JPH04133307A - 半導体装置の製造方法およびそれに使用する製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法および製造装置に係り、
特に半導体ウェハの表面処理工程に適用して有効な技術
に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造においては前工程と呼ばれる半導体ウ
ェハの表面処理工程がある。このような前工程では半導
体ウェハ上に配線膜や絶縁膜を形成し、所望の形状にパ
ターンニングを行うため所望の形状のマスクを使い、レ
ジストを塗布した半導体ウェハを露光しエツチングを行
う。近年では半導体装置の微細化、多層配線化が進み使
用するマスクの数は増大する一方である。このような状
況ではマスクの管理とともに半導体ウェハの管理が複雑
化しつつある。従来、このようなものについては目視し
半導体ウェハの工程管理をしたり、また使用したマスク
については半導体ウェハ内のチップにマスク名を示す記
号を付したりして管理を行っていた。

二のような半導体チップ内に記号を使用するものを示し
たものとして特開昭５８−１３７８３８号がある。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、このような目視により半導体ウェハの処理の工
程を判断するに幀る方法では人的ミスが発生することが
多く、また使用したマスクを示す記号を付しておくもの
についても、使用したマスクは分かるものの、次に使用
するマスクについては対象となる半導体ウェハを見ても
分からないため、人的ミスの発生を完全に防止するに到
らないという問題があった。

本発明の目的はこのような人的ミスを大幅に削減するこ
とのできる半導体装置の製造方法および製造装置を提供
することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本願において開示される発明のうち、代表的なものの手
段について説明すれば下記のとおりである。すなわち、
半導体ウェハ上に表面処理を行う半導体装置を製造する
方法において、前記表面処理に使用するマスクにそのマ
スク使用後にその後の露光工程で使用するマスクを示し
た所望の記号を付しておき、前記半導体ウェハの次の露
光工程の時に使用するマスクを確認することを特徴とす
る半導体装置の製造方法である。またさらに半導体ウェ
ハの表面処理を行う半導体製造装置において、露光装置
に供給される半導体ウェハ上の記号を識別するセンサを
有し、前記センサにより記号を読み取り対象となる半導
体ウェハの次の露光工程に使用するマスクを識別し、前
記記号により指定された所望のマスクを露光装置に送る
ようにした半導体製造装置である。

〔作用〕

上記した手段によれば、半導体ウェハ上の次の露光工程
に使用するマスクを示した記号を確認することにより、
次工程において使用するマスクを確実に指定することが
でき、マスクの誤使用を防止することが可能となる。ま
た露光装置に供給される半導体ウェハを識別するセンサ
を有する半導体製造装置を使用することにより、露光に
正確なマスクを使用することが可能となる。さらに半導
体ウェハの自動検出が可能となるため露光工程の自動化
が可能となる。

〔実施例〕

第１図は本発明の第１の実施例である半導体装置の製造
用のマスクを示した正面図、第２図は第１図に示したマ
スクを使用し表面処理した半導体ウェハを示す正面図、
第３図は本発明の製造装置に使用する半導体製造装置を
示した図である。

第１図に示したように本発明の半導体装置の製造に使用
するマスクはガラス基板１にクロム等の材料により所望
パターンを形成したものである。

ガラス基板１にはウェハ有効転写領域２内に図示しない
半導体装置の所望パターン３が複数形成され、その内部
に次の露光工程に使用するマスクを示した記号が形成さ
れたペレットエリア４が２カ所形成されている。

第２図に示したように第１図に示したマスクを使用し表
面処理を行った結果、半導体ウェハ５上には図示しない
複数の半導体装置の所望パターン６が形成され、この半
導体装置の記号ベレットエリア７には次の露光工程に使
用するマスクを示す記号が形成されている。このペレッ
トエリア７は２つに分割して形成されており、一方は自
動検出のためのエリア８ａでもう一方は目視検出による
ためのエリア８ｂである。エリア８は升目上に分割され
たパターンを有しそのひとつであるパターン９は半導体
ウェハのシリコン表面の上にレジストが塗布された状態
で形成されている。パターンｌＯ等の他の領域についで
はそれぞれの工程に応じた形成された酸化膜、ナイトラ
イド膜等が形成されている。このパターン８は光学的手
段により検出されるものに使用される。この検出につい
てはセンサ１５より光が照射されその反射される位置に
より、次の露光工程に使用するマスクを判断するもので
ある。パターン部１１については次の露光工程に使用す
るマスク名が形成され目視による確認を可能としている
。

このように本実施例では表面処理工程を行う時に、その
表面処理に使用したマスクに形成された次工程で使用す
るマスクを示した記号が半導体ウェハに転写されるので
、その後各工程において半導体ウェハ上に形成された記
号を確認し、次の露光工程のマスクを確定し使用するこ
とができる。

次に本発明に使用する半導体製造装置について説明する
。

第３図に示したように本発明に使用する半導体製造装置
は露光機構１６とその前段に搬送機構１３を介して取付
けられた表面処理の対象となる半導体ウェハを収納した
ローダ１２と前記露光機構により露光処理を行った半導
体ウェハを搬送する搬送機構１９により露光処理の終了
した半導体ウェハを収納するアンローダ２０と、露光機
構前段に取付けられたセンサ１５および前記センサから
の信号を識別し露光機構１６に所望のマスクを供給する
マスク供給機構１７とからなっている。ローダ１２には
表面にレジストが塗布された半導体ウェハ１４が収納さ
れており、搬送機構１３を介して順次露光機構１６に搬
送され内部に設けられた露光台（図示せず）にセットさ
れる。この搬送機構１３上において半導体ウェハ１４は
その上面に形成された次の露光工程に使用するマスクを
示す記号により識別され、半導体ウェハに応じたマスク
が決定されマスク供給機構１７から露光装置１６に供給
される。そして露光工程が終了した後搬送側１９を介し
てアンローダ２０に露光処理の終了した半導体ウェハが
収納される。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られるものの効果を記載すれば下記のとおりである
。

すなわち半導体装置の製造における半導体ウェハの表面
処理において、次工程で使用するマスクが半導体ウェハ
表面に表示されるため、マスクの誤使用の発生しない半
導体装置の製造方法を提供できる。

また製造装置によれば、自動で半導体ウェハとマスクの
対応検出が可能となるので半導体製造における自動化が
大幅に向上する。

以上、本願発明の背景となった半導体製造方法について
説明したが、本発明に前記実施例に限定されることなく
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々可能であることは
いうまでもない。

たとえば、次の露光工程に使用するマスクを示す記号は
認識可能であればどんなものを用いてもかまわないし、
記号の形成個所は半導体ウェハ内であればどこでも良い
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例である半導体装置の製造
用のマスクを示した正面図、 第２図は第１図に示したマスクを使用し表面処理した半
導体ウェハを示す正面図、 第３図は本発明の製造装置を示した概略図である。 １・・ガラス基板（マスク）、２・・ウェハ領域（マス
ク）、３半導体装置パターン、４・・・エリア、５・半
導体ウェハ、６・・・半導体装置パターン、７゜８−エ
リア、１１・・・マスク名、１２・・ローダ、１３．１
８．１９・・・搬送機構、１４・・・半導体ウェハ１５
・・センサ、１６・・・露光機構、１７・・マスク供給
機構。 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ウェハ上に表面処理を施し半導体装置を製造
   する方法において、前記表面処理に使用するマスクに次
   の露光工程に使用するマスクを示す所望の記号を付して
   おき半導体ウェハ上に形成された前記記号によって次の
   露光工程に使用するマスクを決定することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。 ２、露光装置と露光装置に半導体ウェハを供給する装置
   と、前記露光装置に供給される半導体ウェハを識別する
   センサとからなる半導体製造装置において、前記ローダ
   から供給される半導体ウェハの上面に形成された記号を
   識別することにより、前記半導体ウェハを露光するマス
   クを露光装置に供給する装置を有することを特徴とする
   半導体製造装置。