JP2002001245A

JP2002001245A - 基板の液処理装置及び液処理方法

Info

Publication number: JP2002001245A
Application number: JP2000189526A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiko Kenmori; 和彦権守; Noriya Wada; 憲也和田
Original assignee: Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi High Tech Corp
Priority date: 2000-06-23
Filing date: 2000-06-23
Publication date: 2002-01-08

Abstract

(57)【要約】【課題】基板の液処理を高速かつ効率的に行うことが
でき、しかも使用される処理液の量を最小限に抑制す
る。【解決手段】搬送路２上を搬送される基板１の搬送方
向の上流側から順に、粗剥離ステージ３，本剥離ステー
ジ４及び仕上げ処理ステージ５の３つの液処理ステージ
が形成され、各ステージ３〜５に基板１の基板回転駆動
手段１０と剥離液を噴射するスプレノズル２３Ａ〜２３
Ｃが設けられ、剥離液はタンク２４Ｓ，２４Ｍ，２４Ｐ
から供給される。タンク２４Ｐは新液タンク、タンク２
４Ｍは単循環液タンク、タンク２４Ｓは複循環液タンク
である。例えば、スプレノズル２３Ａには複循環液タン
ク２４Ｓからの剥離液が、スプレノズル２３Ｂには単循
環液タンク２４Ｍからの剥離液が、スプレノズル２４Ｃ
には新液タンク２４Ｐからの剥離液が噴射される。しか
も、基板１が各ステージ３〜５に搬入された直後で、回
転開始前からスプレノズル２３Ａ〜２３Ｃから剥離液の
噴射が開始される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば液晶パネル
のＴＦＴ基板やカラーフィルタ等の角形をした基板や、
ディスク、ウエハ等の円形の基板等からなる薄板基板に
対して所定の処理を行うための液処理装置及び液処理方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば、液晶パネルのＴＦＴ基板を製造
するに当って、フォトレジストからなる現像液の塗布，
エッチング液の塗布，レジスト膜を剥離するための剥離
液の供給等というように、基板に対して処理液を供給し
て行う処理が繰り返される。このような処理は、例えば
ディッピング、シャワー乃至スプレ等の方式で行うこと
もできるが、基板を水平状態に保持するスピンドルを設
けて、このスピンドルに基板を保持するための基板ホル
ダを連結して設けることにより基板回転駆動手段を構成
し、そのスピンドルを回転駆動することにより、基板を
回転させ、その間に基板の表面に処理液を滴下するよう
にしたスピン方式により行うことも知られている。この
ように基板を回転駆動すると、この基板の表面に供給さ
れた処理液は遠心力の作用により基板の表面全体に均一
に塗り広めるように拡散することになり、もって基板の
全面に処理液を及ぼすことができる。

【０００３】ここで、前述した基板回転駆動手段に基板
を挿脱するに当っては、ロボット等のハンドリング手段
を用いるようにするのが一般的である。しかしながら、
ハンドリング手段を用いると、基板のハンドリング時間
分だけ液処理に時間がかかることから、液処理工程を高
速化できないという難点がある。

【０００４】特開平６−４５３０７号公報には、水平搬
送手段に基板を搬送させるようになし、所定の位置で基
板を水平搬送手段から分離させて、この基板を回転駆動
すると共に、この基板に洗浄液を供給することにより基
板の洗浄を行う装置の構成が開示されている。即ち、基
板を概略水平方向に搬送する搬送経路の途中に処理槽を
設けて、この処理槽内には昇降可能なスピンドルを備え
た基板回転駆動手段を設けるように構成している。そし
て、処理槽内において、基板が所定の位置に位置決めが
なされると、基板ホルダを上昇させることによって、基
板を搬送経路から分離させ、この状態でスピンドルを回
転駆動して基板を回転駆動する。そして、基板の回転が
開始されると、この基板に洗浄液を噴射することによっ
て、洗浄液を基板の表面全体にむらなく行きわたらせる
ようにする。その結果、基板を回転駆動手段に挿脱する
操作を必要としなくなるので、基板に対する液処理の高
速化及び効率化が図られる等といった利点がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、前述した特
開平６−４５３０７号公報は基板を洗浄するためのもの
であり、従って単一のステージで処理を完了させるよう
にしている。ところで、基板に対する液処理としては、
例えばレジスト膜の剥離があるが、このレジスト膜の剥
離は剥離液を基板の表面に供給することにより行われ
る。従って、基板に供給した後の剥離液にはフォトレジ
スト等が不純物として含まれることになる。ただし、１
つの基板に対してレジスト膜の剥離を行った後において
は、不純物濃度があまり高くならないことから、この処
理後の液を回収して再利用を行うのは可能である。しか
しながら、前述したように単一のステージで液処理を完
了させる場合には、基板から剥離された不純物の全てが
回収する処理液に含まれることになるので、この処理液
を再利用しようとすると、処理対象となる基板と接触す
る処理液としては、不純物が異なるものが供給されるこ
とになるので、処理精度にばらつきが生じるという不都
合がある。しかも、処理液の供給は、基板の回転時に行
われる、所謂スピン方式であることから、処理液の基板
との接触時間が短くなるので、前述したレジスト膜の剥
離等の処理を行う場合には、回転時間を長くする必要が
あり、その分だけ消費される処理液の量も増えることに
なる。

【０００６】本発明は以上の点に鑑みてなされたもので
あって、その目的とするところは、基板の液処理を高速
かつ効率的に行うことができ、しかも使用される処理液
の量を最小限に抑制できるようにすることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の液処理装置の構成としては、基板を水
平搬送する搬送路に、その基板搬送方向に向けて配置し
た複数の液処理ステージと、これら各液処理ステージに
設けられ、前記基板を保持する基板ホルダと、この基板
ホルダを回転させるスピンドルとを含む基板回転駆動手
段と、前記基板ホルダを前記搬送路の搬送面に対して上
下させるために、搬送路または基板回転駆動手段のいず
れか一方を昇降駆動する昇降手段と少なくとも前記各液
処理ステージに設けられ、前記基板ホルダに保持された
基板の表面に処理液を噴射する処理液噴射手段とを備え
る構成としたことをその特徴とするものである。

【０００８】また、本発明による液処理方法は、基板を
水平搬送する搬送路にその基板搬送方向に向けて複数の
液処理ステージを配置して設けて、この搬送路上を搬送
される基板に対して所定の液処理を行う方法であって、
前記直列に配置した各液処理ステージには、前記基板が
搬入された時から、この基板の表面に処理液を噴射する
ようになし、この処理液の噴射中に前記基板を前記搬送
路から分離して上昇させて、水平方向に回転させること
をその特徴とするものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下において、本発明の好ましい
実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１及び図２に本発明による基板の液処理装置の
概略構成を示す。同図において、１は基板であり、この
基板１は、例えば液晶パネルを構成するガラス基板等の
ように、長方形の薄いガラス基板から構成される。そし
て、この基板１に対する液処理の一例として、基板１の
表面に形成したレジスト膜を露光，現像及びエッチング
した後に行われるレジスト剥離工程において、剥離液を
基板１の表面に供給して、不要なフォトレジストを剥離
するための処理を行うものとして説明するが、基板１に
対する液処理はこれに限定されるものではないことは言
うまでもない。

【００１０】而して、基板１は、多数のローラ２ａを配
列することにより構成したローラコンベアからなる搬送
路２上を搬送される。この搬送路２による基板１の搬送
方向において、手前側、つまり搬送方向の上流側から順
に、粗剥離ステージ３，本剥離ステージ４及び仕上げ処
理ステージ５の３つの液処理ステージが形成される。そ
して、これら各ステージ間の間隔はほぼ一致しており、
また各ステージ３〜５はそれぞれ四周が壁で覆われてい
る。ただし、粗剥離ステージ３への基板１の導入部と、
各ステージ３，４間及び４，５間の基板の通過部と、仕
上げ処理ステージ５からの導出部とには、それぞれスリ
ット状通路６が開口しており、これらスリット状通路６
は基板１が通過するのに支障がないことを条件として、
できるだけ開口面積を小さくしている。なお、これらの
スリット状通路６に開閉可能なシャッタを設ければ、各
ステージ３〜５の内部を密閉することができる。

【００１１】各ステージ３〜５には、それぞれ基板１を
搬送路２から分離して、水平方向に回転駆動する基板回
転駆動手段１０が設けられている。この基板回転駆動手
段１０の具体的な構成としては、図３及び図４に示した
ようになっており、各ステージ３〜５に設けられる基板
回転駆動手段１０は全て同一の構造となっている。

【００１２】これらの図において、１１は基板ホルダで
あり、この基板ホルダ１１は、円形をした回転ブロック
１２と、この回転ブロック１２から放射状に伸びる複数
のアーム１３を有するものである。アーム１３は、基板
１の対角線に沿って延在させた４本の主アーム１３ａ
と、各主アーム１３ａ，１３ａ間に１乃至複数本延在さ
せた、主アーム１３ａより長さの短い補助アーム１３ｂ
とから構成される。主アーム１３ａは、基板１の４つの
コーナ部近傍に係合するそれぞれ一対のストッパピン１
４を有し、またこのストッパピン１４より内側の位置及
び補助アーム１３ｂには基板１の裏面側に当接する支持
ピン１５が立設されている。従って、基板１は多数の支
持ピン１５により水平状態に保つように保持され、また
ストッパピン１４の作用によって、回転時に基板１が基
板ホルダ１１から脱落するのを防止して、安定的に保持
できるようになっている。

【００１３】基板ホルダ１１を構成する回転ブロック１
２の下面には、スピンドル１６が連結して設けられてい
る。このスピンドル１６を回転駆動するためにモータ１
７が連結して設けられている。スピンドル１６を回転自
在に支持するために、軸受ブロック１８が昇降テーブル
１９に設けられており、モータ１７もこの昇降テーブル
１９に固定されている。昇降テーブル１９はガイドロッ
ド２０に支持されると共に、昇降駆動手段として、モー
タ２１により駆動されるボールねじ２２に連結されてお
り、このボールねじ２２を駆動することによって、昇降
テーブル１９が昇降駆動されるようになっている。

【００１４】基板ホルダ１１は、常時においては、少な
くとも搬送路２の基板１を搬送する搬送面より下部に位
置しており、従って基板１は基板回転駆動手段１０と干
渉することなく搬送されることになる。そして、基板１
が所定の位置まで搬送された時に、ボールねじ２２を作
動させると、この基板１は基板回転駆動手段１０におけ
る基板ホルダ１１に保持されて、搬送路２から離間して
所定の位置まで上昇することになる。この状態で、モー
タ１７を作動させると、スピンドル１６が回転して、こ
のスピンドル１６に連結され、基板１を保持する基板ホ
ルダ１１が回転する。

【００１５】さらに、各ステージ３〜５の上部位置に
は、それぞれスプレノズル２３Ａ〜２３Ｃが設けられて
おり、これらスプレノズル２３Ａ〜２３Ｃからは、基板
１に対して処理液を噴射するようになっている。しか
も、各スプレノズル２３Ａ〜２３Ｃからは、基板ホルダ
１１に保持されている基板１のほぼ全面にわたって処理
液が及ぶように噴射されることになる。ここで、処理液
は、本実施の形態の場合には、レジスト膜の剥離液であ
り、この剥離液の供給は３系統から行われる。このため
に、３つのタンク２４Ｓ，２４Ｍ，２４Ｐを備えてお
り、タンク２４Ｐは新液タンク、タンク２４Ｍは単循環
液タンク、タンク２４Ｓは複循環液タンクである。新液
タンク２４Ｐに貯留されている剥離液は新液、つまり新
たな剥離液である。単循環液タンク２４Ｍは基板１に対
して１回だけ接触させた剥離液を貯留するものである。
つまり、新液タンク２４Ｐから基板１に剥離液を噴射さ
せるが、この新液を基板１に接触した後の剥離液を導入
して、これを循環使用するためのものである。なお、こ
の単循環液タンク２４Ｍには新液も供給できるようにな
っている。さらに、複循環液タンク２４Ｓは、少なくと
も単循環液タンク２４Ｍから基板１に供給した後の剥離
液を導入して、これを循環使用するためのタンクであ
る。また、剥離液の不純物濃度によっては、複循環液タ
ンク２４Ｓから基板１に供給した剥離液をも循環使用す
ることもでき、従って複循環液タンク２４Ｓには、単循
環液だけでなく、複循環液も導入できるようになってい
る。

【００１６】このように、３系統の剥離液の供給部を設
けたのは、剥離液の有効利用を図るためであり、しかも
剥離液を節約しながら、レジスト膜の剥離処理を完全に
行うためである。従って、少なくとも粗剥離ステージ３
では、複循環液を使用する。また、基板１から剥離され
るフォトレジストの量や基板１のサイズ等に応じて、本
剥離ステージ４では、単循環液または複循環液を使用
し、仕上げ処理ステージ５では、新液を使用するか、ま
たは単循環液を使用する。

【００１７】新液タンク２４Ｐからは仕上げ処理ステー
ジ５に配置したスプレノズル２３Ｃのみに剥離液を供給
できるようにする。また、単循環液タンク２４Ｍから
は、本剥離ステージ４に配置したスプレノズル２３Ｂに
剥離液を供給することになり、また仕上げ処理ステージ
５のスプレノズル２３Ｃに対してもこの単循環液タンク
２４Ｍから剥離液を供給することもできるようにしてい
る。さらに、複循環液タンク２４Ｓから供給される剥離
液は、粗剥離ステージ３に設けたスプレノズル２３Ａに
供給されるものであり、また本剥離ステージ４のスプレ
ノズル２３Ｂにもこの複循環液からなる剥離液を供給で
きるようになっている。

【００１８】新液タンク２４Ｐ，単循環液タンク２４
Ｍ，複循環液タンク２４Ｓには、それぞれ処理液供給配
管２５Ｐ，２５Ｍ，２５Ｓのそれぞれの一端が接続さ
れ、これら処理液供給配管２５Ｐ，２５Ｍ，２５Ｓの途
中には剥離液を圧送するためのポンプ２６Ｐ，２６Ｍ，
２６Ｓが設けられている。

【００１９】処理液供給配管２５Ｐの他端はスプレノズ
ル２３Ｃにのみ接続されており、処理液供給配管２５Ｍ
はスプレノズル２３Ｃとスプレノズル２３Ｂに接続さ
れ、さらに処理液供給配管２５Ｓはスプレノズル２３Ａ
とスプレノズル２３Ｂとに接続されている。そして、こ
れら各処理液供給配管２５Ｐ，２５Ｍ，２５Ｓの各スプ
レノズル２３Ａ〜２３Ｃへの接続部には開閉弁２７Ｐ，
２７Ｍ₁ ，２７Ｍ₂ ，２７Ｓ₁ ，２７Ｓ₂ が設けられ
て、流路の開閉操作を行えるようになっている。さら
に、単循環液タンク２４Ｍからは複循環液タンク２４Ｓ
に単循環液がオーバーフローできるように構成されてい
る。

【００２０】新たな処理液の供給は補給管２８を介して
行われる。この補給管２８は新液タンク２４Ｐと単循環
液タンク２４Ｍとに接続されている。また、仕上げ処理
ステージ５の下部には、第１の循環用配管２９の一端が
接続され、この第１の循環用配管２９の他端は単循環液
タンク２４Ｍに接続されている。さらに、本剥離ステー
ジ４の下部には、第２の循環用配管３０の一端が接続さ
れており、この第２の循環用配管３０の他端は複循環液
タンク２４Ｓに接続されている。さらに、粗剥離ステー
ジ３の下部には、排出・循環用配管３１の一端が接続さ
れており、この排出・循環用配管３１の他端はドレン部
３２と複循環液タンク２４Ｓとに接続されている。そし
て、前述した各配管には、それぞれ開閉弁３３Ｐ₁ ，３
３Ｐ₂ ，３３Ｍ，３３Ｓ₁ ，３３Ｓ₂ ，３３Ｄが設けら
れており、これら各開閉弁を操作することによって、各
タンク２４Ｐ，２４Ｍ，２４Ｓに新液や循環液を導入さ
れ、またそれ以上使用できない程度にまで不純物の濃度
が高くなった処理液を排出することができるようにな
る。

【００２１】以上の液処理装置を用いて、基板１の表面
に対して所定の液処理、つまり本実施の形態において
は、剥離液を処理液として用いて、レジスト膜の剥離処
理が行われる。そこで、基板１への剥離液による液処理
方法について説明する。なお、液処理は同じ処理液を用
いて３段階に分けて行うようにしているが、異なる処理
液を供給することもでき、また液処理の段数もこれに限
定されない。

【００２２】基板１は搬送路２に沿って搬送されて、ま
ずスリット状通路６から粗剥離ステージ３内に導かれ
る。この時には、基板回転駆動手段１０を構成する基板
ホルダ１１を下降させておき、基板搬送路２に沿って搬
送される基板１と干渉しないように保持する。そして、
この粗剥離ステージ３において、基板１が基板ホルダ１
１の上部位置に至ると、図示しない位置決め手段により
この基板１が位置決めされる。また、この基板１が粗剥
離ステージ３に入り込むと、スプレノズル２３Ａから剥
離液の噴射が開始され、従って基板１が粗剥離ステージ
３に導かれた時から、後述の基板１の回転によるスピン
式の処理が行われる前の段階からスプレ方式によるレジ
スト膜の剥離処理が開始される。

【００２３】そこで、ボールねじ２２を作動させて、基
板回転駆動手段１０の全体を上昇させることによって、
基板ホルダ１１のアーム１３に設けた４つの角隅部に配
置したストッパピン１４に係合させると共に、支持ピン
１５により裏面側を支持させる。基板回転駆動手段１０
をさらに上昇させると、基板１は搬送路２から離脱し
て、基板ホルダ１１により所定の高さ位置まで持ち上げ
られる。勿論、基板１が所定の高さ位置まで持ち上げる
動作の間もスプレノズル２３Ａからの剥離液の噴射が継
続する。その結果、剥離液のスプレにより基板１の表面
からレジスト膜の剥離が進行する。

【００２４】基板ホルダ１１が所定の高さ位置まで上昇
すると、モータ１７を作動させて、基板ホルダ１１に連
結したスピンドル１６を回転駆動する。これによって、
基板１が水平状態に保たれて回転することになる。その
結果、スプレノズル２３Ａから噴射された剥離液が回転
による遠心力の作用で周囲に塗り広められるように流動
化されて、この流動状態の剥離液がレジスト膜に作用す
る、所謂スピン方式によるレジスト剥離が行われる。そ
して、基板１に供給された循環液はその外周縁のエッジ
から飛散するが、粗剥離ステージ３は、その四周が壁に
囲まれており、この壁にはスリット状通路６が開口して
いるが、基板１はこのスリット状通路６の位置より高い
位置で回転することから、基板１に供給した剥離液はこ
の粗剥離ステージ３の底面に接続した排出・循環用配管
３１を介して流出する。

【００２５】基板１を所定時間回転させることにより粗
剥離工程が終了する。この時に、モータ１７を停止させ
て、基板ホルダ１１の回転を停止させるが、基板ホルダ
１１の回転停止時には、常に所定の位置とする。これに
よって、基板ホルダ１１を構成する各アーム１３が搬送
路２を構成するローラ２ａ及びその回転軸等と干渉する
のを防止する。基板ホルダ１１の回転が停止した後に、
ボールねじ２２を作動させて、基板回転駆動手段１０の
全体を下降させる。その結果、基板１は基板ホルダ１１
に保持された状態から離脱して、搬送路２上に配置され
る。これによって、基板１は再び搬送可能な状態とな
り、スリット状通路６を経て本剥離ステージ４に搬入さ
れる。

【００２６】ここで、基板１の回転を停止させる直前に
スプレノズル２３Ａからの剥離液の噴射を停止すること
によって、基板１の表面に付着する剥離液を遠心力の作
用で振り切るように除去することができる。これによ
り、次の工程に剥離液が持ち越されるのを防止できるよ
うになる。なお、この粗剥離ステージ３内に基板１が位
置する限りは剥離液の噴射を継続させるようにしても良
い。これにより、スプレ方式、スピン方式、スプレ方式
の順でレジスト膜の剥離処理が行われ、しかも基板１の
剥離液への接触時間を長くすることができる。このよう
に、基板１の回転停止後にも剥離液を噴射させる場合に
は、例えばこの粗剥離ステージ３と本剥離ステージ４と
の間のスリット状通路６に吸湿ローラを配置し、基板１
をこの吸湿ローラを通過させるようにすれば、次の工程
に剥離液が移行するのを防止することができる。

【００２７】本剥離ステージ４に移行した基板１は、こ
の本剥離ステージ４で基板１のレジスト膜の剥離をさら
に進行させる本剥離工程が実施される。さらに、この本
剥離工程を経た後には、基板１は仕上げ処理ステージ５
に移行して、最終剥離処理工程が実施される。これら本
剥離ステージ４及び仕上げ処理ステージ５においては、
粗剥離ステージ３と同様の基板回転駆動手段１０が設け
られており、この基板回転駆動手段１０の作動そのもの
は、前述した粗剥離ステージ３と同様である。つまり、
搬送路２からの基板１の上昇、基板１の回転及び基板１
の下降の動作が行われ、この間には、スプレノズル２３
Ｂ，２３Ｃからそれぞれ剥離液が噴射される。

【００２８】ここで、液処理を３段階に分けたのは、そ
れぞれのステージで使用される剥離液を違えるようにす
るためである。また、使用される剥離液以外にも、様々
な条件を変えることもできる。例えば、各ステージにお
いて、基板１の回転速度を変えたり、またそれぞれのス
プレノズルから噴射される剥離液の圧力や流量を変えた
りする等も可能である。

【００２９】また、剥離液を変えるのはその消費量を節
約するためであり、使用される剥離液としては、新たな
剥離液である新液と、１度だけ基板１と接触させ、僅か
にフォトレジストが混入している単循環と、基板１に複
数回接触して、フォトレジストがある程度の濃度で含ま
れている複循環液である。

【００３０】粗剥離ステージ３においては、複循環液タ
ンク２４Ｓからの複循環液が供給される。そして、本剥
離ステージ４では単循環液または複循環液が供給され、
また仕上げ処理ステージ５では単循環液または新液が供
給されるようになっている。従って、例えば、粗剥離ス
テージ３では複循環液、本剥離ステージ４では単循環
液、仕上げ処理ステージ５では新液または単循環液とい
う供給態様と、粗剥離ステージ３では複循環液、本剥離
ステージ４では複循環液、仕上げ処理ステージ５では新
液または単循環液といった供給態様が可能になる。ここ
で、仕上げ処理ステージ５において、単循環液を供給す
る場合には、新液タンク２４Ｐは使用しない。また、単
循環液タンク２４Ｍには、単循環液が導入されるだけで
なく、新液もこの単循環液タンク２４Ｍ内に導くように
なし、単循環液に含まれるフォトレジストからなる不純
物濃度を所定のレベル以下となるように調整すると共
に、単循環液タンク２４Ｍの液量を確保する。

【００３１】そこで、例えば粗剥離ステージ３では複剥
離液、本剥離ステージ４では単剥離液、仕上げ処理ステ
ージ５では新液を用いる場合には、開閉弁２７Ｐ，２７
Ｍ₂及び２７Ｓ₂ を開き、また開閉弁３３Ｐ₁ ，３３
Ｍ，３３Ｓ₁ を開く。排出・循環用配管３１に設けた開
閉弁３３Ｓ₂ と開閉弁３３Ｄとは、いずれか一方を開く
ようにする。そして、これら以外の開閉弁は閉じた状態
とする。なお、開閉弁３３Ｄを開き、開閉弁３３Ｓ₂ を
閉じた状態にすると、剥離液は２回だけ循環することに
なり、また開閉弁３３Ｄを閉じ、開閉弁３３Ｓ₂ を開く
と、粗剥離ステージ３で用いられる処理液の循環回数は
制限がなくなる。ただし、複循環液タンク２４Ｓには本
剥離ステージ４から不純物としてのフォトレジストが低
濃度にしか混入していない剥離液が供給されるので、こ
の複循環液タンク２４Ｓ内に繰り返し剥離液を循環させ
ても、不純物濃度があまり高くなることはない。そし
て、複循環液タンク２４Ｓ内に導入された循環液はオー
バーフローすることによりドレン部３２に流出すること
になる。

【００３２】而して、基板１が搬送路２に沿って搬送さ
れて、粗剥離ステージ３内に導かれると、この基板１に
は複循環液タンク２４Ｓからの複循環液が供給される。
ここで、複循環液はある程度の濃度でフォトレジストが
含まれた剥離液であり、基板１に対してはこの剥離液が
作用し、かつ基板１を所定時間回転させながら、剥離液
の供給を継続することによって、基板１の表面に形成さ
れているレジスト膜の大部分が除去されることになる。
その結果、フォトレジストの濃度が高くなった剥離液は
ドレン部３２に排出される。このようにして粗剥離ステ
ージ３で、大部分のレジスト膜が除去された基板１は、
次に本剥離ステージ４に移行して、前述した複循環液よ
り不純物濃度の低い単循環液が供給され、かつ基板１が
回転することによって、この基板１の表面におけるレジ
スト膜はほぼ完全に除去される。その後に、基板１が仕
上げ処理ステージ５に移行して、不純物を全く含まない
新液からなる剥離液がこの基板１に供給され、かつこの
基板１の回転によりその表面全体にむらなく剥離液が及
ぶことから、レジスト膜が完全に剥離される。

【００３３】このように、剥離液は少なくとも３回循環
して使用されるので、剥離液の消費量を少なくでき、か
つ最後の仕上げ処理ステージ５では不純物を全く含まな
い新液を使用していることから、基板１に対するレジス
ト膜の剥離は完全に行われることになる。従って、基板
１に対しては、最小量の処理液を用いて完全な液処理を
行うことができる。

【００３４】しかも、各ステージ３〜５に基板１が導入
された時に、基板１の回転によるスピン方式による剥離
処理が行われるが、このスピン方式に加えて、この基板
１のステージ内に導入直後からスプレ方式によって基板
１に対する剥離処理が行われるので、処理時間の短縮が
図られる。しかも、このようにスピン式の剥離処理とス
プレ式の剥離処理とを複合させることによって、剥離処
理を極めて効率的かつ高精度に行うことができる。特
に、基板１として、長方形の薄板基板を用いる場合に
は、その回転中心から外周部までの距離が異なることか
ら、スピン方式だけでは多少の処理むらが生じる可能性
もあるが、これにスプレ方式を組み合わせることによ
り、処理の高精度化が図られる。

【００３５】また、３つのステージ３〜５をそれぞれ区
画形成して、各々のステージに供給された剥離液は他の
ステージに流入せず、当該のステージ内でその全量を回
収するようにしている。従って、例えば単循環液タンク
２４Ｍに複循環液が流入して不純物の濃度が上昇する等
といった事態が発生することがなくなる。その結果、単
循環液タンク２４Ｍ内の不純物の濃度管理を厳格に行う
ことができる。

【００３６】しかも、剥離液の供給系統を３系統とする
と共に、開閉弁により各ステージ３〜５に供給される剥
離液を任意に設定できることから、基板１の種類やそれ
に形成されているレジスト膜の種類、厚み、剥離すべき
量等に応じて、最適な剥離液の供給態様とすることがで
きる。これによって、処理の態様に応じて、新液の使用
量を最小限で、処理精度を著しく向上させることができ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、基板の
液処理を高速かつ効率的に行うことができ、しかも使用
される処理液の量を最小限に抑制できる等の効果を奏す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態を示す基板の液処理装置の
概略構成図である。

【図２】図１の平面図である。

【図３】基板回転駆動手段の正面図である。

【図４】図３の平面図である。

【符号の説明】

１基板２搬送路２ａローラ３粗剥離ステージ４本剥離ステージ５仕上げ処理ステージ６スリット状通路１０基板回転駆動手段１１基板ホルダ１３アーム１６スピンドル２３Ａ〜２３Ｃスプレノ
ズル２４Ｓ複循環液タンク２４Ｍ単循環液タ
ンク２４Ｐ新液タンク２５Ｓ，２５Ｍ，２５Ｐ
処理液供給配管２８補給管２９第１の循環用配管３０第２の循環用配管３１排出・循環用配
管

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４８Ａ 21/304 ６４８６４８Ｆ 21/30 ５７２ＢＦターム(参考） 2H025 AB16 AB17 EA05 2H096 CA14 GA29 LA02 3B201 AA02 AB14 AB34 AB42 BB22 BB33 BB90 BB92 CA01 CB15 CD22 5F046 JA02 JA03 JA10 LA03 LA04 LA05 MA10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を水平搬送する搬送路に、その基板
搬送方向に向けて配置した複数の液処理ステージと、これら各液処理ステージに設けられ、前記基板を保持す
る基板ホルダと、この基板ホルダを回転させるスピンド
ルとを含む基板回転駆動手段と、前記基板ホルダを前記搬送路の搬送面に対して上下させ
るために、搬送路または基板回転駆動手段のいずれか一
方を昇降駆動する昇降手段と少なくとも前記各液処理ス
テージに設けられ、前記基板ホルダに保持された基板の
表面に処理液を噴射する処理液噴射手段とを備える構成
としたことを特徴とする基板の液処理装置。
【請求項２】前記各処理液ステージには、基板を通過
させる開口を備えた壁を設ける構成としたことを特徴と
する請求項１記載の基板の液処理装置。
【請求項３】前記複数段設けた処理ステージのうち、
前記基板の送り方向における最下流位置の処理ステージ
では前記処理液噴射手段により少なくとも一部に新しい
処理液を含む清浄な処理液を供給する仕上げ処理工程と
し、この仕上げ処理工程の前段における１乃至複数の液
処理ステージではこの仕上げ処理工程時に使用した処理
液を循環して前記基板に供給する構成としたことを特徴
とする請求項２記載の基板の液処理装置。
【請求項４】前記搬送路はローラコンベアから構成さ
れ、前記基板回転駆動手段はこのローラコンベアに対し
て昇降可能な構成としたことを特徴とする請求項１記載
の基板の液処理装置。
【請求項５】基板を水平搬送する搬送路にその基板搬
送方向に向けて複数の液処理ステージを配置して設け
て、この搬送路上を搬送される基板に対して所定の液処
理を行う方法であって、前記直列に配置した各液処理ステージには、前記基板が
搬入された時から、この基板の表面に処理液を噴射する
ようになし、この処理液の噴射中に前記基板を前記搬送路から分離し
て上昇させて、水平方向に回転させることを特徴とする
基板の液処理方法。
【請求項６】前記基板の回転停止前に前記処理液の噴
射を停止することを特徴とする請求項５記載の基板処理
方法。
【請求項７】前記液処理ステージは、粗処理ステー
ジ、本処理ステージ及び仕上げ処理ステージの３ステー
ジを順次配設し、前記仕上げ処理ステージでは少なくと
も一部に新しい処理液を含む清浄な処理液を供給し、前
記本処理ステージでは、この仕上げ処理ステージで供給
された処理液を循環させて供給し、前記粗処理ステージ
では、前記本処理ステージで使用した処理液を循環させ
て供給することを特徴とする請求項５記載の基板処理方
法。