JPH09297072A - 温度測定用光ファイバープローブ - Google Patents
温度測定用光ファイバープローブInfo
- Publication number
- JPH09297072A JPH09297072A JP11066896A JP11066896A JPH09297072A JP H09297072 A JPH09297072 A JP H09297072A JP 11066896 A JP11066896 A JP 11066896A JP 11066896 A JP11066896 A JP 11066896A JP H09297072 A JPH09297072 A JP H09297072A
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- JP
- Japan
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- optical fiber
- temperature
- cap
- measured
- heat conductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバーを利用して被測定物の温度測定
を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して正確な温度
測定を行う。 【解決手段】 蛍光物質３を介してウエハ４と接触する
キャップ２の周囲に、断熱空間８を介してキャップ２よ
りも熱伝導率の低いセラミックスカバー７を設け、キャ
ップ２をウエハ４に接触したとき、蛍光物質３の発光強
度の減衰時間からウエハ４の温度を測定する。これによ
り、キャップ２に下方から冷却用ガスとしてのＨｅガス
６が供給されても、Ｈｅガス６はセラミックスカバー７
の存在により直接にキャップ２には接触しない。また、
断熱空間８の存在によりセラミックスカバー７とキャッ
プ２との間に熱伝導が生じるのは防止される。
を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して正確な温度
測定を行う。 【解決手段】 蛍光物質３を介してウエハ４と接触する
キャップ２の周囲に、断熱空間８を介してキャップ２よ
りも熱伝導率の低いセラミックスカバー７を設け、キャ
ップ２をウエハ４に接触したとき、蛍光物質３の発光強
度の減衰時間からウエハ４の温度を測定する。これによ
り、キャップ２に下方から冷却用ガスとしてのＨｅガス
６が供給されても、Ｈｅガス６はセラミックスカバー７
の存在により直接にキャップ２には接触しない。また、
断熱空間８の存在によりセラミックスカバー７とキャッ
プ２との間に熱伝導が生じるのは防止される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、温度測定用光ファ
イバープローブ、特に光ファイバーの先端部に、蛍光物
質を介して被測定物と接触する熱伝導体を取り付けた温
度測定用光ファイバープローブに関する。
イバープローブ、特に光ファイバーの先端部に、蛍光物
質を介して被測定物と接触する熱伝導体を取り付けた温
度測定用光ファイバープローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えばＩＣ、トランジスタ等の半導体装
置あるいは電子部品の製造で実施される微細加工プロセ
スにおいて、薄膜形成のために広く使用されているエッ
チング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置などの半導体製
造装置では、プラズマ雰囲気中で熱処理するウエハの温
度制御に極めて高い精度が要求される。
置あるいは電子部品の製造で実施される微細加工プロセ
スにおいて、薄膜形成のために広く使用されているエッ
チング装置、ＣＶＤ装置、スパッタ装置などの半導体製
造装置では、プラズマ雰囲気中で熱処理するウエハの温
度制御に極めて高い精度が要求される。
【０００３】ここで、高精度の温度制御を行うために
は、熱処理しているウエハの正確な温度測定が必要にな
る。このような温度測定には各種のセンサーを利用した
温度測定装置が用いられるが、測定精度、設置スペース
などの点で優れている、光ファイバーを利用した温度測
定装置が好んで用いられている。
は、熱処理しているウエハの正確な温度測定が必要にな
る。このような温度測定には各種のセンサーを利用した
温度測定装置が用いられるが、測定精度、設置スペース
などの点で優れている、光ファイバーを利用した温度測
定装置が好んで用いられている。
【０００４】図３は従来の光ファイバーを利用した温度
測定装置の主要部である温度測定用光ファイバープロー
ブの構成例を示すものである。
測定装置の主要部である温度測定用光ファイバープロー
ブの構成例を示すものである。
【０００５】図面において、１は光ファイバー、２は該
光ファイバー１の先端部に、蛍光物質３を内部に詰め込
んだ例えばアルミニウムからなるキャップで、このキャ
ップ２は温度測定時に被測定物であるウエハ４に接触さ
れる。キャップ２は被測定物からの熱を効率良く蛍光物
質３に伝導するように働く。ここで、キャップ２と被測
定物であるウエハ４との接触面積は小さくなっている。
光ファイバー１の先端部に、蛍光物質３を内部に詰め込
んだ例えばアルミニウムからなるキャップで、このキャ
ップ２は温度測定時に被測定物であるウエハ４に接触さ
れる。キャップ２は被測定物からの熱を効率良く蛍光物
質３に伝導するように働く。ここで、キャップ２と被測
定物であるウエハ４との接触面積は小さくなっている。
【０００６】５はプローブ導入管、６はこのプローブ導
入管５の下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガ
スである。プローブ導入管５はＨｅガス６の導入管を兼
ねている。なお、Ｈｅガス６に代えて他の冷却用ガスを
用いる場合もある。
入管５の下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガ
スである。プローブ導入管５はＨｅガス６の導入管を兼
ねている。なお、Ｈｅガス６に代えて他の冷却用ガスを
用いる場合もある。
【０００７】このような構成において、プラズマ雰囲気
中でのウエハ４の熱処理中、ウエハ４の熱はキャップ２
に伝導され、更にこの熱は蛍光物質３に伝導されるの
で、蛍光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温
度が測定されるようになっている。
中でのウエハ４の熱処理中、ウエハ４の熱はキャップ２
に伝導され、更にこの熱は蛍光物質３に伝導されるの
で、蛍光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温
度が測定されるようになっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の温度
測定用光ファイバープローブでは、キャップ２と被測定
物であるウエハ４との接触面積が小さい上に、キャップ
２に下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガス６
が接触する構造になっている。このため、Ｈｅガス６が
直接キャップ２に吹き付けられるので、このＨｅガス６
の影響でキャップ２が冷却され、そのため温度測定に誤
差が生ずるという問題があった。
測定用光ファイバープローブでは、キャップ２と被測定
物であるウエハ４との接触面積が小さい上に、キャップ
２に下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガス６
が接触する構造になっている。このため、Ｈｅガス６が
直接キャップ２に吹き付けられるので、このＨｅガス６
の影響でキャップ２が冷却され、そのため温度測定に誤
差が生ずるという問題があった。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決すべくな
されたものであり、光ファイバーを利用して被測定物の
温度測定を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して正
確な温度測定を行うことを目的とする。
されたものであり、光ファイバーを利用して被測定物の
温度測定を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して正
確な温度測定を行うことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明温度測定用光ファ
イバープローブは、光ファイバーの先端部に、蛍光物質
を介して被測定物と接触する熱伝導体を取り付け、上記
熱伝導体を上記被測定物に接触したとき、上記蛍光物質
の発光強度の減衰時間から被測定物の温度を測定するよ
うにした温度測定用光ファイバープローブであって、上
記熱伝導体の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝導率の低い
他の熱伝導体を取り囲むように設けことを特徴とする。
イバープローブは、光ファイバーの先端部に、蛍光物質
を介して被測定物と接触する熱伝導体を取り付け、上記
熱伝導体を上記被測定物に接触したとき、上記蛍光物質
の発光強度の減衰時間から被測定物の温度を測定するよ
うにした温度測定用光ファイバープローブであって、上
記熱伝導体の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝導率の低い
他の熱伝導体を取り囲むように設けことを特徴とする。
【００１１】本発明温度測定用光ファイバープローブに
よれば、蛍光物質を介して被測定物と接触する熱伝導体
の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝導率の低い他の熱伝導
体を取り囲むように設け、熱伝導体を上記被測定物に接
触したときにおける上記蛍光物質の発光強度の減衰時間
から被測定物の温度を測定するようにしたので、光ファ
イバーを利用して被測定物の温度測定を行う場合に、冷
却用ガスの影響を防止して正確な温度測定を行うことが
できる。
よれば、蛍光物質を介して被測定物と接触する熱伝導体
の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝導率の低い他の熱伝導
体を取り囲むように設け、熱伝導体を上記被測定物に接
触したときにおける上記蛍光物質の発光強度の減衰時間
から被測定物の温度を測定するようにしたので、光ファ
イバーを利用して被測定物の温度測定を行う場合に、冷
却用ガスの影響を防止して正確な温度測定を行うことが
できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示実施の形態に
従って詳細に説明する。
従って詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明温度測定用光ファイバープロ
ーブの第１の実施の形態を示す構成図である。
ーブの第１の実施の形態を示す構成図である。
【００１４】図面において、１は光ファイバー、２は該
光ファイバー１の先端部に、蛍光物質３を内部に詰め込
んだ例えばアルミニウムからなるキャップで、このキャ
ップ２は温度測定時に被測定物であるウエハ４に接触さ
れる。キャップ２は被測定物からの熱を効率良く蛍光物
質３に伝導するように働く。ここで、キャップ２と被測
定物であるウエハ４との接触面積は小さくなっている。
光ファイバー１の先端部に、蛍光物質３を内部に詰め込
んだ例えばアルミニウムからなるキャップで、このキャ
ップ２は温度測定時に被測定物であるウエハ４に接触さ
れる。キャップ２は被測定物からの熱を効率良く蛍光物
質３に伝導するように働く。ここで、キャップ２と被測
定物であるウエハ４との接触面積は小さくなっている。
【００１５】５はプローブ導入管、６はこのプローブ導
入管５の下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガ
スである。プローブ導入管５はＨｅガス６の導入管を兼
ねている。なお、Ｈｅガス６に代えて他の冷却用ガスを
用いる場合もある。
入管５の下方から供給される冷却用ガスとしてのＨｅガ
スである。プローブ導入管５はＨｅガス６の導入管を兼
ねている。なお、Ｈｅガス６に代えて他の冷却用ガスを
用いる場合もある。
【００１６】７はキャップ２よりも熱伝導率の低い例え
ばセラミックスからなるセラミックスカバーで、このセ
ラミックスカバー７はキャップ２の周囲に断熱空間８を
介してそれを取り囲むように光ファイバー１に固定され
ている。セラミックスカバー７を構成するセラミックス
は、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、ガラスセラミックス等が用いられる。
ばセラミックスからなるセラミックスカバーで、このセ
ラミックスカバー７はキャップ２の周囲に断熱空間８を
介してそれを取り囲むように光ファイバー１に固定され
ている。セラミックスカバー７を構成するセラミックス
は、例えばアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、ガラスセラミックス等が用いられる。
【００１７】キャップ２を構成するアルミニウム（熱伝
導率；約２３８Ｗ／ｍ・Ｋ）に対して、アルミナ（熱伝
導率：約２０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム（熱伝導
率：約１４０Ｗ／ｍ・Ｋ）、ガラスセラミック（熱伝導
率：約５Ｗ／ｍ・Ｋ）はいづれも低い熱伝導率を有して
いる。
導率；約２３８Ｗ／ｍ・Ｋ）に対して、アルミナ（熱伝
導率：約２０Ｗ／ｍ・Ｋ）、窒化アルミニウム（熱伝導
率：約１４０Ｗ／ｍ・Ｋ）、ガラスセラミック（熱伝導
率：約５Ｗ／ｍ・Ｋ）はいづれも低い熱伝導率を有して
いる。
【００１８】このような構成において、プラズマ雰囲気
中でのウエハ４の熱処理中、ウエハ４の熱はキャップ２
に伝導され、さらにこの熱は蛍光物質３に伝導されるの
で、蛍光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温
度が測定されるようになっている。
中でのウエハ４の熱処理中、ウエハ４の熱はキャップ２
に伝導され、さらにこの熱は蛍光物質３に伝導されるの
で、蛍光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温
度が測定されるようになっている。
【００１９】ここで、本温度測定用光ファイバープロー
ブでは、キャップ２の周囲に断熱空間８を介してキャッ
プ２よりも熱伝導率の低いセラミックスカバー７を設け
るようにしたので、キャップ２に下方からＨｅガス６が
供給されても、Ｈｅガス６はセラミックスカバー７の存
在により直接にキャップ２には接触しない。また、断熱
空間８の存在によりセラミックスカバー８とキャップ２
との間の熱伝導が抑止され、さらにセラミックスカバー
８の熱伝導率はキャップ２のそれよりも低いので、キャ
ップ２の温度への外部要因による影響はなくなる。
ブでは、キャップ２の周囲に断熱空間８を介してキャッ
プ２よりも熱伝導率の低いセラミックスカバー７を設け
るようにしたので、キャップ２に下方からＨｅガス６が
供給されても、Ｈｅガス６はセラミックスカバー７の存
在により直接にキャップ２には接触しない。また、断熱
空間８の存在によりセラミックスカバー８とキャップ２
との間の熱伝導が抑止され、さらにセラミックスカバー
８の熱伝導率はキャップ２のそれよりも低いので、キャ
ップ２の温度への外部要因による影響はなくなる。
【００２０】従って、光ファイバーを利用して被測定物
の温度測定を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して
正確な温度測定を行うことができるようになる。
の温度測定を行う場合に、冷却用ガスの影響を防止して
正確な温度測定を行うことができるようになる。
【００２１】図２は図１に示した温度測定用光ファイバ
ープローブを利用したシステムを示す構成図である。
ープローブを利用したシステムを示す構成図である。
【００２２】図面において、９はチャンバー、１０はこ
のチャンバー９内を真空に排気するための真空ポンプ、
１１はチャンバー９内にプロセスガスを供給するととも
にその流量を制御するプロセスガス流量制御装置であ
る。このプロセスガス流量制御装置１１は、プロセス処
理内容に応じたガスを供給してその流量を制御する。
のチャンバー９内を真空に排気するための真空ポンプ、
１１はチャンバー９内にプロセスガスを供給するととも
にその流量を制御するプロセスガス流量制御装置であ
る。このプロセスガス流量制御装置１１は、プロセス処
理内容に応じたガスを供給してその流量を制御する。
【００２３】１２は電極ジャケット、１３はこの電極ジ
ャケット１２に高周波を印加してチャンバー９内のウエ
ハ４上部の領域にプラズマ１４を発生させる高周波電
源、１５はウエハ４を保持する静電チャック、１６は該
静電チャック１５に直流高電圧（一例として８００ＶＤ
Ｃ）を印加する直流高電圧電源、１７は電極ジャケット
１２の温度を一定に制御する冷却装置である。
ャケット１２に高周波を印加してチャンバー９内のウエ
ハ４上部の領域にプラズマ１４を発生させる高周波電
源、１５はウエハ４を保持する静電チャック、１６は該
静電チャック１５に直流高電圧（一例として８００ＶＤ
Ｃ）を印加する直流高電圧電源、１７は電極ジャケット
１２の温度を一定に制御する冷却装置である。
【００２４】１８はプローブ導入管５内に導入された温
度測定用光ファイバープローブ、１９はプローブ導入管
５内に供給されるＨｅガス６の流量を制御するＨｅガス
流量制御装置、２０は光ファイバー１の後端部に接続さ
れて温度測定用光ファイバープローブ１８によって検出
された温度を測定する光ファイバー温度計である。
度測定用光ファイバープローブ、１９はプローブ導入管
５内に供給されるＨｅガス６の流量を制御するＨｅガス
流量制御装置、２０は光ファイバー１の後端部に接続さ
れて温度測定用光ファイバープローブ１８によって検出
された温度を測定する光ファイバー温度計である。
【００２５】このような構成のシステムにおいて、先ず
チャンバー９内に熱処理すべきウエハ４を配置した状態
で、真空ポンプ１０によってチャンバー９内を真空に排
気した後、プロセスガス流量制御装置１１によってチャ
ンバー９内にプロセスガスを導入する。次に、高周波電
源１３によって電極ジャケット１２に高周波を印加する
ことにより、ウエハ４の上方にプラズマ１４を発生させ
る。
チャンバー９内に熱処理すべきウエハ４を配置した状態
で、真空ポンプ１０によってチャンバー９内を真空に排
気した後、プロセスガス流量制御装置１１によってチャ
ンバー９内にプロセスガスを導入する。次に、高周波電
源１３によって電極ジャケット１２に高周波を印加する
ことにより、ウエハ４の上方にプラズマ１４を発生させ
る。
【００２６】続いて、直流高電圧電源１６によって静電
チャック１５に例えばＤＣ８００Ｖを印加して、ウエハ
４を保持する。さらに、Ｈｅガス流量制御装置１９によ
って、図１に示したように、プローブ導入管５を通じて
冷却用ガスとしてのＨｅガス６をウエハ４の下方に導入
する。この状態で、ウエハ４はプラズマ１４の雰囲気に
晒されて所望のプロセス処理が行われる。なお、この場
合電極ジャケット１２は冷却装置１７によって一定温度
に保たれている。
チャック１５に例えばＤＣ８００Ｖを印加して、ウエハ
４を保持する。さらに、Ｈｅガス流量制御装置１９によ
って、図１に示したように、プローブ導入管５を通じて
冷却用ガスとしてのＨｅガス６をウエハ４の下方に導入
する。この状態で、ウエハ４はプラズマ１４の雰囲気に
晒されて所望のプロセス処理が行われる。なお、この場
合電極ジャケット１２は冷却装置１７によって一定温度
に保たれている。
【００２７】このようなプロセス処理中、ウエハ４の熱
は、温度測定用光ファイバープローブ１８の先端部のキ
ャップ２に伝導され、さらにこの熱は蛍光物質３に伝導
される。そして、光ファイバー温度計２０によって、蛍
光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温度が測
定される。
は、温度測定用光ファイバープローブ１８の先端部のキ
ャップ２に伝導され、さらにこの熱は蛍光物質３に伝導
される。そして、光ファイバー温度計２０によって、蛍
光物質３の発光強度の減衰時間からウエハ４の温度が測
定される。
【００２８】従って、本発明温度測定用光ファイバープ
ローブを利用した図２に示すシステムによれば、プラズ
マ雰囲気内においてウエハ４の所望のプロセス処理を行
う場合、冷却用ガスの影響を防止して正確な温度測定を
行うことができるようになるので、プロセスの温度に対
する影響を正確に把握できるため、システムの信頼性を
向上することができる。
ローブを利用した図２に示すシステムによれば、プラズ
マ雰囲気内においてウエハ４の所望のプロセス処理を行
う場合、冷却用ガスの影響を防止して正確な温度測定を
行うことができるようになるので、プロセスの温度に対
する影響を正確に把握できるため、システムの信頼性を
向上することができる。
【００２９】尚、被測定物であるウエハ４に接触する熱
伝導体としてアルミニウムからなるキャップ２を用いる
例で説明したが、熱伝導率の高い材料であればアルミニ
ウムに限ることはない。また、セラミックスカバー７に
ついても同様であり、被測定物に直接接触してその熱を
検出するキャップ２よりも熱伝導率が低い材料であれ
ば、セラミックスに限ることはない。
伝導体としてアルミニウムからなるキャップ２を用いる
例で説明したが、熱伝導率の高い材料であればアルミニ
ウムに限ることはない。また、セラミックスカバー７に
ついても同様であり、被測定物に直接接触してその熱を
検出するキャップ２よりも熱伝導率が低い材料であれ
ば、セラミックスに限ることはない。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明温度測定用光
ファイバープローブによれば、蛍光物質を介して被測定
物と接触する熱伝導体の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝
導率の低い他の熱伝導体を取り囲むように設けたので、
光ファイバーを利用して被測定物の温度測定を行う場合
における冷却用ガスによるキャップの温度への影響を防
止して正確な温度測定を行うことができる。
ファイバープローブによれば、蛍光物質を介して被測定
物と接触する熱伝導体の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝
導率の低い他の熱伝導体を取り囲むように設けたので、
光ファイバーを利用して被測定物の温度測定を行う場合
における冷却用ガスによるキャップの温度への影響を防
止して正確な温度測定を行うことができる。
【図１】本発明温度測定用光ファイバープローブの実施
の形態を示す構成図である。
の形態を示す構成図である。
【図２】本発明温度測定用光ファイバープローブを利用
したシステムを示す構成図である。
したシステムを示す構成図である。
【図３】温度測定用光ファイバープローブの従来例を示
す構成図である。
す構成図である。
１・・・光ファイバー、２・・・キャップ、３・・・蛍
光物質、４・・・ウエハ、５・・・プローブ導入管、６
・・・Ｈｅガス（冷却用ガス）、７・・・セラミックス
カバー、８・・・断熱空間、９・・・チャンバー、１０
・・・真空ポンプ、１１・・・プロセスガス流量制御装
置、１２・・・電極ジャケット、１３・・・高周波電
源、１４・・・プラズマ、１５・・・静電チャック、１
６・・・直流高電圧電源、１７・・・冷却装置、１８・
・・温度測定用光ファイバープローブ、１９・・・Ｈｅ
ガス流量制御装置、２０・・・光ファイバー温度計。
光物質、４・・・ウエハ、５・・・プローブ導入管、６
・・・Ｈｅガス（冷却用ガス）、７・・・セラミックス
カバー、８・・・断熱空間、９・・・チャンバー、１０
・・・真空ポンプ、１１・・・プロセスガス流量制御装
置、１２・・・電極ジャケット、１３・・・高周波電
源、１４・・・プラズマ、１５・・・静電チャック、１
６・・・直流高電圧電源、１７・・・冷却装置、１８・
・・温度測定用光ファイバープローブ、１９・・・Ｈｅ
ガス流量制御装置、２０・・・光ファイバー温度計。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｅ
Claims (4)
- 【請求項１】 光ファイバーの先端部に、蛍光物質を介
して被測定物と接触する熱伝導体を取り付け、熱伝導体
を上記被測定物に接触したとき上記蛍光物質の発光強度
の減衰時間から被測定物の温度を測定するようにした温
度測定用光ファイバープローブであって、 上記熱伝導体の周囲にこの熱伝導体よりも熱伝導率の低
い他の熱伝導体を取り囲むように設けたことを特徴とす
る温度測定用光ファイバープローブ。 - 【請求項２】 熱伝導体が蛍光物質を内部に詰め込んだ
キャップからなり、 上記キャップの周囲にカバーからなる上記他の熱伝導体
を設けたことを特徴とする請求項１記載の温度測定用光
ファイバープローブ。 - 【請求項３】 熱伝導体と上記他の熱伝導体との間に断
熱空間を設けたことを特徴とする請求項１又は２記載の
温度測定用光ファイバープローブ。 - 【請求項４】 他の熱伝導体が光ファイバーに固定され
たことを特徴とする請求項１、２又は３記載の温度測定
用光ファイバープローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066896A JPH09297072A (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 温度測定用光ファイバープローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066896A JPH09297072A (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 温度測定用光ファイバープローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09297072A true JPH09297072A (ja) | 1997-11-18 |
Family
ID=14541444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11066896A Pending JPH09297072A (ja) | 1996-05-01 | 1996-05-01 | 温度測定用光ファイバープローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09297072A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002071473A (ja) * | 2000-09-04 | 2002-03-08 | Anritsu Keiki Kk | 蛍光式光ファイバー温度計 |
| US6572265B1 (en) | 2001-04-20 | 2003-06-03 | Luxtron Corporation | In situ optical surface temperature measuring techniques and devices |
| US7080940B2 (en) | 2001-04-20 | 2006-07-25 | Luxtron Corporation | In situ optical surface temperature measuring techniques and devices |
| JP2010503231A (ja) * | 2006-09-11 | 2010-01-28 | ラム リサーチ コーポレーション | その場ウエハー温度測定並びに制御 |
| JP2013074251A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 静電チャック装置 |
| JP2020518727A (ja) * | 2017-05-03 | 2020-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 高温セラミックヒータ上の集積化基板温度測定 |
-
1996
- 1996-05-01 JP JP11066896A patent/JPH09297072A/ja active Pending
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