JPH11162934A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH11162934A JPH11162934A JP32154697A JP32154697A JPH11162934A JP H11162934 A JPH11162934 A JP H11162934A JP 32154697 A JP32154697 A JP 32154697A JP 32154697 A JP32154697 A JP 32154697A JP H11162934 A JPH11162934 A JP H11162934A
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハからの腐食性アウトガスをアンロー
ダ室内に広がらないように排出して、アンローダ室及び
排気管等が腐食するのを防止し、この腐食を要因とする
設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止できる半導
体製造装置を提供する。 【解決手段】 処理室１１で処理された後のウェーハＷ
を搬出するためのアンローダ室１２を備え、アンローダ
室１２にウェーハＷに付着したウェーハ処理用ガスａを
吸引排気する排気路が設けられた半導体製造装置におい
て、排気路の排気吸引口１４をアンローダ室１２内に移
送されたウェーハＷの近傍に開口し、アンローダ室１２
内にパージガスｂを導入するガス導入路１５を設置し
た。
ダ室内に広がらないように排出して、アンローダ室及び
排気管等が腐食するのを防止し、この腐食を要因とする
設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止できる半導
体製造装置を提供する。 【解決手段】 処理室１１で処理された後のウェーハＷ
を搬出するためのアンローダ室１２を備え、アンローダ
室１２にウェーハＷに付着したウェーハ処理用ガスａを
吸引排気する排気路が設けられた半導体製造装置におい
て、排気路の排気吸引口１４をアンローダ室１２内に移
送されたウェーハＷの近傍に開口し、アンローダ室１２
内にパージガスｂを導入するガス導入路１５を設置し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
関し、特に、アンローダ室内に移送されたウェーハの近
傍に排気路の排気吸引口を開口すると共にアンローダ室
内にパージガスを導入するパージガス導入路を設置し
て、ウェーハに付着したウェーハ処理用ガスがアンロー
ダ室内に広がらないように排出して装置の腐食を防止す
る半導体製造装置に関するものである。
関し、特に、アンローダ室内に移送されたウェーハの近
傍に排気路の排気吸引口を開口すると共にアンローダ室
内にパージガスを導入するパージガス導入路を設置し
て、ウェーハに付着したウェーハ処理用ガスがアンロー
ダ室内に広がらないように排出して装置の腐食を防止す
る半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造プロセスにおいて、ウ
ェーハ上への薄膜形成等のために、ＣＶＤやスパッタあ
るいは蒸着やエッチング等の反応ガスを用いて各種処理
を施す半導体製造装置が知られている。このような半導
体製造装置は、ＣＶＤやスパッタ、エッチング等を行う
処理室を有し、この処理室で処理された後のウェーハを
搬出するためのアンローダ室を備え、このアンローダ室
にはウェーハに付着したウェーハ処理用ガスを吸引排気
する排気路が設けられている。
ェーハ上への薄膜形成等のために、ＣＶＤやスパッタあ
るいは蒸着やエッチング等の反応ガスを用いて各種処理
を施す半導体製造装置が知られている。このような半導
体製造装置は、ＣＶＤやスパッタ、エッチング等を行う
処理室を有し、この処理室で処理された後のウェーハを
搬出するためのアンローダ室を備え、このアンローダ室
にはウェーハに付着したウェーハ処理用ガスを吸引排気
する排気路が設けられている。
【０００３】図２に示すように、この半導体製造装置の
アンローダ室１は、処理室２に隣接して配置され、アン
ローダ室１の例えば上面端部に、処理室２から移送され
たウェーハＷに付着したウェーハ処理用ガスａを吸引排
気する排気管３が設けられている。このアンローダ室１
及び排気管３等は、金属部材により形成されている。ウ
ェーハ処理用ガスａは、例えばエッチング装置の場合、
ＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスが使
用される。この腐食性ガスは、エッチング加工の際にウ
ェーハＷの表面に付着するが、エッチング加工後に処理
室２内で行われる雰囲気ガスの除去により取り除かれ
る。
アンローダ室１は、処理室２に隣接して配置され、アン
ローダ室１の例えば上面端部に、処理室２から移送され
たウェーハＷに付着したウェーハ処理用ガスａを吸引排
気する排気管３が設けられている。このアンローダ室１
及び排気管３等は、金属部材により形成されている。ウ
ェーハ処理用ガスａは、例えばエッチング装置の場合、
ＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスが使
用される。この腐食性ガスは、エッチング加工の際にウ
ェーハＷの表面に付着するが、エッチング加工後に処理
室２内で行われる雰囲気ガスの除去により取り除かれ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウェー
ハＷの表面に付着した腐食性ガスを、処理室２内で行わ
れる雰囲気ガスの除去により完全に取り除くことは困難
であり、ウェーハＷはその表面の膜やレジストに腐食性
ガスが残ったままでアンローダ室１に移送されてしま
う。このため、ウェーハＷに付着して残った腐食性ガス
が発散してアウトガスとなりこのアウトガスにより、金
属部材からなるアンローダ室１や排気管３等が腐食して
しまう。この腐食による錆等が設備のトラブル或いはデ
バイス汚染等を引き起こす要因となる。このような錆が
ダストとなって設備に付着して設備のトラブルが発生す
るのを防止するためには、定期的にダスト除去のための
クリーニングを行わなければならず、クリーニング時の
設備の運転停止により製造効率の低下を招く。また、デ
バイスが汚染されると、デバイス不良が発生し歩留り低
下を招く。
ハＷの表面に付着した腐食性ガスを、処理室２内で行わ
れる雰囲気ガスの除去により完全に取り除くことは困難
であり、ウェーハＷはその表面の膜やレジストに腐食性
ガスが残ったままでアンローダ室１に移送されてしま
う。このため、ウェーハＷに付着して残った腐食性ガス
が発散してアウトガスとなりこのアウトガスにより、金
属部材からなるアンローダ室１や排気管３等が腐食して
しまう。この腐食による錆等が設備のトラブル或いはデ
バイス汚染等を引き起こす要因となる。このような錆が
ダストとなって設備に付着して設備のトラブルが発生す
るのを防止するためには、定期的にダスト除去のための
クリーニングを行わなければならず、クリーニング時の
設備の運転停止により製造効率の低下を招く。また、デ
バイスが汚染されると、デバイス不良が発生し歩留り低
下を招く。
【０００５】本発明は、上記従来技術を考慮してなされ
たものであって、ウェーハからの腐食性アウトガスをア
ンローダ室内に広がらないように排出して、アンローダ
室及び排気管等が腐食するのを防止し、この腐食を要因
とする設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止でき
る半導体製造装置の提供を目的とする。
たものであって、ウェーハからの腐食性アウトガスをア
ンローダ室内に広がらないように排出して、アンローダ
室及び排気管等が腐食するのを防止し、この腐食を要因
とする設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止でき
る半導体製造装置の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、処理室で処理された後のウェー
ハを搬出するためのアンローダ室を備え、該アンローダ
室に前記ウェーハに付着したウェーハ処理用ガスを吸引
排気する排気路が設けられた半導体製造装置において、
該排気路の排気吸引口を前記アンローダ室内に移送され
たウェーハの近傍に開口し、前記アンローダ室内にパー
ジガスを導入するパージガス導入路を設置したことを特
徴とする半導体製造装置を提供する。
め、本発明においては、処理室で処理された後のウェー
ハを搬出するためのアンローダ室を備え、該アンローダ
室に前記ウェーハに付着したウェーハ処理用ガスを吸引
排気する排気路が設けられた半導体製造装置において、
該排気路の排気吸引口を前記アンローダ室内に移送され
たウェーハの近傍に開口し、前記アンローダ室内にパー
ジガスを導入するパージガス導入路を設置したことを特
徴とする半導体製造装置を提供する。
【０００７】上記構成によれば、ウェーハがアンローダ
室に移送されると、パージガス導入路からウェーハに向
けてパージガスがアンローダ室内に導入され、また、排
気吸引口からウェーハの雰囲気ガスが排気路に吸引排気
される。これにより、ウェーハに付着した腐食性ガスを
アンローダ室内に広がらないように排出して、アンロー
ダ室及び排気管等が腐食するのを防止し、この腐食によ
る設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止できる。
室に移送されると、パージガス導入路からウェーハに向
けてパージガスがアンローダ室内に導入され、また、排
気吸引口からウェーハの雰囲気ガスが排気路に吸引排気
される。これにより、ウェーハに付着した腐食性ガスを
アンローダ室内に広がらないように排出して、アンロー
ダ室及び排気管等が腐食するのを防止し、この腐食によ
る設備のトラブル或いはデバイス汚染等を防止できる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体製造装置のアンローダ室の説明図である。
に基づいて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係
る半導体製造装置のアンローダ室の説明図である。
【０００９】図１に示すように、半導体製造装置１０
は、処理室１１に隣接して、処理室１１で処理された後
のウェーハＷを搬出するためのアンローダ室１２を備え
ている。処理室１１では、例えばＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃ
ｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスを使用するエッチング処理
等のウェーハＷの各種処理が行われる。その後、ウェー
ハＷは処理室１１からアンローダ室１２へと移送され
る。
は、処理室１１に隣接して、処理室１１で処理された後
のウェーハＷを搬出するためのアンローダ室１２を備え
ている。処理室１１では、例えばＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃ
ｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスを使用するエッチング処理
等のウェーハＷの各種処理が行われる。その後、ウェー
ハＷは処理室１１からアンローダ室１２へと移送され
る。
【００１０】アンローダ室１２の側面には、排気路とな
る排気管１３が接続される排気吸引口１４が開けられ、
排気管１３は、真空吸引装置（図示しない）に接続され
ている。この排気吸引口１４は、移送されてアンローダ
室１２に配置されたウェーハＷの表面側に近接状態で臨
むように、ウェーハＷの近傍に開口している。なお、排
気吸引口１４は、ウェーハＷの表面側に近接状態で臨む
場所に位置していればよく、図１に示すアンローダ室１
２の場合、４箇所何れの側面に形成されていてもよい。
このため、真空吸引装置の作動により、ウェーハＷに付
着した腐食性ガスからなるウェーハ処理用ガスａを、排
気吸引口１４を介してアンローダ室１２内に拡散する前
に迅速且つ効率良く排気管１３から排気することができ
る。
る排気管１３が接続される排気吸引口１４が開けられ、
排気管１３は、真空吸引装置（図示しない）に接続され
ている。この排気吸引口１４は、移送されてアンローダ
室１２に配置されたウェーハＷの表面側に近接状態で臨
むように、ウェーハＷの近傍に開口している。なお、排
気吸引口１４は、ウェーハＷの表面側に近接状態で臨む
場所に位置していればよく、図１に示すアンローダ室１
２の場合、４箇所何れの側面に形成されていてもよい。
このため、真空吸引装置の作動により、ウェーハＷに付
着した腐食性ガスからなるウェーハ処理用ガスａを、排
気吸引口１４を介してアンローダ室１２内に拡散する前
に迅速且つ効率良く排気管１３から排気することができ
る。
【００１１】また、アンローダ室１２の上面には、移送
されてアンローダ室１２に配置されたウェーハＷに臨ん
で、パージガス導入路となるガス導入管１５の導入口１
６が開口している。ガス導入管１５は、例えば高圧窒素
ガス容器に接続され、バルブ開閉動作により、パージガ
ス（Ｎ2 ガス）ｂがガス導入管１５を介してウェーハＷ
の上方からウェーハＷに向けて吹き出し、アンローダ室
１２内に導入される。この導入口１６は、パージガスｂ
をアンローダ室１２内に導入できる任意の位置に形成さ
れるが、ウェーハＷに向けてパージガスｂが噴出される
位置であることが、アウトガスを効率的に除去するため
には好ましい。
されてアンローダ室１２に配置されたウェーハＷに臨ん
で、パージガス導入路となるガス導入管１５の導入口１
６が開口している。ガス導入管１５は、例えば高圧窒素
ガス容器に接続され、バルブ開閉動作により、パージガ
ス（Ｎ2 ガス）ｂがガス導入管１５を介してウェーハＷ
の上方からウェーハＷに向けて吹き出し、アンローダ室
１２内に導入される。この導入口１６は、パージガスｂ
をアンローダ室１２内に導入できる任意の位置に形成さ
れるが、ウェーハＷに向けてパージガスｂが噴出される
位置であることが、アウトガスを効率的に除去するため
には好ましい。
【００１２】これらアンローダ室１２及び排気管１３
は、耐腐食性の樹脂部材により形成されている。このた
め、アンローダ室１２内にＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，
ＨＢｒ等の腐食性ガスが入り込んでも、アンローダ室１
２及び腐食性ガスを排出する排気管１３が腐食性ガスに
侵されることがない。
は、耐腐食性の樹脂部材により形成されている。このた
め、アンローダ室１２内にＢＣｌ3 ，ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，
ＨＢｒ等の腐食性ガスが入り込んでも、アンローダ室１
２及び腐食性ガスを排出する排気管１３が腐食性ガスに
侵されることがない。
【００１３】上記構成を有する半導体製造装置１０にお
いて、処理対象であるウェーハＷは、エッチング処理等
のウェーハＷの各種処理の後、処理室１１からアンロー
ダ室１２へと移送される。このとき、例えばＢＣｌ3 ，
ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスを使用してエッ
チング処理されたウェーハＷの表面には、腐食性ガスが
付着する。この腐食性ガスは、エッチング処理後に処理
室１１内で行われる雰囲気ガスの除去により取り除かれ
る。
いて、処理対象であるウェーハＷは、エッチング処理等
のウェーハＷの各種処理の後、処理室１１からアンロー
ダ室１２へと移送される。このとき、例えばＢＣｌ3 ，
ＨＣｌ，Ｃｌ2 ，ＨＢｒ等の腐食性ガスを使用してエッ
チング処理されたウェーハＷの表面には、腐食性ガスが
付着する。この腐食性ガスは、エッチング処理後に処理
室１１内で行われる雰囲気ガスの除去により取り除かれ
る。
【００１４】ウェーハＷがアンローダ室１２に移送され
ると、真空吸引装置が作動するとともに、ガス導入管１
５からウェーハＷの上面に向けてパージガスｂがアンロ
ーダ室１２内に導入され、排気吸引口１４から腐食性ガ
スを含むウェーハ処理用ガスａからなるウェーハＷの雰
囲気ガスが排気管１３に吸引排気される。即ち、パージ
ガスｂを導入しつつウェーハ処理用ガスａの吸引排気を
行うことにより、アンローダ室１２に移送されたウェー
ハＷに腐食性ガスが付着したまま残っていても、その腐
食性のアウトガスをアンローダ室１２内に拡散する前に
迅速且つ効率良く排気管１３から排出することができ
る。
ると、真空吸引装置が作動するとともに、ガス導入管１
５からウェーハＷの上面に向けてパージガスｂがアンロ
ーダ室１２内に導入され、排気吸引口１４から腐食性ガ
スを含むウェーハ処理用ガスａからなるウェーハＷの雰
囲気ガスが排気管１３に吸引排気される。即ち、パージ
ガスｂを導入しつつウェーハ処理用ガスａの吸引排気を
行うことにより、アンローダ室１２に移送されたウェー
ハＷに腐食性ガスが付着したまま残っていても、その腐
食性のアウトガスをアンローダ室１２内に拡散する前に
迅速且つ効率良く排気管１３から排出することができ
る。
【００１５】また、アンローダ室１２及び排気管１３
は、耐腐食性の樹脂部材により形成されているため、ア
ンローダ室１２及び排気管１３がウェーハＷに付着した
腐食性ガスに侵されることはない。
は、耐腐食性の樹脂部材により形成されているため、ア
ンローダ室１２及び排気管１３がウェーハＷに付着した
腐食性ガスに侵されることはない。
【００１６】アンローダ室１２に移送されたウェーハＷ
は、その後、搬送用容器であるキャリアに収納されて、
次の工程に搬送され或いは保管される。
は、その後、搬送用容器であるキャリアに収納されて、
次の工程に搬送され或いは保管される。
【００１７】このように、上記構成を有する半導体製造
装置１０により、アンローダ室１２に移送されたウェー
ハＷに付着した腐食性ガスをアンローダ室１２に広がら
ないようにアンローダ室１２から迅速且つ効率良く排出
でき、また、アンローダ室１２及び排気管１３が耐腐食
性の樹脂部材により形成されているため、アンローダ室
１２や排気管１３等が腐食するのを防止することができ
る。よって、腐食を要因とする設備のトラブル或いはデ
バイス汚染等を防止でき、定期的にダスト除去のための
クリーニングを行う必要がなく、クリーニング時の設備
の運転停止による製造効率の低下が生じない。また、デ
バイス不良が発生しないので歩留り低下を招かない。
装置１０により、アンローダ室１２に移送されたウェー
ハＷに付着した腐食性ガスをアンローダ室１２に広がら
ないようにアンローダ室１２から迅速且つ効率良く排出
でき、また、アンローダ室１２及び排気管１３が耐腐食
性の樹脂部材により形成されているため、アンローダ室
１２や排気管１３等が腐食するのを防止することができ
る。よって、腐食を要因とする設備のトラブル或いはデ
バイス汚染等を防止でき、定期的にダスト除去のための
クリーニングを行う必要がなく、クリーニング時の設備
の運転停止による製造効率の低下が生じない。また、デ
バイス不良が発生しないので歩留り低下を招かない。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体製造装置によれば、ウェーハがアンローダ室に移送さ
れると、パージガス導入路からウェーハに向けてパージ
ガスがアンローダ室内に導入され、また、排気吸引口か
らウェーハの雰囲気ガスが排気路に吸引排気されるの
で、アンローダ室に移送されたウェーハに付着した腐食
性ガスをアンローダ室内に広がらないように排出でき
る。従って、アンローダ室や排気管等が腐食することを
防止でき、この腐食を要因とする設備のトラブル或いは
デバイス汚染等を防止できる。
体製造装置によれば、ウェーハがアンローダ室に移送さ
れると、パージガス導入路からウェーハに向けてパージ
ガスがアンローダ室内に導入され、また、排気吸引口か
らウェーハの雰囲気ガスが排気路に吸引排気されるの
で、アンローダ室に移送されたウェーハに付着した腐食
性ガスをアンローダ室内に広がらないように排出でき
る。従って、アンローダ室や排気管等が腐食することを
防止でき、この腐食を要因とする設備のトラブル或いは
デバイス汚染等を防止できる。
【図１】 本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の
アンローダ室の説明図。
アンローダ室の説明図。
【図２】 従来の半導体製造装置のアンローダ室の説明
図。
図。
１０：半導体製造装置、１１：処理室、１２：アンロー
ダ室、１３：排気管、１４：排気吸引口、１５：ガス導
入管、１６：導入口、Ｗ：ウェーハ、ａ：ウェーハ処理
用ガス、ｂ：パージガス。
ダ室、１３：排気管、１４：排気吸引口、１５：ガス導
入管、１６：導入口、Ｗ：ウェーハ、ａ：ウェーハ処理
用ガス、ｂ：パージガス。
Claims (2)
- 【請求項１】処理室で処理された後のウェーハを搬出す
るためのアンローダ室を備え、該アンローダ室に前記ウ
ェーハに付着したウェーハ処理用ガスを吸引排気する排
気路が設けられた半導体製造装置において、 該排気路の排気吸引口を前記アンローダ室内に移送され
たウェーハの近傍に開口し、前記アンローダ室内にパー
ジガスを導入するパージガス導入路を設置したことを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記アンローダ室及び前記排気路を樹脂部
材により形成したことを特徴とする請求項１に記載の半
導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32154697A JPH11162934A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32154697A JPH11162934A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11162934A true JPH11162934A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18133778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32154697A Pending JPH11162934A (ja) | 1997-11-21 | 1997-11-21 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11162934A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128341A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の運転方法，基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラム |
| JP2009032877A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送モジュール及び基板処理システム |
| CN106898566A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种半导体加工设备 |
-
1997
- 1997-11-21 JP JP32154697A patent/JPH11162934A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006128341A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の運転方法，基板処理装置の制御方法，基板処理装置，基板処理装置の制御を行うプログラム |
| JP2009032877A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送モジュール及び基板処理システム |
| US8257498B2 (en) | 2007-07-26 | 2012-09-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transfer module and substrate processing system |
| CN106898566A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种半导体加工设备 |
| CN106898566B (zh) * | 2015-12-18 | 2021-03-02 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体加工设备 |
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