JP3136780B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
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- JP3136780B2 JP3136780B2 JP04179990A JP17999092A JP3136780B2 JP 3136780 B2 JP3136780 B2 JP 3136780B2 JP 04179990 A JP04179990 A JP 04179990A JP 17999092 A JP17999092 A JP 17999092A JP 3136780 B2 JP3136780 B2 JP 3136780B2
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- semiconductor
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置製造のフォ
ト工程に関し、特に半導体基板の搬出方法に関する。
ト工程に関し、特に半導体基板の搬出方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置製造は、プロセスルー
ルで０．５０μｍが量産技術となりつつある。これは、
集積度でいうとＳＲＡＭで４Ｍ、ＤＲＡＭで１６Ｍとな
る。この集積度に対応するべく多層配線技術や高度な平
坦化技術が開発されている。また、この微細化に対応す
るためにフォト工程で用いられる露光装置には高解像度
の光学系や高精度のアライメント機構が要求されてい
る。これらの要求が高まれば高まるほど露光装置におけ
るエラー要因の可能性は高くなる。
ルで０．５０μｍが量産技術となりつつある。これは、
集積度でいうとＳＲＡＭで４Ｍ、ＤＲＡＭで１６Ｍとな
る。この集積度に対応するべく多層配線技術や高度な平
坦化技術が開発されている。また、この微細化に対応す
るためにフォト工程で用いられる露光装置には高解像度
の光学系や高精度のアライメント機構が要求されてい
る。これらの要求が高まれば高まるほど露光装置におけ
るエラー要因の可能性は高くなる。
【０００３】半導体装置製造のフォト工程で用いられる
露光装置は、一般に半導体基板を前記半導体装置に搬入
する際、前記半導体基板のオリエンテーションフラット
を光センサー等で検出し、前記オリエンテーションフラ
ットの位置合わせする機能を有している。前記半導体基
板がアーム搬送によって搬入される場合、前記オリエン
テーションフラットは搬出後もオリエンテーションフラ
ットは揃った状態で搬出される。通常、量産の半導体製
造においては２５枚もしくは５０枚単位で半導体基板を
処理する。この場合、前記半導体基板全数が露光処理を
終了すると前記半導体基板全数のオリエンテーションフ
ラットは揃った状態となる。これは、アライメントエラ
ーなどによって露光されなかった半導体基板でも同様の
ことがいえる。
露光装置は、一般に半導体基板を前記半導体装置に搬入
する際、前記半導体基板のオリエンテーションフラット
を光センサー等で検出し、前記オリエンテーションフラ
ットの位置合わせする機能を有している。前記半導体基
板がアーム搬送によって搬入される場合、前記オリエン
テーションフラットは搬出後もオリエンテーションフラ
ットは揃った状態で搬出される。通常、量産の半導体製
造においては２５枚もしくは５０枚単位で半導体基板を
処理する。この場合、前記半導体基板全数が露光処理を
終了すると前記半導体基板全数のオリエンテーションフ
ラットは揃った状態となる。これは、アライメントエラ
ーなどによって露光されなかった半導体基板でも同様の
ことがいえる。
【０００４】図３に従来技術の露光装置における半導体
基板（以下ウェハーとする。）の搬入搬出方法の概略図
を示した。通常２５枚ストック可能なウェハーキャリヤ
３１から抜き出しアーム３２により１枚ずつ露光装置の
中に搬送される。抜き出しアーム３２によって搬送され
たウェハー３３のオリエンテーションフラットは通常ば
らばらで一定方向に揃ってない。次に前記ウェハー３３
は、回転ステージ３８に搬送され、ここで前記回転ステ
ージ３８によって数回転させ、光センサー３５によって
オリエンテーションフラットの位置を検出し、ウェハー
３４の様にオリエンテーションフラットを一定方向に揃
える。その後、搬送アーム３９を用いて前記ウェハー３
４は露光ステージ３６に搬送される。前記露光ステージ
３６に搬送されたウェハー３７は露光後、前記搬送アー
ム３９と前記抜き差しアーム３２を用いて前記ウェハー
キャリアに戻される。この際、前記回転ステージ３８で
は回転動作は行われないのでオリエンテーションフラッ
トの位置出しが行われたウェハーは前記ウェハーキャリ
ア３１では同じ方向にオリエンテーションフラットが向
いている。
基板（以下ウェハーとする。）の搬入搬出方法の概略図
を示した。通常２５枚ストック可能なウェハーキャリヤ
３１から抜き出しアーム３２により１枚ずつ露光装置の
中に搬送される。抜き出しアーム３２によって搬送され
たウェハー３３のオリエンテーションフラットは通常ば
らばらで一定方向に揃ってない。次に前記ウェハー３３
は、回転ステージ３８に搬送され、ここで前記回転ステ
ージ３８によって数回転させ、光センサー３５によって
オリエンテーションフラットの位置を検出し、ウェハー
３４の様にオリエンテーションフラットを一定方向に揃
える。その後、搬送アーム３９を用いて前記ウェハー３
４は露光ステージ３６に搬送される。前記露光ステージ
３６に搬送されたウェハー３７は露光後、前記搬送アー
ム３９と前記抜き差しアーム３２を用いて前記ウェハー
キャリアに戻される。この際、前記回転ステージ３８で
は回転動作は行われないのでオリエンテーションフラッ
トの位置出しが行われたウェハーは前記ウェハーキャリ
ア３１では同じ方向にオリエンテーションフラットが向
いている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では以下のような問題点を有する。通常、半導体装置
のフォト工程の露光では搬入→オリエンテーションフラ
ット検出、位置合わせ→半導体基板アライメント→露光
→搬出と多大な処理を行う。その他にもフォトマスクの
搬出、アライメントや露光装置のベースラインチェック
などを行うため、前記の処理中になんらかの突発要因や
前工程までの処理異常によりアライメントができなかっ
たりして半導体基板が露光されなかった場合、前述の技
術では搬出後は全ての半導体基板のオリエンテーション
フラットが揃ってしまうためエラーによって露光されな
かった前記半導体基板を特定することができない。ま
た、現在フォト工程で用いられるポジレジストと呼ばれ
る光反応材料は、露光された部分が光反応によって現像
液に溶けやすい物質に変化する。しかし通常、露光直後
にその半導体基板が露光されたか否かは目視によって確
認することは難しい。そのため、露光処理後の半導体基
板が露光されたか否かは現像後に確認するのが現状であ
る。そのため、露光されなかった前記半導体基板を特定
するためには実際に現像して金属顕微鏡などで確認する
必要があった。この場合、露光されなかった前記半導体
基板を再び露光処理するためにはレジストを剥離し再び
レジストを塗布しなければならなかったため多大な時間
と労力を必要としていた。
術では以下のような問題点を有する。通常、半導体装置
のフォト工程の露光では搬入→オリエンテーションフラ
ット検出、位置合わせ→半導体基板アライメント→露光
→搬出と多大な処理を行う。その他にもフォトマスクの
搬出、アライメントや露光装置のベースラインチェック
などを行うため、前記の処理中になんらかの突発要因や
前工程までの処理異常によりアライメントができなかっ
たりして半導体基板が露光されなかった場合、前述の技
術では搬出後は全ての半導体基板のオリエンテーション
フラットが揃ってしまうためエラーによって露光されな
かった前記半導体基板を特定することができない。ま
た、現在フォト工程で用いられるポジレジストと呼ばれ
る光反応材料は、露光された部分が光反応によって現像
液に溶けやすい物質に変化する。しかし通常、露光直後
にその半導体基板が露光されたか否かは目視によって確
認することは難しい。そのため、露光処理後の半導体基
板が露光されたか否かは現像後に確認するのが現状であ
る。そのため、露光されなかった前記半導体基板を特定
するためには実際に現像して金属顕微鏡などで確認する
必要があった。この場合、露光されなかった前記半導体
基板を再び露光処理するためにはレジストを剥離し再び
レジストを塗布しなければならなかったため多大な時間
と労力を必要としていた。
【０００６】そこで、本発明は以上のような問題を解決
するもので、その目的とするところは露光装置において
何等かの理由により露光されなかった半導体基板を現像
することなく露光されなった半導体基板を選別し短時間
で再び露光処理を行える半導体装置の搬出方法を提供す
ることにある。
するもので、その目的とするところは露光装置において
何等かの理由により露光されなかった半導体基板を現像
することなく露光されなった半導体基板を選別し短時間
で再び露光処理を行える半導体装置の搬出方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、オリエンテーションフラットを有する半導体基板の
搬入動作を行い、前記オリエンテーションフラットの位
置を検出し、所定の位置に前記オリエンテーションフラ
ットを合わせた後、前記半導体基板へ所定の動作をおこ
ない、作業終了後、前記半導体基板を搬出する機能を有
する半導体製造装置であって、前記半導体基板が前記装
置から搬出されるときの前記オリエンテーションフラッ
トについて、前記装置内に搬入後でかつ正常に動作が行
われた前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トと、前記装置内に搬入後でかつ正常に動作が行われな
かった前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トとが位置を変えて前記装置から搬出されることを特徴
とする。
は、オリエンテーションフラットを有する半導体基板の
搬入動作を行い、前記オリエンテーションフラットの位
置を検出し、所定の位置に前記オリエンテーションフラ
ットを合わせた後、前記半導体基板へ所定の動作をおこ
ない、作業終了後、前記半導体基板を搬出する機能を有
する半導体製造装置であって、前記半導体基板が前記装
置から搬出されるときの前記オリエンテーションフラッ
トについて、前記装置内に搬入後でかつ正常に動作が行
われた前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トと、前記装置内に搬入後でかつ正常に動作が行われな
かった前記半導体基板の前記オリエンテーションフラッ
トとが位置を変えて前記装置から搬出されることを特徴
とする。
【０００８】特に、前記半導体製造装置が露光装置であ
り、前記所定の動作が半導体基板への露光であることを
特徴とする。
り、前記所定の動作が半導体基板への露光であることを
特徴とする。
【０００９】そして、露光状態によって前記半導体基板
のオリエンテーションフラットの位置を変えて搬出する
ことを特徴とする。
のオリエンテーションフラットの位置を変えて搬出する
ことを特徴とする。
【００１０】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
（ａ）オリエンテーションフラットを有する半導体基板
をキャリアから取り出し、半導体製造装置に搬入する工
程と、（ｂ）前記搬入後、前記オリエンテーションフラ
ットの位置を検出し、任意の位置に前記オリエンテーシ
ョンフラットを合わせる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程
後、前記半導体基板に作業を行う工程と、（ｄ）前記
（ｃ）工程後、前記半導体基板を前記半導体製造装置か
ら搬出し、キャリアに入れる工程と、を有する半導体製
造方法であって、前記（ｃ）工程で前記作業が正常に行
われた場合と、前記作業が正常に行われなかった場合と
で、前記（ｄ）工程において前記半導体基板の前記オリ
エンテーションフラットの位置を変えて前記半導体基板
が前記半導体製造装置から搬出されることを特徴とす
る。
（ａ）オリエンテーションフラットを有する半導体基板
をキャリアから取り出し、半導体製造装置に搬入する工
程と、（ｂ）前記搬入後、前記オリエンテーションフラ
ットの位置を検出し、任意の位置に前記オリエンテーシ
ョンフラットを合わせる工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程
後、前記半導体基板に作業を行う工程と、（ｄ）前記
（ｃ）工程後、前記半導体基板を前記半導体製造装置か
ら搬出し、キャリアに入れる工程と、を有する半導体製
造方法であって、前記（ｃ）工程で前記作業が正常に行
われた場合と、前記作業が正常に行われなかった場合と
で、前記（ｄ）工程において前記半導体基板の前記オリ
エンテーションフラットの位置を変えて前記半導体基板
が前記半導体製造装置から搬出されることを特徴とす
る。
【００１１】
【実施例】まず、第１の実施例について述べる。
【００１２】図１に本発明の一実施例の概略図を示し
た。従来技術の図３で示したように露光装置への搬送方
法は、以下に示すと通りである。通常２５枚ストック可
能なウェハーキャリヤ１１から抜き出しアーム１２によ
り１枚ずつ露光装置の中に搬送される。抜き出しアーム
３２によって搬送されたウェハー３３のオリエンテーシ
ョンフラットは通常ばらばらで一定方向に揃ってない。
次に前記ウェハー３３は、回転ステージ３８に搬送さ
れ、ここで前記回転ステージ３８によって数回転させ、
光センサー３５によってオリエンテーションフラットの
位置を検出し、ウェハー３４の様にオリエンテーション
フラットを一定方向に揃える。その後、搬送アーム３９
を用いて前記ウェハー３４は露光ステージ３６に搬送さ
れる。ここまでは、本発明の実施例も同様の動作が行わ
れる。図１において、露光ステージ１６上で露光された
ウェハー１７は搬送アーム１９によって回転ステージ１
８へ移動される。ここで従来技術は回転ステージ１８に
よって一切の動作は行われない。しかし本発明の一実施
例では、搬入中のウェハーが何らかの要因によって露光
されなかった場合、例えば、ウェハーの下地の影響によ
るアライメントエラーやウェハーの搬送エラーなどであ
る。この場合、搬出中のウェハー１４は、回転ステージ
１８にて回転動作を行う。この動作が本発明の最大の特
徴となっている。
た。従来技術の図３で示したように露光装置への搬送方
法は、以下に示すと通りである。通常２５枚ストック可
能なウェハーキャリヤ１１から抜き出しアーム１２によ
り１枚ずつ露光装置の中に搬送される。抜き出しアーム
３２によって搬送されたウェハー３３のオリエンテーシ
ョンフラットは通常ばらばらで一定方向に揃ってない。
次に前記ウェハー３３は、回転ステージ３８に搬送さ
れ、ここで前記回転ステージ３８によって数回転させ、
光センサー３５によってオリエンテーションフラットの
位置を検出し、ウェハー３４の様にオリエンテーション
フラットを一定方向に揃える。その後、搬送アーム３９
を用いて前記ウェハー３４は露光ステージ３６に搬送さ
れる。ここまでは、本発明の実施例も同様の動作が行わ
れる。図１において、露光ステージ１６上で露光された
ウェハー１７は搬送アーム１９によって回転ステージ１
８へ移動される。ここで従来技術は回転ステージ１８に
よって一切の動作は行われない。しかし本発明の一実施
例では、搬入中のウェハーが何らかの要因によって露光
されなかった場合、例えば、ウェハーの下地の影響によ
るアライメントエラーやウェハーの搬送エラーなどであ
る。この場合、搬出中のウェハー１４は、回転ステージ
１８にて回転動作を行う。この動作が本発明の最大の特
徴となっている。
【００１３】回転動作が行われているウェハー１４のオ
リエンテーションフラットの有無によって光センサー１
５によりオリエンテーションフラットを認識できると同
時に一回転の回転時間も検出できる。前記回転時間の調
整により、露光されなかった前記ウェハー１４を図の様
に露光ステージ１６上のウェハー１７と１８０度回転し
た状態にして抜き差しアーム１２によってウェハーキャ
リア１１に搬出する。
リエンテーションフラットの有無によって光センサー１
５によりオリエンテーションフラットを認識できると同
時に一回転の回転時間も検出できる。前記回転時間の調
整により、露光されなかった前記ウェハー１４を図の様
に露光ステージ１６上のウェハー１７と１８０度回転し
た状態にして抜き差しアーム１２によってウェハーキャ
リア１１に搬出する。
【００１４】現在、微細加工用に広く用いられているレ
ジストは、露光前と露光後で目視によってはほとんど見
分けがつかない。そのため、従来技術の搬出方法では実
際に露光の有無は現像してはじめて確認できる。よっ
て、もしもウェハーが何らかの要因によって露光されな
かった場合、従来技術では現像後でなければ確認できな
いので、再び前記ウェハーを露光処理するためにはレジ
ストを剥離し、レジストを塗布するという多大な工程を
行う必要があったが、本発明では露光の有無は搬出後の
ウェハーのオリエンテーションフラットの位置により確
認できるため現像処理する必要がない。よって、直ちに
露光処理を行うことができるので大幅なスループットの
向上が計れるため作業者の負担軽減と半導体装置製造の
効率向上という効果をもたらす。
ジストは、露光前と露光後で目視によってはほとんど見
分けがつかない。そのため、従来技術の搬出方法では実
際に露光の有無は現像してはじめて確認できる。よっ
て、もしもウェハーが何らかの要因によって露光されな
かった場合、従来技術では現像後でなければ確認できな
いので、再び前記ウェハーを露光処理するためにはレジ
ストを剥離し、レジストを塗布するという多大な工程を
行う必要があったが、本発明では露光の有無は搬出後の
ウェハーのオリエンテーションフラットの位置により確
認できるため現像処理する必要がない。よって、直ちに
露光処理を行うことができるので大幅なスループットの
向上が計れるため作業者の負担軽減と半導体装置製造の
効率向上という効果をもたらす。
【００１５】次に第２の実施例について述べる。
【００１６】図２に本発明の一実施例を示す。近年の半
導体装置製造の露光装置は、高解像度や高度なアライメ
ント精度の要求から多大なシーケンスが組み込まれてい
る。
導体装置製造の露光装置は、高解像度や高度なアライメ
ント精度の要求から多大なシーケンスが組み込まれてい
る。
【００１７】そのため、搬送搬出時のエラーは多岐にわ
たっているので、前記エラーを特定するため方法として
図２に示したように露光状態によってウェハー２１のオ
リエンテーションフラットの位置を変える。例えば、
（Ａ）の状態は正常に露光された場合、（Ｂ）の状態は
搬送中のエラーによる未露光、（Ｃ）の状態はウェハー
アライメントエラーによる未露光、（Ｄ）の状態は露光
シーケンスのパラメターエラーによる未露光、という様
に未露光であった原因を特定できるようにウェハー２１
のオリエンテーションフラットの位置を変える。このよ
うな機能を付加することにより、エラーの種類を限定で
き、再処理の時の作業軽減に役立つ。
たっているので、前記エラーを特定するため方法として
図２に示したように露光状態によってウェハー２１のオ
リエンテーションフラットの位置を変える。例えば、
（Ａ）の状態は正常に露光された場合、（Ｂ）の状態は
搬送中のエラーによる未露光、（Ｃ）の状態はウェハー
アライメントエラーによる未露光、（Ｄ）の状態は露光
シーケンスのパラメターエラーによる未露光、という様
に未露光であった原因を特定できるようにウェハー２１
のオリエンテーションフラットの位置を変える。このよ
うな機能を付加することにより、エラーの種類を限定で
き、再処理の時の作業軽減に役立つ。
【００１８】以上、本発明の一実施例を示したがこの他
にも １）レジストレーション測定機やウェハー異物検査装置
や自動測定機能を搭載した測長ＳＥＭに本搬出機能を搭
載する。
にも １）レジストレーション測定機やウェハー異物検査装置
や自動測定機能を搭載した測長ＳＥＭに本搬出機能を搭
載する。
【００１９】２）露光されなかったウェハーを正常に露
光されたウェハーとは別のウェハーキャリアに搬出す
る。
光されたウェハーとは別のウェハーキャリアに搬出す
る。
【００２０】３）搬入時のオリエンテーションフラット
検出ユニットと搬出時のオリエンテーションフラット検
出ユニットと別々にユニットを有する露光装置もしくは
測定装置４）本発明の搬出方法を他の半導体装置製造工
程の加工装置もしくは測定装置に用いる。
検出ユニットと搬出時のオリエンテーションフラット検
出ユニットと別々にユニットを有する露光装置もしくは
測定装置４）本発明の搬出方法を他の半導体装置製造工
程の加工装置もしくは測定装置に用いる。
【００２１】などについても本発明の実施例と同様の効
果があることはいうまでもない。
果があることはいうまでもない。
【００２２】以上本発明の実施例によれば、露光装置に
て正常に動作が行われなかった際、前記半導体基板のオ
リエンテーションフラットを前記半導体基板が前記装置
内に搬入後でかつ正常に動作が行われた前記半導体基板
のオリエンテーションフラットと前記半導体基板が前記
装置内に搬入後でかつ正常に動作が行われなかった前記
半導体基板のオリエンテーションフラットの位置を変え
て搬出することにより、ウェハーの露光の有無を現像す
ることなく搬出後のウェハーのオリエンテーションフラ
ットの位置によって確認できるため、現像による確認を
行う必要がなくなった。そのため、再露光処理を行う場
合、従来技術のようにレジストの剥離、レジスト塗布と
多大な工程を行う必要がなく短時間で露光処理を行える
ため作業者の負担軽減と共に半導体装置製造のスループ
ットを大幅に向上でき生産性向上という効果をもたら
す。
て正常に動作が行われなかった際、前記半導体基板のオ
リエンテーションフラットを前記半導体基板が前記装置
内に搬入後でかつ正常に動作が行われた前記半導体基板
のオリエンテーションフラットと前記半導体基板が前記
装置内に搬入後でかつ正常に動作が行われなかった前記
半導体基板のオリエンテーションフラットの位置を変え
て搬出することにより、ウェハーの露光の有無を現像す
ることなく搬出後のウェハーのオリエンテーションフラ
ットの位置によって確認できるため、現像による確認を
行う必要がなくなった。そのため、再露光処理を行う場
合、従来技術のようにレジストの剥離、レジスト塗布と
多大な工程を行う必要がなく短時間で露光処理を行える
ため作業者の負担軽減と共に半導体装置製造のスループ
ットを大幅に向上でき生産性向上という効果をもたら
す。
【００２３】
【発明の効果】以上本発明の半導体製造装置によれば、
半導体基板への動作が正常に行われた場合と、行われな
かった場合とで、オリエンテーションフラットの位置を
変えて半導体製造装置から搬出されるので、動作の有
無、動作の異常の確認が容易となる半導体製造のスルー
プットを大幅に向上できる。
半導体基板への動作が正常に行われた場合と、行われな
かった場合とで、オリエンテーションフラットの位置を
変えて半導体製造装置から搬出されるので、動作の有
無、動作の異常の確認が容易となる半導体製造のスルー
プットを大幅に向上できる。
【図１】本発明の第１の実施例のウェハー搬出方法を示
した図。
した図。
【図２】本発明の第２の実施例を示した図。
【図３】従来技術のウェハー搬入、搬出方法を示した
図。
図。
１１・・・ウェハーキャリア １２・・・抜き出しアーム １３・・・搬出ウェハー １４・・・搬出処理中ウェハー １５・・・光センサー １６・・・露光ステージ １７・・・露光処理後ウェハー １８・・・回転ステージ １９・・・搬送アーム ２１・・・ウェハー ３１・・・ウェハーキャリア ３２・・・抜き出しアーム ３３・・・搬入ウェハー ３４・・・オリエンテーションフラット検出後のウェハ
ー ３５・・・光センサー ３６・・・露光ステージ ３７・・・露光処理後ウェハー ３８・・・回転ステージ ３９・・・搬送アーム
ー ３５・・・光センサー ３６・・・露光ステージ ３７・・・露光処理後ウェハー ３８・・・回転ステージ ３９・・・搬送アーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027 H01L 21/68
Claims (4)
- 【請求項１】オリエンテーションフラットを有する半導
体基板の搬入動作を行い、前記オリエンテーションフラ
ットの位置を検出し、所定の位置に前記オリエンテーシ
ョンフラットを合わせた後、前記半導体基板へ所定の動
作をおこない、作業終了後、前記半導体基板を搬出する
機能を有する半導体製造装置であって、 前記半導体基板が前記装置から搬出されるときの前記オ
リエンテーションフラットについて、前記装置内に搬入
後でかつ正常に動作が行われた前記半導体基板の前記オ
リエンテーションフラットと、前記装置内に搬入後でか
つ正常に動作が行われなかった前記半導体基板の前記オ
リエンテーションフラットとが位置を変えて前記装置か
ら搬出されることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置であって、
前記半導体製造装置が露光装置であり、前記所定の動作
が前記半導体基板への露光であることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項３】請求項２記載半導体製造装置であって、前
記露光状態によって前記半導体基板の前記オリエンテー
ションフラットの位置を変えて搬出することを特徴とす
る半導体製造装置。 - 【請求項４】（ａ）オリエンテーションフラットを有す
る半導体基板をキャリアから取り出し、半導体製造装置
に搬入する工程と、 （ｂ）前記搬入後、前記オリエンテーションフラットの
位置を検出し、任意の位置に前記オリエンテーションフ
ラットを合わせる工程と、 （ｃ）前記（ｂ）工程後、前記半導体基板に作業を行う
工程と、 （ｄ）前記（ｃ）工程後、前記半導体基板を前記半導体
製造装置から搬出し、キャリアに入れる工程と、を有す
る半導体製造方法であって、 前記（ｃ）工程で前記作業が正常に行われた場合と、前
記作業が正常に行われなかった場合とで、前記（ｄ）工
程において前記半導体基板の前記オリエンテーションフ
ラットの位置を変えて前記半導体基板が前記半導体製造
装置から搬出されることを特徴とする半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04179990A JP3136780B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP04179990A JP3136780B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629171A JPH0629171A (ja) | 1994-02-04 |
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ID=16075536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP04179990A Expired - Fee Related JP3136780B2 (ja) | 1992-07-07 | 1992-07-07 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP3136780B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1992
- 1992-07-07 JP JP04179990A patent/JP3136780B2/ja not_active Expired - Fee Related
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