CN111142342A - 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 - Google Patents
一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111142342A CN111142342A CN202010067663.0A CN202010067663A CN111142342A CN 111142342 A CN111142342 A CN 111142342A CN 202010067663 A CN202010067663 A CN 202010067663A CN 111142342 A CN111142342 A CN 111142342A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- chamber
- substrate
- spraying
- cleaning
- water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 151
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 175
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 154
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 148
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 134
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 113
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 50
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 29
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 28
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 24
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002351 wastewater Substances 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 abstract description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 10
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012864 cross contamination Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000015110 jellies Nutrition 0.000 description 1
- 239000008274 jelly Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本发明公开了一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用的清洗腔室可以防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化，而重新附着在基板表面，造成显示时白点不良的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法。
背景技术
在液晶显示器(LCD)有机发光二极管(OLED)等器件的制作过程中，诸如阵列基板上栅极、有源层、发光层等部件一般采用构图工艺制备。以构图形成栅极的图形为例进行说明，首先，在基板上形成金属薄膜，在金属薄膜上涂覆光刻胶，然后，对光刻胶进行曝光、显影处理，接着，对未覆盖光刻胶的金属薄膜进行刻蚀处理，最后，通过剥离基板上剩余的光刻胶，最终得到栅极的图形。
传统的光刻胶剥离技术主要有干式剥离、湿法剥离和超临界清洗，目前已知AMOLED厂商采用的Strip处理工艺均使用湿法有机溶剂剥离剂去除光刻胶，已知的光刻胶剥离工艺主要包括如下两种：
(1)Strip单元→干燥单元→TMAH单元→DI Water Rinse单元→Air Knife单元；
(2)Strip单元→干燥单元→DI Water Rinse单元→TMAH单元→DI Water Rinse单元→Air Knife单元。
在采用上述任一种光刻胶剥离工艺对基板上的光刻胶进行剥离处理时，基板会依次通过各单元，以上述处理工艺(1)为例，基板依次通过Strip单元→干燥单元→TMAH单元→DI Rinse单元→Air Knife单元，在基板通过Strip单元的过程中，设置在Strip单元内的喷头会向基板喷淋剥离液，以剥离基板上的光刻胶；在基板通过干燥单元的过程中，采用压缩干燥空气(CDA)对基板进行干燥同时去除剥离液；在基板通过TMAH单元的过程中，设置在TMAH单元内的喷头会向基板喷淋四甲基氢氧化铵溶液，以清洗基板上含杂质的清洗液；在基板通过DI Water Rinse单元的过程中，设置在DI Water Rinse单元的喷头会向基板喷淋去离子水，以清洗基板上含杂质的清洗液；在基板通过Air Knife单元的过程中，设置在AirKnife单元的气刀会向基板喷气，以清除基板上残留的清洗液。
具体地，Strip单元处理的基本原理如图1所示，主要有两个阶段，光刻胶放入Strip剥离液中，第一步:光刻胶在剥离液中形成溶胀胶状物，第二步:溶解的光刻胶聚合物分子分散到剥离液中。传统工艺在光刻胶聚合物分子分散到剥离液中后，先使用CDA对基板进行干燥同时去除剥离液，最后利用TMAH和DI Water清洗掉基板表面的剥离液和有机物残留，使膜层表面的光刻胶和有机物得到有效去除。
目前以上已知的光刻胶处理工艺均会造成光刻胶残留和有机物残留，主要原因为溶解的光刻胶聚合物分子分散到剥离液中后，干燥单元(CDA)虽然会去除含有光刻胶溶解物的溶液，但同时又会使已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物(剥离液)在风干作用下再次固化，并重新附着在基板膜层表面，如图2所示，光刻胶和有机物(剥离液)着在基板膜层表面在显示时会造成白点不良。
因此，如何避免已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物(剥离液)重新附着在基板膜层表面的问题，是本领域技术人员亟需解决的问题。
发明内容
本发明实施例提供的一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，用以避免已经溶解在剥离液中的光刻胶和有机物重新附着在基板膜层表面的问题。
因此，本发明实施例提供了一种光刻胶剥离系统，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室；其中，
所述剥离腔室设置有用于喷淋剥离液的第一喷淋机构，以剥离传送至所述剥离腔室的基板上的光刻胶；
所述清洗腔室设置有用于向从所述剥离腔室传送至所述清洗腔室的基板上喷水形成均匀水膜的水刀清洗机构，以及设置有用于向形成有所述均匀水膜的基板喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液的第二喷淋机构；
所述喷淋腔室用于去除所述基板上含杂质的清洗液。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述喷淋腔室包括第一喷淋腔室和第二喷淋腔室；
所述第一喷淋腔室设置有用于喷淋四甲基氢氧化铵溶液的第三喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液；
所述第二喷淋腔室设置有用于喷淋去离子水的第四喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，各所述喷淋机构包括多个喷淋模块，每个所述喷淋模块设置有喷头。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述剥离腔室、所述清洗腔室和所述喷淋腔室均包括腔体，各所述喷淋机构均包括固定部，所述固定部与所述腔体连接以固定各所述喷头的喷淋位置。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述水刀清洗机构固定在所述清洗腔室的腔体上，所述水刀清洗机构所在平面相对水平面倾斜设置，且沿所述剥离腔室指向所述清洗腔室的方向，所述水刀清洗机构相对水平面的距离逐渐降低。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为40°～50°。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为45°。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为25cm～35cm。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为30cm。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述清洗腔室还包括供水机构和排水机构，所述供水机构用于向所述水刀清洗机构和所述第二喷淋机构喷水，所述排水机构用于将清洗完所述基板的废水排出所述清洗腔室。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，所述供水机构包括固定于所述清洗腔室内的喷水管和设置于所述喷水管出水处的喷头，所述排水机构包括与所述清洗腔室下方固定的排水管。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，还包括与所述喷淋腔室连接的干燥腔室；
所述干燥腔室设置有用于向从所述喷淋腔室传送至所述干燥腔室的基板喷气的气刀，以清除所述基板上残留的清洗液。
相应地，本发明实施例还提供了一种光刻胶剥离方法，应用于本发明实施例提供的上述任一项所述的光刻胶剥离系统，包括：
将具有光刻胶的基板传送至剥离腔室，进行光刻胶剥离；
将所述基板传送至清洗腔室，水刀清洗机构向所述基板上喷水形成均匀水膜，第二喷淋机构向形成有所述均匀水膜的基板上喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液；
将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离方法中，将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液，具体包括：
将所述基板传送至第一喷淋腔室，所述第一喷淋腔室的第三喷淋机构向所述基板上喷淋四甲基氢氧化铵溶液，以去除所述基板上含杂质的清洗液；
将所述基板传送至第二喷淋腔室，所述第二喷淋腔室的第四喷淋机构向所述基板上喷淋去离子水，以去除所述基板上含杂质的清洗液。
可选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离方法中，在所述将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液之后，还包括：
将所述基板传送至干燥腔室，所述干燥腔室的气刀向所述基板喷气，以清除所述基板上残留的清洗液。
本发明实施例的有益效果如下：
本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用清洗腔室在基板表面形成均匀水膜，可以保证基板表面光刻胶的流动性，防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化而重新附着在基板表面，方便在后续喷淋腔室可以清洗掉，有效降低光刻胶残留和有机物残留，因此本发明能够降低显示时出现白点不良的问题。
附图说明
图1为光刻胶剥离原理示意图；
图2为相关技术中光刻胶经过干燥单元后再次固化到基板表面的示意图；
图3为本发明实施例提供的光刻胶剥离系统的结构示意图；
图4为对应图3中清洗腔室去除光刻胶的示意图；
图5为本发明实施例提供的光刻胶剥离方法的流程图之一；
图6为本发明实施例提供的光刻胶剥离方法的流程图之二；
图7为本发明实施例提供的光刻胶剥离方法的流程图之三。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供的一种光刻胶剥离系统，如图3所示，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室；其中，
剥离腔室设置有用于喷淋剥离液的第一喷淋机构，以剥离传送至剥离腔室的基板上的光刻胶；
清洗腔室设置有用于向从剥离腔室传送至清洗腔室的基板上喷水形成均匀水膜的水刀清洗机构，以及设置有用于向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液的第二喷淋机构；
喷淋腔室用于去除基板上含杂质的清洗液。
本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用清洗腔室在基板表面形成均匀水膜，可以保证基板表面光刻胶的流动性，防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化而重新附着在基板表面，方便在后续喷淋腔室可以清洗掉，有效降低光刻胶残留和有机物残留，因此本发明能够降低显示时出现白点不良的问题。
现有的光刻胶去除工艺中的干燥单元对传送中的基板干燥能力有限，且风干效果使基板表面光刻胶残留固化，造成后续清洗困难，呈现出白点不良，本发明通过在剥离腔室之后设置清洗腔室，该清洗腔室处理后的膜层形成流动的水膜，避免光刻胶残留固化，并使用第二喷淋机构直接将水膜清洗，有效去除光刻胶残留。具体地，如图4所示，图4为本发明实施例采用在清洗腔室去除残留的光刻胶和剥离液的效果示意图，以剥离基板上栅极表面的光刻胶为例，从剥离腔室出来的基板进入清洗腔室，水刀清洗机构向基板上喷水，基板表面形成均匀水膜，基板表面形成的均匀水膜可以避免已经溶解的光刻胶聚合物再次固化，然后第二喷淋机构对基板膜层表面含有光刻胶溶解物的溶液进行清洗，有效解决含光刻胶溶解聚合物的剥离液去除和重新附着的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，喷淋腔室包括第一喷淋腔室和第二喷淋腔室；
第一喷淋腔室设置有用于喷淋四甲基氢氧化铵溶液的第三喷淋机构，以去除基板上含杂质的清洗液；
第二喷淋腔室设置有用于喷淋去离子水的第四喷淋机构，以去除基板上含杂质的清洗液。
在具体实施时，由于剥离腔室的剥离液和第一喷淋腔室的喷淋四甲基氢氧化铵溶液均为有机溶剂，现有浓度检测系统无法分辨该两种溶剂，如果两者交叉污染，会造成浓度管理混乱，增加工艺风险；本发明采用在剥离腔室和第一喷淋腔室之间设置直供直排的清洗腔室，为剥离腔室的剥离液和第一喷淋腔室的喷淋四甲基氢氧化铵溶液提供缓冲区间，从剥离腔室出来的基本在进入第一喷淋腔室之前通过清洗腔室有效去除剥离液,因此清洗腔室有效隔离剥离腔室的剥离液和第一喷淋腔室的喷淋四甲基氢氧化铵溶液，从而增加浓度管理精度，规避工艺风险。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，各喷淋机构包括多个喷淋模块01，每个喷淋模块01设置有喷头。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室均包括腔体，各喷淋机构(第一至第四喷淋机构)均包括固定部，固定部与腔体连接以固定各喷头的喷淋位置。具体地，喷淋位置包括喷淋的高度和方向，当固定部处于未固定状态时，喷头的喷淋高度和方向可调，当喷头的高度和方向调节至理想状态时，通过固定部将喷头固定在腔体上。
在具体实施时，为了能够在基板表面形成较为均匀的水膜，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，水刀清洗机构固定在清洗腔室的腔体上，水刀清洗机构所在平面相对水平面倾斜设置，且沿剥离腔室指向清洗腔室的方向，水刀清洗机构相对水平面的距离逐渐降低。
在具体实施时，为了提高清洗腔室的清洗能力，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为40°～50°。
优选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为45°。
在具体实施时，为了保证第二喷淋机构与水刀清洗机构之间形成对流效应，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，水刀清洗机构与第二喷淋机构之间的距离为25cm～35cm。
优选地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，水刀清洗机构与第二喷淋机构之间的距离为30cm。
具体地，在具体实施时，本发明实施例提供的上述各个腔室之间采用不锈钢进行隔断，在清洗腔室的入口设置水刀清洗机构，水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为45°，在水刀清洗机构后30cm处设置第二喷淋机构，保证基板从剥离腔室出来的第一时间，形成流动水膜，避免风干效应，且水刀清洗机构朝向第二喷淋机构，水刀清洗机构和第二喷淋机构形成对流效应，对基板上光刻胶残留和有机物残留进行有效清洗。
在具体实施时，现有的光刻胶去除工艺中，基板从Strip区间出来后，采用CDA干燥单元直接吹干，但风干去除法对药液去除能力有限，此过程容易造成Strip药液与后续TMAH药液交叉污染，造成新的工艺不良；因此，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，清洗腔室还包括供水机构和排水机构，供水机构用于向水刀清洗机构和第二喷淋机构喷水，排水机构用于将清洗完基板的废水排出清洗腔室。因此本发明实施例通过清洗腔室的供水机构直供水对从剥离腔室出来的基板进行清洗，避免造成药液交叉污染；并且本发明采用直供直排的供水机构和排水机构，增强清洗能力。并且，清洗腔室采用直供直排，可以避免循环污染，也可以避免第二喷淋腔室的循环水中杂质附着在基本表面，从而造成工艺不良。
在具体实施时，本发明实施例提供的清洗腔室中供水机构和排水机构均采用超纯水(UPW)，可以避免水中杂质在高温下对基板造成二次污染。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，供水机构包括固定于清洗腔室内的喷水管和设置于喷水管出水处的喷头，排水机构包括与清洗腔室下方固定的排水管。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图3所示，还包括与喷淋腔室连接的干燥腔室；
干燥腔室设置有用于向从喷淋腔室传送至干燥腔室的基板喷气的气刀，以清除基板上残留的清洗液。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，还包括传送机构，传送机构设置于上述各腔室下面，用于传送基板，实现基板的自动传送。例如，传送机构可以为皮带传送等。
需要说明的是，本发明上述实施例是以剥离栅极层表面光刻胶为例进行说明的，当然由于其余膜层Strip工艺同样是对光刻胶进行剥离处理，其工艺水平同样对点不亮影响较大。其余膜层Strip工艺同样采用本发明的光刻胶剥离系统进行光刻胶剥离，即增加清洗腔室作为剥离腔室和第一喷淋腔室之间的缓冲区，同栅极层Strip工艺一样，优化光刻剥离能力。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种光刻胶剥离方法，应用于本发明实施例提供的上述图3所示的光刻胶剥离系统，如图5所述，包括：
S501、将具有光刻胶的基板传送至剥离腔室，进行光刻胶剥离；
S502、将基板传送至清洗腔室，水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜，第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板上喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液；
S503、将基板传送至喷淋腔室，去除基板上含杂质的清洗液。
本发明实施例提供的上述光刻胶剥离方法，在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用清洗腔室在基板表面形成均匀水膜，可以保证基板表面光刻胶的流动性，防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化而重新附着在基板表面，方便在后续喷淋腔室可以清洗掉，有效降低光刻胶残留和有机物残留，因此本发明能够降低显示时出现白点不良的问题。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图6所示，将基板传送至喷淋腔室，去除基板上含杂质的清洗液，具体包括：
S503’、将基板传送至第一喷淋腔室，第一喷淋腔室的第三喷淋机构向基板上喷淋四甲基氢氧化铵溶液，以去除基板上含杂质的清洗液；
S503”、将基板传送至第二喷淋腔室，第二喷淋腔室的第四喷淋机构向基板上喷淋去离子水，以去除基板上含杂质的清洗液。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统中，如图7所示，在将基板传送至喷淋腔室，去除基板上含杂质的清洗液之后，还包括：
S504、将基板传送至干燥腔室，干燥腔室的气刀向基板喷气，以清除基板上残留的清洗液。
本发明实施例提供的上述光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法，该光刻胶剥离系统依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室。在剥离腔室完成光刻胶剥离后的基板进入清洗腔室，在清洗腔室先采用水刀清洗机构向基板上喷水形成均匀水膜覆盖在基板膜层表面，保证基板膜层表面残留光刻胶的流动性，并且在清洗腔室采用第二喷淋机构向形成有均匀水膜的基板喷水以清洗掉基板上残留的光刻胶和剥离液。因此本发明在剥离腔室之后采用清洗腔室在基板表面形成均匀水膜，可以保证基板表面光刻胶的流动性，防止从剥离腔室出来后的残留光刻胶和残留剥离液在风干作用下固化而重新附着在基板表面，方便在后续喷淋腔室可以清洗掉，有效降低光刻胶残留和有机物残留，因此本发明能够降低显示时出现白点不良的问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种光刻胶剥离系统，其特征在于，依次包括相互连接的剥离腔室、清洗腔室和喷淋腔室；其中，
所述剥离腔室设置有用于喷淋剥离液的第一喷淋机构，以剥离传送至所述剥离腔室的基板上的光刻胶；
所述清洗腔室设置有用于向从所述剥离腔室传送至所述清洗腔室的基板上喷水形成均匀水膜的水刀清洗机构，以及设置有用于向形成有所述均匀水膜的基板喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液的第二喷淋机构；
所述喷淋腔室用于去除所述基板上含杂质的清洗液。
2.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述喷淋腔室包括第一喷淋腔室和第二喷淋腔室；
所述第一喷淋腔室设置有用于喷淋四甲基氢氧化铵溶液的第三喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液；
所述第二喷淋腔室设置有用于喷淋去离子水的第四喷淋机构，以去除所述基板上含杂质的清洗液。
3.如权利要求2所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，各所述喷淋机构包括多个喷淋模块，每个所述喷淋模块设置有喷头。
4.如权利要求3所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述剥离腔室、所述清洗腔室和所述喷淋腔室均包括腔体，各所述喷淋机构均包括固定部，所述固定部与所述腔体连接以固定各所述喷头的喷淋位置。
5.如权利要求4所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构固定在所述清洗腔室的腔体上，所述水刀清洗机构所在平面相对水平面倾斜设置，且沿所述剥离腔室指向所述清洗腔室的方向，所述水刀清洗机构相对水平面的距离逐渐降低。
6.如权利要求5所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为40°～50°。
7.如权利要求6所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构所在平面与水平面之间的夹角范围为45°。
8.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为25cm～35cm。
9.如权利要求8所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述水刀清洗机构与所述第二喷淋机构之间的距离为30cm。
10.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述清洗腔室还包括供水机构和排水机构，所述供水机构用于向所述水刀清洗机构和所述第二喷淋机构喷水，所述排水机构用于将清洗完所述基板的废水排出所述清洗腔室。
11.如权利要求10所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，所述供水机构包括固定于所述清洗腔室内的喷水管和设置于所述喷水管出水处的喷头，所述排水机构包括与所述清洗腔室下方固定的排水管。
12.如权利要求1所述的光刻胶剥离系统，其特征在于，还包括与所述喷淋腔室连接的干燥腔室；
所述干燥腔室设置有用于向从所述喷淋腔室传送至所述干燥腔室的基板喷气的气刀，以清除所述基板上残留的清洗液。
13.一种光刻胶剥离方法，其特征在于，应用于如权利要求1-12任一项所述的光刻胶剥离系统，包括：
将具有光刻胶的基板传送至剥离腔室，进行光刻胶剥离；
将所述基板传送至清洗腔室，水刀清洗机构向所述基板上喷水形成均匀水膜，第二喷淋机构向形成有所述均匀水膜的基板上喷水以清洗掉所述基板上残留的光刻胶和剥离液；
将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液。
14.如权利要求13所述的光刻胶剥离方法，其特征在于，将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液，具体包括：
将所述基板传送至第一喷淋腔室，所述第一喷淋腔室的第三喷淋机构向所述基板上喷淋四甲基氢氧化铵溶液，以去除所述基板上含杂质的清洗液；
将所述基板传送至第二喷淋腔室，所述第二喷淋腔室的第四喷淋机构向所述基板上喷淋去离子水，以去除所述基板上含杂质的清洗液。
15.如权利要求13所述的光刻胶剥离方法，其特征在于，在所述将所述基板传送至喷淋腔室，去除所述基板上含杂质的清洗液之后，还包括：
将所述基板传送至干燥腔室，所述干燥腔室的气刀向所述基板喷气，以清除所述基板上残留的清洗液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010067663.0A CN111142342A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010067663.0A CN111142342A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111142342A true CN111142342A (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=70526510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010067663.0A Pending CN111142342A (zh) | 2020-01-20 | 2020-01-20 | 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111142342A (zh) |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242047A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-09-11 | Toray Ind Inc | 処理液処理方法および基板連続処理装置 |
| JPH11174688A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Toray Ind Inc | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| US6616773B1 (en) * | 1999-03-12 | 2003-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate treatment method |
| TW200504808A (en) * | 2003-06-13 | 2005-02-01 | Sumitomo Precision Prod Co | Equipment for peeling resist |
| US20060003593A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Innolux Display Corp. | Method and apparatus for stripping photo-resist |
| JP2006351595A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP2007094311A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 露光・現像・洗浄方法および露光・現像・洗浄装置 |
| CN103995441A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻剥离方法及光阻剥离装置 |
| JP2014184434A (ja) * | 2014-04-21 | 2014-10-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム |
-
2020
- 2020-01-20 CN CN202010067663.0A patent/CN111142342A/zh active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242047A (ja) * | 1996-12-24 | 1998-09-11 | Toray Ind Inc | 処理液処理方法および基板連続処理装置 |
| JPH11174688A (ja) * | 1997-12-17 | 1999-07-02 | Toray Ind Inc | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| US6616773B1 (en) * | 1999-03-12 | 2003-09-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate treatment method |
| TW200504808A (en) * | 2003-06-13 | 2005-02-01 | Sumitomo Precision Prod Co | Equipment for peeling resist |
| US20060003593A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Innolux Display Corp. | Method and apparatus for stripping photo-resist |
| JP2006351595A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板処理装置、基板処理方法、及び基板の製造方法 |
| JP2007094311A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Toppan Printing Co Ltd | 露光・現像・洗浄方法および露光・現像・洗浄装置 |
| JP2014184434A (ja) * | 2014-04-21 | 2014-10-02 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 搬送式基板処理装置における節水型洗浄システム |
| CN103995441A (zh) * | 2014-06-11 | 2014-08-20 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻剥离方法及光阻剥离装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI267129B (en) | Coating and developing apparatus, exposure apparatus and resist pattern forming method | |
| JP4776380B2 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| CN101219427A (zh) | 基板处理装置 | |
| CN111142342A (zh) | 一种光刻胶剥离系统及光刻胶剥离方法 | |
| JP4157116B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101138278B1 (ko) | 액정표시소자의 세정장치 | |
| TWI343842B (zh) | ||
| KR20050104203A (ko) | 기판처리시스템 및 기판처리방법 | |
| JP2005019991A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH09179312A (ja) | 基板現像処理装置 | |
| KR100525730B1 (ko) | 습식 식각 장비 및 습식 식각 방법 | |
| KR100454637B1 (ko) | 매엽식 반도체 웨이퍼용 약액 분사노즐 | |
| JP2004148224A (ja) | エアーナイフの洗浄方法、エアーナイフ及びウェットエッチング装置 | |
| JPH10242047A (ja) | 処理液処理方法および基板連続処理装置 | |
| JP2002141269A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH11307434A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR20000000606A (ko) | 웨이퍼 후면보호용 가스 분사장치를 갖는 반도체 웨이퍼 스피너설비 | |
| KR100442452B1 (ko) | 습식식각 공정장비 | |
| KR100796750B1 (ko) | 습식 설비 | |
| KR100812096B1 (ko) | 글라스 식각장치 및 식각방법 | |
| KR101138277B1 (ko) | 액정표시소자의 세정장치 | |
| KR20060027597A (ko) | 기판세정장치 및 기판세정방법 | |
| JP2006289240A (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP2004179223A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| KR20080062920A (ko) | 기판 세정장치 및 이를 이용한 기판 세정방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |