KR100672632B1 - 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 제 1 양액 탱크내의 약액을 이용하여 투입되는 기판에 식각 또는 박리 공정을 수행하는 단계;상기 제 1 약액 탱크의 약액을 이용하여 상기 식각 또는 박리된 기판들의 매수를 카운트하는 단계;상기 카운트된 기판의 매수가 상기 제 1 약액 탱크의 약액에 대해 설정된 최대 기판 매수보다 적을 때 상기 제 1 약액 탱크의 약액을 사용하여 상기 식각 또는 박리 공정을 계속 수행하고 상기 카운트된 매수가 상기 제 1 약액 탱크에 대해 미리 셋트된 최대 기판 매수에 도달하기 전의 일 시점에서 제 2 약액 탱크의 준비상태를 체크하는 단계;상기 제 2 약액 탱크를 사용하기 위해 준비된 상태에 있고 상기 카운트된 매수가 상기 최대 기판 매수에 도달할 때, 상기 제 2 약액 탱크의 약액을 사용하여 투입된 기판에 식각 또는 박리 공정을 수행하는 단계를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 약액 탱크를 준비하는 데 있어서,상기 제 2 약액 탱크의 양을 LL 센서로 감지하는 단계;지연 시간을 갖는 단계;상기 제 2 약액 탱크에 약액을 급액하는 단계;상기 제 2 약액 탱크의 약액을 H 센서로 감지하는 단계;상기 제 2 약액 탱크를 70±2℃로 가열하는 단계;상기 제 2 약액 탱크의 준비를 완료하는 단계; 및상기 제 2 약액 탱크의 준비 여부를 확인하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 삭제
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크가 준비된 상태는 식각 또는 박리 반응조로 원하는 시간내에 원하는 양의 약액을 배출하고, 상기 반응조에 채워진 약액 온도를 설정된 온도 범위로 유지시키는 상태임을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크가 준비되어 있지 않을 경우 로더(loader)부에서 기판 투입을 정지하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 제 1 약액 탱크의 약액을 사용하여 상기 최대 사용 매수의 기판들을 식각 또는 박리하지 않았을 경우, 계속하여 상기 제 1 약액 탱크의 약액을 사용하여 상기 기판들을 식각 또는 박리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크의 약액이 LL 센서에서 감지되어 많으면 약액을 계속 배출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크의 약액이 H 센서로 감지되어 적으면 약액을 계속 급액하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 2항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크의 온도가 70±2℃가 안되면 계속 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 기판의 사용 매수는 상기 교환할 매수에서 장비내에 있는 기판의 매수를 뺀 값인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크로 교체된 후 상기 제 1 약액 탱크를 준비 상태로 만드는 단계가 더 구비되고, 상기 단계는,상기 제 1 약액 탱크의 약액을 모두 배출하는 단계;소정의 지연시간을 갖는 단계;상기 제 1 약액 탱크내에 새로운 약액을 원하는 양만큼 공급하는 단계; 그리고상기 제 1 약액 탱크내에 채워진 약액의 온도가 설정된 온도범위내에 있도록 상기 제 1 약액 탱크를 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 1 약액 탱크내의 약액을 이용하여 장치내로 투입된 기판들에 식각 또는 박리 공정을 수행하는 단계;상기 제 1 약액 탱크내의 약액을 이용하여 식각 또는 박리된 상기 기판들의 매수를 카운트하는 단계;상기 카운트된 기판의 매수가 미리 셋트된 최대 기판 매수로부터 상기 장치로 이미 투입된 기판들의 매수를 검사한 값에 도달할 때, 상기 제 2 약액 탱크의 준비 상태를 체크하는 단계; 그리고상기 제 2 약액 탱크가 사용을 위한 준비 상태에 있고 상기 카운트된 매수가 상기 최대 기판 매수에 도달할 때 상기 제 2 약액 탱크의 약액을 사용하여 상기 기판들을 식각 또는 박리하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 약액 탱크가 준비 상태에 있지 않을 때, 다음 기판을 상기 장치로 투입하는 것을 중지하는 단계;상기 장치에 현재 이미 투입된 상기 기판들에 대해서 상기 제 1 약액 탱크의 약액을 이용하여 상기 식각 또는 박리 과정을 정상적으로 차례로 수행하고 나서 배출시키는 단계; 그리고상기 장치에 대한 경계를 위해 경보음을 발생하는 단계를 더 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환방법.
- 외부로부터 패턴되기 위한 물질층이 형성된 기판을 투입시키는 로더와,상기 투입된 기판들을 식각 또는 박리시키기 위한 약액을 제공하는 제 1 및 제 2 약액 탱크; 그리고상기 제 1, 제 2 약액 탱크의 교환을 제어하기 위하여, 상기 제 1 약액 탱크의 약액을 이용하여 상기 식각 또는 박리되는 기판들의 매수를 카운트하고, 상기 카운트된 기판의 매수가 상기 제 1 약액 탱크에 대해 허용된 최대 기판 매수에 도달하기 전의 일 시점에서 상기 제 2 약액 탱크의 준비 상태를 체크하며, 상기 제 2 약액 탱크가 준비 상태에 있고 상기 카운트된 매수가 상기 최대 기판 매수에 도달할 때 상기 제 1 약액 탱크를 상기 제 2 약액 탱크로 교체하는 콘트롤러를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 액정표시소자의 약액교환장치.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010068903A KR100672632B1 (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
US10/273,172 US7897056B2 (en) | 2001-11-06 | 2002-10-18 | Apparatus for etching or stripping substrate of liquid crystal display device and method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010068903A KR100672632B1 (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030037825A KR20030037825A (ko) | 2003-05-16 |
KR100672632B1 true KR100672632B1 (ko) | 2007-02-09 |
Family
ID=19715748
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010068903A KR100672632B1 (ko) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | 액정표시소자의 약액교환방법 및 그 장치 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7897056B2 (ko) |
KR (1) | KR100672632B1 (ko) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100582202B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-05-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법 |
JP5008280B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4926433B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
US10747210B2 (en) * | 2017-09-11 | 2020-08-18 | Lam Research Corporation | System and method for automating user interaction for semiconductor manufacturing equipment |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US4359360A (en) * | 1981-12-10 | 1982-11-16 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Apparatus for selectively jet etching a plastic encapsulating an article |
DE3539874A1 (de) * | 1985-11-11 | 1987-05-14 | Hoellmueller Maschbau H | Anlage zum aetzen von zumindest teilweise aus metall, vorzugsweise kupfer, bestehendem aetzgut |
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JPH11204478A (ja) * | 1998-01-19 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体基板の洗浄方法およびその洗浄装置 |
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DE10130999A1 (de) * | 2000-06-29 | 2002-04-18 | D M S Co | Multifunktions-Reinigungsmodul einer Herstellungseinrichtung für Flachbildschirme und Reinigungsgerät mit Verwendung desselben |
JP4108941B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2008-06-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法 |
-
2001
- 2001-11-06 KR KR1020010068903A patent/KR100672632B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-10-18 US US10/273,172 patent/US7897056B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7897056B2 (en) | 2011-03-01 |
US20030085195A1 (en) | 2003-05-08 |
KR20030037825A (ko) | 2003-05-16 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171218 Year of fee payment: 12 |
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
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