JP2018503975A - 通気後の好ましい圧力におけるロードロックドアバルブの開放のためのシステム及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000013022 venting Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 abstract description 39
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 13
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 9
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 230000001914 calming effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Automation & Control Theory (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
DVentStop=[(PDoorOpen+PBurstTarget)−PSubATM]/RSubATM
ここで、PDoorOpenはドアが最後に開いたときからの最新の差圧測定値であり、理論的にはゼロとなるべきものである。PBurstTargetは圧力バースト目標であり、約4Torrとされ、これは、顧客またはツールオペレータによって設定された許容バースト範囲の中間点として計算されうる。PSubATMは、この計算が実行される時点で予め選択された差圧であって、上述のとおり約−50Torrであり、RSubATMはこの時点におけるTorr/秒単位の圧力上昇率である。この計算はまた、通気バルブの空気圧の応答遅れと計測器のフィルタリング遅れを考慮に入れるために、小さな負のオフセットを含むことがある。
DBurstAdjust=(PBurst−PBurstTarget)/RSubATM
TVentStopCalculated=[(PDoorOpen+PBurstTarget)−PSubATM]/RSubATM
DVentStop=TVentStopCalculated−DBurst_Adjust
DVentStopNew=0.5*(DVentStop+DVentStopOld)
DVentStopは実際に測定された圧力バーストの直後に実行されるため、次回の精度向上のために圧力バーストの大きさ及び方向を含めることができる。本方法は、PBurstを測定し、次の通気サイクルの圧力バースト目標PBurstTargetに近づけるように新しいDVentStop遅延を修正することによって、異常に大きな圧力バーストを自動補正する。標準的な自動補正フィルタリングは、このPBurstの一部を用いて新しいDVentStopを修正することでのみ行うことができる。本システムは、PBurstが許容可能なバースト範囲外にあるドア開放が連続する数もまた計測する。
Claims (15)
- 半導体処理ツールのロードロックチャンバを通気するための方法であって、
通気バルブを介して前記ロードロックチャンバにガスを供給するステップと、
前記ガスが供給されている間に前記ロードロックチャンバ内の圧力上昇率を測定するステップと、
測定された圧力上昇率に基づき前記通気バルブを無効にする時間を定義する通気停止遅延時間を決定するステップと、
前記通気停止遅延時間後に前記通気バルブを閉鎖するステップと、
前記ロードロックチャンバのドアを開放するステップを含み、当該ドアが開放されるときに圧力バーストを生じさせる、方法。 - 前記測定するステップは、前記ロードロックチャンバと大気との差圧が所定の値に達したときに行われる、請求項1に記載の方法。
- 請求項2に記載の方法であって、
前記通気バルブを前記閉鎖するステップと前記ドアを前記開放するステップとの間の整定遅延を待つステップと
前記整定遅延中に前記差圧を監視するステップと、
をさらに含む、方法。 - 前記差圧が圧力バースト目標を下回った場合に、前記整定遅延の前に前記ドアを開放するステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記ドアが開放される前に、前記ロードロックチャンバと大気との差圧を決定することによって、前記圧力バーストの大きさ及び方向を測定する、請求項1に記載の方法。
- 前記圧力バーストの前記大きさ及び方向を圧力バースト目標と比較し、前記圧力バースト目標と前記圧力バーストとの前記大きさ及び方向の比較に基づいて、前記通気停止遅延時間を変更する、請求項5に記載の方法。
- 前記測定された圧力上昇率が所定の反復性範囲内にある場合、前記通気停止遅延時間の以前の値を使用する、請求項1に記載の方法。
- 前記測定された圧力上昇率が前記所定の反復性範囲外にある場合、前記通気停止遅延時間の新しい値を計算する、請求項7に記載の方法。
- ドアを有するロードロックチャンバと、
通気バルブを介して前記ロードロックチャンバと連携するガスの出力源と、
前記ロードロックチャンバと大気との差圧を測定するために前記ロードロックチャンバに設けられた圧力センサと、
コントローラと、を備え、
当該コントローラは、
前記ガスを前記ロードロックチャンバに供給するために前記通気バルブを作動させ、
前記ガスが供給されている間に前記圧力センサを用いて前記ロードロックチャンバ内の圧力上昇率を測定し、
測定された圧力上昇率に基づき、前記通気バルブを無効にする時間を定義する、通気停止遅延時間を決定し、
前記通気停止遅延時間後に前記通気バルブを閉鎖し、
前記ロードロックチャンバの前記ドアを開放し、当該ドアが開放されたときに圧力バーストを生じさせる、コントローラである、
ロードロックシステム。 - 前記ドアが開放される前に前記ロードロックチャンバと大気との前記差圧に基づいて前記コントローラによって前記圧力バーストの大きさ及び方向が測定され、前記コントローラは、前記圧力バーストの大きさ及び方向を圧力バースト目標と比較し、前記コントローラは前記圧力バーストと前記圧力バースト目標との前記大きさ及び方向の比較に基づいて前記通気停止遅延時間を変更する、請求項9に記載のロードロックシステム。
- 前記通気停止遅延時間は、前記通気停止遅延時間と、前記圧力バーストの前記大きさ及び方向と、前記圧力バースト目標との間の数学的関係に従って変更される、請求項10に記載のロードロックシステム。
- 前記コントローラは前記通気停止遅延時間を記憶し、前記測定された圧力上昇率が所定の反復性範囲内にある場合、前記通気停止遅延時間の予め記憶された値が使用される、請求項9に記載のロードロックシステム。
- 前記測定された圧力上昇率が前記反復性範囲外にある場合、前記通気停止遅延時間の新しい値が前記コントローラによって計算される、請求項12に記載のロードロックシステム。
- 非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、命令を記憶し、当該命令がコントローラによって実行されると、当該コントローラは、
通気バルブを作動させてガスをロードロックチャンバに供給し、
前記ガスが供給されている間に圧力センサを用いて前記ロードロックチャンバ内の圧力上昇率を測定し、
測定された圧力上昇率に基づいて、前記通気バルブを無効にする時間を定義する通気停止遅延時間を決定し、
前記通気停止遅延時間後に前記通気バルブを閉鎖し、
前記ロードロックチャンバのドアを開放し、当該ドアが開放されるときに圧力バーストを生じさせる、コンピュータ可読記憶媒体。 - 請求項14に記載の非一時的なコンピュータ可読記憶媒体であって、さらに命令を記憶し、当該命令が前記コントローラによって実行されると、前記コントローラは、
前記圧力バーストの大きさ及び方向を圧力バースト目標と比較し、
前記圧力バーストと前記圧力バースト目標との前記大きさ及び方向の比較に基づいて前記通気停止遅延時間を変更する、コンピュータ可読記憶媒体。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462086004P | 2014-12-01 | 2014-12-01 | |
US62/086,004 | 2014-12-01 | ||
US14/622,271 US9817407B2 (en) | 2014-12-01 | 2015-02-13 | System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting |
US14/622,271 | 2015-02-13 | ||
PCT/US2015/061275 WO2016089600A1 (en) | 2014-12-01 | 2015-11-18 | System and method of opening a load lock door valve at a desired pressure after venting |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503975A true JP2018503975A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018503975A5 JP2018503975A5 (ja) | 2018-12-06 |
JP6596496B2 JP6596496B2 (ja) | 2019-10-23 |
Family
ID=56079618
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017528150A Active JP6596496B2 (ja) | 2014-12-01 | 2015-11-18 | ロードロックチャンバを通気する方法、ロードロックシステム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9817407B2 (ja) |
JP (1) | JP6596496B2 (ja) |
KR (1) | KR102311940B1 (ja) |
CN (1) | CN107004620B (ja) |
TW (1) | TWI664689B (ja) |
WO (1) | WO2016089600A1 (ja) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016089600A1 (en) | 2016-06-09 |
CN107004620A (zh) | 2017-08-01 |
TW201633423A (zh) | 2016-09-16 |
US20160155653A1 (en) | 2016-06-02 |
JP6596496B2 (ja) | 2019-10-23 |
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KR102311940B1 (ko) | 2021-10-13 |
TWI664689B (zh) | 2019-07-01 |
US9817407B2 (en) | 2017-11-14 |
KR20170088980A (ko) | 2017-08-02 |
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