KR100706570B1 - 반도체 제조공정에서의 3축 제어에 의한 코팅액 또는현상액의 스프레이식 분사방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (5)
- (a) 웨이퍼를 웨이퍼 안착유닛(40)의 안착부(42)에 위치키는 단계;(b) 제 1센터링유닛(50)과 제 2센터링유닛(60)을 구동시켜 상기 웨이퍼를 상기 안착부(42)의 중심부에 위치하도록 하는 단계;(c) 진공흡입부(45)를 통해 웨이퍼를 하부에서 진공흡입하여 고정시키는 단계;(d) 노즐(80)이 x, y, z축 방향을 따라 자유롭게 가변하면서 웨이퍼의 전체면에 포토레지스트액 또는 현상액을 분사하는 단계;(e) 노즐(80)이 원위치로 복귀하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 제어에 의한 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (e) 노즐(80)이 원위치로 복귀하는 단계 후에,웨이퍼의 테두리부분에 남은 코팅액을 세척액으로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 제어에 의한 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (e) 노즐(80)이 원위치로 복귀하는 단계 후에,웨이퍼 전체면에 남아 있는 현상액과 불필요한 입자들을 제거하기 위해 세척액으로 세척하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3축 제어에 의한 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (d) 웨이퍼의 전체면에 포토레지스트액 또는 현상액을 분사하는 단계에서,스테핑모터와 볼스크류로 구성되는 다수의 가이드유닛을 프로그램에 의해 작동시킴으로써, 노즐이 상기 웨이퍼 전체면에 일정한 두께의 막을 형성할 수 있도록 제어하는 것을 특징으로 하는 3축 제어에 의한 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사방법.
- 제 1항에 있어서,상기 (d) 웨이퍼의 전체면에 포토레지스트액 또는 현상액을 분사하는 단계에서,상기 웨이퍼가 회전하지 않는 것을 특징으로 하는 3축 제어에 의한 코팅액 또는 현상액의 스프레이식 분사방법.
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KR20010067414A (ko) * | 1999-12-20 | 2001-07-12 | 히가시 데쓰로 | 도포막 형성장치 및 도포막 형성방법 |
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2006
- 2006-05-17 KR KR1020060044252A patent/KR100706570B1/ko active IP Right Grant
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