KR100706569B1 - 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식분사시스템 - Google Patents

반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식분사시스템 Download PDF

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김종호
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Abstract

본 발명은 반도체 웨이퍼에 코팅액 또는 현상액을 도포하는 방식을 웨이퍼를 회전시켜 그 원심력을 이용하여 도포하는 방식 대신에 스프레이 노즐을 3축(x,y,z축) 가변시켜 도포함으로써 코팅액이나 현상액의 사용량을 크게 절감시킬 수 있고 아울러 도포막의 두께를 균일하게 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템에 관한 것으로,
웨이퍼를 안착하기 위한 웨이퍼 안착유닛; 상기 웨이퍼 안착유닛에 안착된 웨이퍼에 코팅액이나 현상액을 도포하기 위한 노즐; 상기 노즐의 x축 이동을 제어하기 위한 제 1가이드 유닛; 상기 노즐의 y축 이동을 제어하기 위한 제 2가이드 유닛; 상기 노즐의 z축 이동을 제어하기 위한 제 3가이드 유닛; 상기 웨이퍼 안착유닛에 안착된 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링유닛 및 제 2센터링유닛; 및 상기 웨이퍼의 테두리 부분에 묻어 있는 코팅액을 제거하거나 웨이퍼의 현상액을 세척하기 위해 사용되는 회동아암유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
반도체, 웨이퍼, 가이드유닛, 스테핑모터, 볼스크류

Description

반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템{SPRAY SYSTEM FOR INJECTING COATING OR DEVELOPING MATERIALS IN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PROCESS}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템의 사시도;
도 2는 도 1의 평면도;
도 3은 도 1의 분사시스템에서 웨이퍼 안착유닛을 확대하여 도시한 도면;
도 4는 본 발명에 따른 가이드유닛의 내부 구조를 상세히 도시한 도면; 및
도 5는 도 1의 분사시스템에서 회동아암유닛을 확대하여 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 제 1가이드유닛 20 : 제 2가이드유닛
30 : 제 3가이드유닛 40 : 웨이퍼 안착유닛
50 : 제 1센터링유닛 60 : 제 2센터링유닛
70 : 회동아암유닛 80 : 노즐
본 발명은 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 반도체 웨이퍼에 코팅액 또는 현상액을 도포하는 방식을 웨이퍼를 회전시켜 그 원심력을 이용하여 도포하는 방식 대신에 스프레이 노즐을 3축(x,y,z축) 가변시켜 도포함으로써 코팅액이나 현상액의 사용량을 크게 절감시킬 수 있고 아울러 도포막의 두께를 균일하게 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼를 처리할 때 코터(Coater) 및 현상 유닛(Developer)을 이용하여 회전하는 웨이퍼의 표면에 포토 레지스트(Photo Resist)액이나 현상액(Development)을 도포하게 된다.
먼저, 코터에서 포토 레지스트 액을 웨이퍼에 도포하는 경우를 설명하면, 웨이퍼를 지지하면서 회전하는 척의 상부에 처리되어질 웨이퍼가 놓여진 다음, 척이 고속으로 회전하게 된다.
상기 척이 고속으로 회전함에 따라 웨이퍼 또한 고속으로 회전하게 되고, 그 웨이퍼의 중심부의 상부로 도포 노즐이 이동하여 소정량의 포토 레지스트 액을 그 중심부에 적하하게 되면, 웨이퍼의 회전에 의한 원심력으로 인해 포토 레지스트 액이 웨이퍼의 중심부로부터 외주 방향으로 퍼져나가 도포된다.
상기 포토 레지스트 액의 도포가 완료되면 다시 웨이퍼를 현상 유닛으로 옮 긴 다음 상기와 유사한 동작으로 인해 현상액을 웨이퍼에 도포하게 되는 것이다.
그런데, 이와 같이 웨이퍼의 고속회전에 따른 원심력을 이용하여 포토 레지스트 액이나 현상액, 그리고 여타의 도포액을 웨이퍼에 도포하는 경우에 있어서는, 여러가지 문제점들이 발생하게 된다.
즉, 현재 웨이퍼의 크기가 점점 커지는 추세에 있는데, 웨이퍼의 크기가 커짐에 따라 포토 레지스트 액이나 현상액이 모든 위치에서 균일하게 도포되기가 어렵고 그들의 약액 사용량도 현저히 증가하는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 포토 레지스트액 또는 현상액과 같은 도포액의 도포방식을 프로그램을 통한 3축 가변가능한 분사방식으로 수행함으로써, 정확한 위치에 도포할 수 있도록 한 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 코팅용 포토 레지스트액 또는 현상액과 같은 도포액의 사용량을 크게 절감할 수 있도록 하는 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 웨이퍼의 회전 없거나 기존의 회전수 이하에서도 균일한 두께의 도포막을 형성할 수 있도록 한 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템을 제공하는 데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 공정시간을 크게 절감할 수 있도록 한 반도체 제 조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템을 제공하는 데 있다.
상기와 같은 목적들을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템은,
웨이퍼를 안착하기 위한 웨이퍼 안착유닛; 상기 웨이퍼 안착유닛에 안착된 웨이퍼에 코팅액이나 현상액을 도포하기 위한 노즐; 상기 노즐의 x축 이동을 제어하기 위한 제 1가이드 유닛; 상기 노즐의 y축 이동을 제어하기 위한 제 2가이드 유닛; 상기 노즐의 z축 이동을 제어하기 위한 제 3가이드 유닛; 상기 웨이퍼 안착유닛에 안착된 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링유닛 및 제 2센터링유닛; 및 상기 웨이퍼의 테두리 부분에 묻어 있는 코팅액을 제거하거나 웨이퍼의 현상액을 세척하기 위해 사용되는 회동아암유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 웨이퍼 안착유닛은, 웨이퍼를 안착할 수 있는 안착부와, 웨이퍼가 안착되었을 때 하부에서 진공으로 흡입하여 웨이퍼가 제 위치에 안정되게 위치할 수 있도록 하는 진공흡입부를 구비하는 원통형 고정벽; 상기 원통형 고정벽과 면접하여 설치되며 상하로 승강가능한 승강차단벽; 및 상기 승강차단벽을 상하로 승강시키기 위해 상기 승강차단벽에 연결된 승강실린더부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1가이드 유닛은, 구동을 위한 제 1스테핑모터; 상기 제 1스테핑모터 의 구동에 의해 회전하는 제 1볼스크류; 및 상기 제 1볼스크류에 나사결합되어 그의 회전에 의해 x축방향으로 슬라이딩하는 이동활차;를 구비하고,
상기 제 3가이드유닛은 상기 이동활차에 일체로 설치되며, 구동을 위한 제 3스테핑모터와, 상기 제 3스테핑모터의 구동에 의해 회전하는 제 3볼스크류를 구비하며,
상기 제 2가이드 유닛은, 그 일측이 상기 제 3볼스크류에 나사결합되어 있으며, 구동을 위한 제 2스테핑모터와, 상기 제 2스테핑모터의 구동에 의해 회전하는 제 2볼스크류를 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 3가이드유닛은, 상기 제 3스테핑모터에 연결되는 구동풀리; 상기 제 3볼스크류에 연결된 종동풀리; 및 상기 구동풀리와 종동풀리를 연결하는 타이밍벨트;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 제 2가이드유닛의 상기 제 2볼스크류에는 연결부재에 의해 노즐이 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 제 1센터링유닛 및 제 2센터링유닛에는 웨이퍼쪽으로 슬라이딩 이동하여 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링아암 및 제 2센터링아암이 각각 설치되는 것을 특징으로 한다.
상기 회동아암유닛은, 축을 중심으로 회동가능한 회동아암; 상기 회동아암의 끝단에는 세척액을 분사하기 위해 설치되는 분사노즐; 상기 회동아암을 상하로 승강시키기 위한 실린더; 및 상기 회동아암을 회동운동시키기 위해 스테핑모터;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명의 목적 및 구성상의 특징은 첨부된 도면 및 이하에서 기술되는 본 발명의 상세하고 바람직한 실시예들의 설명에 의하여 더욱 명확하게 될 것이다. 또한, 도면들에서 서로 동일 내지 유사한 부분들은 설명 및 이해의 편의상 동일 내지 유사한 참조 부호들로 기재되어 있는 점에 주목할 필요가 있다.
본 발명은 반도체의 제조공정중에서 포토레지스트(Photoresist) 코팅 공정과 현상공정을 진행하기 위한 장치에 관한 것이다.
상기 포토레지스트 코팅공정은 포토레지스트 액을 웨이퍼 표면에 골고루 바른 다음에 이를 살짝 굽는다.
그 후에 노광공정을 거치는데, 노광공정은 스텝퍼를 이용하여 마스크 위에 그려진 회로패턴에 빛을 통과시켜 포토레지스트막이 형성된 웨이퍼 위에 회로패턴을 사진 찍는 공정이다.
노광공정을 거친 후에 상기 현상공정을 거치는데, 상기 현상공정은 사진현상 과 동일한다. 즉, 현상액을 웨이퍼에 뿌리면 웨이퍼는 노광 과정에서 빛을 받은 부분과 받지 않은 부분으로 구별되는 데 빛을 받은 부분의 현상액을 날아가고 빛을 받지 않은 부분은 그대로 남게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템의 사시도이고, 도 2는 도 1의 평면도이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 스프레이식 분사시스템은, 웨이퍼를 안착하기 위한 웨이퍼 안착유닛(40), 상기 웨이퍼 안착유닛(40)에 안착된 웨이퍼에 코팅액이나 현상액을 도포하기 위한 노즐(80), 상기 노즐(80)의 x축 이동을 제어하기 위한 제 1가이드 유닛(10), 상기 노즐(80)의 y축 이동을 제어하기 위한 제 2가이드 유닛(20), 및 상기 노즐(80)의 z축 이동을 제어하기 위한 제 3가이드 유닛(30)을 포함한다.
또한, 상기 웨이퍼 안착유닛(40)에 안착된 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링유닛(50) 및 제 2센터링유닛(60)이 설치되어 있고, 웨이퍼의 테두리(edge) 부분에 묻어 있는 코팅액을 제거하거나 웨이퍼의 현상액을 세척하기 위해 사용되는 회동아암유닛(70)이 설치될 수 있는데, 이러한 기술들은 이미 반도체 제조공정에서 사용되고 있는 기술들이다.
상기 제 1센터링유닛(50) 및 제 2센터링유닛(60)에는 웨이퍼쪽으로 슬라이딩 이동하여 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링아암(51) 및 제 2센터링아암(62)이 각각 설치되어 있다.
그리고, 상기 회동아암유닛(70)에도 웨이퍼쪽으로 회동할 수 있는 회동아암(71)이 설치되어 있는데, 상기 회동아암(71)에는 코팅액을 제거하거나 현상액을 세척하기 위한 세척수 분사용 노즐이 설치된다.
도 3은 도 1의 분사시스템에서 웨이퍼 안착유닛을 확대하여 도시한 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 웨이퍼 안착유닛(40)은 원통형 고정벽(41)과, 상기 원통형 고정벽(41)과 면접하여 설치되며 상하로 승강가능한 승강차단벽(43)을 포함한다.
상기 승강차단벽(43)은 웨이퍼에 코팅액 또는 현상액을 도포할 때에 약액이 외부로 튀는 것을 방지하기 위한 것이다.
이러한 승강차단벽(43)은 승강실린더부(47)에 의하여 상하로 승강할 수 있게 된다.
또한, 상기 원통형 고정벽(41)의 내부에는 웨이퍼를 안착할 수 있는 안착부(42)와, 웨이퍼가 안착되었을 때 하부에서 진공으로 흡입하여 웨이퍼가 제 위치에 안정되게 위치할 수 있도록 하는 진공흡입부(45)를 구비한다.
도 4는 본 발명에 따른 가이드유닛의 내부 구조를 상세히 도시한 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 포토레지스트액이나 현상액을 도포하기 위한 상기 노즐(80)의 x축 이동을 제어하는 제 1가이드 유닛(10)은 구동을 위한 제 1스테핑모터(12)를 구비하고, 상기 제 1스테핑모터(12)의 구동에 의해 회전하는 제 1볼스크류(14)를 구비한다. 상기 제 1볼스크류(14)에 나사결합되어 그의 회전에 의해 x축방향으로 슬라이딩하는 이동활차(120)가 제공된다.
상기 이동활차(120)에는 제 3가이드유닛(30)이 일체로 설치되어 있고, 상기 제 3가이드유닛(30)에는 제 2가이드유닛(20)이 설치되어 있다. 따라서, 상기 이동활차(120)이 x축을 따라 이동함으로써, 상기 제 3가이드유닛(30)과 제 2가이드유닛(20)이 함께 x축을 따라 이동한다.
또한, 제 3가이드유닛(30)은 상기 노즐(80)의 z축 이동을 제어하기 위한 것으로, 구동을 위한 제 3스테핑모터(32)와, 상기 제 3스테핑모터(32)의 구동에 의해 회전하는 제 3볼스크류(34)를 구비한다.
이때, 상기 제 3스테핑모터(32)와 제 3볼스크류(34)는 직접 연결될 수 있으며, 필요에 따라서는 연결수단에 의해 연결될 수 있다.
상기 연결수단은 상기 제 3스테핑모터(32)에 연결되는 구동풀리(35), 상기 제 3볼스크류(34)에 연결된 종동풀리(37) 및 상기 구동풀리(35)와 종동풀리(37)를 연결하는 타이밍벨트(39)를 포함한다.
상기 제 2가이드유닛(20)은 그 일측이 상기 제 3볼스크류(34)에 나사결합되어 있으며, 상기 제 3볼스크류(34)의 회전에 의해 상기 제 2가이드유닛(20)이 z축 을 따라 상하로 이동하게 된다.
또한, 제 2가이드유닛(20)은 상기 노즐(80)의 y축 이동을 제어하기 위한 것이다. 상기 제 2가이드유닛(20)은 구동을 위한 제 2스테핑모터(22)와, 상기 제 2스테핑모터(22)의 구동에 의해 회전하는 제 2볼스크류(24)를 구비한다.
상기 제 2볼스크류(24)에는 연결부재(84)에 의해 노즐(80)이 설치되어 있다. 상기 연결부재(84)는 상기 제 2볼스크류(24)의 회전에 의해 y축을 따라 이동할 수 있도록 상기 제 2볼스크류(24)와 나사결합되어 있다. 연결부재(84)에는 노즐(80)이 볼트 등의 고정수단에 의해 고정결합되어 있다.
결국, 포토레지스트액이나 현상액을 도포하는 노즐(80)은 상기 제 1가이드유닛(10)에 의해 x축으로 이동하고, 상기 제 2가이드유닛(20)에 의해 y축으로 이동하며, 상기 제 3가이드유닛(30)에 의해 z축으로 이동하면, 웨이퍼에 포토레지스트액이나 현상액을 도포하게 되는 것이다.
이때, 상기 장비들은 프로그래밍에 의해 웨이퍼의 모든 위치에 약액을 골고루 분사함으로써 웨이퍼에 도포되는 막의 두께를 균일하게 할 수 있고, 공정시간을 크게 줄일 수 있는 것이다.
도 5는 도 1의 분사시스템에서 회동아암유닛을 확대하여 도시한 도면이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 회동아암유닛(70)은 웨이퍼의 테두리(edge) 부분에 묻어 있는 코팅액을 제거하거나 웨이퍼의 현상액을 세척하기 위해 사용되는 것으로, 축을 중심으로 회동가능한 회동아암(71)을 구비하고, 상기 회동아암(71)의 끝단에는 세척액을 분사하기 위한 분사노즐(77)을 구비한다.
또한, 상기 회동아암(71)을 상하로 승강시키기 위해 실린더(75)를 구비하고, 상기 회동아암(71)을 회동운동시키기 위해 스테핑모터(73)를 구비한다. 도시되지는 않았지만, 상기 스테핑모터(73)에는 볼스크류가 연결되어 있어 상기 볼스크류에 결합된 회동아암(71)이 회동운동을 할 수 있는 것이다.
상기에 기술된 스테핑모터(73)는 자석과 코일 및 회전자로 구성된 것으로서, 기존에 업계에서 주로 사용되고 있는 제품이기 때문에 그에 대한 구체적인 설명은 하지 않도록 한다.
이하, 본 발명에 따른 반도체 제조공정에서의 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템의 작동에 대하여 상세히 설명한다.
(1) 웨이퍼를 웨이퍼 안착유닛(40)의 안착부(42)에 위치시킨다.
(2) 제 1센터링유닛(50)과 제 2센터링유닛(60)이 구동한다. 상기 제 1센터링아암(51)과 상기 제 2센터링아암(62)이 상기 웨이퍼쪽으로 수평이동하여 상기 웨이퍼를 상기 안착부(42)의 중심부에 위치하도록 한다.
(3) 진공흡입부(45)를 통해 웨이퍼를 하부에서 진공상태로 흡입하여 고정시킨다.
(4) 상기 제 1센터링아암(51)과 상기 제 2센터일아암(62)이 원위치로 복귀한다.
(5) 상기 웨이퍼 안착유닛(40)의 승강차단벽(43)이 승강한다.
(6) 노즐(80)이 웨이퍼쪽으로 이동하여 포토레지스트액 또는 현상액을 분사한다.
먼저, x축 이동을 위해 제 1스테핑모터(12)가 작동하고 그에 따라 제 1볼스크류(14)가 회전하게 되며, 상기 제 1볼스크류(14)에 나사결합된 이동활차(120)가 x축을 따라 이동하게 된다. 따라서, 상기 이동활차(120)에 설치된 제 3가이드유닛(30)과 제 2가이드유닛(20)이 함께 x축을 따라 이동하게 되고, 제 2가이드유닛(20)에 설치된 노즐(80)도 함께 이동하게 된다.
또한, y축 이동을 위해 제 2스테핑모터(22)가 작동하고 그에 따라 제 2볼스크류(24)가 회전하게 되며, 상기 제 2볼스크류(24)에 연결부재(84)에 의해 결합된 노즐(80)이 y축을 따라 이동하게 된다.
동시에, z축 이동을 위해 제 3스테핑모터(32)가 작동하고 그에 따라 구동풀리(35)가 회전하게 되고 타이밍벨트(39)가 회전하면서 종동풀리(37)가 회전하며, 최종적으로 제 3볼스크류(34)가 회전하게 된다. 따라서, 상기 제 3볼스크류(34)에 나사결합된 제 2가이드 유닛(20)이 z축을 따라 상하로 승강운동하게 된다.
이와 같이, 노즐(80)이 x, y, z축을 따라 용이하게 변위되면서 상기 웨이퍼에 포토레지스트액 또는 현상액을 분사할 수 있는 것이다.
이때, 상기 웨이퍼는 회전을 할 필요가 없으며, 회전을 한다고 해도 기존의 코팅방식만큼 고속으로 회전할 필요가 없게 된다.
(7) 노즐(80)이 원위치로 복귀한다.
(8) 코팅공정 시에 웨이퍼의 테두리부분을 솔벤트와 같은 세척액으로 세척하거나, 현상공정 시에 웨이퍼 상에 남은 현상액을 세척한다.
회동아암유닛(70)을 작동시킨다. 실린더(75)에 의해 상기 회동아암(71)을 상하로 승강시키고 스테핑모터(73)에 의해 회동아암(71)을 웨이퍼쪽으로 회동시킨 후에, 분사노즐(77)을 통해 세척액을 분사시킨다.
(9) 웨이퍼 안착유닛(40)의 승강차단벽(43)을 하강시킨다.
(10) 웨이퍼 안착유닛(40)의 진공흡입부(45)의 진공흡입을 멈춘 후에, 웨이퍼를 이동시킴으로써 코팅이나 현상공정을 종료한다.
기존의 노즐 이동방식은 직선운동의 스캔방식이나, 웨이퍼가 고속회전하는 로터리방식으로, 노즐을 컨트롤하는 방식과 웨이퍼 센터에 약액을 분사하는 방식으로 되어 있어 균일한 막을 형성하기 위해서는 고속으로 웨이퍼를 회전시켜야만 하고, 또한 약액의 사용량이 현저하게 증가하게 되었다.
이러한 점을 보완하기 위하여, 본 발명에서는 약액 분사 노즐 구동방식을 프로그램으로 3축 제어 가능한 스테핑모터를 채택하고, 균일한 입자를 도포하기 위한 스프레이 노즐을 사용함으로써, 웨이퍼를 회전시키지 않은 상태에서도 3축제어와 스프레이 노즐에서 분사되는 약액으로 전체의 웨이퍼에 약액을 도포하거나 기존의 스핀 회전수 이하로 회전할 수 있도록 하여 균일한 막 두께를 형성할 수 있고 약액 소모량도 현저히 절감할 수 있다.
또한, 웨이퍼의 회전이 없이도 균일한 막 두께가 가능하며, 3축의 스테핑모터를 채택하여 프로그램에 의해 정확한 위치로 노즐을 보낼 수 있는 방식을 도입함으로써 공정시간을 줄일 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 웨이퍼를 안착하기 위한 웨이퍼 안착유닛(40);
    상기 웨이퍼 안착유닛(40)에 안착된 웨이퍼에 코팅액이나 현상액을 도포하기 위한 노즐(80);
    상기 노즐(80)의 x축 이동을 제어하기 위한 제 1가이드 유닛(10);
    상기 노즐(80)의 y축 이동을 제어하기 위한 제 2가이드 유닛(20);
    상기 노즐(80)의 z축 이동을 제어하기 위한 제 3가이드 유닛(30);
    상기 웨이퍼 안착유닛(40)에 안착된 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링유닛(50) 및 제 2센터링유닛(60); 및
    상기 웨이퍼의 테두리(edge) 부분에 묻어 있는 코팅액을 제거하거나 웨이퍼의 현상액을 세척하기 위해 사용되는 회동아암유닛(70);을 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 웨이퍼 안착유닛(40)은,
    웨이퍼를 안착할 수 있는 안착부(42)와, 웨이퍼가 안착되었을 때 하부에서 진공으로 흡입하여 웨이퍼가 제 위치에 안정되게 위치할 수 있도록 하는 진공흡입부(45)를 구비하는 원통형 고정벽(41);
    상기 원통형 고정벽(41)과 면접하여 설치되며 상하로 승강가능한 승강차단 벽(43); 및
    상기 승강차단벽(43)을 상하로 승강시키기 위해 상기 승강차단벽(43)에 연결된 승강실린더부(47);를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1가이드 유닛(10)은, 구동을 위한 제 1스테핑모터(12); 상기 제 1스테핑모터(12)의 구동에 의해 회전하는 제 1볼스크류(14); 및 상기 제 1볼스크류(14)에 나사결합되어 그의 회전에 의해 x축방향으로 슬라이딩하는 이동활차(120);를 구비하고,
    상기 제 3가이드유닛(30)은 상기 이동활차(120)에 일체로 설치되며, 구동을 위한 제 3스테핑모터(32)와, 상기 제 3스테핑모터(32)의 구동에 의해 회전하는 제 3볼스크류(34)를 구비하며,
    상기 제 2가이드 유닛(20)은, 그 일측이 상기 제 3볼스크류(34)에 나사결합되어 있으며, 구동을 위한 제 2스테핑모터(22)와, 상기 제 2스테핑모터(22)의 구동에 의해 회전하는 제 2볼스크류(24)를 구비하는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 제 3가이드유닛(30)은,
    상기 제 3스테핑모터(32)에 연결되는 구동풀리(35);
    상기 제 3볼스크류(34)에 연결된 종동풀리(37); 및
    상기 구동풀리(35)와 종동풀리(37)를 연결하는 타이밍벨트(39);를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 제 2가이드유닛(20)의 상기 제 2볼스크류(24)에는 연결부재(84)에 의해 노즐(80)이 설치되는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1센터링유닛(50) 및 제 2센터링유닛(60)에는 웨이퍼쪽으로 슬라이딩 이동하여 웨이퍼의 중심을 맞추기 위한 제 1센터링아암(51) 및 제 2센터링아암(62)이 각각 설치되는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 회동아암유닛(70)은,
    축을 중심으로 회동가능한 회동아암(71);
    상기 회동아암(71)의 끝단에는 세척액을 분사하기 위해 설치되는 분사노 즐(77);
    상기 회동아암(71)을 상하로 승강시키기 위한 실린더(75); 및
    상기 회동아암(71)을 회동운동시키기 위해 스테핑모터(73);를 포함하는 것을 특징으로 하는 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사시스템.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190438A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH1176918A (ja) 1997-09-12 1999-03-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および方法
KR20010067414A (ko) * 1999-12-20 2001-07-12 히가시 데쓰로 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법
KR20030078666A (ko) * 2002-03-28 2003-10-08 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190438A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH1176918A (ja) 1997-09-12 1999-03-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および方法
KR20010067414A (ko) * 1999-12-20 2001-07-12 히가시 데쓰로 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법
KR20030078666A (ko) * 2002-03-28 2003-10-08 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치

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