JP3573626B2 - 半導体装置製造用現像装置及びその制御方法 - Google Patents
半導体装置製造用現像装置及びその制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3573626B2 JP3573626B2 JP24500098A JP24500098A JP3573626B2 JP 3573626 B2 JP3573626 B2 JP 3573626B2 JP 24500098 A JP24500098 A JP 24500098A JP 24500098 A JP24500098 A JP 24500098A JP 3573626 B2 JP3573626 B2 JP 3573626B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- wafer
- rinsing liquid
- supplying
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 52
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 195
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 91
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 73
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 72
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 25
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 25
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 21
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 18
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 16
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 6
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 133
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置製造用現像装置及びその制御方法に関するもので、より詳しくは現像過程でウェハ上に発生される反応副産物の除去が容易で、容器の洗浄を可能にする半導体装置製造用現像装置及びその制御方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体装置はフォトリソグラフィー、エッチング、薄膜形成工程など多くの工程を反復的に遂行して製造される。このような工程中、フォトリソグラフィー工程はウェハ上にいくつかのパターンを形成する工程である。
【0003】
フォトリソグラフィー工程は、大きくウェハ上にフォトレジストを均一に塗布して紫外線などの光を照査する露光と、フォトレジストの種類によって露光時に光を受けるかまたは受けない部分を除去する現像とで区分される。
【0004】
このような従来のフォトリソグラフィー工程を図1に示す。示すように露光を実施したウェハWをスピンチャック2上に置くと、スピンチャック2の下端部から供給される真空圧によってウェハWがスピンチャックによって吸着されて固定される。
【0005】
続いて、一定量の現像液をウェハW上に塗布し、現像液が均等に広がるようにスピンチャック2を低速に2〜3回左右に回転させる。このとき、陽性のフォトレジストは露光された部分が現像液と反応し、陰性のフォトレジストは露光されない部分が現像液と反応して溶解することで、所定のパターンが形成される。
【0006】
この状態で一定時間経過後、リンス液を噴射して溶解によって生成された反応副産物を洗浄し、リンスが完了すると、スピンチャック2を高速に回転させてウェハW表面の水分を遠心力で完全に除去させることで現像工程が完了される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上述の従来の方式によると、ウェハWのパターン形成面が上に向いた状態で現像工程が進行され、反応副産物を高速回転による遠心力で除去するので、パターン形成によって形成された谷で遠心力が作用するコーナー部位にある反応副産物aは完全に除去されない。
従って、除去されない反応副産物aによって次のエッチング工程で製品不良を誘発するという問題点があった。
【0008】
本発明の目的は、現像工程で発生された反応副産物を十分に除去し、次の工程進行時、製品不良の発生を抑制することのできる半導体装置製造用現像装置及びその制御方法を提供することである。
【0009】
本発明の他の目的は、容器の洗浄が可能で、容器内に残留する反応副産物を完全に除去することのできる半導体装置製造用現像装置及びその制御方法を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1記載の半導体装置製造用現像装置によると、上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備える。
【0011】
本発明の請求項2記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記容器の上部に、上側にウェハが出入りできる大きさの開口部が形成された半透明樹脂材質の容器カバーが設置される。
【0012】
本発明の請求項3記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記容器は、ウェハを固定するスピンチャックの移動軸線に中心が来るように設置され、前記容器の中心の底面には、前記ウェハのパターン形成面が現像液に浸されるように現像液を溜める凹部が形成される。
本発明の請求項4記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記凹部は、中心部が低い漏斗形状である。
【0013】
本発明の請求項5記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記容器は、現像液及びリンス液を選択的に排出するように前記凹部に排出ラインと連結された排出口と、前記排出口に流圧で駆動されるバルブとを有し、前記排出口を開閉する。
【0014】
本発明の請求項6記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記容器は、前記凹部の周りに下方に両面が傾斜した傾斜溝を形成し、前記傾斜溝の底面に排出口を形成して、前記傾斜溝に誘導された現像液及びリンス液を排出口を通じて排出ラインに排出する。
本発明の請求項7記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記排出口は、前記現像液及びリンス液を重力によって自然排出させるように貫通された開放排出口である。
【0015】
本発明の請求項8記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ウェハ移送部は、前記容器上に設置されて露光を終えたウェハの底面を固定するスピンチャックと、前記スピンチャックを回転させる駆動モータと、前記スピンチャックを垂直方向に直線移動させてウェハを容器内にローディング及びアンローディングさせる垂直駆動部と、前記スピンチャック及び垂直駆動部を所定角度回転させてウェハのパターン形成面が上側または下側に向くように選択的に反転させる反転駆動部とを備える。
【0016】
本発明の請求項9記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記スピンチャックは、駆動モータによって回転し内部に真空通路が形成された回転軸と、前記回転軸に固定されてともに回転し、前記回転軸の真空通路と連結されてウェハを真空吸着するための複数個の吸着孔が形成された吸着板と、前記回転軸を回転支持し垂直駆動部に固定されるボスと、前記ボスに固定され吸着板の上部を覆って保護するハウジングとを備える。
【0017】
本発明の請求項10記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記スピンチャックは、前記吸着板に真空吸着されたウェハの縁部に不活性ガスを噴出するウェハ汚染防止手段を備える。
【0018】
本発明の請求項11記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ウェハの汚染防止手段は、前記ハウジングと所定の間隔が維持されるようにカバーを設置し、その間隔に下端部のみ開口部されるように所定の空間部を形成し、前記空間部内に不活性ガスを供給するガス供給ラインを設置し、下端部の開口部を通じて不活性ガスを噴出する。
【0019】
本発明の請求項12記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記現像液供給手段は、前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸し及び前記容器の底面に一定量の現像液を供給するように前記容器の底面に設置された現像液流入管と、現像液供給ラインを通じて前記現像液流入管に連結された現像液貯蔵タンクと、前記現像液貯蔵タンク内の現像液をポンピングして容器内に一定量ずつ供給するポンプとを備える。
【0020】
本発明の請求項13記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記リンス液供給手段は、前記ウェハのパターン形成面にリンス液が噴射されるように形成された多数個の噴射口と、前記噴射口にリンス液供給ラインを通じて前記リンス液を供給するリンス液供給源と、前記リンス液供給ラインに設置されて前記リンス液供給ラインを選択的に開閉するバルブと、を備える。
【0021】
本発明の請求項14記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記リンス液供給手段は、前記リンス液供給ラインに設置され、前記リンス液供給源からリンス液の供給を受けて前記それぞれの噴射口に同一な噴射圧を提供するマニフォルダを備える。
【0022】
本発明の請求項15記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記噴射口は、ウェハのパターン形成面の下方に選択的に近接してリンス液を噴射するようにモータによって駆動され、前記モータと連結されて回転する回転管に垂直に連結されて段階的に回動され、リンス液供給ラインと連結されてリンス液の供給を受ける長方形のリンス液噴射アームの上方に形成される。
【0023】
本発明の請求項16記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記噴射口は、微細な多数個の貫通口である。
【0024】
本発明の請求項17記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記リンス液噴射アームは、その長さが前記ウェハの回転中心からウェハの回転周りまでの長さ以上である。
本発明の請求項18記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記モータと前記回転管とは、一組のベルト及びプーリによって連結される。
【0025】
本発明の請求項19記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記洗浄液供給手段は、前記容器の底面に洗浄液が噴射されるように前記容器の上側に形成された多数個の噴射ノズルと、前記噴射ノズルに洗浄液供給ラインを通じて前記洗浄液を供給する洗浄液供給源と、前記洗浄液供給ラインに設置されて前記洗浄液供給ラインを選択的に開閉するバルブとを備える。
【0026】
本発明の請求項20記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記噴射ノズルは、前記容器カバーに多数個が設置され、容器の底面全部に洗浄液が噴霧されるように広い噴射角を有する。
【0027】
本発明の請求項21記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ガス供給手段は、容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去させるために前記容器に形成された多数個の送風口と、前記送風口に送風ラインを通じてガスを供給するガス供給源と、前記送風ラインに設置されて前記送風ラインを選択的に開閉するバルブとを備える。
【0028】
本発明の請求項22記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記送風口は、容器の凹部に選択的に近接してガスを噴射するようにモータによって駆動され、前記モータと連結されて回転する回転管に垂直に連結されて、前記容器の凹部に沿って段階的に回動され、送風ラインと連結されてガスの供給を受ける長方形の送風アームの上方に形成される。
【0029】
本発明の請求項23記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記送風口は、微細な多数個の貫通口である。
本発明の請求項24記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記送風アームは、その長さが前記容器の凹部直径の長さ以上である。
【0030】
本発明の請求項25記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記モータと前記回転管は、一組のベルト及びプーリによって連結される。
本発明の請求項26記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ガス供給源は、ガスを圧縮して高圧状態を維持するガスポンプである。
【0031】
本発明の請求項27記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ガス供給手段は、前記容器に設置され、内部に低圧が形成されて前記容器内部に存在する反応副産ガス及び水蒸気等を吸入する吸入管と、前記吸入管に連結されて低圧を形成する真空ポンプとを備える。
【0032】
本発明の請求項28記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記リンス液及び前記洗浄液は脱イオン水である。
本発明の請求項29記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記ガスは不活性ガスである。
【0033】
本発明の請求項30記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記現像液供給手段、前記リンス液供給手段及び前記ガス供給手段の一側を一つの管に統合して固定させ、前記管を前記容器に貫通させる。
【0034】
本発明の請求項31記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記管は、前記容器にベアリング支持され、一側にプーリが形成され、ベルトを通じて前記モータの回転力が伝達され回動する回転管である。
本発明の請求項32記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記モータは、ステップモータである。
【0035】
本発明の請求項33記載の半導体装置製造用現像装置によると、前記スピンチャックの回転中心とウェハの回転中心が一致するように、ウェハの回転中心を整列してスピンチャックに供給するウェハ整列駆動手段を備える。
【0036】
本発明の請求項34記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記現像液供給手段を利用して前記容器に現像液を供給する現像液供給段階と、ウェハのパターン形成面が下方に向くようにしてウェハを下降させ、前記容器内の現像液に前記パターン形成面が浸されるようにするウェハ現像段階と、ウェハを容器内の一定の高さに上昇させ、前記ウェハのパターン形成面に前記リンス液供給手段を利用してリンス液を上向噴射するリンス段階と、ウェハが容器の外部に出た後、前記洗浄液供給手段を利用して前記容器内に洗浄液を噴射する洗浄段階と、前記ガス供給手段を利用して容器に残留する前記洗浄液を除去するガス供給段階とを含む。
【0037】
本発明の請求項35記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ウェハ現像段階は、容器内の現像液に浸されたウェハを所定の時間の間、低速に回転させながら現像液と反応させる。
【0038】
本発明の請求項36記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記リンス段階は、前記ウェハにリンス液を噴射した後、前記ウェハを高速で回転させて遠心力を利用してウェハについたリンス液を除去する。
【0039】
本発明の請求項37記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記リンス段階は、前記容器内の反応ガスまたは湿気を吸入して容器外部に排出する。
【0040】
本発明の請求項38記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ガス供給段階は、前記容器の全面に残留する洗浄液にガスを移動噴射しながら前記容器の外部に排出する。
【0041】
本発明の請求項39記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ウェハ現像段階以前に、ウェハのパターン形成面が上に向くようにして前記ウェハを前記ウェハ移動部が真空吸着する段階と、前記ウェハ移動部に固定されたウェハのパターン形成面が下に向くようにウェハを180°反転させる段階とを含む。
【0042】
本発明の請求項40記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ウェハ現像段階は、ウェハの底面の縁部に不活性ガスを噴出して現像液がウェハ底面に溢れないようにする。
【0043】
本発明の請求項41記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ウェハ現像段階は、ウェハを10〜300rpmの低速で回転させながら5〜30秒実施する。
【0044】
本発明の請求項42記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記リンス段階は、リンス液が噴射されるとウェハを10〜300rpmの低速で回転させながら5〜30秒実施する。
【0045】
本発明の請求項43記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記ウェハの湿気を除去する段階は、ウェハを6000〜7000rpmの高速に回転させながら30〜90秒実施する。
【0046】
本発明の請求項44記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法によると、前記現像液供給段階は、容器内に一つのウェハを現像することができる量の現像液が貯蔵され、前記現像液は現像液供給部によって一定量ずつ供給される。
【0047】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を示す一実施例を添付した図面を参照に詳しく説明する。
【0048】
図2〜図4に本発明の実施例による半導体装置製造用現像装置を示す。ウェハWを固定するスピンチャック10と、前記ウェハWをスピンチャック10に固定する前に、ウェハWの回転中心をスピンチャック10の回転中心と一致するように整列するウェハ整列駆動部20を備える。
【0049】
前記スピンチャック10は、駆動モータ11によって低速または高速で回転可能に設置され、駆動モータ11は回転速度の制御が容易なステップモータを使用することが望ましい。
【0050】
前記スピンチャック10の詳細な構造を図5に示す。スピンチャック10は駆動モータ11によって回転する回転軸12と、この回転軸12に固定されて一緒に回転する円形の吸着板13を備える。
【0051】
前記回転軸12には、外部の真空ライン(図示しない)と連結される真空通路12aが形成され、吸着板13には吸着面13aから回転軸12の真空通路12aと連結される複数個の吸着孔13bが形成され、前記吸着孔13bを通じてウェハWが真空吸着され吸着面13aに固定される。また、回転軸12の外側にはスピンチャック10を後述する垂直駆動部60に固定するためのボス14が設置され、ボス14には吸着板13を上部で被せて保護するハウジング15が固定される。前記スピンチャック10はボス14及びハウジング15とベアリング14a、15aで回転支持させて回転を円滑にする。
【0052】
また、スピンチャック10にはウェハ汚染防止手段が備えられる。この汚染防止手段は、吸着板13に真空吸着されたウェハWの底面縁部に不活性ガスを噴出することで現像作業時、現像液がウェハの底面に付かないようにする。
【0053】
即ち、汚染防止手段は、ハウジング15と所定の間隔が維持されるようにカバー16を設置してこれらの間の下端部だけに開口部18が形成されるように所定の空間部17を形成し、カバー16の上部にはN2などの不活性ガスを供給するためのガス供給ライン19が設置される。前記ガス供給ライン19は空間部17に貫通され、下端部の開口部18を通じて不活性ガスを噴出するように設置される。前記開口部18は、吸着板13の縁部に沿って円周方向に形成して不活性ガスがウェハWの底面縁部に均等に噴出されるようにする。
【0054】
ウェハ整列駆動部20は、図2及び図6に示すように、垂直プレーム21と前記垂直プレーム21の上部にガイド棒23に沿って移動可能に設置される。ウェハWの回転中心を整列してパージする一組のフィンガ22と、前記垂直プレーム21に設置されてフィンガ22をエアー圧で作動させる両方向ロッドシリンダ24と、前記フィンガ22で整列されたウェハWの回転中心をスピンチャック10の回転中心と正確に一致するようにウェハWを移送させるウェハ移送手段で構成される。
【0055】
前記フィンガ22には、ウェハWが置かれる支え段22aが形成され、ウェハWの回転中心が整列されるようにするガイド面22bが形成される。前記ガイド面22bはウェハWの安着時、ウェハWの縁部が支え段22aの方に案内されるように傾斜されるように形成することが望ましい。
【0056】
このようなフィンガ22は、垂直プレーム21に固定されたガイド棒23に沿って移動可能に設置されたもので、フィンガ22が図6の点線のように開いた状態でウェハWが支え段22a上に位置されるとエアー圧で動作する両方向ロッドシリンダ24がフィンガ22を作動させて実線状態に移動させることでウェハWの回転中心が自動的に整列され、流動されることなく堅くパージされるようにした構成である。
【0057】
ウェハ移送手段は、フィンガ22が設置された垂直プレーム21を水平方向に移動させてフィンガ22に固定されたウェハWをスピンチャック10に移動させるためのもので、両側の固定部25a、25bによって回転支持されているボールスクリュ26を備える。このボールスクリュ26には垂直プレーム21に固定されたボールベアリング27が案内され、ボールベアリング27はボールスクリュ26の回転によってボールスクリュ26の長さの方向に直線移動可能になっている。
【0058】
また、前記ボールスクリュ26は一組のプーリ28a、28b及びベルト29に動力が伝達されるように連結された駆動モータ30によって、正逆方向に回転される構成で、駆動モータ30はフィンガ22によって整列されたウェハWの回転中心がスピンチャック10の回転中心に一致されるように正確な移動距離を予め設定して制御する。
【0059】
このとき、図6及び図7に図示するように、前記垂直プレーム21は、一組のガイドレール31a,31bによってボールスクリュ26に沿って直線移動することが可能であるように設置される。このガイドレール31a、31bはテーブル40上に固定されてボールスクリュ26の両側に並んで設置され、これに案内されるガイド部材32a,32bは垂直プレーム21の底面に固定する。
【0060】
また、ガイドレール31a、31b及びガイド部材32a、32bの結合部位は相互符合される形状で形成するが、結合部位の断面形状が逆三角形状に形成されるようにして垂直プレーム21の移動時、離脱及び揺れが防止されるようにすることが望ましい。
【0061】
また、図2、図8及び図9に示すように、ウェハ整列駆動部20から移動されてスピンチャック10に固定されたウェハWをパターン形成面が上側または下側に向くように回転させる反転駆動部50と、ウェハWが固定されたスピンチャック10を垂直方向に移動させる垂直駆動部60を備える。
【0062】
前記反転駆動部50はテーブル40上に設置された固定プレーム51と、この固定プレーム51に設置されて出力軸52を所定の角度正逆回転させる駆動手段を備える。前記駆動手段は、エアー圧で作動するロータリシリンダ53を使用することが望ましく、ロータリシリンダ53による出力軸52の正逆方向回転角度は180°に設定する。
【0063】
また、前記出力軸52にはハブ54が固定され、ハブ54は固定プレーム51にベアリング55に回転支持され、このハブ54には垂直駆動部60が固定される。
【0064】
垂直駆動部60は、前記反転駆動部50のハブ54に固定される反転プレーム61と、前記反転プレーム61の長さの方向に移動可能に設置されたスライド板62と、前記スライド板62を垂直方向に移動させる移送手段とで構成される。前記スライド板62にはスピンチャック10のボス14及び駆動モータ11が固定ブラケット62a、62bによって固定されて支持される。
【0065】
前記スライド板62の移送手段は、反転プレーム61内の長さの方向に設置され両端がベアリングで回転支持されたボールスクリュ63を備える。このボールスクリュ63にはスライド板62の一側に固定されたボールベアリング64が案内される。ボールベアリング64は、ボールスクリュ63の回転によってボールスクリュ63の長さの方向に直線移動可能になっている。
【0066】
また、前記ボールスクリュ63は、図10に示すように、一組のプーリ65a、65b及びベルト66に動力が伝達されるように連結された駆動モータ67によって正逆方向に回転される構成で、駆動モータ67は回転速度制御が容易であるステップモータを使用することが望ましく、スピンチャック10に固定されたウェハWのパターン形成面が後述する容器70内の現像液と接するように正確な移動距離を既に設定して制御する。
【0067】
このとき、スライド板62はボールスクリュ63に沿って正確な直線移動が可能であるように反転プレーム61に結合されて案内する。図11示すように反転プレーム61の両端部にボールスクリュ63と並んだ方向にガイドレールホーム68が形成され、このガイドレール溝68にはスライド板62の対向側両端部に形成されたガイド突起69が結合されて案内される構成である。
【0068】
前記ガイドレール溝68及びガイド突起69の結合部位は、相互符合される形状に形成するが、結合部位の断面形状が逆三角形状に形成されるようにしてスライド板62の移動時、離脱及び揺れが防止されるようにすることが望ましい。
【0069】
また、図2及び図12〜図15に示すように、テーブル40上に所定の量の現像液が貯蔵される容器70を備え、テーブル40内には前記容器70内に現像液を一定量ずつ供給する現像液供給部80と、ウェハWのパターン形成面にリンス液を噴射するためのリンス液を供給するリンス液供給部90を備える。
【0070】
前記容器70は、上側にウェハWが出入できる大きさの開口部が形成された半透明樹脂材質の容器カバー95が設置され、スピンチャック10の移動軸線に容器70の中心が来るように設置される。
【0071】
また、容器70の底面中心部には前記ウェハが現像液に浸されるように現像液を溜める円錐型の凹部70aが形成され、前記凹部70aの周りに傾斜溝70bを形成して前記傾斜溝70bに誘導された反応副産物を入口が開放された開放排出口70cを通じて排出ライン74に排出させる。
【0072】
また、前記容器70は、現像液及びリンス液を外部に選択的に排出させるように前記凹部70aの下側に排出ライン74と連結された排出口72を備え、前記排出口72に流圧で駆動されるバルブ75を設置して前記排出口72を開閉する構成である。
また、前記容器70は、前記凹部70aに現像液供給部80と連結される現像液流入管71を備える。
【0073】
即ち、前記回転管79に前記現像液流入管71を一緒に設置し、前記リンス液噴射アーム73が前記傾斜溝70bの上方で待機している時、前記現像液流入管71の入口が前記凹部70aの上方に位置されるように設置する。このような現像液流入管71は、図2及び図12〜図14に示すように、現像液供給部80の現像液供給ライン81によって現像液貯蔵タンク82と連結され、現像液貯蔵タンク82には現像液を一定量ずつ容器70に供給するポンプ83が設置される。
【0074】
リンス液噴射アーム73は、回転するウェハにリンス液を噴射するように上方に噴射口が形成され、ウェハのパターン形成面の下方に選択的に近接してリンス液を噴射するようにモータ77によって駆動し、前記モータ77と連結されて回転する回転管79に垂直に連結されて水平回動角が段階的に調節され、リンス液供給部90と連結されてリンス液の供給を受ける。
【0075】
また、リンス液噴射アーム73は、リンス液供給部90のリンス液供給ライン91によってリンス液マニフォルダ92と連結され、前記リンス液マニフォルダ92は外部のリンス液供給源(図示しない)と連結されて外部からリンス液の供給を受けるように構成され、リンス液としては主に脱イオン水が使用される。
また、テーブル40の一側には前述した各駆動部を制御するコントロール部41が備えられる構成である。
【0076】
一方、本実施例による半導体装置製造用現像装置は、前記容器70の上側に設置され、前記洗浄液供給ライン94から洗浄液の供給を受けて前記容器70の内部全面に洗浄液を選択的に噴射する噴射ノズル93と、前記噴射ノズル93で洗浄液が噴射された後、前記容器70に残留する洗浄液を加圧噴射して排出させる送風装置を備える。
【0077】
前記送風装置は、前記凹部70aに残留する洗浄液を誘導して排出口72及び開放排出口70cに排出させるように下方に送風口が形成され、前記モータの駆動によって回転する前記回転管79と垂直に連結され、水平回動角が段階的に調節されて前記凹部70aの全面に沿って、選択的に近接して移動しながらガスを噴射する送風アーム96及び前記傾斜溝70bに設置されて、ガス吸入ライン97と連結される。さらに、内部に低圧が形成されて前記容器70内部に存在する反応副産ガスまたは水蒸気などを吸入する吸入管90dを備える。
【0078】
前記送風アームに形成された多数個の送風口は、多様な形態が可能で、狭い溝の形態に形成してガス膜を形成する構成も可能である。
前記吸入管70dの入口は、排出される現像液の影響を受けないように前記凹部70aと前記傾斜溝70bの間の高い位置に設置することが望ましい。
【0079】
前記送風アーム96は、前記回転管79を通じて送風ライン76と連結される。
図示しない前記ガスポンプが前記送風ライン76を通じて前記送風アーム96にガスを供給する。
【0080】
前記回転管79は、前記容器70の下方に固定設置されたモータ77の回転力をベルト78に伝達して垂直回動する。前記回転管79の容器方向端部には前記リンス液噴射アーム73と、前記送風アーム96及び前記現像液流入管71を一緒に配置して、他の端部には前記回転管79の回転に影響を受けないように十字型の連結管が設置されて前記送風ライン76、前記リンス液供給ライン91及び現像液供給ライン81が一緒に配管されている構成である。
前記モータ77はステップモータやギアードモータまたはロータリーモータなどが可能である。
【0081】
また、前記リンス液噴射アームの長さは前記ウェハの半直径以上に製作し、前記送風アームの長さは前記凹部の直径以上に製作し、前記現像液流入管は前記回転管が前記凹部上方から外れて待機する間に現像液が前記凹部に供給されるようにその方向が前記凹部の方に傾いて製作される。前記回転管は前記容器にベアリング支持される。
一方、前記噴射ノズル93及び前記モータ77は前記コントロール部41の制御を受ける。
【0082】
以下、このような構成を有する半導体装置製造用現像装置の作動及び制御方法を説明する。
先ず、露光を終えたウェハWの回転中心を整列させてスピンチャック10に供給する段階は、図2、図6、及び図7に示すように、ウェハ整列駆動部20のフィンガ22が点線の位置のように開いている状態でウェハWを支え段22a上に位置させると、エアー圧で作動する両方向エアーロッドシリンダ24がフィンガ22を作動させるようになり、これでフィンガ22はガイド棒23に沿って実線状態に移動されるのでウェハWがパージされると同時にウェハWの回転中心位置が自動的に整列されるものである。
【0083】
続いて、ウェハの整列駆動部20の駆動モータ30が駆動して一組のプーリ28a、28b及びベルト29を通じてボールスクリュ26を回転させるようになると、ボールスクリュ26にボールベアリング27が案内されるし、両側のガイドレール31a、31bに垂直プレーム21のガイド部材32a、32bが案内されるものなので、垂直プレーム21は仮の線状態のように水平方向に直線移動してスピンチャック10上に位置するようになる。
【0084】
このとき、ウェハWの移動距離は既に設定されたプログラムによって駆動モータ30の駆動が制御されるものなので、ウェハWの回転中心がスピンチャック10の回転中心と正確に一致する。
【0085】
このようにウェハWがスピンチャック10上に設置されると、両方向ロッドシリンダ24の作動でフィンガ22が再び開かれると同時にスピンチャック10がウェハWの底面を吸着して固定するようになる。
【0086】
続いて、前記スピンチャック10に固定されたウェハWのパターン形成面が下に向くように反転駆動部50を駆動させる段階は、図8に示すように、ウェハWのパターン形成面が上を向いている状態で反転駆動部50のロータリシリンダ53が作動して出力軸52を180°回転させると、垂直駆動部60の反転プレーム61及びスライド板62が一緒に180°回転するので、図9に示すように、スライド板62に固定されたスピンチャック10及び駆動モータ11が全て180°回転する。これにより、ウェハWのパターン形成面が下を向いて容器70の上部に位置するようになる。
【0087】
続いて、ウェハW上に塗布されて露光されたフォトレジストを部分的に溶解させてパターンを形成する段階は、ウェハWが容器70上に位置するようになると、図2及び図12に示すように、現像液供給部80のポンプ83が作動して現像液貯蔵タンク82に貯蔵された現像液をポンピングするようになり、ポンピングされた一定量の現像液は現像液供給ライン81及びこの現像液供給ライン81に連結された現像液流入管71を通じて容器70内の凹部70aに供給される。このとき、ポンプ83によってポンピングされて供給される現像液の量は一つのウェハWに対する現像作業を遂行することができる程度に設定するもので、常に一定の量が供給されるようにする。
【0088】
続いて、図9〜図11に示すように垂直駆動部60の駆動モータ67が作動して一組のプーリ65a、65b及びベルト66を通じてホールスクリュー63を回転させると、ボールスクリュ63にボールベアリング64が案内され両側のガイドレール68にスライド板62のガイド突起69が案内されるものであるので、スライド板62は図12に示すように下方に直線移動してウェハWのパターン形成面が容器70の凹部70aに貯蔵された現像液と合うようになる。
【0089】
このとき、ウェハWの移動距離はウェハWが完全に浸されずにウェハWのパターン形成面のみ現像液に浸される状態に制御されるもので、これは予め設定されたプログラムによって駆動モータ67の駆動が制御されることにより可能で、ウェハWの底面が現像液の上面と同一な水平線上に位置しても現像液の表面張力によってウェハWの底面に溢れない。
【0090】
このように、ウェハWのパターン形成面が現像液に浸された状態で駆動モータ11を駆動させてスピンチャック10を約10〜300rpmの低速で回転させながら約5〜30秒の間現像作業を遂行する。現像作業中には図5に示すようにスピンチャック10内部に不活性ガスが供給され、不活性ガスはスピンチャック10のハウジング15とカバー16の下端部の間の開口部18を通じてウェハWの底面の縁部に噴出されるので、スピンチャック10の回転によって現像液がウェハW底面に溢れて汚染することを防止する。
【0091】
このような現像作業によってフォトレジストと現像液が反応してフォトレジストの一部を溶解させることで所定のパターンが形成され、現像に使用された現像液は排出口72を通じて排出される。
【0092】
続いて、リンス液を噴射して反応副産物を除去する段階は、図2及び図13に示すように外部のリンス液供給源からリンス液供給部90のマニフォルダ92に供給されたリンス液をリンス液供給ライン91を通じてウェハ中心部に一定角度回動されたリンス液噴射アーム73に供給し、リンス液噴射アーム73がリンス液をウェハWのパターン形成面に噴射することで遂行され得る。このとき、スピンチャック10を約10〜300rpmの低速で回転させながら約5〜30秒の間リンス作業を遂行する。
【0093】
このようなリンス作業によってウェハWのパターン形成面に生成された反応副産物aが除去されると、リンス液と一緒に排出口72を通じて排出される。特にウェハWのパターン形成面が下方に向いて位置されたものなのでパターンによって形成された谷内の反応副産物aが下部に流れて除去される。
【0094】
このとき、図14に示すように、反応副産物aの完全な除去が可能になるように前記噴射ノズル93がリンス液を前記容器70の全面に噴射した後、前記送風アーム96が前記凹部70aの全面を移動しながら前記凹部70aにガスを噴射して前記凹部70aに残留するリンス液を前記排出口72及び前記開放排出口70cに誘導して排出する。
【0095】
続いて、ウェハWについた湿気を除去させる段階は、リンス液の噴射を中断して、スピンチャック10を約6000〜7000rpmの速い速度で約30〜90秒の間回転して遂行させる。このような除去作業は高速回転による遠心力でウェハWについた湿気が除去されるもので、特にウェハWのパターン形成面が下方に向いているため、谷の角に残存する反応副産物aが容易に下方に流れ除去される。このような反応副産物の除去方式はパターンが微細な場合に効果的である。
また、前記容器70内に満ちた湿気を完全に除去するために、前記容器70内に設置した吸入管70dが前記湿気を吸入する。
【0096】
このような現像、リンス及び除去作業が完了されると今までの動作の逆順に動作してウェハが排出される。即ち垂直駆動部60の駆動モータ67が逆駆動すると図9に示すようにスピンチャック10及びウェハWが上方に移動することでウェハWが容器70から出るようになり、続いて反転駆動部50のロータリシリンダ53の作動で反転プレーム61が再び180°回転すると、図8に示すようにウェハWはウェハ整列駆動部20のフィンガ22上に位置されるのと同時にウェハWのパターン形成面が上方に向くようになる。
【0097】
このような状態で両方向ロッドシリンダ24の作動でフィンガ22が再び閉じるようになり、ウェハWをパージすると、スピンチャック10に作用した真空が除去されてウェハWを固定解除するもので、続いてウェハ移送手段の駆動モータ30が駆動して垂直プレーム21を元の状態に移動させることで現像工程が完了する。
【0098】
テーブル40に備えられたコントロール部41によって前記のような動作を反復的に遂行するようになり、各駆動部の動作状態を既に設定して自動制御が可能である。
【0099】
【発明の効果】
以上説明されたように、本発明による半導体装置製造用現像装置及びその制御方法によると、現像工程が容易に遂行される。特にパターン形成面が下方に向く状態で現像工程が行われるのでパターン形成によって形成された谷内の反応副産物が充分に除去された後、エッチング工程時反応副産物による工程不良が防止される。また、容器内に残留する反応副産物を完全に除去し、生産性向上及び製品収率が増大される。
【0100】
以上で本発明は記載された具体例に対してのみ詳細に説明されたが、本発明の技術的思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白なことであり、このような変形及び修正が付加されたものは本発明の技術的思想に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の現像方法の模式図である。
【図2】本発明の実施例による現像装置を示した断面図である。
【図3】本発明の実施例による現像装置を示した平面図である。
【図4】図2のA−A線断面図である。
【図5】本発明の実施例によるスピンチャックを詳細に示した断面図である。
【図6】本発明の実施例によるウェハ整列部を詳細に示した平面図である。
【図7】図6のB−B線断面図である。
【図8】本発明の実施例によるウェハ反転駆動部及び垂直駆動部の構成及び動作状態を詳細に示した断面図である。
【図9】本発明の実施例によるウェハ反転駆動部及び垂直駆動部の構成及び動作状態を詳細に示した断面図である。
【図10】図8のC−C線断面図である。
【図11】図8のD−D線断面図である。
【図12】本発明の実施例による現像液供給部及びリンス供給部による現像液過程を詳細に示した容器の断面図である。
【図13】本発明の実施例による現像液供給部及びリンス供給部による現像液過程を詳細に示した容器の断面図である。
【図14】本発明の実施例による現像液供給部及びリンス供給部による現像液過程を詳細に示した容器の断面図である。
【図15】図12の回転管の斜視図である。
【符号の説明】
18 開口部
70 容器
80 現像液供給部
90 リンス液供給部
94 洗浄液供給ライン
19 ガス供給ライン
Claims (40)
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記容器は、ウェハを固定するスピンチャックの移動軸線に中心が来るように設置され、前記容器の中心の底面には、前記ウェハのパターン形成面が現像液に浸されるように現像液を溜める凹部が形成され、
前記凹部は、中心部が低い漏斗形状であることを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記容器は、ウェハを固定するスピンチャックの移動軸線に中心が来るように設置され、前記容器の中心の底面には、前記ウェハのパターン形成面が現像液に浸されるように現像液を溜める凹部が形成され、
前記容器は、前記凹部の周りに下方に両面が傾斜した傾斜溝を形成し、前記傾斜溝の底面に排出口を形成して、前記傾斜溝に誘導された現像液及びリンス液を排出口を通じて排出ラインに排出することを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記排出口は、前記現像液及びリンス液を重力によって自然排出させるように貫通された開放排出口であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記容器は、現像液及びリンス液を選択的に排出するように前記凹部に排出ラインと連結された排出口と、前記排出口に流圧で駆動されるバルブとを有し、前記排出口を開閉することを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記リンス液供給手段は、前記ウェハのパターン形成面にリンス液が噴射されるように形成された多数個の噴射口と、前記噴射口にリンス液供給ラインを通じて前記リンス液を供給するリンス液供給源と、前記リンス液供給ラインに設置されて前記リンス液供給ラインを選択的に開閉するバルブと、を有することを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記噴射口は、ウェハのパターン形成面の下方に選択的に近接してリンス液を噴射するようにモータによって駆動され、前記モータと連結されて回転する回転管に垂直に連結されて段階的に回動され、リンス液供給ラインと連結されてリンス液の供給を受ける長方形のリンス液噴射アームの上方に形成されることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記噴射口は、微細な多数個の貫通口であることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記リンス液噴射アームは、その長さが前記ウェハの回転中心からウェハの回転周りまでの長さ以上であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記モータと前記回転管とは、一組のベルト及びプーリによって連結されることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記洗浄液供給手段は、前記容器の底面に洗浄液が噴射されるように前記容器の上側に 形成された多数個の噴射ノズルと、前記噴射ノズルに洗浄液供給ラインを通じて前記洗浄液を供給する洗浄液供給源と、前記洗浄液供給ラインに設置されて前記洗浄液供給ラインを選択的に開閉するバルブとを備えることを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記噴射ノズルは、前記容器カバーに多数個が設置され、容器の底面全部に洗浄液が噴霧されるように広い噴射角を有することを特徴とする請求項10に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去させるために前記容器に形成された多数個の送風口と、前記送風口に送風ラインを通じてガスを供給するガス供給源と、前記送風ラインに設置されて前記送風ラインを選択的に開閉するバルブとを有し、
前記送風口は、容器の凹部に選択的に近接してガスを噴射するようにモータによって駆動され、前記モータと連結されて回転する回転管に垂直に連結されて、前記容器の凹部に沿って段階的に回動され、送風ラインと連結されてガスの供給を受ける長方形の送風アームの上方に形成されることを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記送風口は、微細な多数個の貫通口であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記送風アームは、その長さが前記容器の凹部直径の長さ以上であることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記モータと前記回転管は、一組のベルト及びプーリによって連結されることを特徴とする請求項12に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去させるために前記容器に形成された多数個の送風口と、前記送風口に送風ラインを通じてガスを供給するガス供給源と、前記送風ラインに設置されて前記送風ラインを選択的に開閉するバルブとを有し、
前記ガス供給手段は、前記容器に設置され、内部に低圧が形成されて前記容器内部に存在する反応副産ガス及び水蒸気等を吸入する吸入管と、前記吸入管に連結されて低圧を形成する真空ポンプとを有することを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記ガス供給源は、ガスを圧縮して高圧状態を維持するガスポンプであることを特徴とする請求項12から16のいずれか一項に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 上側にウェハが出入りできる開口部が形成され、下側に排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くように前記ウェハの後面を吸着して前記開口部を通過して前記ウェハを前記容器にローディング及びアンローディングするウェハの移送部と、
前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸すために、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、
前記ウェハのパターン形成面にリンス液を噴射するために前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
容器に残留する前記現像液とリンス液とを除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
容器に残留する前記洗浄液を加圧噴射して除去するために前記容器にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記現像液供給手段、前記リンス液供給手段及び前記ガス供給手段の一側を一つの管に統合して固定し、前記管を前記容器に貫通させることを特徴とする半導体装置製造用現像装置。 - 前記管は、前記容器にベアリング支持され、一側にプーリが形成され、ベルトを通じて前記モータの回転力が伝達され回動する回転管であることを特徴とする請求項19に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記モータは、ステップモータであることを特徴とする請求項22に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記容器の上部に、上側にウェハが出入りできる大きさの開口部が形成された半透明樹脂材質の容器カバーが設置されることを特徴とする請求項1から21のいずれか一項に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記ウェハ移送部は、前記容器上に設置されて露光を終えたウェハの底面を固定するスピンチャックと、前記スピンチャックを回転させる駆動モータと、前記スピンチャックを垂直方向に直線移動させてウェハを容器内にローディング及びアンローディングさせる垂直駆動部と、前記スピンチャック及び垂直駆動部を所定角度回転させてウェハのパターン形成面が上側または下側に向くように選択的に反転させる反転駆動部とを備えることを特徴とする請求項1から21のいずれか一項に記載の半導体装置製造用 現像装置。
- 前記スピンチャックは、駆動モータによって回転し内部に真空通路が形成された回転軸と、前記回転軸に固定されてともに回転し、前記回転軸の真空通路と連結されてウェハを真空吸着するための複数個の吸着孔が形成された吸着板と、前記回転軸を回転支持し垂直駆動部に固定されるボスと、前記ボスに固定され吸着板の上部を覆って保護するハウジングとを備えることを特徴とする請求項23に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記スピンチャックは、前記吸着板に真空吸着されたウェハの縁部に不活性ガスを噴出するウェハ汚染防止手段を備えることを特徴とする請求項24に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記ウェハの汚染防止手段は、前記ハウジングと所定の間隔が維持されるようにカバーを設置し、その間隔に下端部のみ開口されるように所定の空間部を形成し、前記空間部内に不活性ガスを供給するガス供給ラインを設置し、下端部の開口を通じて不活性ガスを噴出することを特徴とする請求項27記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記現像液供給手段は、前記ウェハのパターン形成面を現像液に浸し及び前記容器の底面に一定量の現像液を供給するように前記容器の底面に設置された現像液流入管と、現像液供給ラインを通じて前記現像液流入管に連結された現像液貯蔵タンクと、前記現像液貯蔵タンク内の現像液をポンピングして容器内に一定量ずつ供給するポンプとを備えることを特徴とする請求項1から26のいずれか一項に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記リンス液及び前記洗浄液は脱イオン水であることを特徴とする請求項1から27のいずれか一項に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 前記スピンチャックの回転中心とウェハの回転中心が一致するように、ウェハの回転中心を整列してスピンチャックに供給するウェハ整列駆動手段を備えることを特徴とする請求項1から28のいずれか一項に記載の半導体装置製造用現像装置。
- 開口部及び排水口が形成された現像液を入れることができる容器と、ウェハを容器にローディング及びアンローディングするウェハ移送部と、前記容器の底面に一定量の現像液を供給する現像液供給手段と、前記容器にリンス液を供給するリンス液供給手段と、容器に残留する前記現像液とリンス液を除去するために前記容器に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記容器にガスを供給して洗浄液を除去させるガス供給手段とを備える半導体装置製造用現像装置の制御方法において、
前記現像液供給手段を利用して前記容器に現像液を供給する現像液供給段階と、
ウェハのパターン形成面が下方に向くようにしてウェハを下降させ、前記容器内の現像液に前記パターン形成面が浸されるようにするウェハ現像段階と、
ウェハを容器内の一定の高さに上昇させ、前記ウェハのパターン形成面に前記リンス液供給手段を利用してリンス液を上向噴射するリンス段階と、
ウェハが容器の外部に出た後、前記洗浄液供給手段を利用して前記容器内に洗浄液を噴射する洗浄段階と、
前記ガス供給手段を利用して容器に残留する前記洗浄液を除去するガス供給段階と、
を含むことを特徴とする半導体装置製造用現像装置の制御方法。 - 前記ウェハ現像段階は、容器内の現像液に浸されたウェハを所定の時間の間、低速に回転させながら現像液と反応させることを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記リンス段階は、前記ウェハにリンス液を噴射した後、前記ウェハを高速で回転させて遠心力を利用してウェハについたリンス液を除去することを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記リンス段階は、前記容器内の反応ガスまたは湿気を吸入して容器外部に排出することを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記ガス供給段階は、前記容器の全面に残留する洗浄液にガスを移動噴射しながら前記容器の外部に排出することを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記ウェハ現像段階以前に、ウェハのパターン形成面が上に向くようにして前記ウェハを前記ウェハ移動部が真空吸着する段階と、前記ウェハ移動部に固定されたウェハのパターン形成面が下に向くようにウェハを180ー反転させる段階とを含むことを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記ウェハ現像段階は、ウェハの底面の縁部に不活性ガスを噴出して現像液がウェハ底面に溢れないようにすることを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記ウェハ現像段階は、ウェハを10〜300rpmの低速で回転させながら5〜30秒実施することを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記リンス段階は、リンス液が噴射されるとウェハを10〜300rpmの低速で回転させながら5〜30秒実施することを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記ウェハの湿気を除去する段階は、ウェハを6000〜7000rpmの高速に回転させながら30〜90秒実施することを特徴とする請求項32に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
- 前記現像液供給段階は、容器内に一つのウェハを現像することができる量の現像液が貯蔵され、前記現像液は現像液供給部によって一定量ずつ供給されることを特徴とする請求項30に記載の半導体装置製造用現像装置の制御方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970073507A KR100271764B1 (ko) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
KR1997P73507 | 1997-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11195601A JPH11195601A (ja) | 1999-07-21 |
JP3573626B2 true JP3573626B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=19528557
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24500098A Expired - Fee Related JP3573626B2 (ja) | 1997-12-24 | 1998-08-31 | 半導体装置製造用現像装置及びその制御方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6033135A (ja) |
JP (1) | JP3573626B2 (ja) |
KR (1) | KR100271764B1 (ja) |
CN (1) | CN1125376C (ja) |
DE (1) | DE19842902B4 (ja) |
GB (1) | GB2332757B (ja) |
TW (1) | TW408368B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19859469C2 (de) * | 1998-12-22 | 2002-02-14 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten |
DE19906398B4 (de) * | 1999-02-16 | 2004-04-29 | Steag Hamatech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
JP3904795B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2007-04-11 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2002134402A (ja) * | 2000-08-15 | 2002-05-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
US6691719B2 (en) * | 2001-01-12 | 2004-02-17 | Applied Materials Inc. | Adjustable nozzle for wafer bevel cleaning |
EP1233441A1 (en) | 2001-02-19 | 2002-08-21 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and a method for reducing contamination with particles on a substrate in a process tool |
US6610464B2 (en) | 2001-05-24 | 2003-08-26 | Agere Systems Inc. | Process for patterning a membrane |
WO2003105200A1 (en) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
DE20217416U1 (de) * | 2002-11-08 | 2003-05-28 | Wagner Internat Ag Altstaetten | Vorrichtung zum Beschichten eines Werkstücks mit Pulver |
KR20040041763A (ko) * | 2002-11-11 | 2004-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼 세정시스템 및 그 방법 |
US6938629B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-09-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Rinsing lid for wet bench |
EP1757371A1 (en) * | 2004-04-28 | 2007-02-28 | Ebara Corporation | Substrate processing unit and substrate processing apparatus |
KR101074388B1 (ko) | 2004-12-22 | 2011-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 제조 장비 |
CN101393427B (zh) * | 2007-09-17 | 2011-06-01 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶圆盒清洗提示系统以及方法 |
US20090205686A1 (en) * | 2008-02-19 | 2009-08-20 | United Microelectronics Corp. | Wafer cleaning apparatus |
JP6302700B2 (ja) | 2013-03-18 | 2018-03-28 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6351993B2 (ja) | 2013-03-18 | 2018-07-04 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6455962B2 (ja) * | 2013-03-18 | 2019-01-23 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR101554624B1 (ko) * | 2014-06-03 | 2015-09-21 | 주식회사 엘아이에스 | 픽업장치 |
CN104102095A (zh) * | 2014-07-23 | 2014-10-15 | 济南晶博电子有限公司 | 硅片显影定影装置 |
CN113471108B (zh) * | 2021-07-06 | 2022-10-21 | 华海清科股份有限公司 | 一种基于马兰戈尼效应的晶圆竖直旋转处理装置 |
CN113448187B (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-23 | 中熵科技(徐州)有限公司 | 一种复合半导体薄膜材料光刻胶去除装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4429983A (en) * | 1982-03-22 | 1984-02-07 | International Business Machines Corporation | Developing apparatus for exposed photoresist coated wafers |
JPH0669019B2 (ja) * | 1984-03-12 | 1994-08-31 | 株式会社ニコン | 半導体製造装置 |
US4590094A (en) * | 1984-10-29 | 1986-05-20 | International Business Machines Corporation | Inverted apply using bubble dispense |
EP0264957A3 (en) * | 1986-10-23 | 1990-01-31 | Mitsubishi Materials Corporation | Method and apparatus for application of wax on wafers |
JPH0391232A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Fujitsu Ltd | 現像装置 |
JPH03181118A (ja) * | 1989-12-11 | 1991-08-07 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの現像装置 |
US5650196A (en) * | 1993-05-05 | 1997-07-22 | Steag Microtech Gmbh | Device for coating substrates in semiconductor production |
KR0164007B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1999-02-01 | 이시다 아키라 | 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 |
KR100262902B1 (ko) * | 1994-08-31 | 2000-09-01 | 다카시마 히로시 | 현상처리장치 및 현상처리방법 |
KR100240022B1 (ko) * | 1996-11-21 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
-
1997
- 1997-12-24 KR KR1019970073507A patent/KR100271764B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-08-12 TW TW087113284A patent/TW408368B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-17 GB GB9817723A patent/GB2332757B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-31 JP JP24500098A patent/JP3573626B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-18 DE DE19842902A patent/DE19842902B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-09-24 CN CN98120040A patent/CN1125376C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-07 US US09/206,232 patent/US6033135A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2332757A (en) | 1999-06-30 |
GB2332757B (en) | 2002-06-19 |
DE19842902B4 (de) | 2006-06-01 |
DE19842902A1 (de) | 1999-07-15 |
TW408368B (en) | 2000-10-11 |
US6033135A (en) | 2000-03-07 |
KR100271764B1 (ko) | 2000-12-01 |
CN1125376C (zh) | 2003-10-22 |
GB9817723D0 (en) | 1998-10-14 |
KR19990053806A (ko) | 1999-07-15 |
CN1221128A (zh) | 1999-06-30 |
JPH11195601A (ja) | 1999-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3573626B2 (ja) | 半導体装置製造用現像装置及びその制御方法 | |
JP3103323B2 (ja) | 半導体装置製造用現像装置及びその製造方法 | |
US5626913A (en) | Resist processing method and apparatus | |
TWI477326B (zh) | 液處理中之噴嘴洗淨方法及其裝置 | |
JP5583503B2 (ja) | 基板洗浄装置、およびこれを備える塗布現像装置 | |
US6692165B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2846879B2 (ja) | 半導体製造用フォトレジストコーティング装置 | |
KR100895030B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법 | |
WO2003105201A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び現像装置 | |
JP3321725B2 (ja) | 洗浄装置 | |
JP2000223458A (ja) | 基板処理装置 | |
JP3999523B2 (ja) | 被処理物の処理装置 | |
KR100877798B1 (ko) | 예비 약액처리수단을 구비한 슬릿코터 | |
JPH07106240A (ja) | 基板端縁処理装置 | |
KR100437850B1 (ko) | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 | |
JPH09139375A (ja) | 基板端縁処理装置 | |
JP4036331B2 (ja) | 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法 | |
JP4363593B2 (ja) | 薄膜除去装置 | |
JP2981709B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JP2004014869A (ja) | 現像装置 | |
JP3322249B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR20200125500A (ko) | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 | |
JP3489460B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
KR100706569B1 (ko) | 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식분사시스템 | |
JP3592958B2 (ja) | 液膜形成装置及びその方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040511 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070709 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080709 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090709 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100709 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110709 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120709 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130709 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |