使其待机的待机部50的上方设置有处理炉44。另外，在移载室32的与基板移载装置升降机34B侧相反的一侧即左侧端部设置有清洁单元52。清洁单元52构成为供给清洁化的气氛或作为惰性气体的清洁空气52A。
从清洁单元52吹出的清洁空气52A在基板移载装置34A、处于待机部50的晶舟36的周围流通。之后，清洁空气52A被未图示的管道吸入而向框体12的外部排气，或者循环至作为清洁单元52的吸入侧的一次侧(供给侧)而通过清洁单元52再次被吹向移载室32内。
此外，在框体12及子框体28的外周，作为向基板处理装置10内的进入机构，安装有未图示的多个装置罩。这些装置罩通过在维护作业时取下，维护人员能够进入基板处理装置10内。在与这些装置罩相对的框体12以及子框体28的端部，设置有作为进入传感器的门开关54(仅图示框体12的门开关54)。
另外，在装载端口20上设置有对晶圆盒18的载置进行检测的基板检测传感器56。这些门开关54和基板检测传感器56等开关、传感器类与后述的作为主控制部的基板处理装置用控制器58(参照图2、图3)电连接。
如图2所示，基板处理装置10在框体12之外具备气体供给单元60和排气单元62。在气体供给单元60内容纳有处理气体供给系统和吹扫气体供给系统。处理气体供给系统包括未图示的处理气体供给源及开闭阀、作为气体流量控制器的质量流量控制器(以下，简称为MFC)64A、处理气体供给管66A。另外，吹扫气体供给系统包括未图示的吹扫气体供给源及开闭阀、MFC64B、吹扫气体供给管66B。
在排气单元62内收纳有由排气管68、作为压力检测部的压力传感器70、以及例如由APC(Auto Pressure Contoroller：自动压力控制器)阀构成的压力调整部72构成的气体排气机构。虽然省略了图示，但在排气单元62的下游侧，在排气管68上连接有作为排气装置的真空泵74。此外，真空泵74也可以包含在气体排气机构中。另外，可以将排气单元62和真空泵74设置在相同层等设置在附近，也可以将排气单元62和真空泵74设置在不同层等分离设置。
在真空泵74设置有加速度传感器75作为振动传感器。加速度传感器75测定真空泵74的振动数据。加速度传感器75是能够分别测量正交的3轴方向的振动的3轴加速度传感器，配置为能够分别测量基板处理装置10的上下方向(箭头U、D的方向，以下称为“Z轴方向”)、基板处理装置10的左右方向(箭头R、L的方向，以下称为“Y轴方向”)、基板处理装置10的前后方向(箭头F、B的方向，以下称为“X轴方向”)的振动。此外，真空泵74的转子的旋转轴沿着Y轴方向配置。
如图2所示，作为主控制部的基板处理装置用控制器58分别与搬送控制器48、温度控制器76、压力控制器78、气体供给控制器80连接。另外，如图5所示，基板处理装置用控制器58与后述的作为预兆检测部的预兆检测控制器82连接。
＜处理炉的构成＞
如图2所示，处理炉44具备反应管(处理管)84。反应管84具备内部反应管(内管)84A和设置于其外侧的外部反应管(外管)84B。内部反应管84A形成为上端及下端开口的圆筒形状，在内部反应管84A内的筒中空部形成有处理基板16的处理室86。处理室86构成为能够收纳晶舟36。
在反应管84的外侧，以包围反应管84的侧壁面的方式设置有圆筒形状的加热器88。加热器88通过支承于加热器基座90而垂直地安装。
在外部反应管84B的下方，以与外部反应管84B呈同心圆状的方式配设有圆筒形状的炉口部(歧管)92。炉口部92以支承内部反应管84A的下端部和外部反应管84B的下端部的方式设置，分别与内部反应管84A的下端部和外部反应管84B的下端部卡合。
此外，在炉口部92与外部反应管84B之间设置有作为密封部件的O型环94。炉口部92支承于加热器基座90，由此反应管84成为垂直地安装的状态。由该反应管84和炉口部92形成反应容器。
在炉口部92以与处理室86内连通的方式连接有处理气体喷嘴96A和吹扫气体喷嘴96B。在处理气体喷嘴96A连接有处理气体供给管66A。在处理气体供给管66A的上游侧经由MFC64A连接有未图示的处理气体供给源等。另外，在吹扫气体喷嘴96B连接有吹扫气体供给管66B。在吹扫气体供给管66B的上游侧经由MFC64B连接有未图示的吹扫气体供给源等。
炉口部92与对处理室86的气氛进行排气的排气管68连接。排气管68配置于由内部反应管84A与外部反应管84B的间隙形成的筒状空间98的下端部并与筒状空间98连通。在排气管68的下游侧，从上游侧起依次连接有压力传感器70、压力调整部72、真空泵74。
在炉口部92的下方设置有能够气密地封闭炉口部92的下端开口的圆盘状的盖体42，在盖体42的上表面设置有与炉口部92的下端抵接的作为密封部件的O型环100。
在盖体42的中心部附近的与处理室86相反的一侧设置有使晶舟36旋转的旋转机构46。旋转机构46的旋转轴102贯通盖体42而从下方支承晶舟36。另外，在旋转机构46中内置有旋转电动机46A，通过该旋转电动机46A使旋转机构46的旋转轴102旋转，使晶舟36旋转，由此使基板16旋转。
盖体42构成为通过设置于反应管84的外部的晶舟升降机38在垂直方向上进行升降。通过使盖体42进行升降，能够将晶舟36向处理室86内外搬送。在旋转机构46的旋转电动机46A以及晶舟升降机38电连接有搬送控制器48。
晶舟36构成为将多片基板16以水平姿势且以彼此中心对齐的状态排列并多层地保持。另外，在晶舟36的下部，以水平姿势多层地配置有作为隔热部件的圆板形状的多个隔热板104。晶舟36以及隔热板104例如由石英、碳化硅等耐热性材料构成。隔热板104是为了使来自加热器88的热难以向炉口部92侧传递而设置的。
另外，在反应管84内设置有作为温度检测器的温度传感器106。该加热器88和温度传感器106与温度控制器76电连接。
＜基板处理装置的动作＞
接着，参照图1和图2，作为半导体器件的制造工序的一个工序，对在基板16上形成薄膜的方法进行说明。此外，构成基板处理装置10的各部的动作由基板处理装置用控制器58控制。
如图1所示，当晶圆盒18被工序内搬送装置(未图示)供给到装载端口20时，由基板检测传感器56检测晶圆盒18，晶圆盒搬入搬出口被前闸门(未图示)打开。然后，装载端口20上的晶圆盒18通过晶圆盒搬送装置24从晶圆盒搬入搬出口搬入到框体12内部。
被搬入到框体12内部的晶圆盒18通过晶圆盒搬送装置24被自动地搬送到旋转式晶圆盒架22的架板上并被暂时保管。之后，将晶圆盒18从架板上移载到一方的晶圆盒开启器26的载置台上。另外，搬入到框体12内部的晶圆盒18也可以通过晶圆盒搬送装置24直接移载到晶圆盒开启器26的载置台上。
载置于载置台上的晶圆盒18的盖被盖装卸机构30卸下，基板出入口开放。之后，基板16(参照图2)被基板移载装置34A的夹钳通过基板出入口从晶圆盒18内拾取，在利用未图示的槽口对准装置对方位进行了调整之后，被搬入到位于移载室32的后方的待机部50内，并被装填(charging)到晶舟36内。在晶舟36中装填了基板16的基板移载装置34A返回到载置有晶圆盒18的载置台，从晶圆盒18内取出下一个基板16，并装填到晶舟36内。
在该一方(上段或下段)的晶圆盒开启器26中的由基板移载机构34进行的基板16向晶舟36的装填作业中，在另一方(下段或上段)的晶圆盒开启器26的载置台上，通过晶圆盒搬送装置24从旋转式晶圆盒架22上搬送其他晶圆盒18。通过将该其他晶圆盒18移载到载置台，同时进行晶圆盒开启器26进行的晶圆盒18的打开作业。
当预先指定的片数的基板16被装填到晶舟36内时，处理炉44的下端部被未图示的炉口闸门打开。接着，保持有基板16组的晶舟36通过利用晶舟升降机38使盖体42上升而被搬入(装载)到处理炉44内(晶舟装载工序)。
如上所述，若将保持有多片基板16的晶舟36搬入(装载)到处理炉44的处理室86内，则如图2所示，盖体42成为经由O型环100将炉口部92的下端密封的状态。
之后，实施在基板16组上成膜的成膜工序。首先，利用真空泵74进行真空排气，以使处理室86内成为所期望的压力(真空度)。此时，基于压力传感器70测定出的压力值，对压力调整部72(的阀的开度)进行反馈控制。另外，通过加热器88进行加热，以使处理室86成为所期望的温度。此时，基于温度传感器106检测到的温度值，对向加热器88的通电量进行反馈控制。接着，利用旋转机构46使晶舟36及基板16旋转。
接着，从处理气体供给源供给并被MFC64A控制为所期望的流量的处理气体在处理气体供给管66A内流通并从处理气体喷嘴96A导入到处理室86内。导入的处理气体在处理室86中上升，从内部反应管84A的上端开口向筒状空间98流出而从排气管68排出。处理气体在通过处理室86时与基板16的表面接触，此时通过热反应在基板16的表面上堆积薄膜。
当经过预先设定的处理时间时，从吹扫气体供给源供给并由MFC64B控制为所期望的流量的吹扫气体被供给至处理室86，处理室86内被置换为惰性气体，并且处理室86的压力恢复至常压。
之后，利用晶舟升降机38使盖体42下降而使炉口部92的下端开口，并且将保持处理完毕的基板16的晶舟36从炉口部92的下端搬出(卸载)至反应管84的外部(晶舟卸载工序)。之后，处理完毕的基板16通过基板移载装置34A从晶舟36取出，向晶圆盒18内收纳(取出，discharge)。
在取出后，除了凹口对准装置中的对齐工序以外，以与上述的顺序大致相反的顺序，将收纳有处理后的基板16的晶圆盒18搬出至框体12外。
＜基板处理装置用控制器的结构＞
接着，参照图3，具体说明作为主控制部的基板处理装置用控制器58。
基板处理装置用控制器58主要由CPU(Central Processing Unit：中央处理器)等运算控制部108、具备RAM110、ROM112及未图示的HDD的存储部114、鼠标或键盘等输入部116、监视器等显示部118构成。此外，能够通过运算控制部108、存储部114、输入部116和显示部118设定各数据。
运算控制部108构成基板处理装置用控制器58的中枢，执行存储于ROM112的控制程序，按照来自输入部116的指示，执行存储于也构成制程存储部的存储部114的制程(例如，作为基板处理制程的工艺制程等)。
ROM112是由闪存、硬盘等构成的记录介质，存储对基板处理装置10的各部件(例如真空泵74等)的动作进行控制的运算控制部108的动作程序等。另外，RAM110(存储器)作为运算控制部108的工作区域(临时存储部)发挥功能。
在此，基板处理制程(工艺制程)是定义了对基板16进行处理的处理条件、处理步骤等的制程。另外，在制程文件中，针对基板处理的每个步骤设定有向搬送控制器48、温度控制器76、压力控制器78及气体供给控制器80等发送的设定值(控制值)或发送定时等。
运算控制部108具有控制处理炉44内的温度、压力、导入到处理炉44内的处理气体的流量等，以对装载到处理炉44内的基板16进行预定的处理的功能。
搬送控制器48构成为分别控制构成搬送基板16的搬送机构的旋转式晶圆盒架22、晶舟升降机38、晶圆盒搬送装置24、基板移载机构34、晶舟36及旋转机构46的搬送动作。
另外，在旋转式晶圆盒架22、晶舟升降机38、晶圆盒搬送装置24、基板移载机构34、晶舟36以及旋转机构46中分别内置有传感器。在这些传感器分别表示预定的值、异常的值等时，向基板处理装置用控制器58进行该情况的通知。此外，关于基板处理装置10的各部件的异常预兆的检测系统，在后面详细叙述。
在存储部114设置有存储各种数据等的数据存储区域120和存储包含基板处理制程(工艺制程)的各种程序的程序存储区域122。数据存储区域120存储与制程文件相关的各种参数。另外，在程序存储区域122中存储有包括上述基板处理制程(工艺制程)的控制装置所需的各种程序。
另外，在基板处理装置用控制器58的显示部118设置有未图示的触摸面板。触摸面板构成为显示操作画面，该操作画面接受对上述基板搬送系统和基板处理系统的操作指令的输入。此外，基板处理装置用控制器58只要是像个人计算机、移动设备等操作终端(终端装置)那样至少包括显示部118和输入部116的结构即可。
温度控制器76通过控制处理炉44的加热器88的温度来调节处理炉44内的温度。此外，在温度传感器106示出了预定的值、异常的值等时，向基板处理装置用控制器58进行该情况的通知。
压力控制器78基于由压力传感器70检测到的压力值，控制压力调整部72，以使处理室86内的压力在所期望的定时成为所期望的压力。此外，在压力传感器70示出了预定的值、异常的值等时，向基板处理装置用控制器58进行该情况的通知。
气体供给控制器80构成为控制MFC64A、64B，以使向处理室86内供给的气体的流量在所期望的定时成为所期望的流量。此外，在MFC64A、64B等所具备的传感器(未图示)示出了预定的值、异常的值等时，向基板处理装置用控制器58进行该情况的通知。
＜基板处理工序＞
接着，使用图4对将本实施方式的基板处理装置10用作半导体制造装置来处理基板的基板处理工序的概略进行说明。该基板处理工序例如是半导体装置(IC、LSI等)的制造方法的一个工序。此外，在以下的说明中，构成基板处理装置10的各部的动作、处理由基板处理装置用控制器58控制。
在此，说明通过对基板16交替地供给原料气体(第一处理气体)和反应气体(第二处理气体)而在基板16上形成薄膜的例子。此外，例如，可以在基板16上预先形成预定的膜，也可以在基板16或预定的膜上预先形成预定的图案。
(基板搬入(晶舟装载)工序S102)
首先，在基板搬入工序S102中，将基板16装填于晶舟36，并向处理室86内搬入。此外，在基板搬入工序S102中，也可以区分将基板16装填于晶舟36的处理(装填，charging)(S102-1)和将装填有基板16的晶舟36搬入处理室86的处理(装载)(S102-2)，设为不同的工序。
(成膜准备工序S103)
成膜准备工序S103是成膜工序前的抽真空的事件，利用真空泵74进行真空排气，以使处理室86内成为所期望的压力(真空度)。此时，基于压力传感器70测定出的压力值，对压力调整部72(的阀的开度)进行反馈控制，使处理室86的压力从大气压减压至预定压力。另外，通过加热器88进行加热，以使处理室86成为所期望的温度。此时，基于温度传感器106检测到的温度值，对向加热器88的通电量进行反馈控制。接着，利用旋转机构46使晶舟36及基板16旋转。
此外，在成膜准备工序S103中，也可以进行泄漏检查。
(成膜工序S104)
在成膜工序S104中，依次执行以下4个步骤，在基板16的表面上形成薄膜。此外，在步骤1～4之间，利用加热器88将基板16加热至预定的温度。
[步骤1]
在步骤1中，将设置于处理气体供给管66A的未图示的开闭阀和设置于排气管68的压力调整部72(APC阀)一起打开，使由MFC64A进行了流量调节(流量调整、流量控制)的原料气体在处理气体供给管66A内通过。然后，将原料气体从处理气体喷嘴96A供给到处理室86内，并从排气管68排气。此时，将处理室86内的压力保持为预定的压力。由此，在基板16的表面形成第一层。此外，第一层包含原料气体中所含的元素。
[步骤2]
在步骤2中，关闭处理气体供给管66A的开闭阀而停止原料气体的供给。排气管68的压力调整部72(APC阀)保持打开的状态，利用真空泵74对处理室86内进行排气，将残留气体从处理室86内排除。另外，打开设置于吹扫气体供给管66B的开闭阀，向处理室86内供给惰性气体来进行处理室86内的吹扫，将处理室86内的残留气体排出至处理室86外。
[步骤3]
在步骤3中，将设置于吹扫气体供给管66B的未图示的开闭阀和设置于排气管68的压力调整部72(APC阀)一起打开，使由MFC64B进行了流量调节的反应气体在吹扫气体供给管66B内通过。然后，将反应气体从吹扫气体喷嘴96B供给到处理室86内，并从排气管68排出。此时，将处理室86内的压力保持为预定的压力。由此，利用原料气体使形成于基板16的表面的第一层与反应气体发生反应，第一层通过反应气体的作用而被改性，在基板16上形成第二层。此外，第二层包含原料气体中所含的元素和反应气体中所含的元素。
[步骤4]
在步骤4中，关闭吹扫气体供给管66B的开闭阀，停止反应气体的供给。排气管68的压力调整部72(APC阀)保持打开的状态，利用真空泵74对处理室86内进行排气，将残留气体从处理室86内排除。另外，向处理室86内供给惰性气体，再次进行处理室86内的吹扫。
将上述的步骤1～4设为1个循环，将该循环进行预定次数，优选进行多次，由此在基板16上形成预定膜厚的薄膜。
作为原料气体，例如可以使用一氯甲硅烷(SiH3Cl，简称：MCS)气体、二氯硅烷(SiH2Cl2，简称：DCS)气体、三氯硅烷(SiHCl3，简称：TCS)气体、四氯化硅(SiCl4，简称：STC)气体、六氯乙硅烷(Si2Cl6，简称：HCDS)气体、八氯三硅烷(Si3Cl8，简称：OCTS)气体等氯硅烷系气体。另外，作为原料气体，例如也可以使用四氟化硅(SiF4)气体等氟硅烷系气体、四溴化硅(SiBr4)气体等溴硅烷系气体、四碘化硅(SiI4)气体等碘硅烷系气体。另外，作为原料气体，例如也可以使用四(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]4，简称：4DMAS)气体、三(二甲基氨基)硅烷(Si[N(CH3)2]3H，简称：3DMAS)气体、双(二乙基氨基)硅烷(Si[N(C2H5)2]2H2，简称：BDEAS)气体、双(叔丁基氨基)硅烷(SiH2[NH(C4H9)]2，简称：BTBAS)气体等氨基硅烷系气体。作为原料气体，可以使用它们中的1种以上。
作为反应气体，例如可以使用氧(O2)气、一氧化二氮(N2O)气、一氧化氮(NO)气、二氧化氮(NO2)气、臭氧(O3)气、水蒸气(H2O气体)、一氧化碳(CO)气、二氧化碳(CO2)气等氧化气体、氨(NH3)气、肼(N2H4)气、二氮烯(N2H2)气、N3H8气等氮化气体等。作为反应气体，可以使用它们中的1种以上。
作为惰性气体，例如能够使用氮(N2)气，此外，能够使用氩(Ar)气、氦(He)气、氖(Ne)气、氙(Xe)气等稀有气体。作为惰性气体，可以使用它们中的1种以上。
在使用氧化气体作为反应气体的情况下，能够在基板16上形成氧化硅膜(SiO膜)作为薄膜。在使用氮化气体作为反应气体的情况下，能够在基板16上形成氮化硅膜(SiN膜)。在使用氧化气体和氮化气体作为反应气体的情况下，能够在基板16上形成氮氧化硅膜(SiON膜)作为薄膜。
(基板搬出(晶舟卸载)工序S106)
在基板搬出工序S106中，利用晶舟升降机38将载置有形成有了薄膜的基板16的晶舟36从处理室86搬出(卸载)。另外，也可以将作为下一工序的利用基板移载装置34A将基板16从晶舟36卸下的处理(取出)包含在基板搬出工序(S106)中。
＜本实施方式中的控制系统＞
接着，参照图5和图6对检测基板处理装置10的各部件的异常预兆(故障预兆)的控制系统进行说明。此外，以下，使用通过基板处理装置10在基板16上形成薄膜的例子进行说明。
如图5所示，控制系统具备作为主控制部的基板处理装置用控制器58、作为预兆检测部的预兆检测控制器82、各种传感器类124、数据收集单元(Data Collection Unit，以下简称为DCU)126、边缘控制器(Edge Controller，以下简称为EC)128。此外，构成控制系统的这些部件通过有线或无线分别连接。
基板处理装置用控制器58与包括顾客主计算机的未图示的上位计算机和未图示的操作部连接。操作部构成为能够与上位计算机之间交换基板处理装置用控制器58所取得的各种数据(传感器数据等)。
预兆检测控制器82从设置于基板处理装置10及其附带设备的各种部件的传感器获取传感器数据来监视基板处理装置10的状态。具体而言，预兆检测控制器82利用来自各种传感器类124的数据来计算数值指标，与预先决定的阈值进行比较来检测异常预兆(即故障预兆)。此外，预兆检测控制器82内置有基于传感器数据的变动来检测异常预兆的发生的预兆检测程序。
另外，预兆检测控制器82具有与基板处理装置用控制器58直接连接的系统和经由DCU126与基板处理装置用控制器58连接的系统这2个系统。因此，在由预兆检测控制器82检测到异常预兆的情况下，能够不经由DCU126而直接向基板处理装置用控制器58输出信号，产生警报，并且将设置于确认到异常预兆的部件的传感器的传感器数据的信息显示于显示部118(参照图3)的画面。
各种传感器类124是设置于基板处理装置10及其附带设备上设置的各种部件的传感器(例如压力传感器70、温度传感器106等)，检测各部件的流量、浓度、温度、湿度(露点)、压力、电流、电压、电压、转矩、振动、位置、旋转速度等。
DCU126在工艺制程的执行中收集并蓄积各种传感器类124的数据。另外，EC128根据传感器的种类根据需要暂时获取传感器数据，对原始数据施加快速傅里叶变换(FastFourier Transform，以下简称为FFT)等处理后，发送至预兆检测控制器82。
另外，各种传感器类124被分为发送路径不同的第一传感器系统124A和第二传感器系统124B。第一传感器系统124A是以0.1秒为单位实时地获取原始数据的系统，从第一传感器系统124A经由基板处理装置用控制器58以及DCU126向预兆检测控制器82实时地发送原始数据。该第一传感器系统124A例如包括温度传感器、压力传感器、气体流量传感器等传感器。
另一方面，第二传感器系统124B是在EC128中实施FFT等处理而仅取出解析所需的部分，并以加工后的文件形式发送数据的系统，从第二传感器系统124B经由EC128向预兆检测控制器82发送加工后的数据。该第二传感器系统124B例如包括加速度传感器75。来自加速度传感器75的振动数据以毫秒为单位被蓄积，因此能够捕捉微小的变化。例如，即使振动自身的大小相同，有时振动的大小也按每个频率而不同，在该情况下，也能够根据频率分布来捕捉毫秒单位(例如0.1秒)的振动的微小变化。由此，能够掌握发生故障之前的数据变动，因此能够进行异常预兆。
来自加速度传感器75的振动数据以毫秒为单位被蓄积，因此数据量变得庞大，若直接将数据发送到预兆检测控制器82，则导致预兆检测控制器82的存储部容量的大量消耗。该振动数据进行FFT等处理后用于解析，因此通过预先在EC128中实施该处理，能够减少信息量，并且作为容易解析的数据的形式向预兆检测控制器82发送。
以下，对作为使用了上述控制系统的基板处理装置10的部件的真空泵74的异常预兆判断工序的实施方式进行具体说明。
[构成非正常度的原始数据]
基板处理的序列例如由基板16向处理室86内的搬入、处理室86内的抽真空、升温、利用惰性气体的吹扫、升温等待、基板16的处理(例如成膜)、处理室86内的气体置换、恢复到大气压、处理后的基板16的搬出等具有各种目的的多个事件构成。另外，上述事件是基板处理序列的一例，存在各事件被进一步细致地分割的情况。
在本实施方式中，不使用序列中的全部传感器数据，而将这些事件中的1个以上的特定事件中的1个以上的传感器的值用作计算算法内的数值指标即“非正常度”的原始数据。另外，监视每个批次的非正常度值，检测基板处理装置10的各部件的异常预兆。这样，通过仅使用特定事件的数据，能够节约数据蓄积量。
例如，部件的异常预兆检测成为在对部件施加较大的负荷的定时容易检测的状态。使处理室86的压力从大气压减压至预定压力的步骤、即开始抽真空时、或开始抽真空后几分钟的接近大气压的压力带相当于对部件施加较大的负荷的定时。
另外，基板处理装置10由1台负责多个工序，有时会混入成膜条件不同等不同的处理制程而进行开工。由于在基板16成膜时原料气体流动，因此有时原料气体发生反应或热分解而生成固态物，其有时对部件施加负荷，因此在成膜事件中进行监视对于异常预兆检测也是有效的。
另一方面，若成膜事件混有不同的批次(Run)，则在不同的成膜事件彼此之间条件不同，因此难以直接进行比较，仅在成膜事件相同的成膜事件彼此之间监视经时变化，监视对象分散，有可能难以理解倾向。
上述的基板处理前的抽真空的事件即使之后的基板处理事件不同，也大多是共通的。即，即使在同一装置中开工多个不同的成膜条件的制程的情况下，通过监视在该各批次中共同的抽真空开始时的状态而取得传感器数据，也能够不依赖于基板处理内容而知道同一状态的经时变化，能够进行高精度的预测。
另外，也可以在与成膜工序中不同的晶舟卸载工序中监视部件的旋转频率。
[非正常度的计算例]
在此，分别示出了在使用加速度传感器75的传感器数据的情况下的非正常度的计算例。
首先，在使用加速度传感器75的传感器数据(振动数据)来判断有无异常的预兆的情况下，如图6所示，成为以下的步骤。
(1)取得构成工艺制程的各步骤中的指定步骤、例如第一批的传感器数据中的由加速度传感器75检测的振动数据(原始数据)。在本实施方式中，加速度传感器75的振动数据分别针对X轴、Y轴、Z轴取得，成为3轴方向各自的振动数据。
(2)针对所取得的X轴、Y轴、Z轴各自的时序的振动数据，按照每个采样时间进行FFT处理。对采样时间(在本实施方式中作为一例为0.1秒)内的全体振动数据进行FFT处理。
(3)在每次FFT处理时，取得部件的转子的旋转频率(每1秒的转速)的频率(以下称为基准频率)下的振动的大小(以下称为“旋转频率功率谱”)和部件的转子的旋转频率的2倍的频率(以下称为对比频率)下的振动的大小(以下称为“2次高次谐波功率谱”)。此外，部件的转子的旋转频率使用在指定步骤中控制该部件的旋转频率。
(4)在每次FFT处理时，计算旋转频率功率谱与2次高次谐波功率谱之比(旋转频率功率谱/2次高次谐波功率谱，以下称为“功率谱比”)。
(5)监视计算出的功率谱比的推移。
(6)在功率谱比超过预先设定的阈值(在本实施方式中，作为一例为100)的情况下，检测为有异常预兆。基于正常时的该指定步骤中的功率谱比、过去的异常发生数据来设定该阈值(异常预兆阈值)。此外，针对从X轴、Y轴、Z轴各自的数据得到的功率谱比，分别设定该阈值。所设定的阈值可以相同，也可以不同。
在图7A～图7C中示出了根据图6的指定步骤的振动数据求出的功率谱比的推移的图表。图7A是X轴的图表，图7B是Y轴的图表，图7C是Z轴的图表。功率谱比的数据数N能够得到采样时间数，能够捕捉每个采样时间(在本实施方式中为每0.1秒)的细微的功率谱比的变化。由此，能够在部件停止前的适当的定时进行异常检测。
在图7A～图7C中，对X轴、Y轴、Z轴分别设定了阈值100，但也可以设定其他阈值。例如，能够对X轴、Y轴设定阈值100，对Z轴设定阈值200。这样，通过对各轴单独地设定阈值，能够根据由方向引起的振动产生的特征来进行适当的判断。
另外，在对X轴、Y轴、Z轴分别进行有异常预兆的判断的情况下，也可以对超过阈值的次数设置限制。即，分别设定超过功率谱比的阈值的次数，在成为设定的次数以上的情况下，判断为有异常预兆。例如，在图7A的图表中，有2次的阈值以上样本，在进行了2次以上的次数设定的情况下，判断为有异常预兆，在进行了3次以上的次数设定的情况下，不判断为有异常预兆。关于该次数的设定，也能够在X轴、Y轴、Z轴上单独地进行，既可以设定相同次数，也可以设定不同的次数。例如，能够设定为X轴2次、Y轴1次、Z轴10次。这样，通过设置次数限制，能够去除由突发的噪声等引起的数据的抖动，进行适当的判断。
作为一例，振动数据中的有异常预兆的判断能够通过以下的不同方法来进行。
(1)X轴、Y轴、Z轴中的1个超过了阈值的情况下，判断为有异常预兆。
(2)X轴、Y轴、Z轴中的2个轴超过了阈值的情况下，判断为有异常预兆。
(3)X轴或Z轴超过了阈值的情况下，判断为有异常预兆(即使Y轴超过了阈值也不判断为有异常预兆)。在该情况下，也可以不对未被选择的轴(Y轴)设置阈值，而仅进行监视。
关于有异常预兆的判断，通过选择(1)、(2)，能够去除由突发的噪声等引起的数据的抖动，进行适当的判断。
通过对有异常预兆的判断选择(3)，能够将关于转子的旋转轴方向的振动的信息从异常预兆的判断中排除。如图7B所示，转子的旋转轴(Y轴)方向的振动具有与其他方向的振动不同的特征，因此通过从异常预兆的判断中排除，能够进行适当的判断。
[异常预兆检测的解析画面的显示]
异常预兆检测的解析画面能够由基板处理装置用控制器58的显示部118(参照图3)显示。因此，能够目视非正常度的推移和阈值、以及超过阈值的次数等，能够以非正常度确认部件的消耗状态。
(作用、效果)
根据上述实施方式，基板处理装置10具备检测部件的异常预兆的控制系统，利用该控制系统检测部件的异常预兆，从而能够获知成为其对象的部件的更换时期或维护时期之前的适当的时期。
由此，能够在部件发生故障之前进行更换等应对，并且能够通过将部件使用至即将发生故障之前来降低更换频率。另外，通过防止基板处理中的故障，能够实现装置运转率的提高、产品(基板16)成品率降低的防止、以及无用的维护时间的削减。
另外，根据上述实施方式，检测异常预兆的预兆检测控制器82与基板处理装置用控制器58连接。因此，能够限定于容易检测异常预兆的特定的基板处理序列来取得、分析数据。
另外，根据上述实施方式，能够与基板处理工序并行地执行振动数据的取得工序和异常预兆检测工序，能够实时地检测部件的异常预兆。
另外，关于部件的故障预兆检测，在指定步骤中，按照每个采样时间对振动数据进行FFT处理而得到功率谱比的数据。因此，在指定步骤内，能够较多地(以进行了FFT处理的次数)取得部件的异常预兆的指标。由此，能够捕捉指定步骤、工序内的细微的功率谱比的变化。
此外，在本实施方式中，将部件的旋转频率的振动的功率谱和其2倍的旋转频率的功率谱之比作为非正常度的指标，但并不限定于此。也可以将部件的旋转频率的振动的功率谱与其2倍、3倍等整数倍的旋转频率的功率谱之比作为非正常度的指标。
(其他实施方式)
在上述的实施方式中，对将加速度传感器75设置于真空泵74的例子进行了说明，但设置加速度传感器的位置并不限定于此。加速度传感器也能够安装于构成基板处理装置10的其他构成部件，取得振动数据，检测所安装的各构成部件的异常预兆。此外，获取振动数据来检测异常预兆的一系列流程与上述的实施方式相同，在此省略说明。
例如，对如下情况进行说明：将加速度传感器75如上述那样安装于真空泵74，并且将加速度传感器75A安装于在晶舟36(基板保持件)与晶圆盒18(基板收纳器)之间搬送基板(晶圆)16的基板移载机构34，将加速度传感器75B安装于使晶舟36升降的晶舟升降机38，将加速度传感器75C安装于使晶舟36旋转的旋转机构46。
如图8所示，在基板移载机构34安装有加速度传感器75A，在晶舟升降机38安装有加速度传感器75B，在旋转机构46安装有加速度传感器75C。加速度传感器75A～75C分别安装于在基板移载机构34、晶舟升降机38、旋转机构46的驱动时能够测量振动的位置，分别测量正交的3轴方向(X轴、Y轴、Z轴)的振动。
加速度传感器75A～75C与选择器130电连接，将通过测量取得的振动数据向选择器130发送。在选择器130中，根据各工序的定时，切换取得来自加速度传感器75A～75C的振动数据中的哪个振动数据。选择器130与电荷放大器132A、132B、132C分别连接。在电荷放大器132A、132B、132C中，分别处理来自加速度传感器75A～75C的X轴的振动数据、Y轴的振动数据、Z轴的振动数据。电荷放大器132A、132B、132C(将它们统称为“电荷放大器132”)与可编程逻辑控制器(PLC)134连接，PLC134与EC128连接。加速度传感器75A～75C、选择器130、电荷放大器132、PLC134包含于上述的第二传感器系统124B(参照图5)。
接着，参照图9的时序图，对加速度传感器75(安装于真空泵74)、加速度传感器75A(安装于基板移载机构34)、加速度传感器75B(安装于晶舟升降机38)、加速度传感器75C(安装于旋转机构46)中的振动数据的取得进行说明。
在驱动真空泵74时的成膜准备工序S103(抽真空工序S106-1、泄漏检查工序S106-2)时，进行来自加速度传感器75的振动数据的取得。特别优选的是，使处理室86的压力从大气压减压至预定压力的步骤、即抽真空开始时、抽真空开始后几分钟的接近大气压的压力带成为对部件施加较大负荷的定时，容易检测真空泵74中的异常，取得振动数据。另外，在成膜准备工序S103中，即使之后的基板处理事件不同，由于共通的情况较多，因此优选取得此处的振动数据。
在基板移载机构34的驱动时进行来自加速度传感器75A的振动数据(移载部件振动数据)的取得。具体而言，在将基板16装填于晶舟36的处理(装填)(S102-1)时、以及将基板16从晶舟36上卸下的处理(取出)(S106-2)时进行。另外，也可以仅在装填或取出中的任意一方时进行。
在晶舟升降机38的驱动时进行来自加速度传感器75B的振动数据(升降部件振动数据)的取得。具体而言，在将装填有基板16的晶舟36搬入处理室86的处理(装载)(S102-2)时、以及将载置有形成了薄膜的基板16的晶舟36从处理室86搬出(卸载)(S106-1)时进行。此外，也可以仅在装载或卸载中的任一方时进行。
在旋转机构46的驱动时且晶舟升降机38的非驱动时，进行来自加速度传感器75C的振动数据(旋转部件振动数据)的取得。具体而言，在成膜准备工序S103(抽真空工序S106-1、泄漏检查工序S106-2)时以及成膜工序S104时进行。在成膜工序S104中，向处理室供给的气体的流量等有变化，但认为对旋转机构46的影响较小。此外，也可以仅在成膜准备工序或成膜工序中的任一方时进行。特别是在泄漏检查工序S106-2时，不进行向处理室内的气体的供给、排气而处于稳定的状态，因此优选在泄漏检查工序S106-2时取得振动数据。
来自加速度传感器75A～75C这3个加速度传感器的振动数据在不同的时间被取得，因此能够通过切换使用来共用电荷放大器132和PLC134。另外，能够减少由加速度传感器75A～75C取得的振动数据的蓄积量。
将获取的振动数据用作构成非正常度的原始数据，能够通过上述的图6所示的步骤进行异常预兆检测。
这样，取得来自加速度传感器75(安装于真空泵74)、加速度传感器75A(安装于基板移载机构34)、加速度传感器75B(安装于晶舟升降机38)、加速度传感器75C(安装于旋转机构46)的振动数据，与基板处理工序并行地执行振动数据的取得工序和异常预兆检测工序，由此能够实时地检测各部件的异常预兆。
(其他)
以上，具体说明了本公开的实施方式，但本公开并不限定于上述的实施方式，在不脱离其主旨的范围内能够进行各种变更。
例如，在上述的实施方式中，对在基板16上形成薄膜的例子进行了说明。但是，本公开并不限定于这样的方式，例如在对形成于基板16上的薄膜等进行氧化处理、扩散处理、退火处理以及蚀刻处理等处理的情况下，也能够适当地应用。
另外，在上述的实施方式中，对使用具有热壁型的处理炉44的基板处理装置10来形成薄膜的例子进行了说明，但本公开并不限定于此，也能够适当地应用于使用具有冷壁型的处理炉的基板处理装置来形成薄膜的情况。而且，在上述的实施方式中，对使用一次处理多片基板16的批量式的基板处理装置10来形成薄膜的例子进行了说明，但本公开并不限定于此，例如，在使用一次处理1片或数片基板16的单片式的基板处理装置来形成薄膜的情况下，也能够适当地应用。
另外，本公开不限于上述实施方式的基板处理装置10那样的对半导体基板进行处理的半导体制造装置等，也能够应用于对玻璃基板进行处理的LCD(Liquid CrystalDisplay：液晶显示器)制造装置。
符号说明
10 基板处理装置、
16 基板、
86 处理室、
74 真空泵、
75 加速度传感器(振动传感器)、
82 预兆检测控制器(振动数据取得部、异常预兆检测部)。

Claims (20)

1.一种半导体装置的制造方法，执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板，其特征在于，
所述半导体装置的制造方法具有如下工序：
振动数据取得工序，在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及
异常预兆检测工序，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
基于对所述振动数据进行快速傅立叶变换处理而得的结果来取得所述部件的旋转频率下的振动的大小以及所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述快速傅立叶变换处理的采样时间是进行所述快速傅立叶变换处理的时序数据的整体时间。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述对比频率是所述部件的旋转频率的2倍的二次旋转频率。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述异常预兆检测工序中，在超过预先设定的次数地超过所述异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
6.根据权利要求1-5中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述振动传感器是能够分别测量相互正交的X轴、Y轴、Z轴这3个轴方向的振动的加速度传感器。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
构成为能够分别针对所述X轴、Y轴、Z轴这3个轴方向检测所述部件的异常预兆。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
针对所述X轴、Y轴、Z轴的多个轴分别单独地设定所述异常预兆阈值。
9.根据权利要求6-8中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述Z轴配置在沿着铅垂轴的方向上，所述Y轴配置在沿着所述部件的转子的旋转轴的方向上。
10.根据权利要求6-9中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述异常预兆检测工序中，从检测异常预兆的数据中排除沿着所述部件的转子的旋转轴的方向的振动。
11.根据权利要求6-10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
在所述异常预兆检测工序中，在沿着多个轴的振动数据中检测到有异常预兆的情况下，发出警告。
12.一种异常预兆检测方法，其特征在于，具有如下工序：
从振动传感器取得对处理基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据的工序；以及
监视所述部件的振动来检测异常预兆的异常预兆检测工序，
在所述异常预兆检测工序中，基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
13.一种异常预兆检测程序，由执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板的基板处理装置执行，其特征在于，
所述异常预兆检测程序使所述基板处理装置执行具有如下步骤的程序：
在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及
基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，判断为有异常预兆。
14.一种基板处理装置，其执行包括多个步骤的工艺制程来处理基板，其特征在于，
所述基板处理装置具有：
振动数据取得部，其在执行所述工艺制程的同时，从振动传感器取得对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的部件的振动数据；以及
异常预兆检测部，其基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小的比率超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆。
15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
基板处理工序，其至少包括将基板向处理室内搬入的基板搬入工序、在所述处理室中在所述基板上成膜的成膜工序、以及将所述基板向所述处理室外搬出的基板搬出工序；
振动数据取得工序，从振动传感器取得构成半导体装置的构成部件中的至少一个部件的振动数据；以及
异常预兆检测工序，基于所取得的所述部件的振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆，
所述半导体装置的制造方法与所述基板处理工序的执行并行地执行所述振动数据取得工序以及所述异常预兆检测工序中的至少一方。
16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述基板处理工序还包括将所述基板装填于基板保持件的工序以及将所述基板从该基板保持件卸下的工序中的至少一方。
17.根据权利要求15或16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述构成部件构成为选择对处理所述基板的处理室的气氛进行排气的排气部件、在基板保持件与基板收容器之间搬送所述基板的搬送部件、使所述基板保持件升降的升降部件、使所述基板保持件旋转的旋转部件中的至少一个以上。
18.一种由基板处理装置执行的异常预兆检测程序，其使所述基板处理装置执行至少包括将基板向处理室内搬入的基板搬入步骤、在所述处理室中在所述基板上成膜的成膜步骤、以及将所述基板向所述处理室外搬出的基板搬出步骤的基板处理步骤来对基板进行处理，其特征在于，
所述异常预兆检测程序具有如下步骤：
从振动传感器取得构成装置的构成部件中的至少一个部件的振动数据的步骤；以及
基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小之比超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，判断为有异常预兆的步骤，
所述异常预兆检测程序使所述基板处理装置与所述基板处理步骤的执行并行地执行从所述振动传感器取得的步骤以及判断为有所述异常预兆的步骤中的至少一方。
19.一种基板处理装置，其执行至少包括将基板向处理室内搬入的基板搬入工序、在所述处理室中在所述基板上成膜的成膜工序、以及将所述基板向所述处理室外搬出的基板搬出工序的基板处理工序来处理基板，其特征在于，
所述基板处理装置具有：振动数据取得部，其从振动传感器取得构成装置的构成部件中的至少一个部件的振动数据；以及
异常预兆检测部，其基于所取得的所述振动数据，在所述部件的旋转频率下的振动的大小与所述旋转频率的整数倍的对比频率下的振动的大小的比率超过预先设定的异常预兆阈值的情况下，检测为有异常预兆，
所述基板处理装置具备控制部，其与所述基板处理工序的执行并行地执行由所述振动数据取得部进行的振动数据取得以及所述异常预兆检测部中的异常检测中的至少一方。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述振动数据取得部在将所述基板向基板保持件装填时以及将所述基板从基板保持件卸下时的至少一方时取得所述振动数据作为移载部件振动数据，在使所述基板保持件升降时取得所述振动数据作为升降部件振动数据，在所述基板保持件的旋转时且所述基板保持件的非升降时取得所述振动数据作为旋转部件振动数据。
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