JPH10242047A

JPH10242047A - 処理液処理方法および基板連続処理装置

Info

Publication number: JPH10242047A
Application number: JP35333097A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Kakinuki; 剛広垣貫; Tetsuo Suzuki; 哲男鈴木; Tetsuya Goto; 哲哉後藤; Masahiro Yoshioka; 正裕吉岡
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1996-12-24
Filing date: 1997-12-22
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】処理液を用いて基板の処理を行う装置で、処理
液の省液化を行うと同時に基板内での処理の均一性と基
板の大量処理を可能にした装置を提供する。【解決手段】基板を連続的に流すことができる搬送装置
と、均一に処理液を基板の上面方向から塗布する処理液
ノズルと、均一に気体を基板の上面方向から吹き付ける
気体の吹き出しノズルの組合せを少なくとも１対具備
し、さらに基板の搬送方向に対して最後方で用いた処理
液を回収し、前方の処理液ノズルに順に使用することを
特徴とする基板連続処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理液を用いて基
板の枚葉処理を行う装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤ製造プロセスでは、微細加工を行
うため基板の上に感光性のレジストを塗布し露光、現像
を行うフォトリソグラフィ法が主流を占めている。フォ
トリソグラフィ法では洗浄工程、現像工程、剥離工程と
いった処理液を使用する工程が多く、処理液の種類や工
程に応じてスピン方式、シャワー方式、ディップ方式等
さまざまな方式が選択されている。

【０００３】特開平５−１１９４８２号公報、特開平８
−４４０７５号公報ではスピン方法を用いた現像方法が
提案されている。スピン方式とは、基板を回転させてそ
の中央部に処理液を滴下し、処理液を放射状に広げて基
板全体に処理液が浸透するようにする。

【０００４】シャワー方式とは、処理液を基板全体に塗
布するために、処理液が複数の線状に吐出する処理液ノ
ズルを用いている。ディップ方式とは処理液を槽に溜め
て基板を槽内に入れることで基板全体に処理液を浸透さ
せる方法である。シャワー方式およびディップ方式は基
板を連続搬送して処理するものとバッチ方式で処理する
ものがあるが、スピン方式は基板１枚ずつの処理とな
る。またいずれの方式についても処理液処理を行った後
乾燥を行う必要がある。スピン方式では処理液処理後、
そのまま高速回転を行って処理液を飛ばすことができる
のに対して、シャワー方式およびディップ方式ではエア
ナイフやスピン乾燥等の工程によって処理液を除去する
ことが必要となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来方法
では次のような問題がある。

【０００６】スピン方式では、回転している基板に処理
液を塗布するため処理液が比較的均一に接触するが、使
用する処理液の粘度や表面張力、基板表面の膜種や状態
によって処理液の広がり方に違いがあり、使用できる処
理液が限定される。また基板の中央に処理液を滴下する
ため、基板の中央部と端部とでは処理状態に違いが生じ
る。このため基板の形状が大きくなるほど、均一な処理
を行うことが困難になる。また基板を回転させながら処
理液を用いた処理を行うため使用する処理液量が多い。
さらに基板を１枚ずつ処理するため連続的に処理するこ
とが不可能であり、基板の大量処理を行うのに有利な手
段ではない。

【０００７】シャワー方式やディップ方式は基板を連続
的に処理することが可能であるという利点がある。しか
しシャワー方式は、基板に対して処理液を均一に当てる
ことが難しく、基板の処理状態にムラができる。またシ
ャワーから発生する処理液の飛沫が基板に付着し、この
部分がムラになりやすい。ディップ方式についても同様
であり、基板の表面状態によっては処理液を均一に当て
ることが難しく、さらに処理液を槽内に溜めておくこと
で処理液の状態に違いが生じるため、基板の処理状態に
ムラができる。

【０００８】本発明はかかる従来技術の欠点を解決する
もので、少量の処理液の使用で処理液を基板に対して均
一に接触させ、さらに基板の大量処理を可能にした処理
液処理方法および基板連続処理装置を提供することを目
的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明においては以下の構成を採用する。すなわ
ち、 (1) 基板を連続的に搬送する装置において、処理液ノズ
ルを用いて該基板に処理液を塗布し、その後、気体を吹
き付ける吹き出しノズルを用いて該基板に気体を吹き付
け、該基板上に塗布された処理液を基板全面に押し広げ
る工程、および／または該基板上に塗布された処理液を
基板上から除去する工程の一連の順序での処理液処理の
組み合わせを１組としたとき、１枚の基板について、該
１組の組み合わせによる処理液処理を少なくとも１回行
うことを特徴とする基板の処理液処理方法。

【００１０】(2) 基板を連続的に搬送する装置におい
て、処理液を塗布する処理液ノズルと基板に気体を吹き
付ける吹き出しノズルの組み合わせを少なくとも１対具
備してなることを特徴とする基板連続処理装置。

【００１１】

【発明の実施の形態】前記目的を達成するために本発明
は、以下の手段を用いる。

【００１２】本発明による装置は、処理基板の搬送を枚
葉で連続的に行うことにより大量処理を可能としてい
る。基板の搬送方法としては、搬送ローラー、移載機、
搬送アーム、吸着テーブル等があり、搬送ローラーによ
る搬送が好適に用いられるが、特に限定されない。

【００１３】本発明による装置は、処理が基板内で均一
になされるために、処理液が基板に対して均一に接触す
るような処理液ノズルを用いることが好ましい。処理液
ノズルの配置としては、処理液がいずれかの噴射角度を
もって吐出するノズルを１個、１列または複数列に複数
個並べたもの、処理液が１本の線状で吐出するノズルを
１列にまたは複数列に複数個並べたものなどがあり、基
板の形状や搬送方法に応じて適宜選択される。さらにノ
ズルの形状としては、処理液が面状に広がるノズルであ
れば良いが、好ましくは処理液がカーテン状に均一に吐
出するノズルがよく、アクアナイフが適当である。

【００１４】処理液ノズルから吐出される処理液の流量
についての限定はしないが、処理液が処理液ノズルから
吐出したときおよび基板に接触したときに、処理液の飛
沫が発生しない程度で多く調整することが好ましい。

【００１５】また処理液ノズルと基板との距離について
は、処理液の流量および基板の搬送速度に応じて適宜調
整されるが、好ましくは０．５〜３０ｍｍ、より好まし
くは１〜１０ｍｍである。

【００１６】また処理液ノズルから吐出した処理液が該
基板と接触するときの角度については、処理液の流量お
よび基板の搬送速度に応じて適宜調整されるが、好まし
くは３０〜９０度、より好ましくは６０〜８０度であ
る。

【００１７】さらに処理液の浸漬時間が同じであれば、
処理液ノズルの基板の搬送方向に対する取付角度はいず
れの角度であってもよいが、基板の搬送方向に対して直
交方向に設置した方が好ましい。

【００１８】処理液を除去するのに必要な気体の吹き出
しノズルは、処理液が均一にかつ完全に基板後方へ押し
広げられるように気体が均一に吹き出される構造になっ
ていることが必要がある。好ましくはエアナイフのよう
に気体がカーテン状に均一に吐出するノズルであるが、
気体が均一に吐出するノズルであればどのようなノズル
を用いてもかまわない。

【００１９】気体の吹き出しノズルと基板との距離につ
いては、気体の流量および基板の搬送速度に応じて適宜
調整される。

【００２０】ただし、基板の搬送方向に対して入口側を
上流、出口側を下流としたとき、吹き付けた気体によっ
て基板上にある処理液が基板の上流方向に押し広げら
れ、さらに気体の吹き出しノズルを通過した部分の処理
液を除去するためには、気体の吹き出しノズルと基板と
の距離が近い方が前述の条件を満たすためには有利であ
る。

【００２１】さらに、気体の吹き付けを行い基板上にあ
る処理液を押し広げ、気体の吹き出しノズルを通過した
部分の処理液を除去する際に、処理液と基板との境界部
分に剪断力を発生するので、洗浄、現像、剥離等の処理
液処理でより有効な手法となる。

【００２２】気体の吹き出しノズルと基板との距離につ
いては、気体の流量および基板の搬送速度に応じて適宜
調整されるが、好ましくは０．５〜３０ｍｍ、より好ま
しくは１〜１０ｍｍである。

【００２３】該気体の吹き出しノズルから吐出した気体
が該基板と接触するときの角度については、気体の流量
および基板の搬送速度に応じて適宜調整されるが、好ま
しくは３０〜９０度、より好ましくは６０〜７０度であ
る。

【００２４】気体の吹き出しノズルから吐出される気体
の流量については特に限定はしないが、処理液が均一に
かつ完全に基板後方へ押し広げられるように調整するこ
とが重要である。また、処理液の浸積時間が基板面内で
一定となるようにするため、気体の吹き出しノズルは、
基板の搬送方向に対して直交方向に設置することが好ま
しい。

【００２５】本発明による装置では、現像面、剥離面及
び洗浄面を基板のパスラインに対して上側に向けて基板
の搬送を行うことが好ましい。このため、基板のパスラ
インよりも上面に具備する処理液ノズルと気体の吹き出
しノズルとの一連の組み合わせを何対具備するかについ
ては、基板の搬送速度と処理液が被処理物に作用する時
間との関係によって適宜選択する。

【００２６】つまり、処理液ノズルによる処理液の吹き
付け〜吹き付けノズルによる処理液の押し広げ／除去、
という一連の処理液処理を繰り返し行うことで、基板に
対してより多くの剪断力をかけることが可能となるた
め、処理時間がかかる被処理物や、より多くの剪断力を
必要とする被処理物に対しては、多数対の組み合わせと
することが好ましい。

【００２７】また、処理液ノズルと吹き出しノズルとの
距離についても、基板の搬送速度と処理液が被処理物に
作用する時間との関係によって適宜調整される。

【００２８】本発明による装置では、基板の裏面を洗浄
したり、汚染させないために基板の下面から処理液の塗
布を行う処理液ノズルと気体の吹き出しノズルの組み合
わせを１対以上具備させることが好ましい。これらのノ
ズルは基板搬送方向に対して下流側に具備するのが好適
である。

【００２９】本発明による装置は、少なくとも１つの処
理液ノズルと処理液タンクとの対を１対あるいは、複数
対具備している。

【００３０】前記装置形態をとることにより、処理液ノ
ズルから基板に塗布し、その後、吹き付けノズルから吹
き付けられた気体によって基板上から除去された処理液
を回収し再利用する方法において、基板の搬送方向に対
して下流にある１個あるいは複数個の処理液ノズルから
吐出された処理液を１つ上流にある処理液ノズルで使用
する処理液タンクに回収することが可能となる。

【００３１】前記方法を用いることで、省液化のみなら
ず、基板の搬送方向に対して下流にある処理液ノズルほ
ど不純物が少ない処理液を吐出させることが可能とな
り、基板に不純物を再付着させなくすることや、処理状
態を基板内で均一にさせることが可能となる。

【００３２】さらに好ましくは、基板の搬送方向に対し
て最下流にある処理液ノズルに使用する処理液を新液に
することである。最下流にある処理液ノズルを新液にす
ることで、基板に不純物を付着させることなく、基板の
処理を行うことが可能となる。

【００３３】さらに不純物を除去するための装置を処理
液を回収する配管中に具備すれば、基板に不純物を再付
着させにくくすることや、処理液の耐久性などの点でさ
らに有効となる。不純物を除去するための装置として
は、フィルターや、ゼオライト、活性炭、イオン交換樹
脂等の吸着剤やそれらの組み合わせなど、様々な装置が
あるが、処理液の種類や除去する物質の種類に応じて適
宜選択する。

【００３４】前述のように、それぞれの処理液ノズルに
使用する処理液は処理液タンクに回収したものを用いて
いるため、処理液が不足しないように処理液タンクに液
面計等のセンサーを具備して処理液の量を管理すること
が好ましい。本来であれば、処理液タンク内にある処理
液が一定になるように、回収した処理液と使用する処理
液を同量にするのが望ましいが、処理液の蒸発などで処
理液が一定量以下になった時は処理液を補充する。

【００３５】処理液タンク内の処理液の量を管理するセ
ンサーとしては、フロー式、光電式、静電容量測定式等
のものがあるが、処理液の種類、処理液タンクの材質、
容量等によって適宜選択される。

【００３６】処理液が一定量以下になった場合の、処理
液の補充方法としては、まず、基板の搬送方向に対して
１つ下流の処理液ノズルに処理液を供給する処理液タン
クからの給液を行い、さらに該処理液タンクも処理液が
十分でなかった場合に新液を供給する。これを行うこと
により、搬送方向に対して最も下流の処理液タンク、も
しくは処理液ノズル以外に新液を使用しないで連続処理
することが可能となる。これらの処理液の供給はセンサ
ーによって管理されており、当該処理液タンクおよび１
つ後方にあるタンクを結ぶ配管および新液供給を行う配
管がそれぞれ具備されている。

【００３７】センサーからの給液要求によって、まず、
処理液タンク同士を結んでいる配管に設置されている自
動弁が開放され、給液が行われる。しかし、処理液を供
給する側の処理液タンクにも処理液がなかった場合、新
液供給を行う配管中に設置されている自動弁が開放さ
れ、給液が行われる。

【００３８】反対に処理液タンク中の処理液の量が上限
に達した場合、これによって処理液があふれるといった
トラブルを回避するためにオーバーフロー管を処理液タ
ンクに具備している。

【００３９】省液化をさらに行うためには、処理液が必
要なとき、つまり処理液が基板に塗布されるときのみ処
理液ノズルから吐出することが望ましい。本発明の装置
において、これを行うためには、基板の位置を検出する
センサーを処理液ノズルの手前に具備して、基板の位置
を検知し、センサーから処理液ノズルまでの距離と基板
の搬送速度から処理液の吐出するタイミングおよび、塗
布時間を決定する制御装置を有することにより、これを
実現する。

【００４０】ただし、処理液ノズルから処理液を間欠に
吐出した場合、塗布開始後、直ちに処理液の吐出状態を
安定にさせるようにする。この手段として例を挙げる
と、処理液ノズルから処理液を吐出させるためのポンプ
は常時作動させておいて、処理液を吐出させる必要がな
いときは処理液タンクに戻るように配管し、処理液を吐
出させる必要があるときのみ該ポンプからくみ上げられ
る処理液を該処理液ノズルから吐出するように配管中に
ある弁を切りかえることで、塗布開始直後から処理液の
吐出を安定にすることが可能となる。

【００４１】処理液の塗布する量については、基板全面
に塗布するようにしても良いし、あるいは、基板の大き
さを考慮して、気体の吹き出しノズルから吹き出される
気体によって、基板上にある処理液を基板全体に押し広
げ、基板全面に接触させることができる量であっても良
い。

【００４２】基板全面に処理液を塗布したときは、気体
の吹き出しノズルから吹き出される気体によって処理液
が基板端部から除去される。

【００４３】また、処理液を基板全面に塗布せず、ある
部分にのみ処理液を塗布した場合は、吹き出される気体
によって処理液が基板全面に押し広げられながら基板を
移動し、基板端部から処理液が除去される。

【００４４】いずれの場合も、吹き付けられる気体によ
って処理液が後方へ押しやられるので、処理液と基板の
境界面では剪断力が発生する。

【００４５】気体の吹き付けノズルについても、処理液
ノズルと同様のセンサーおよび制御装置を用いること
で、吹き付けを行う時間や流量を制御することが可能で
あり、さらに、同一のセンサーを用いて、処理液ノズル
と気体の吹き付けノズルを同時に制御してもよい。

【００４６】本発明の装置において使用する処理液は、
例えば、本発明による装置をフォトリソ加工工程におけ
る露光後の、ノボラック系のポジ型レジストの現像を行
う現像装置として用いた場合、処理液としてはＮａＯ
Ｈ、ＫＯＨ等の無機アルカリ水溶液やテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドのような有機アルカリ水溶液等の
アルカリ現像液を用いることが多いが、特に限定されな
い。

【００４７】また本発明による装置をレジストの剥離装
置に用いた場合、処理液としてはアセトン等のケトン
類、エチルセルソルブ等のセルソルブ類、セルソルブア
セテート類を用いることが多いが、特に限定されない。

【００４８】さらに本発明による装置を基板の洗浄装置
に用いた場合、処理液としてはアニオン系、カチオン系
および非イオン系の界面活性剤を含んだ水溶液や、ＲＯ
水、オゾン水等を用いることが多いが、特に限定されな
い。

【００４９】本発明の装置において使用する気体につい
ても、ドライエア、窒素、希ガス等、その処理用途にお
いて適宜選択されるが、特に限定されない。ただし使用
する処理液が有機溶媒等で爆発性を有するものである場
合、窒素が好適である。

【００５０】本発明において処理を行う基板について
は、半導体の製造で使用するシリコンウェハーやＬＣＤ
の製造で使用するガラス基板等、特に限定されているわ
けではない。

【００５１】本発明の基板連続処理装置は、枚葉で連続
搬送を行うため基板の大量処理を可能としている。さら
に処理液は前述に示したような循環使用し、処理液ノズ
ルで処理液を均一に塗布し、さらに気体の吹き出しノズ
ルで均一に処理液を基板後方へ押しやることで、薬液に
よる処理の均一化と省液化を両立したもので、洗浄工
程、現像工程、剥離工程等の処理液を使用する処理工程
に用いる装置として汎用性は非常に広い。

【００５２】

【実施例】以下、好ましい実施態様を用いて本発明をさ
らに詳しく説明するが、用いた実施態様によって本発明
の効力はなんら制限されるものではない。

【００５３】図１は本発明の実施例の１つで、ＬＣＤ部
材であるカラーフィルタのレジスト剥離装置の構成図を
示すものである。

【００５４】図１において、１は剥離液を基板の上面方
向から基板に均一に塗布するために、２００μｍの間隙
をもったアクアナイフである。２はアクアナイフ１によ
って塗布された剥離液を均一に基板の搬送方向に対して
後方方向に押し広げ、基板全体を剥離液に接触させ、か
つ基板後方より剥離液を排除するために気体を基板に均
一に吹き付けられるように２００μｍの間隙をもったエ
アナイフである。アクアナイフ１とエアナイフ２との間
隔は任意に調整可能となっており、本実施例では１２５
ｍｍに調整している。基板との距離においても間隔は任
意に調整可能となっており、本実施例では１，２とも１
０ｍｍに調整している。該剥離装置ではアクアナイフ１
とエアナイフ２の組合せを４対備えている。３は基板の
位置を検知するセンサーであり、それぞれのアクアナイ
フ１の基板の搬送方向に対して上流側５０ｍｍの位置に
設置している。センサー３が基板の位置を検知した時を
基準として、センサー３の直後にあるアクアナイフ１及
びエアナイフ２の塗布および気体の吹き付けの開始時期
を決定する。

【００５５】４は剥離液を貯蔵する処理液タンクであり
剥離液の温調機能を有する。剥離液としては有機溶媒が
多く用いられるため熱電対が剥離液に接触しないように
タンク底面の剥離液の接しない側に熱電対を配してい
る。また処理液タンク４には液面計５が具備されてお
り、処理液タンク４中の剥離液量が低下した場合、液面
計５がそれを検知し弁６または弁７を開いて剥離液を補
充する。弁６は処理液タンク４と基板の搬送方向に対し
て１つ後方のアクアナイフに用いる剥離液を溜めている
処理液タンク４とでつながっている配管９中に具備され
ている弁であり、弁７は新液を供給する配管１０に具備
されている弁である。１１は、剥離液を基板の下面方向
から基板に均一に塗布するために２００μｍの間隙をも
ったアクアナイフである。１２は、アクアナイフ１１に
よって塗布された剥離液を排除するために気体を基板に
均一に吹き付けられるように２００μｍの間隙をもった
エアナイフである。基板に対して下面から塗布するため
に用いる剥離液は循環使用するため、剥離液を回収する
ための配管１３に膜フィルター、さらに活性炭層を有し
たカラム１４を具備している。

【００５６】以上のように構成されたレジスト剥離装置
を用いてガラス基板上にパターン形成された着色層上に
存在しているポジ型レジストの剥離を行った。

【００５７】まず着色層及びポジ型レジストがパターン
形成されているガラス基板は以下の方法で製造した。

【００５８】着色層としてポリイミド前駆体（ポリアミ
ック酸）溶液とカーボンブラック（ＭＡ１００、三菱化
成（株）製）とを分散して調整したブラックペーストを
用いた。

【００５９】３００×３５０ｍｍのサイズの無アルカリ
ガラス（日本電気ガラス（株）製、ＯＡ−２) 基板上に
スピナーを用いて、ブラックペーストを塗布し、オーブ
ン中１３５℃で２０分間セミキュアした。続いて、ポジ
型レジスト(Shipley "Microposit" RC-100 30cp)をスピ
ナーで塗布し、９０℃で１０分間乾燥した。レジスト膜
厚は１. ５μｍとした。キャノン（株）製ＰＬＡ−５０
１Ｆを用い、フォトマスクを介して、露光を行った。

【００６０】次に、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シドを２重量％含んだ２３℃の水溶液を現像液に用い、
基板を６０秒間現像液にディップさせ、同時に１０ｃｍ
幅を５秒で１往復するように基板を揺動させて、ポジ型
レジストの現像とポリイミド前駆体のエッチングを同時
に行った。

【００６１】ポジ型レジストの剥離を行うために、薬品
としてはメチルセルソルブアセテート（ダイセル化学工
業（株）製）を用い、アクアナイフからの塗布量は０．
６ｌ／ｍｉｎとした。またメチルセルソルブアセテート
は２２℃で使用した。メチルセルソルブアセテートは爆
発性を有する有機溶媒であるため、エアナイフ２および
１２から吹き出される気体は窒素とした。エアナイフか
らの吹き出し量は０．９Ｋｇｆ／ｃｍ²とした。

【００６２】本発明である剥離装置中において、基板は
１５０ｃｍ／ｍｉｎで搬送を行った。基板が本発明によ
る装置に搬入すると基板の位置を検知するセンサー３が
基板を検知するので、センサー３が基板を検知してから
２秒後にアクアナイフからの剥離液の塗布を開始するよ
うに設定した。アクアナイフからの剥離液の塗布は３秒
間行い、その結果、１つのアクアナイフが基板１枚あた
りに使用する剥離液は０．０３ｌとなった。図２に示す
ように、基板に塗布された剥離液は基板の搬送方向に対
して下流側の約１／３を浸漬したが、残りの部分には剥
離液が全く接触していない状態で基板が搬送された。

【００６３】エアナイフはセンサー３が基板を検知して
から６秒後に窒素の吹き出しを開始した。このエアナイ
フからの窒素の吹き出しによって基板上にある剥離液が
基板後方に押し広げられ、基板全面を覆うのが確認でき
た。さらにセンサー３が基板を検知してから７秒後には
基板がエアナイフ下にあり、エアナイフを通過した部分
から剥離液が完全に除去された。別に行った検討におい
て窒素の吹き出し量を変化させた場合、ポジ型レジスト
の剥離状態に変化が見られた。これにより窒素の吹き付
けによって起こるせん断力が剥離効率に影響を及ぼすこ
とがわかった。

【００６４】図１の剥離装置では、基板に対して上側に
位置しているアクアナイフを４回通過することになる
が、基板の搬送方向に対して上流になるほど剥離液に不
純物が少ない状態になり、最も下流にあるアクアナイフ
からは新液を塗布した。また４回とも同量の剥離液を使
用し、またエアナイフも同条件で使用した。

【００６５】以上の操作により得られた基板を蛍光灯や
Ｎａランプを用いて表面状態を観察したとき、基板全面
にわたってムラは全く存在しなかった。

【００６６】従来のシャワー方式やディップ方式による
剥離の場合、剥離液の当たり方の違いによるスジ状のム
ラやシャワーの飛沫が基板に付着して浸漬時間が変化し
た結果起る斑点状のムラがあるので、本発明によって製
造したものは品位が優れていることが確認できた。

【００６７】またアクアナイフで用いる剥離液の量はす
べて同量で、また剥離液を回収・使用するので基板１枚
あたりに使用する新液の量は０．０３ｌであった。スピ
ン方式で同様の剥離を行った場合、０．０７ｌの新液が
必要となり本発明による装置が省液化に対しても非常に
有利であることが確認できた。

【００６８】さらに基板を連続的に搬送した場合、タク
トタイム３０秒が可能であった。スピン方式ではタクト
タイムとして約６０秒要するので、本発明が基板の大量
処理に対しても有利であることが確認できた。

【００６９】

【発明の効果】本発明の基板連続処理装置は、基板の枚
葉搬送、処理液を基板に均一に塗布する処理液ノズルで
の処理液の塗布とその後の気体の吹き出しノズルによる
処理液の除去、さらに基板の搬送方向に対して最も下流
の処理液ノズルで用いた処理液を回収・使用して最も上
流にある処理液ノズルまで該処理液を使用することを特
徴とした装置である。本発明による基板連続処理装置を
用いた場合、以下の効果が得られる。

【００７０】(1) 処理液が基板に均一に塗布されるた
め、基板内で処理液の浸漬時間の差による処理状態のム
ラが起こらず、基板内で処理液による均一な処理状態が
得られる。

【００７１】(2) 気体の吹き出しノズルから気体を吹き
出すことによって、基板上にある処理液を基板の搬送方
向に対して基板後方へ押し広げるので、少量の処理液で
処理を行うことができる。

【００７２】(3) 気体の吹き出しノズルから基板に気体
を吹き付けて基板上の処理液を押し広げおよび／または
除去する際に、処理液−基板境界面で剪断力を発生させ
るので、処理効率を高めることができる。

【００７３】(4) 基板の搬送方向に対して最も下流にあ
る処理液ノズルに使用する処理液のみ新液で、その他の
処理液ノズルについては該処理液を回収して使用するこ
とにより、省液化がはかれる。

【００７４】(5) 基板の搬送方向に対して後方になるほ
ど処理液の清浄度がますので、処理液中の不純物の付着
が防止でき、品質の低下を防ぐことができる。

【００７５】(6) 基板を枚葉で連続的に搬送すること
で、大量処理を行うことが可能となり、処理量の増加が
可能となる。

【００７６】(7) 処理時間に対して、処理液ノズルと気
体の吹き出しノズルとの距離および前記ノズルの対の数
を任意に設定することにより、搬送速度を任意に決定で
きるので、基板の大量処理を行うことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明により得られた枚葉基板連続搬送型剥離
装置の概略図である。

【図２】処理液ノズルと気体の吹き出しノズルを用いた
時の基板上の処理液の流れのモデルである。

【符号の説明】

１、１１、１５・・・処理液ノズル、２、１２、１６・・・気体の吹き出しノズル３・・・基板の位置検知センサー４・・・処理液タンク５・・・液面計６、７・・・弁、８、１３・・・処理液を回収する配管９・・・基板搬送方向に対して１つ後方の処理液タンク
と当該タンクとを結ぶ配管１０・・・新液を供給する配管１４・・・フィルター１７・・・基板１８・・・処理液

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６９Ｃ 21/306 Ｒ (72)発明者吉岡正裕滋賀県大津市園山一丁目１番１号東レ株式会社滋賀事業場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を連続的に搬送する装置において、処
理液ノズルを用いて該基板に処理液を塗布し、その後、
気体を吹き付ける吹き出しノズルを用いて該基板に気体
を吹き付け、該基板上に塗布された処理液を基板全面に
押し広げる工程、および／または該基板上に塗布された
処理液を基板上から除去する工程の一連の順序での処理
液処理の組み合わせを１組としたとき、１枚の基板につ
いて、該１組の組み合わせによる処理液処理を少なくと
も１回行うことを特徴とする基板の処理液処理方法。
【請求項２】前記処理液処理の１組の組み合わせを、１
枚の基板について複数回行うことを特徴とする請求項１
に記載の基板の処理液処理方法。
【請求項３】前記処理液処理において、前記吹き付けノ
ズルから吹き出される気体によって前記基板上に塗布さ
れた処理液を押し広げる際に、および／または、該基板
上に塗布された処理液を基板上から除去する際に、処理
液が基板に対して剪断力を発生させることを特徴とする
請求項１または２に記載の基板の処理液処理方法。
【請求項４】基板を連続的に搬送する装置において、処
理液を塗布する処理液ノズルと基板に気体を吹き付ける
吹き出しノズルの組み合わせを少なくとも１対具備して
なることを特徴とする基板連続処理装置。
【請求項５】前記処理液ノズルと前記気体の吹き出しノ
ズルを基板のパスラインよりも上方向に複数対具備して
なることを特徴とする請求項４に記載の基板連続処理装
置。
【請求項６】基板が前記処理液ノズルと前記気体の吹き
出しノズルの組合せで、複数回通過するように該処理液
ノズルと該気体の吹き出しノズルを配置してなることを
特徴とする請求項４または５に記載の基板連続処理装
置。
【請求項７】前記処理液ノズルと前記気体の吹き出しノ
ズルの対を基板のパスラインよりも下方向に少なくとも
１対具備してなることを特徴とする請求項４から６のい
ずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項８】前記処理液ノズルが基板の搬送方向に対し
て直交方向に、処理液を基板に均一に塗布することを特
徴とする請求項４から７のいずれかに記載の基板連続処
理装置。
【請求項９】前記気体の吹き出しノズルが基板の搬送方
向に対して直交方向に、気体を基板に均一に吹き付ける
ことにより、処理液を押し広げ、基板全面に接触させな
がら、処理液を排除し基板を露出させることを特徴とす
る請求項４から７のいずれかに記載の基板連続処理装
置。
【請求項１０】前記処理液ノズルがアクアナイフである
ことを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の基
板連続処理装置。
【請求項１１】前記気体の吹き出しノズルがエアナイフ
であることを特徴とする請求項４から７のいずれかに記
載の基板連続処理装置。
【請求項１２】前記処理液ノズルで使用した処理液を処
理液タンクに回収し再利用することを特徴とする請求項
４から７のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項１３】前記処理液ノズルで使用した処理液を回
収し再利用するときに不純物を除去する装置を具備して
なることを特徴とする請求項４から７、または１２のい
ずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項１４】少なくとも１つの前記処理液ノズルと前
記処理液タンクの対を少なくとも１対具備してなること
を特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の基板連
続処理装置。
【請求項１５】該処理液ノズルと処理液タンクの対を、
複数対具備してなることを特徴とする請求項４から７、
または１２のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項１６】基板の搬送方向に対して入口側を上流、
出口側を下流としたとき、下流にある前記処理液ノズル
で使用した処理液を、１つ上流にある前記処理液ノズル
と対をなす前記処理液タンクに回収し、該処理液ノズル
で使用することを特徴とする請求項４から７、または１
２のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項１７】基板の搬送方向に対して、最下流にある
前記処理液タンクと対をなす前記処理液ノズルから新液
塗布することを特徴とする請求項４から７のいずれか、
または１２から１６のいずれかに記載の基板連続処理装
置。
【請求項１８】処理液タンクと、該処理液タンクに対し
て１つ下流にある前記処理液タンクを配管で結び、処理
液の流通を可能とし、これに制御可能な送液機構および
制御可能な弁を具備することを特徴とする請求項４から
７のいずれか、または１２から１６のいずれかに記載の
基板連続処理装置。
【請求項１９】処理液タンクにオーバーフロー管を具備
してなることを特徴とする請求項４から７のいずれか、
または１２から１６のいずれかに記載の基板連続処理装
置。
【請求項２０】センサーにより、前記処理液タンクの処
理液量が一定量以下になったことを検知した場合、該処
理液タンクに対して、基板の搬送方向に対して１つ下流
にある前記処理液タンクから処理液を供給するか、ある
いは新液を供給するかを制御する装置を具備してなるこ
とを特徴とする請求項４から７のいずれか、または１２
から１６のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項２１】処理液タンクの処理液量を検知するセン
サーを具備することを特徴とする請求項４から７のいず
れか、または１２から１６のいずれかに記載の基板連続
処理装置。
【請求項２２】処理液タンクに新液を供給する配管と制
御可能な送液機構および制御可能な弁を具備することを
特徴とする請求項４から７のいずれか、または１２から
１６のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項２３】センサーにより、前記処理液タンクの処
理液量が一定量以下になったことを検知し、該処理液タ
ンクに対して、基板の搬送方向に対して１つ下流にある
前記薬液タンクから処理液を供給出来なかったときに、
新液を供給するように制御する装置を具備してなること
を特徴とする請求項４から７のいずれか、または１２か
ら１６のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項２４】処理液ノズルからの処理液の塗布におい
て、塗布する液量または、および時間を制御する装置を
具備してなることを特徴とする請求項４から７のいずれ
かに記載の基板連続処理装置。
【請求項２５】処理液ノズルから吐出される処理液が基
板に直接あたるときのみ塗布するように、塗布する時間
を制御する装置を具備してなることを特徴とする請求項
４から７、または２４のいずれかに記載の基板連続処理
装置。
【請求項２６】処理液ノズルからの処理液の塗布におい
て、塗布の開始時から安定に処理液が塗布できるように
したことを特徴とする請求項４から７、２４、または２
５のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項２７】基板の搬送方向における基板の位置を検
知するセンサーを具備してなることを特徴とする請求項
４から７、または２４のいずれかに記載の基板連続処理
装置。
【請求項２８】センサーを前記処理液ノズルの前に具備
してなることを特徴とする請求項４から７、または２４
のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項２９】センサーと請求項２４に記載の制御装置
とを組み合わせ、前記処理液ノズルからの処理液の塗布
において、液量および塗布時間を制御することを特徴と
する請求項４から７、または２４のいずれかに記載の基
板連続処理装置。
【請求項３０】気体の吹き出しノズルが、噴き出す気体
の流量および吹き出し時間を制御する装置を具備してな
ることを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の
基板連続処理装置。
【請求項３１】請求項２４に記載のセンサーを前記気体
の吹き出しノズルの前に具備してなることを特徴とする
請求項４から７、または３０のいずれかに記載の基板連
続処理装置。
【請求項３２】前記センサーと請求項３０に記載の制御
装置とを組み合わせ、前記気体の吹き出しノズルからの
気体の吹き付けにおいて、気体の流量または、および気
体の吹き付け時間を制御することを特徴とする請求項４
から７、または２４のいずれかに記載の基板連続処理装
置。
【請求項３３】搬送される基板の下面方向に具備した前
記処理液ノズルと前記気体の吹き出しノズルの対を、基
板の非処理面を洗浄するために用いることを特徴とする
請求項４から７のいずれかに記載の基板連続処理装置。
【請求項３４】請求項４から３３のいずれかに記載の装
置に使用する気体が空気であることを特徴とする基板連
続処理装置。
【請求項３５】請求項４から３３のいずれかに記載の装
置に使用する気体が窒素ガスであることを特徴とする基
板連続処理装置。
【請求項３６】請求項４から３５のいずれかに記載の装
置が現像装置であることを特徴とする基板連続処理装
置。
【請求項３７】請求項４から３６のいずれかに記載の装
置に使用する処理液が現像液であることを特徴とする基
板連続処理装置。
【請求項３８】請求項４から３５のいずれかに記載の装
置が剥離装置であることを特徴とする基板連続処理装
置。
【請求項３９】請求項４から３５、または３８のいずれ
かに記載の装置に使用する処理液が剥離液であることを
特徴とする基板連続処理装置。
【請求項４０】請求項４から３５のいずれかに記載の装
置が洗浄装置であることを特徴とする基板連続処理装
置。
【請求項４１】請求項４から３５、または４０のいずれ
かに記載の装置に使用する処理液が洗浄液であることを
特徴とする基板連続処理装置。
【請求項４２】請求項４から４１のいずれかに記載の装
置に使用する基板がカラーフィルタである基板連続処理
装置。
【請求項４３】請求項１から４２のいずれかの処理方法
または処理装置において得られたカラーフィルタを用い
た液晶表示装置。