JP3523819B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体ウ
エハ上に回路をパターンを形成するための半導体装置製
造装置等の基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、半導体デバイスの製造プ
ロセスにはフォトリソグラフィー技術が利用されてい
る。フォトリソグラフィー技術においては、半導体ウエ
ハ等の被処理基板の表面にレジスト液を塗布・成膜し、
これを所定のパターンに露光し、さらに現像処理する。
ついで、これをエッチング処理することにより前記ウエ
ハ上に所定の回路パターンを形成する。

【０００３】ここで、一般に、前記半導体ウエハは、１
カセット内に２５枚収納された状態で供給され、この１
カセット分を１ロットとし、このカセットから１枚づつ
順次取出して処理されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うな従来の半導体装置製造装置においては、ウエハ処理
品質の管理の最小単位は１ロット毎であり、半導体製造
装置の標準規格であるSEMIにおいも、１ロット単位の管
理を想定して種々の規格を規定している。

【０００５】しかしながら、近い将来、多品種少量生産
の要求が急激に高まることが予想されており、この場
合、１ロット単位の管理では、その単位が大きすぎると
いうことがある。特に３００ｍｍサイズ等の大型のウエ
ハにおいては、１枚のウエハから極めて多くの半導体チ
ップを得ることができるため、1カセットで多数の品種
に対応することが可能になり、この場合、ウエハ数枚単
位でプロセス条件を異ならせなければならない場合があ
る。

【０００６】しかしながら、従来の装置では、プロセス
の管理の最少単位が１ロット、すなわち、１カセット単
位であり、このような要望に応えることが困難であっ
た。

【０００７】特に、１カセット中、ウエハ１枚〜数枚単
位で製造する品種が異なるような場合、品種毎にダミー
ウエハ等を使用した検査を行うことができないというこ
とがある。このため、上記のような多品種少量生産の場
合、製品チップを取得するための現実のウエハ（Ａｃｔ
ｕａｌウエハ）を用いた検査が求められる。

【０００８】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたもので、多数の基板を１枚づつ順次処理していく基
板処理装置において、多品種少量生産に有効に対応する
プロセス品質管理を行える基板処理装置を提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の主要な観点によれば、複数の被処理基板
に順次所定の処理を施すための基板処理装置であって、
前記各被処理基板に設けられた固有の基板ＩＤを読み取
る基板ＩＤ読取手段と、前記被処理基板を所定のプロセ
ス条件に基いて処理する基板処理手段と、この基板処理
手段による処理結果を検査するための前記被処理基板の
検査範囲を前記基板ＩＤに関連付けて予め格納する検査
範囲格納手段と、前記基板ＩＤ読取手段により読み取ら
れた基板ＩＤに基づいて、前記検査範囲格納手段によっ
て格納された検査範囲を取り出し、その検査範囲につい
て被処理基板を検査する基板検査手段とを有することを
特徴とする基板処理装置が提供される。

【００１０】このような構成によれば、複数の基板を順
次処理していく装置、例えば半導体ウエハにフォトリソ
グラフィー処理を施す基板処理装置において、被処理基
板１枚単位で異なる検査範囲の設定が行える。したがっ
て、１乃至数枚単位で製造する品種やプロセス条件が変
更になり、かつ、それに応じて検査装置の検査範囲が異
なる場合であっても、これに有効に対応することが可能
になる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以下、この発明の基板処理装置の
一実施形態にかかる半導体ウエハ処理装置について説明
する。

【００１２】図１は、この半導体ウエハ処理装置１の全
体構成を示す模式図であり、図２は、そのシステム構成
を示すブロック図である。

【００１３】この半導体ウエハ処理装置１は、例えば、
塗布現像装置２と、露光装置３（ＤＥＶ）とからなる。
図において、矢印（α）は、この処理装置１における半
導体ウエハＷ（以下「ウエハ」という）の流れを示すも
のである。

【００１４】すなわち、まず、前記塗布現像装置２で
は、例えば３００ｍｍサイズのウエハＷが２５枚収納さ
れてなるカセットＣＲから順次ウエハＷを取り出す。こ
のウエハＷの取り出しは、図示しないサブアームによっ
てなされ、その後図示しないメインアームに受け渡され
て所定の経路αを搬送される。

【００１５】カセットＣＲから取り出されたウエハＷ
は、図に５で示すウエハＩＤ（認識コード）読取ユニッ
ト（ＬＤ）において、ウエハＩＤを読み取られる。この
ウエハＩＤは、図３に６で示すように、例えばオリエン
テーションフラット７が形成された縁部に沿って形成さ
れるもので、この処理装置１内若しくはこの処理装置１
とは別に設けられた図示しないタイトラー（ＴＩＴＬＥ
Ｒ）によって形成される。

【００１６】ついで、ウエハＷは、下地反射率検査装置
９を通される。この下地反射率は、レジスト膜厚や露光
量に影響を与える重要なパラメータとなる。その後、ウ
エハＷは、レジスト液塗布ユニット１０（ＣＯＴ）でレ
ジスト液を塗布される。このレジスト液塗布ユニット１
０では、ウエハＷを図示しないスピンチャック上に保持
し、このウエハＷの中心付近に所定の微少量（例えば４
ｍｌ）のレジスト液を滴下する。ついで、このスピンチ
ャックを回転駆動し、前記ウエハＷを高速で回転させる
ことで、遠心力により前記レジスト液をウエハＷの全面
に行き渡るように拡散させる。ここで、レジスト液の厚
さは、プロセス条件の１つであるウエハＷのレジスト液
拡散回転数（回転速度）によって制御することが可能で
あるが、最近では、レジスト液の節約、及びレジスト膜
の薄膜化の要求を満たすためにますます高速化する傾向
にある。

【００１７】前記レジスト液塗布ユニット１０（ＣＯ
Ｔ）から取り出されたウエハＷは、加熱ユニット１１
（ＨＰ）に挿入され、レジスト液から溶剤を揮発させて
乾燥される。この溶剤の揮発量は形成されるレジスト膜
の膜厚に非常に大きな影響を与えるので、この加熱ユニ
ット１１における庫内温度、庫内湿度及び加熱時間は非
常に重要なプロセス条件となる。

【００１８】この後、ウエハＷは図示しないクーリング
ユニットで冷却された後、図示しない周縁レジスト除去
装置で周縁部の不要なレジストを除去される。この周縁
レジスト除去装置の前・後若しくはこの周縁レジスト除
去装置内には、レジスト膜厚を検出するための膜厚検査
装置１２が設けられている。

【００１９】レジスト膜の膜厚が検出された後のウエハ
Ｗは、露光装置３（ＥＸＰ）に受け渡される。この露光
装置３は、前記ウエハＷに形成されたレジスト膜に、所
定パターンの露光マスクを介して露光用光を照射し、上
記ウエハＷ上のレジスト膜に露光マスクのマスクパター
ンを転写する。この露光装置においては、焦点距離、ウ
エハの位置、露光用光の強度、露光時間等が重要なプロ
セス条件となる。

【００２０】露光された後のウエハＷは、再び塗布現像
装置２側に戻され、加熱処理、定在波効果によるレジス
トパターンの変形を軽減するいわゆるポストエキスポー
ジャベークが施された後図示しないサブアーム及びメイ
ンアームを介して現像処理ユニット１５（ＤＥＶ）に導
入される。この現像処理は、例えば、パドル方式に従っ
て行われる。パドル方式では、ウエハＷ上に現像液を所
定時間だけ液盛りすることで現像処理がなされる。この
現像処理ユニット１５のプロセス条件のうち現像液吐出
速度及び液盛り時間は現像の進度に大きな影響を与え
る。そして、所定の液盛り時間経過後は、直ぐに純水が
ウエハＷ上に吹き付けられ、現像液が洗い流されること
によって現像の進行が停止させられる。

【００２１】現像処理後のウエハＷは、加熱乾燥された
後、カセットＣＲに排出されるが、その前に欠陥検査装
置１６において重大な欠陥の有無を検査される。欠陥検
査装置１６は、例えば、露光装置３にて生じるパターン
の位置ずれを検出するデフォーカス検査、現像処理の不
良を検出する現像不良検出検査、ウエハＷの表面に生じ
る微小な傷を検出するスクラッチ検出検査、ウエハＷに
付着したパーティクルを検出するパーティクル検出検
査、レジスト塗布後のウエハＷの表面にレジスト液中の
気泡や異物によって発生するコメットを検出するコメッ
ト検出検査、ウエハＷの表面から飛び出したレジスト液
の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検
出するスプラッシュバック検出検査、ウエハＷ表面の同
一場所に同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠
陥検出検査、現像処理後のウエハＷに残るレジスト残渣
を検出するスカム検出検査、フォトリソグラフィ工程の
前行程でウエハエッジを保持（クランプ）することによ
って、ウエハエッジに残る傷跡を検出するクランプリン
グ検査、レジスト塗布処理及び現像処理がされていない
ことを検出するＮＯ ＲＥＳＩＳＴ、ＮＯ ＤＥＶＥＬ
ＯＰ検査、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を
測定する線幅測定検査、露光装置３にて露光されたウエ
ハＷとフォトマスクとの重ね合わせ精度を規格値と比較
して検査する重ね合わせ検査、等の検査の全て又はその
一部を選択的に行えるように構成されている。なお、こ
の欠陥検査装置１６では、レジスト塗布後にレジスト液
の塗布ムラを検出する塗布ムラ検出検査も行うことがで
きる。、

【００２２】また、これら一連の検査はマクロ検査とミ
クロ検査とに分かれており、マクロ検査では例えば２０
μｍ以上の欠陥が、ミクロ検査では例えば０．１μｍ以
上の欠陥が検出できるようになっている。

【００２３】次に、この半導体ウエハ処理装置の制御系
統について説明する。

【００２４】まず、この装置は、図１に示すように、前
記各処理ユニット（１０、１１、１５）に接続された各
処理ユニット用の制御部２０と、各検査装置（９、１
２、１６）に接続された各検査装置用の制御部２１と、
前記露光装置3に接続された露光装置用の制御部２２
と、各制御部２０、２１、２２が接続された中央制御装
置２３と、この中央制御装置２３に接続された情報記憶
部２４及び制御プログラム記憶部２５とを有する。

【００２５】図２は、このシステムをさらに詳しく説明
するためのブロック図である。

【００２６】前記中央制御装置２３は、例えば、入力部
２７、ＣＰＵ２８、ＲＡＭ２９及び表示部３０を有し、
これらが接続されたバス３１に前記情報記憶部２４、制
御プログラム記憶部２５が接続された構成となってい
る。これらの記憶部は、例えば、ハードディスク等の固
定記憶装置であれば良いが、その形態は特に限定されな
い。

【００２７】前記入力部２７及び表示部３０は、例えば
前記塗布現像装置２の前面に設けられた操作パネルに接
続されており、この入力部２７及び表示部３０を介して
ウエハ処理レシピ（プロセス条件）の入力及び設定を行
うようになっている。レシピは全体レシピとこの全体レ
シピを構成する各処理ユニット（１０、１１、１５、
３）毎、検査装置（９、１２、１６）毎のレシピとから
なり、各処理ユニット及び各検査装置毎のレシピ、すな
わちプロセス条件の設定は、前記操作パネルを通して各
処理ユニット１０、１１、１５、３毎に行えるようにな
っている。

【００２８】この情報記憶部２４は、各処理ユニットの
レシピ（プロセス条件）をプロセスＩＤに関連付けて格
納するレシピ−プロセスＩＤ格納部３３と、前記全体レ
シピを格納する全体レシピ格納部３４と、ウエハＩＤと
そのウエハの処理履歴情報を格納するウエハＩＤ−処理
履歴情報格納部３５と、ウエハＩＤと後で説明する検査
装置による検査結果を関連付けて格納するウエハＩＤ−
検査結果情報格納部３６と、ウエハＩＤとそのＩＤで参
照される検査範囲とを関連付けて格納するウエハＩＤ−
検査範囲格納部３７とを有する。

【００２９】前記プロセスＩＤとは、処理ユニット・各
検査装置及びそのプロセス条件を識別するための固有の
符号である。また、全体レシピは、前述したように各処
理ユニットのレシピの組み合わせであり、前記プロセス
ＩＤの組み合わせで特定される。この全体レシピは、ウ
エハＩＤに関連付けて格納されているものであっても良
い。

【００３０】また、前記検査範囲は、例えばユーザの要
望に応じて品種に応じて設定されるもので、この実施形
態では、下地反射率検査、レジスト膜厚、酸化膜、層間
絶縁膜、配線幅・間隔の各検査、重ね合わせ、欠陥、デ
フォーカスの検査について設定される。下地反射率、レ
ジスト膜厚、酸化膜、層間絶縁膜を例に取ると、チップ
の周辺部（チップとチップの間）にあるスクライブライ
ン（Ｓｃｒｉｂｅ Ｌｉｎｅ）内の一部の所定の位置に
形成した検査用のマスクパターンを利用する。また、マ
スクパターンの条件は、プロセス（マスクルール）から
の最悪（ユーザ・メーカー任意指定）にした条件パター
ン（レイアウトパターン）とする。そして、その検査個
所は、ＸＹ座標系で表され、前記ウエハＩＤに関連付け
られて格納される。

【００３１】前記制御プログラム記憶部２５は、レシピ
−プロセスＩＤ設定部３８と、全体レシピ設定部３９
と、ウエハ処理実行指令部４０と、ウエハＩＤ−処理履
歴格納指令部４１と、ウエハＩＤ−検査結果格納指令部
４２と、ウエハＩＤ−各種情報出力指令部４３と、プロ
セス条件評価部４４と、プロセス条件補正部４５と、ウ
エハＩＤ−検査範囲設定部４６とを有する。

【００３２】前記レシピ−プロセスＩＤ設定部３８は、
各処理ユニット１０、１１、１５、３について入力され
たレシピ（プロセス条件）にプロセスＩＤを付して前記
レシピ−プロセスＩＤ格納部３３に格納する。全体レシ
ピ設定部３９は、ウエハ処理の全体レシピを前記プロセ
スＩＤの組み合わせとして設定し、前記全体レシピ格納
部３４に格納する。前記ウエハ処理実行指令部４０は、
前記全体レシピに基づき、前記各処理ユニット１０、１
１、１５、３の制御部２０、２１及び各検査装置９、１
２、１６の制御部２２に対して前記プロセスＩＤで参照
されるプロセス条件にしたがったウエハ処理及び検査を
行うように指令を発する。

【００３３】また、前記ウエハＩＤ−処理履歴格納指令
部４１は、ウエハＩＤ読取装置５からウエハＩＤを、前
記各処理ユニット１０、１１、１６及び検査装置９、１
２、１６からウエハのＩＮ／ＯＵＴ情報をそれぞれ受け
取り、それらを履歴情報として前記ウエハＩＤ−処理履
歴情報格納部２５に格納する。また、ウエハＩＤ−検査
結果格納指令部４２は、前記各検査装置での検査結果を
ウエハＩＤに関連付けて前記ウエハＩＤ−検査結果格納
部３６に格納する。前記ウエハＩＤ−各種情報出力指令
部４３は、前記情報記憶部２４内にウエハＩＤに関連付
けて格納された情報を、例えばプロセス条件評価部４４
に出力する。このプロセス条件評価部４４は、前記検査
結果に基づいて前記ウエハの処理履歴で参照される各処
理装置におけるプロセス条件を評価する。プロセス条件
補正部４５は、その評価結果に基づいて必要であればプ
ロセス条件を補正する。

【００３４】前記ウエハＩＤ−検査範囲設定部４６は、
ウエハＩＤに関連付けて、各検査装置６、１２、１６に
おける検査範囲を設定する。例えば、スクライブライン
に形成されたマスクパターンの座標を指定する。検査個
所は、例えば下地反射率の検査では少なくとも2箇所、
レジスト膜厚の検査では少なくとも１箇所設定すること
が好ましい。

【００３５】また、この図に示されるように、前記ウエ
ハＩＤ読取装置５、各処理ユニット１０、１１、１５の
制御部２０、各検査装置の制御部２１及び露光装置３の
制御部２２は、図示しないインターフェースを介して前
記バス３１に接続されている。

【００３６】次にこの基板処理装置１の動作について説
明する。

【００３７】まず、ウエハＷの処理レシピを設定する。
すなわち、各処理ユニット１０、１１、１５、３におけ
るレシピと、全体処理レシピが設定される。各処理ユニ
ット毎のレシピはプロセスＩＤが付され、全体レシピは
このプロセスＩＤの組み合わせで参照される。なお、こ
の全体レシピは、あらかじめ既知のウエハＩＤに関連付
けて格納するようにしても良い。

【００３８】また、あらかじめ各検査装置９、１２、１
６における検査範囲をウエハＩＤに関連付けて設定す
る。すなわち、ウエハＷ上の例えばスクライブラインに
沿う任意の座標を例えば前記操作パネルを通じて指定す
る。

【００３９】次に、前記全体レシピに基づいて前記塗布
現像装置2及び露光装置３が作動し、ウエハの処理が開
始される。すなわち、前記カセットＣＲからウエハＷが
取り出され、ウエハＩＤ読取装置によりウエハＩＤが読
み取られる。ついで、各処理ユニット１０、１１、１
５、３は前記プロセスＩＤによって参照されるプロセス
条件に基づいてウエハを順次処理していく。ここで、前
記全体レシピがウエハＩＤと関連付けられている場合に
は、前記ウエハＩＤから全体レシピを特定し、この全体
レシピから前記プロセスＩＤを取り出すようにする。

【００４０】また、各検査装置９、１２、１６も、前記
プロセス条件に基づいて作動し、前記ウエハＷの検査を
行う。このとき、前記検査装置の制御部２２は前記ウエ
ハＩＤ−検査範囲格納部から検査範囲を取得して、その
検査範囲の検査を行うようにする。

【００４１】各処理ユニット１０、１１、１５、３及び
検査装置９、１２、１６は、ウエハＷが導入されるとＩ
Ｎ信号を発し、ウエハの処理が終了してウエハを排出す
とＯＵＴ信号が発する。このＩＮ／ＯＵＴ情報は、ウエ
ハＩＤに関連付けられ、プロセスＩＤと共に履歴情報と
して取得される。また、各検査装置９、１２、１６によ
る検査結果も、ウエハＩＤに関連付けられて格納され
る。

【００４２】ウエハＷの一連の処理が終了したならば、
そのウエハＷのウエハＩＤで参照される各種情報が前記
ウエハＩＤ−各種情報出力指令部４３の指令によって出
力される。

【００４３】前記評価部４４は、この出力された情報を
受け取り、各処理ユニット１０、１１、１５、３におけ
るプロセス条件を評価する。例えば、前記欠陥検査装置
１６において、デフォーカス検査、線幅測定検査、重ね
合わせ検査によって欠陥が検出された際には、露光装置
３のプロセス条件が不適切と評価される。例えば、デフ
ォーカス検査によってパターンの所定のしきい値以上の
位置ずれが検出された場合には、露光装置３にて行われ
るフォーカス合わせが不適切と評価される。また、デフ
ォーカス検査によって所定値以上のパターンの位置ずれ
が検出された場合には、露光装置３にて行われるフォー
カス合わせが不適切と評価される。

【００４４】前記評価部４４がこのような評価を出力す
ると、前記プロセス条件補正部４５は、この評価に基づ
き、評価対象となった前記各処理ユニットのプロセス条
件を補正する。例えば、上記の場合には、露光装置３の
プロセス条件、すなわち、露光条件を修正する。この補
正されたプロセス条件は、前記レシピ−プロセスＩＤ格
納部３３に格納される。

【００４５】したがって、これ以後、同じプロセスＩＤ
を参照して処理されるウエハＷについては、この補正さ
れたプロセス条件が適用されることになる。

【００４６】このような構成によれば、複数の処理ユニ
ットを有し、半導体ウエハに順次所定の処理を施すよう
な半導体装置製造装置において、個々のウエハＩＤを読
み取り、このウエハの処理に関する各種情報をウエハＩ
Ｄに関連付けて格納及び出力するようにした。また、ウ
エハＩＤに基づいて個々のウエハＷに対して各別の検査
範囲を指定できるようにした。このような構成によれ
ば、ロット単位でなく、ウエハ単位での処理の管理が可
能なる。したがって、多品種少量生産に適した処理装置
が構築できる効果がある。

【００４７】また、ウエハＩＤに関連付けられた検査結
果に基づいて、そのウエハの同じプロセス条件が適切に
評価され、必要であれば補正される。このプロセス条件
は、プロセスＩＤに関連付けられて上書き格納される。
これにより、同じプロセスＩＤを参照する処理について
は補正されたプロセス条件が適用される。また、前述し
たようにウエハＷ毎に適切な検査範囲を個別に指定でき
るからその検査結果及び補正結果の信頼性は高い。この
ような構成によれば、プロセス条件をウエハ処理する毎
に評価、補正することができるから、多品種少量生産に
おいて、品質の確保が容易に行える効果がある。

【００４８】なお、この発明は上記一実施形態に限定さ
れるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々
変形可能である。

【００４９】例えば、前記一実施形態では、前記塗布現
像装置２の処理ユニットとして、説明の便宜上、レジス
ト液塗布ユニット１０、加熱ユニット１１及び現像処理
ユニット１５のみを示したが、これに限定されるもので
はなく、実際には、その他搬送系を含む種々の処理ユニ
ットが設けられている。そして、それら種々の処理ユニ
ットに関しても上記と同様の制御及びプロセス条件の設
定、評価及び補正が行われる。

【００５０】また、上記一実施形態では、前記検査装置
９、１２、１６は、装置内でインライン式に接続されて
いたが、基板処理装置１外に置かれるものであっても良
い。

【００５１】さらに、上記一実施形態では、プロセス条
件の評価及び補正結果を１台の処理装置１で利用するの
みであったが、これに限定されるものではない。図４に
示すように、１台の処理装置で得たウエハＩＤに関連付
けられた各種情報、プロセス条件の評価、プロセス条件
の補正結果を、他の処理装置１’に受け渡して利用させ
るようにしても良い。この場合、前記情報記憶部２４を
共有するようにすることが好ましい。

【００５２】このような構成によれば、複数の処理装置
で同様のウエハ処理を並列に行う場合において、処理品
質をより効果的に向上させることが可能になる。

【００５３】さらに、上記一実施形態では、Ａｃｔｕａ
ｌウエハ上のチップの周辺部にあるＳｃｒｉｂｅ Ｌｉ
ｎｅ内の一部を利用したマスクパターンを用いて検査す
るようにしたが、これに限定されるものではない。テス
トパターンが埋め込んである計測用パターン（ＴＥＧ）
や、露光時の位置補正の確認マーク（アライメントマー
ク）の他、重ね合わせ用のマークを用いるようにしても
良い。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、多数の基板を順次処理していく基板処理装置におい
て、多品種少量生産に有効に対応するプロセス品質管理
を行える基板処理装置を提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態に係わる基板処理装置の
概略構成図。

【図２】同じく、システム構成図。

【図３】同じく、ウエハとウエハＩＤの関係を説明する
ための斜視図。

【図４】変形例を示す概略構成図。

【符号の説明】

Ｗ…半導体ウエハ ＣＲ…カセット α…ウエハの搬送経路 １…半導体ウエハ処理装置（基板処理装置） ２…塗布現像装置（基板処理手段） ３…露光装置（基板処理手段） ５…ＩＤ読取装置（基板ＩＤ読取手段） ７…オリエンテーションフラット ９…下地反射率検査装置（基板検査手段） １０…レジスト液塗布ユニット（基板処理手段） １１…加熱ユニット（基板処理手段） １２…膜厚検査装置（基板検査手段） １５…現像処理ユニット（基板処理手段） １６…欠陥検査装置（基板検査手段） １６…現像処理ユニット（基板処理手段） ２０…各処理ユニットの制御部 ２１…各検査装置の制御部 ２２…露光装置の制御部 ２３…中央制御装置 ２４…情報記憶部 ２５…制御プログラム記憶部 ２７…入力部 ２８…ＲＡＭ ２９…ＣＰＵ ３０…表示部 ３１…バス ３３…レシピ−ＩＤ格納部（プロセス条件格納手段） ３４…全体レシピ格納部 ３５…ウエハＩＤ−処理履歴情報格納部 ３６…ウエハＩＤ−検査結果情報格納部 ３７…ウエハＩＤ−検査範囲格納部 ３８…レシピ−プロセスＩＤ設定部（プロセス条件格納
手段） ３９…全体レシピ設定部 ４０…ウエハ処理実行指令部 ４１…ウエハＩＤ−処理履歴格納指令部 ４２…ウエハＩＤ−検査結果格納指令部 ４３…ウエハＩＤ−各種情報出力指令部 ４４…プロセス条件評価部（評価手段） ４５…プロセス条件補正部（補正手段） ４６…ウエハＩＤ−検査範囲設定部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緒方 久仁恵 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エ レクトロン株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−342836（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−199784（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−242233（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−120316（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−305913（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/66 H01L 21/027

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板に順次異なる処理を施してい
   くための複数の処理ユニットを有する基板処理装置であ
   って、 前記各被処理基板に設けられた固有の基板ＩＤに関連付
   けて前記被処理基板の検査範囲及び前記各処理ユニット
   毎のプロセス条件を格納する格納手段と、 前記各被処理基板に設けられた固有の基板ＩＤを読み取
   る基板ＩＤ読取手段と、 前記基板ＩＤ読取手段により読み取られた基板ＩＤに応
   じたプロセス条件に基づき、前記被処理基板を前記各処
   理ユニットにより処理させる手段と、 前記基板ＩＤ読取手段により読み取られた基板ＩＤに応
   じた検査範囲に基づき、前記被処理基板を検査する基板
   検査手段と、 前記基板検査手段による検査結果に基づき、前記各処理
   ユニットのプロセス条件を評価するプロセス条件評価部
   と、 前記プロセス条件評価部における評価に応じて必要であ
   ればプロセス条件を補正するプロセス条件補正手段とを
   有することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置において、 前記基板検査手段は、前記複数の処理ユニットのうち任
   意の１又は２以上の処理ユニットによる処理結果を検査
   するのに役立つ１又は２以上の基板検査ユニットを有す
   るものであることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の基板処理
   装置において、 前記処理ユニット及び前記基板検査手段への被処理基板
   の導入及び排出の情報と前記基板検査手段の検査結果と
   を前記基板ＩＤに関連付けて格納する格納部を有するこ
   とを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の
   基板処理装置において、 前記プロセス条件の補正結果を他の基板処理装置に受け
   渡すことを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の基板処理装置におい
   て、 前記格納手段及び前記格納部を前記他の基板処理装置と
   共用することを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
   基板処理装置において、 前記プロセス条件に固有のプロセスＩＤを関連付けて格
   納するレシピ−プロセスＩＤ格納部と前記基板検査手段
   での検査結果に前記基板ＩＤを関連付けて格納する検査
   結果格納部とを有し、 前記プロセス条件補正手段で補正されたプロセス条件を
   前記レシピ−プロセスＩＤ格納部に格納することを特徴
   とする基板処理装置。
7. 【請求項７】 被処理基板に順次異なる処理を施してい
   くための複数の処理ユニットを有する基板処理装置にお
   ける基板処理方法であって、 前記各被処理基板に設けられた固有の基板ＩＤに関連付
   けて前記被処理基板の検査範囲及び前記各処理ユニット
   毎のプロセス条件を予め格納し、 前記各被処理基板に設けられた固有の基板ＩＤを読み取
   り、 前記読み取られた基板ＩＤに応じたプロセス条件に基づ
   き、前記被処理基板を前記各処理ユニットにより処理さ
   せ、 前記読み取られた基板ＩＤに応じた検査範囲に基づき、
   前記被処理基板を検査し、 前記検査結果に基づき、前記各処理ユニットのプロセス
   条件を評価し、 前記評価結果に応じて必要であればプロセス条件を補正
   することを特徴とする基板処理方法。