JPH11347478A - パターン膜の製造法及び電子部品 - Google Patents
パターン膜の製造法及び電子部品Info
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- JPH11347478A JPH11347478A JP15653098A JP15653098A JPH11347478A JP H11347478 A JPH11347478 A JP H11347478A JP 15653098 A JP15653098 A JP 15653098A JP 15653098 A JP15653098 A JP 15653098A JP H11347478 A JPH11347478 A JP H11347478A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パターン形成のためのフォトレジストを用い
たフォトリソグラフィー工程を省略でき、３００mm程度
の大口径シリコンウェハや大型ガラス基板における個々
のチップサイズの均一膜厚のパターン膜を形成でき、ま
た、印刷のマスクや版も必要ないため、マスクや版の劣
化や汚染がなく、被塗布部材を傷めたり、汚染したりす
る危険性もなく、従来の方法では為し得なかった簡便
さ、低コスト、高歩留、高信頼性を持ち、しかも、液切
れよくパターン膜を生産性よく形成することができるパ
ターン膜の製造法及び簡便、低コスト、高歩留、高信頼
性を持つパターン膜の製造法により配線板またはフレキ
シブルなテープ状基板に膜を形成した電子部品を提供す
る。 【解決手段】 有機または無機の粘性材料を被塗布部材
に塗布するに際し、粘性材料のノズルからの吐出速度を
粘性材料に印加する気体の圧力を変化させることにより
調整しつつ塗布して所望のパターンを形成することを特
徴とするパターン膜の製造法及び被塗布部材である電子
または電気装置用基板上に前記パターン膜の製造法によ
り膜を形成してなる電子部品。
たフォトリソグラフィー工程を省略でき、３００mm程度
の大口径シリコンウェハや大型ガラス基板における個々
のチップサイズの均一膜厚のパターン膜を形成でき、ま
た、印刷のマスクや版も必要ないため、マスクや版の劣
化や汚染がなく、被塗布部材を傷めたり、汚染したりす
る危険性もなく、従来の方法では為し得なかった簡便
さ、低コスト、高歩留、高信頼性を持ち、しかも、液切
れよくパターン膜を生産性よく形成することができるパ
ターン膜の製造法及び簡便、低コスト、高歩留、高信頼
性を持つパターン膜の製造法により配線板またはフレキ
シブルなテープ状基板に膜を形成した電子部品を提供す
る。 【解決手段】 有機または無機の粘性材料を被塗布部材
に塗布するに際し、粘性材料のノズルからの吐出速度を
粘性材料に印加する気体の圧力を変化させることにより
調整しつつ塗布して所望のパターンを形成することを特
徴とするパターン膜の製造法及び被塗布部材である電子
または電気装置用基板上に前記パターン膜の製造法によ
り膜を形成してなる電子部品。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体層間絶縁膜、
平坦化膜、バッファコート膜、ダイボンディング膜、Ｌ
ＯＣ用緩衝膜、ＬＯＣ用接着膜、液晶配向膜、異方性導
電膜などの粘性材料のパターン膜をガラス基板、シリコ
ウェハ、リードフレーム、配線板などの被塗布部材上に
形成する膜の製造法及びその方法を用いてパターン膜が
形成されている電子部品に関する。
平坦化膜、バッファコート膜、ダイボンディング膜、Ｌ
ＯＣ用緩衝膜、ＬＯＣ用接着膜、液晶配向膜、異方性導
電膜などの粘性材料のパターン膜をガラス基板、シリコ
ウェハ、リードフレーム、配線板などの被塗布部材上に
形成する膜の製造法及びその方法を用いてパターン膜が
形成されている電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置や電子部品の製造工程
では、半導体層間絶縁膜、平坦化膜、バッファコート膜
などの膜形成はポリイミド樹脂液やＳＯＧ液をスピン塗
布法でシリコンウエハ上に塗布し形成している。この方
法の問題点は、ウエハ上に吐出した液の９割以上をスピ
ン塗布中に振りきり、捨ててしまうため、液の歩留が悪
いことである。また、大口径ウエハや大型ガラス基板に
スピン塗布法により塗布する場合はウエハ面内で均一な
厚さの膜を形成することが困難である。さらに、パター
ン形成にはフォトリソグラフィーなどの塗布以外のパタ
ーン形成技術が必要であり、製造コストが高くなるとい
う問題点がある。
では、半導体層間絶縁膜、平坦化膜、バッファコート膜
などの膜形成はポリイミド樹脂液やＳＯＧ液をスピン塗
布法でシリコンウエハ上に塗布し形成している。この方
法の問題点は、ウエハ上に吐出した液の９割以上をスピ
ン塗布中に振りきり、捨ててしまうため、液の歩留が悪
いことである。また、大口径ウエハや大型ガラス基板に
スピン塗布法により塗布する場合はウエハ面内で均一な
厚さの膜を形成することが困難である。さらに、パター
ン形成にはフォトリソグラフィーなどの塗布以外のパタ
ーン形成技術が必要であり、製造コストが高くなるとい
う問題点がある。
【０００３】また、ダイボンディング剤、ＬＯＣ用緩衝
材、ＬＯＣ用接着剤、異方性導電膜などの膜の形成は、
例えば、事前にフィルム状やテープ状に成形したものを
ガラス基板、ウェハ、リードフレームなどに載せ熱圧着
する方法により形成されている。この方法の問題点は、
いろいろな寸法の液晶表示装置、半導体チップ、リード
フレームを加工する場合にはフィルムやテープの取替作
業に多くの時間を要するだけでなく、フィルム化の製造
コストが高いことである。さらに、複雑なパターンの形
成が困難である。また、ダイボンディング剤はリードフ
レームなどにポッティングディスペンスによっって塗布
される。この方法の問題点は、チップサイズが大きい場
合には面内の膜厚均一性が悪く、接着強度不足が生じる
ことがあり、また複雑なパターン形成が困難である。
材、ＬＯＣ用接着剤、異方性導電膜などの膜の形成は、
例えば、事前にフィルム状やテープ状に成形したものを
ガラス基板、ウェハ、リードフレームなどに載せ熱圧着
する方法により形成されている。この方法の問題点は、
いろいろな寸法の液晶表示装置、半導体チップ、リード
フレームを加工する場合にはフィルムやテープの取替作
業に多くの時間を要するだけでなく、フィルム化の製造
コストが高いことである。さらに、複雑なパターンの形
成が困難である。また、ダイボンディング剤はリードフ
レームなどにポッティングディスペンスによっって塗布
される。この方法の問題点は、チップサイズが大きい場
合には面内の膜厚均一性が悪く、接着強度不足が生じる
ことがあり、また複雑なパターン形成が困難である。
【０００４】また、液晶配向膜はグラビア印刷法によっ
てもガラス基板上に形成されているが、パターンを変更
する場合に版の作成に時間がかかる問題や、ガラス基板
にロールが接触して印刷されるためにガラス基板を傷め
たり、異物や不純物による汚染の問題がある。また、ス
クリーン印刷法でパターン形成する方法も提案されてい
るが、塗布する際にマスクを被塗布部材に擦るために被
塗布部材を傷めたり、異物や不純物の汚染をする問題が
ある。さらに、印刷するパターンを変更する場合に版の
作成に時間がかかるという問題や、目的物に塗布されず
にマスクの上に長期停滞する塗布液が変質してしまい、
マスクの汚れや塗布欠陥をもたらというす問題がある。
てもガラス基板上に形成されているが、パターンを変更
する場合に版の作成に時間がかかる問題や、ガラス基板
にロールが接触して印刷されるためにガラス基板を傷め
たり、異物や不純物による汚染の問題がある。また、ス
クリーン印刷法でパターン形成する方法も提案されてい
るが、塗布する際にマスクを被塗布部材に擦るために被
塗布部材を傷めたり、異物や不純物の汚染をする問題が
ある。さらに、印刷するパターンを変更する場合に版の
作成に時間がかかるという問題や、目的物に塗布されず
にマスクの上に長期停滞する塗布液が変質してしまい、
マスクの汚れや塗布欠陥をもたらというす問題がある。
【０００５】また、特開平９−１３１５６２号公報に
は、ノズルからレジストを吐出させ、ノズル又は被加工
材料を移動させてレジストを塗布する装置が開示されて
いる。しかし、この装置では、液状のレジスト液をプラ
ンジャーで押し出しており、レジスト液をシリコンウェ
ハ上に塗布する際に塗布開始および塗布終了時点の吐出
速度の調整が液切れよくできないため、レジストなど塗
布開始および塗布終了位置での膜厚精度が不足し、例え
ば、スクライブラインの領域のみを残して塗布する場
合、となりのパターンと塗膜がつながってしまったり、
目標のスペース／線幅が達成できない問題があり、複雑
または微細なパターン膜の形成ができないという問題が
ある。
は、ノズルからレジストを吐出させ、ノズル又は被加工
材料を移動させてレジストを塗布する装置が開示されて
いる。しかし、この装置では、液状のレジスト液をプラ
ンジャーで押し出しており、レジスト液をシリコンウェ
ハ上に塗布する際に塗布開始および塗布終了時点の吐出
速度の調整が液切れよくできないため、レジストなど塗
布開始および塗布終了位置での膜厚精度が不足し、例え
ば、スクライブラインの領域のみを残して塗布する場
合、となりのパターンと塗膜がつながってしまったり、
目標のスペース／線幅が達成できない問題があり、複雑
または微細なパターン膜の形成ができないという問題が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、パターン形
成のためのフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ー工程を省略でき、３００mm程度の大口径シリコンウェ
ハや大型ガラス基板における個々のチップサイズの均一
膜厚のパターン膜を形成でき、また、印刷のマスクや版
も必要ないため、マスクや版の劣化や汚染がなく、被塗
布部材を傷めたり、汚染したりする危険性もなく、従来
の方法では為し得なかった簡便さ、低コスト、高歩留、
高信頼性を持ち、しかも、液切れよくパターン膜を生産
性よく形成することができるパターン膜の製造法を提供
するものである。
成のためのフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ
ー工程を省略でき、３００mm程度の大口径シリコンウェ
ハや大型ガラス基板における個々のチップサイズの均一
膜厚のパターン膜を形成でき、また、印刷のマスクや版
も必要ないため、マスクや版の劣化や汚染がなく、被塗
布部材を傷めたり、汚染したりする危険性もなく、従来
の方法では為し得なかった簡便さ、低コスト、高歩留、
高信頼性を持ち、しかも、液切れよくパターン膜を生産
性よく形成することができるパターン膜の製造法を提供
するものである。
【０００７】また、本発明は、例えば、半田ボールの位
置決め用スペース等を確保することができるパターン膜
の製造法を提供するものである。また、本発明は、太さ
や間隔の様々な所望の縞状パターンの描画を可能にした
パターン膜の製造法を提供するものである。本発明は、
また、半導体製造プロセス中に印加させる高熱に対して
耐性のあるパターン膜の製造法を提供するものである。
本発明は、また、吸湿を防ぎ、塗膜表面の変質により膜
厚均一性を損なう問題を解決したパターン膜の製造法を
提供するものである。本発明は、また、解像性の優れた
パターン膜の製造法を提供するものである。
置決め用スペース等を確保することができるパターン膜
の製造法を提供するものである。また、本発明は、太さ
や間隔の様々な所望の縞状パターンの描画を可能にした
パターン膜の製造法を提供するものである。本発明は、
また、半導体製造プロセス中に印加させる高熱に対して
耐性のあるパターン膜の製造法を提供するものである。
本発明は、また、吸湿を防ぎ、塗膜表面の変質により膜
厚均一性を損なう問題を解決したパターン膜の製造法を
提供するものである。本発明は、また、解像性の優れた
パターン膜の製造法を提供するものである。
【０００８】本発明は、簡便、低コスト、高歩留、高信
頼性を持つパターン膜の製造法により配線板またはフレ
キシブルなテープ状基板に膜を形成した電子部品を提供
するものである。
頼性を持つパターン膜の製造法により配線板またはフレ
キシブルなテープ状基板に膜を形成した電子部品を提供
するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、次に示すもの
に関する。 （１）有機または無機の粘性材料を被塗布部材に塗布す
るに際し、粘性材料のノズルからの吐出速度を粘性材料
に印加する気体の圧力を変化させることにより調整しつ
つ塗布して所望のパターンを形成することを特徴とする
パターン膜の製造法。 （２）粘性材料の粘度が１〜１０００Pa・sである項
（１）記載のパターン膜の製造法。 （３）粘性材料がチクソトロピック性を示すものである
である項（１）または（２）記載のパターン膜の製造
法。 （４）粘性材料の吐出するノズルかまたは被塗布部材の
いずれか一方または両方を平行または回転移動させる項
（１）〜（３）のいずれかに記載のパターン膜の製造
法。
に関する。 （１）有機または無機の粘性材料を被塗布部材に塗布す
るに際し、粘性材料のノズルからの吐出速度を粘性材料
に印加する気体の圧力を変化させることにより調整しつ
つ塗布して所望のパターンを形成することを特徴とする
パターン膜の製造法。 （２）粘性材料の粘度が１〜１０００Pa・sである項
（１）記載のパターン膜の製造法。 （３）粘性材料がチクソトロピック性を示すものである
である項（１）または（２）記載のパターン膜の製造
法。 （４）粘性材料の吐出するノズルかまたは被塗布部材の
いずれか一方または両方を平行または回転移動させる項
（１）〜（３）のいずれかに記載のパターン膜の製造
法。
【００１０】（５）ノズルが、塗布走行方向に対し直角
に幅広の形状を有し、その底面に１個または複数個の吐
出口を有するものである項（１）記載のパターン膜の製
造法。 （６）ノズルが、奥行０．０１〜１mmで、且つ、幅０．
１〜５０mmのスリット状吐出口を１つまたは複数個有す
るものである項（１）または（５）記載のパターン膜の
製造法。 （７）ノズルが、孔の直径０．０１〜１mmの円形吐出口
を０．０１〜１mmの間隔で複数個有するものである項
（１）または（５）記載のパターン膜の製造法。 （８）ノズルが、複数個の吐出口内の粘性材料に、それ
ぞれ独立に、圧力を印加することができる構造を有する
項（１）または（５）記載のパターン膜の製造法。
に幅広の形状を有し、その底面に１個または複数個の吐
出口を有するものである項（１）記載のパターン膜の製
造法。 （６）ノズルが、奥行０．０１〜１mmで、且つ、幅０．
１〜５０mmのスリット状吐出口を１つまたは複数個有す
るものである項（１）または（５）記載のパターン膜の
製造法。 （７）ノズルが、孔の直径０．０１〜１mmの円形吐出口
を０．０１〜１mmの間隔で複数個有するものである項
（１）または（５）記載のパターン膜の製造法。 （８）ノズルが、複数個の吐出口内の粘性材料に、それ
ぞれ独立に、圧力を印加することができる構造を有する
項（１）または（５）記載のパターン膜の製造法。
【００１１】（９）有機の粘性材料が、アミド結合、イ
ミド結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐熱
性樹脂を含有するものである項（１）記載のパターン膜
の製造法。 （１０）前記耐熱性樹脂が、分子中にヒドロキシル基、
アミノ基又はカルボキシル基を有する耐熱性樹脂７０〜
９９．９重量部に対し、ヒドロキシル基、アミノ基又は
カルボキシル基と化学的に結合し得る官能基を有する橋
架け剤０．１〜３０重量部を両者の合計量が１００重量
部になるよう配合して得られる耐熱性樹脂組成物である
項（９）記載のパターン膜の製造法。 （１１）前記耐熱性樹脂が、ポリイミド樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂又はこれらの前駆体である項（９）又は
（１０）記載のパターン膜の製造法。 （１２）有機の粘性材料が、さらに有機溶剤を含有する
ものである項（９）〜（１１）のいずれかに記載のパタ
ーン膜の製造法。 （１３）有機の粘性材料が、前記耐熱性樹脂３０〜９９
重量部に対し、無機微粒子又は有機微粒子１〜７０重量
部を両者の合計量が１００重量部になるように含有する
ものである項（９）〜（１２）のいずれかに記載のパタ
ーン膜の製造法。
ミド結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐熱
性樹脂を含有するものである項（１）記載のパターン膜
の製造法。 （１０）前記耐熱性樹脂が、分子中にヒドロキシル基、
アミノ基又はカルボキシル基を有する耐熱性樹脂７０〜
９９．９重量部に対し、ヒドロキシル基、アミノ基又は
カルボキシル基と化学的に結合し得る官能基を有する橋
架け剤０．１〜３０重量部を両者の合計量が１００重量
部になるよう配合して得られる耐熱性樹脂組成物である
項（９）記載のパターン膜の製造法。 （１１）前記耐熱性樹脂が、ポリイミド樹脂、ポリアミ
ドイミド樹脂又はこれらの前駆体である項（９）又は
（１０）記載のパターン膜の製造法。 （１２）有機の粘性材料が、さらに有機溶剤を含有する
ものである項（９）〜（１１）のいずれかに記載のパタ
ーン膜の製造法。 （１３）有機の粘性材料が、前記耐熱性樹脂３０〜９９
重量部に対し、無機微粒子又は有機微粒子１〜７０重量
部を両者の合計量が１００重量部になるように含有する
ものである項（９）〜（１２）のいずれかに記載のパタ
ーン膜の製造法。
【００１２】（１４）有機微粒子が、平均粒子径２０μ
ｍ以下のアミド結合、イミド結合、エステル結合又はエ
ーテル結合を有する耐熱性樹脂の微粒子である項（１
３）記載のパターン膜の製造法。 （１５）有機の粘性材料が、加熱乾燥前には耐熱性樹脂
及び有機溶剤を含む均一相に対して有機微粒子は不均一
相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹脂及び有機微
粒子を必須成分として含む均一相が形成されるものであ
る項（１３）又は（１４）記載のパターン膜の製造法。 （１６）有機の粘性材料の粘度が１００〜４００Pa・s、
チキソトロピー係数が２．０〜５．０である項（９）〜
（１５）いずれかに記載のパターン膜の製造法。 （１７）パターン膜が半導体層間絶縁膜、平坦化膜、バ
ッファコート膜、ダイボンディング膜、ＬＯＣ用緩衝
膜、ＬＯＣ用接着膜、液晶配向膜又は異方性導電膜であ
る項（１）〜（１６）のずれかに記載のパターン膜の製
造法。
ｍ以下のアミド結合、イミド結合、エステル結合又はエ
ーテル結合を有する耐熱性樹脂の微粒子である項（１
３）記載のパターン膜の製造法。 （１５）有機の粘性材料が、加熱乾燥前には耐熱性樹脂
及び有機溶剤を含む均一相に対して有機微粒子は不均一
相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹脂及び有機微
粒子を必須成分として含む均一相が形成されるものであ
る項（１３）又は（１４）記載のパターン膜の製造法。 （１６）有機の粘性材料の粘度が１００〜４００Pa・s、
チキソトロピー係数が２．０〜５．０である項（９）〜
（１５）いずれかに記載のパターン膜の製造法。 （１７）パターン膜が半導体層間絶縁膜、平坦化膜、バ
ッファコート膜、ダイボンディング膜、ＬＯＣ用緩衝
膜、ＬＯＣ用接着膜、液晶配向膜又は異方性導電膜であ
る項（１）〜（１６）のずれかに記載のパターン膜の製
造法。
【００１３】（１８）被塗布部材である電子または電気
装置用基板上に項（１）〜（１７）のずれかに記載のパ
ターン膜の製造法により膜を形成してなる電子部品。 （１９）電子または電気装置用基板が、ガラス基板、配
線板、フレキシブルなテープ、シリコンウェハ、半導体
チップ、リードフレームである項（１８）記載の電子部
品。
装置用基板上に項（１）〜（１７）のずれかに記載のパ
ターン膜の製造法により膜を形成してなる電子部品。 （１９）電子または電気装置用基板が、ガラス基板、配
線板、フレキシブルなテープ、シリコンウェハ、半導体
チップ、リードフレームである項（１８）記載の電子部
品。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明における被塗布部材として
は、非接触で塗布できるものであれば特に制限はない。
好ましくは、電子部品、半導体装置に使用されるものが
用いられる。例えば、ガラス基板、リジット配線板、フ
レキシブル配線板、シリコンウェハ、リードフレーム、
ダイパッド、各種プラスチックフィルム（ポリイミドフ
イルム、ＰＥＴフイルム、ＰＥフィルム等）、成形加工
品、各種金属基材（銅、アルミ、ステンレス等）、紙類
などが挙げられる。また、配線のコネクタ部分、搭載さ
れたチップ、ワイヤーボンディング部分などの実装され
たものも含まれる。特に、好ましくは、電子部品として
取り扱われるものが好ましい。
は、非接触で塗布できるものであれば特に制限はない。
好ましくは、電子部品、半導体装置に使用されるものが
用いられる。例えば、ガラス基板、リジット配線板、フ
レキシブル配線板、シリコンウェハ、リードフレーム、
ダイパッド、各種プラスチックフィルム（ポリイミドフ
イルム、ＰＥＴフイルム、ＰＥフィルム等）、成形加工
品、各種金属基材（銅、アルミ、ステンレス等）、紙類
などが挙げられる。また、配線のコネクタ部分、搭載さ
れたチップ、ワイヤーボンディング部分などの実装され
たものも含まれる。特に、好ましくは、電子部品として
取り扱われるものが好ましい。
【００１５】本発明における粘性材料を塗布するに際
し、好ましい雰囲気は、乾燥ガス雰囲気である。この乾
燥ガス雰囲気の好ましい相対湿度は５０％以下、より好
ましくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下であ
る。相対湿度が５０％を超えると特に吸湿性が強い粘性
材料の場合には大気中からの吸湿によって粘性材料の粘
度変化や固化が生じ易くなる。
し、好ましい雰囲気は、乾燥ガス雰囲気である。この乾
燥ガス雰囲気の好ましい相対湿度は５０％以下、より好
ましくは３０％以下、特に好ましくは１０％以下であ
る。相対湿度が５０％を超えると特に吸湿性が強い粘性
材料の場合には大気中からの吸湿によって粘性材料の粘
度変化や固化が生じ易くなる。
【００１６】粘性材料は、適当なノズルから吐出される
が、このとき印加される気体の圧力は、ノズルの開口部
の形状及び大きさ、ペーストの粘度、塗布速度、膜厚等
を考慮して決定されるが、通常、０．０１〜１０kgf/cm
2（ゲージ圧）の範囲から選択されることが好ましい。
また、使用される気体としては、空気、窒素ガス等が使
用される。特に、本発明における粘性材料を被塗布部材
に所望のパターン状に塗布して、必要により加熱または
乾燥させてパターン膜とさせる。
が、このとき印加される気体の圧力は、ノズルの開口部
の形状及び大きさ、ペーストの粘度、塗布速度、膜厚等
を考慮して決定されるが、通常、０．０１〜１０kgf/cm
2（ゲージ圧）の範囲から選択されることが好ましい。
また、使用される気体としては、空気、窒素ガス等が使
用される。特に、本発明における粘性材料を被塗布部材
に所望のパターン状に塗布して、必要により加熱または
乾燥させてパターン膜とさせる。
【００１７】被塗布部材が、半導体チップ、リードフレ
ーム、ダイパッド、シリコンウェハ、パッケージ用基
板、配線板等の電子部品（半導体装置を包含する）の場
合、被塗布部材の表面または裏面のスクライブライン、
ボンディングパッド、導通孔等の以外の全域または一部
に本発明における粘性材料をパターン状に塗布して、最
終的に上記のパターン膜に形成することができる。
ーム、ダイパッド、シリコンウェハ、パッケージ用基
板、配線板等の電子部品（半導体装置を包含する）の場
合、被塗布部材の表面または裏面のスクライブライン、
ボンディングパッド、導通孔等の以外の全域または一部
に本発明における粘性材料をパターン状に塗布して、最
終的に上記のパターン膜に形成することができる。
【００１８】本発明における粘性材料は、被塗布部材へ
の保護膜、接着膜等の形成のために士油されるだけでな
く、半導体装置、配線板等の電子部品の層間絶縁膜、バ
ッファーコート膜、レジスト膜等の形成のために使用さ
れる。
の保護膜、接着膜等の形成のために士油されるだけでな
く、半導体装置、配線板等の電子部品の層間絶縁膜、バ
ッファーコート膜、レジスト膜等の形成のために使用さ
れる。
【００１９】本発明における粘性材料の加熱または乾燥
時の温度は、有機の粘性材料では４００℃以下とするこ
とが好ましい。４００℃を超えると粘性材料の熱分解が
生じ易くなる。
時の温度は、有機の粘性材料では４００℃以下とするこ
とが好ましい。４００℃を超えると粘性材料の熱分解が
生じ易くなる。
【００２０】無機の粘性材料では焼成してパターン膜と
する場合には有機物質の熱分解温度以上で行うことが好
ましい。通常５００〜１５００℃の温度範囲が用いられ
る。また、溶剤の乾燥のみを行う場合は、通常５０〜５
００℃の温度範囲が用いられる。前記したポリイミド樹
脂の前駆体又はポリアミドイミド樹脂の前駆体は加熱乾
燥時に閉環反応させてイミド化を行うことが好ましい。
する場合には有機物質の熱分解温度以上で行うことが好
ましい。通常５００〜１５００℃の温度範囲が用いられ
る。また、溶剤の乾燥のみを行う場合は、通常５０〜５
００℃の温度範囲が用いられる。前記したポリイミド樹
脂の前駆体又はポリアミドイミド樹脂の前駆体は加熱乾
燥時に閉環反応させてイミド化を行うことが好ましい。
【００２１】本発明における有機または無機の粘性材料
としては、好ましくは１〜１０００Pa・s（２５℃）の有
機または無機の化合物であればよく、特に制限まない。
粘度が１Pa・s未満であると粘性材料が吐出口から自然流
出し易いため、吐出口端に小さくしなくてはならず厚膜
が得にくくなり、また、厚膜、高解像度の縞状や窓状パ
ターンが得にくくなる。１０００Pa・sを超えると粘性材
料に混入した泡が抜けにくいため、粘性材料を吐出する
際の圧損が生じ易く、連続的な欠損のないパターン膜の
形成がしにくくなり、また、粘度が高すぎるため作業性
に劣る傾向がある。
としては、好ましくは１〜１０００Pa・s（２５℃）の有
機または無機の化合物であればよく、特に制限まない。
粘度が１Pa・s未満であると粘性材料が吐出口から自然流
出し易いため、吐出口端に小さくしなくてはならず厚膜
が得にくくなり、また、厚膜、高解像度の縞状や窓状パ
ターンが得にくくなる。１０００Pa・sを超えると粘性材
料に混入した泡が抜けにくいため、粘性材料を吐出する
際の圧損が生じ易く、連続的な欠損のないパターン膜の
形成がしにくくなり、また、粘度が高すぎるため作業性
に劣る傾向がある。
【００２２】本発明における有機の粘性材料としては、
耐熱性樹脂を含むものが好ましく用いられるが、その耐
熱性樹脂としては、１％重量減少開始温度が２５０℃以
上であるものが好ましく、３００℃以上のものがより好
ましく、３５０℃以上のものが特に好ましい。１％重量
減少開始温度が低すぎると高温での熱処理工程時、例え
ばワイヤーボンディング時にアウトガスが発生し易く、
パターン膜の精度、従って、電子部品、半導体装置の信
頼性が低下する。１％重量減少開始温度は、例えば、セ
イコー電子工業株式会社製ＴＧ−ＤＴＡ３００型を用い
て、空気中、昇温速度１０℃/minで測定することができ
る。サンプル量は１０mgとすることが好ましい。
耐熱性樹脂を含むものが好ましく用いられるが、その耐
熱性樹脂としては、１％重量減少開始温度が２５０℃以
上であるものが好ましく、３００℃以上のものがより好
ましく、３５０℃以上のものが特に好ましい。１％重量
減少開始温度が低すぎると高温での熱処理工程時、例え
ばワイヤーボンディング時にアウトガスが発生し易く、
パターン膜の精度、従って、電子部品、半導体装置の信
頼性が低下する。１％重量減少開始温度は、例えば、セ
イコー電子工業株式会社製ＴＧ−ＤＴＡ３００型を用い
て、空気中、昇温速度１０℃/minで測定することができ
る。サンプル量は１０mgとすることが好ましい。
【００２３】本発明における粘性材料は、特に半導体チ
ップとリードフレームとの接着性、封止材との接着性、
半導体装置におけるはんだリフロー時の耐パッケージク
ラック性の点で好ましいものとするために、それに含ま
れる耐熱性樹脂が封止剤構成樹脂に不溶性のものが使用
される。また、粘性材料は、半導体チップとリードフレ
ームとのせん断接着力が１（Ｎ／４mm2）以上であるよ
うに調整されたものであることが好ましい。
ップとリードフレームとの接着性、封止材との接着性、
半導体装置におけるはんだリフロー時の耐パッケージク
ラック性の点で好ましいものとするために、それに含ま
れる耐熱性樹脂が封止剤構成樹脂に不溶性のものが使用
される。また、粘性材料は、半導体チップとリードフレ
ームとのせん断接着力が１（Ｎ／４mm2）以上であるよ
うに調整されたものであることが好ましい。
【００２４】前記耐熱性樹脂としては、例えばアミド結
合、イミド結合、エステル結合、エーテル結合、シクロ
アルキル基、複素環等を有するものがある。具体的に
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリフェニレンエーテル樹脂等がある。
合、イミド結合、エステル結合、エーテル結合、シクロ
アルキル基、複素環等を有するものがある。具体的に
は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリフェニレンエーテル樹脂等がある。
【００２５】エポキシ樹脂としては、分子内に少なくと
も２個のエポキシ基を含むものであれば特に制限はな
く、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、
ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ若しくはハロゲン
化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの縮合物等
のエピビス型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、又はこれらエポキシ樹脂のハ
ロゲン化物、例えば臭素化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、臭素化エピビス型エポキシ樹脂などが挙げら
れる。これらの１種又は２種以上を使用することもでき
る。
も２個のエポキシ基を含むものであれば特に制限はな
く、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＡＤ、
ビスフェノールＳ、ビスフェノールＦ若しくはハロゲン
化ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンとの縮合物等
のエピビス型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹
脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノ
ボラック型エポキシ樹脂、又はこれらエポキシ樹脂のハ
ロゲン化物、例えば臭素化フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、臭素化エピビス型エポキシ樹脂などが挙げら
れる。これらの１種又は２種以上を使用することもでき
る。
【００２６】市場で入手可能な好適なエポキシ樹脂の具
体例としては、例えば、油化シェルエポキシ(株)製 エ
ピコート８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１
００１、１００４、１００７、１００９等のビスフェノ
ールΑ型エポキシ樹脂、エピコート１５２、１５４、日
本化薬(株)製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製Ｄ
ＥＮ−４３８等のフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、日本化薬(株)製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１
０４Ｓ等のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
油化シェルエポキシ(株)製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チ
バガイギー社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成(株)
製 デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６
１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、
ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等の多官能
エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製 エピコート
６０４、東都化成(株)製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学
(株)製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、日本化
薬(株)製 ＧＡＮ、住友化学(株)製 ＥＬＭ−１２０等
のアミン型エポキシ樹脂、チバガイギー社製 アラルダ
イトＰＴ８１０等の複素環含有エポキシ樹脂、ＵＣＣ社
製 ＥＲＬ４２３４、４２９９、４２２１、４２０６等
の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
体例としては、例えば、油化シェルエポキシ(株)製 エ
ピコート８１５、８２５、８２７、８２８、８３４、１
００１、１００４、１００７、１００９等のビスフェノ
ールΑ型エポキシ樹脂、エピコート１５２、１５４、日
本化薬(株)製 ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製Ｄ
ＥＮ−４３８等のフェノールノボラック型エポキシ樹
脂、日本化薬(株)製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、１０３Ｓ、１
０４Ｓ等のｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、
油化シェルエポキシ(株)製 Ｅｐｏｎ １０３１Ｓ、チ
バガイギー社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成(株)
製 デナコールＥＸ−６１１、ＥＸ−６１４、ＥＸ−６
１４Ｂ、ＥＸ−６２２、ＥＸ−５１２、ＥＸ−５２１、
ＥＸ−４２１、ＥＸ−４１１、ＥＸ−３２１等の多官能
エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ(株)製 エピコート
６０４、東都化成(株)製 ＹＨ−４３４、三菱ガス化学
(株)製 ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ、ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、日本化
薬(株)製 ＧＡＮ、住友化学(株)製 ＥＬＭ−１２０等
のアミン型エポキシ樹脂、チバガイギー社製 アラルダ
イトＰＴ８１０等の複素環含有エポキシ樹脂、ＵＣＣ社
製 ＥＲＬ４２３４、４２９９、４２２１、４２０６等
の脂環式エポキシ樹脂などが挙げられる。
【００２７】エポキシ樹脂は、エポキシ当量が１５０〜
３，０００のものが好ましく、１８０〜１，０００のも
のが更に好ましい。
３，０００のものが好ましく、１８０〜１，０００のも
のが更に好ましい。
【００２８】フェノール樹脂としては、分子内に少なく
とも２個のフェノール性ヒドロキシル基を含むものであ
れば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボ
ラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノール
アラルキル樹脂、キシリレン型フェノールノボラック樹
脂などが挙げられる。フェノール樹脂の数平均分子量
は、１５０〜５，０００であることが好ましく、３００
〜３，０００であることが更に好ましい（数平均分子量
の測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィによ
り標準ポリスチレンの検量線を用いて行う。以下同
様。）。
とも２個のフェノール性ヒドロキシル基を含むものであ
れば特に制限はなく、例えば、フェノールノボラック樹
脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボ
ラック樹脂、ポリ−ｐ−ビニルフェノール、フェノール
アラルキル樹脂、キシリレン型フェノールノボラック樹
脂などが挙げられる。フェノール樹脂の数平均分子量
は、１５０〜５，０００であることが好ましく、３００
〜３，０００であることが更に好ましい（数平均分子量
の測定は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィによ
り標準ポリスチレンの検量線を用いて行う。以下同
様。）。
【００２９】フェノキシ樹脂としては、数平均分子量が
２０，０００〜５０，０００のものが好ましく、３０，
０００〜４０，０００のものが更に好ましい。
２０，０００〜５０，０００のものが好ましく、３０，
０００〜４０，０００のものが更に好ましい。
【００３０】エポキシ樹脂又はフェノール樹脂を用いる
場合、必ずしも硬化剤を用いる必要はないが、酸無水
物、アミン系化合物等の硬化剤を添加することができ
る。硬化剤を添加することによって樹脂ペーストの複素
粘度、損失弾性率又は貯蔵弾性率の経時変化が大きくな
り、貯蔵安定性又は作業性が低下するときには、樹脂ペ
ーストに硬化剤を添加せず、使用直前にその樹脂ペース
トに硬化剤を添加することが好ましい。硬化剤を添加し
た樹脂ペーストが前記した複素粘度、損失弾性率又は貯
蔵弾性率を満足することが好ましい。
場合、必ずしも硬化剤を用いる必要はないが、酸無水
物、アミン系化合物等の硬化剤を添加することができ
る。硬化剤を添加することによって樹脂ペーストの複素
粘度、損失弾性率又は貯蔵弾性率の経時変化が大きくな
り、貯蔵安定性又は作業性が低下するときには、樹脂ペ
ーストに硬化剤を添加せず、使用直前にその樹脂ペース
トに硬化剤を添加することが好ましい。硬化剤を添加し
た樹脂ペーストが前記した複素粘度、損失弾性率又は貯
蔵弾性率を満足することが好ましい。
【００３１】上記酸無水物としては、テトラヒドロ無水
フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、無水メチルナジッ
ク酸等のエポキシ樹脂の硬化剤として知られているもの
が使用できる。上記アミン系化合物としては、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレ
ンペンタミン等のやはりエポキシ樹脂の硬化剤として知
られているものが使用できる。酸無水物又はアミン系化
合物は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．５〜
５０重量部の範囲で使用することが好ましい。また、酸
無水物又はアミン系化合物は、フェノール樹脂１００重
量部に対して、０．１〜３０重量部の範囲で使用するこ
とが好ましい。
フタル酸、ドデセニル無水コハク酸、無水メチルナジッ
ク酸等のエポキシ樹脂の硬化剤として知られているもの
が使用できる。上記アミン系化合物としては、ジエチレ
ントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレ
ンペンタミン等のやはりエポキシ樹脂の硬化剤として知
られているものが使用できる。酸無水物又はアミン系化
合物は、エポキシ樹脂１００重量部に対して、０．５〜
５０重量部の範囲で使用することが好ましい。また、酸
無水物又はアミン系化合物は、フェノール樹脂１００重
量部に対して、０．１〜３０重量部の範囲で使用するこ
とが好ましい。
【００３２】フェノール樹脂とエポキシ樹脂とは、一方
を他方の硬化剤として使用することができる。この場
合、フェノール樹脂１００重量部に対して、エポキシ樹
脂０．１〜３０重量部の範囲で使用することが好まし
い。
を他方の硬化剤として使用することができる。この場
合、フェノール樹脂１００重量部に対して、エポキシ樹
脂０．１〜３０重量部の範囲で使用することが好まし
い。
【００３３】フェノキシ樹脂を用いるとき、硬化剤とし
て、酸無水物、あるいはイソシアネート化合物を用いる
ことができる。これらは、フェノキシ樹脂１００重量部
に対して、１〜１０重量部の範囲で使用することが好ま
しい。酸無水物としては前記したものが使用できるが、
トリメリット酸、ピロメリット酸等、これらの酸無水物
が使用できる。イソシアネート化合物としては、後述す
る化合物を使用することができるが、メチレンジイソシ
アネート、トリレンジイソシアネート等が好ましい。
て、酸無水物、あるいはイソシアネート化合物を用いる
ことができる。これらは、フェノキシ樹脂１００重量部
に対して、１〜１０重量部の範囲で使用することが好ま
しい。酸無水物としては前記したものが使用できるが、
トリメリット酸、ピロメリット酸等、これらの酸無水物
が使用できる。イソシアネート化合物としては、後述す
る化合物を使用することができるが、メチレンジイソシ
アネート、トリレンジイソシアネート等が好ましい。
【００３４】また、前記耐熱性樹脂の具体例としては、
ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリエステル樹脂等がある。ポリイミド樹脂及びポ
リアミドイミド樹脂については、その前駆体であるポリ
アミド酸又はその一部イミド化樹脂を使用してもよい。
耐熱性樹脂を含有する粘性材料は熱可塑性でも熱硬化性
でも良い。ポリイミド樹脂は、芳香族テトラカルボン酸
二無水物と芳香族ジアミン化合物とを反応させて得るこ
とができる。
ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリエステル樹脂等がある。ポリイミド樹脂及びポ
リアミドイミド樹脂については、その前駆体であるポリ
アミド酸又はその一部イミド化樹脂を使用してもよい。
耐熱性樹脂を含有する粘性材料は熱可塑性でも熱硬化性
でも良い。ポリイミド樹脂は、芳香族テトラカルボン酸
二無水物と芳香族ジアミン化合物とを反応させて得るこ
とができる。
【００３５】芳香族テトラカルボン酸二無水物として
は、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３′４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，
３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，３，′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジク
ロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−
１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナン
スレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシ
ラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）
ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロ
ヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット
酸モノエステル酸無水物）、２，２−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水
物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］プロパン二無水物、４，４−ビス（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二
無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロ
イソプロピル）ベンゼンビス（トリメリテート無水
物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイ
ソプロピル）ベンゼンビス（トリメリテート無水物）、
１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、
１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテー
ト無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメ
リテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−
（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，
１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）などがあり、こ
れら２種以上を併用してもよい。
は、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３′４，
４′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，
２′，３，３′−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、２，３，３′，４′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカル
ボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス
（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、
１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン
二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタ
ン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メ
タン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラ
カルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェ
ニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、３，４，３′，４′−ベン
ゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２′，
３′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，
３，３，′，４′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二
無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボ
ン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカル
ボン酸二無水物、２，６−ジクロルナフタレン−１，
４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジク
ロルナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二
無水物、２，３，６，７−テトラクロルナフタレン−
１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナン
スレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水
物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシ
ラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカル
ボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）
ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロ
ヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリット
酸モノエステル酸無水物）、２，２−ビス（３，４−ジ
カルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水
物、２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノ
キシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン二無水物、
２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキ
シ）フェニル］プロパン二無水物、４，４−ビス（３，
４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二
無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロ
イソプロピル）ベンゼンビス（トリメリテート無水
物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイ
ソプロピル）ベンゼンビス（トリメリテート無水物）、
１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、
１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテー
ト無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメ
リテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレ
ン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタ
メチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−
（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，
１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水
物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテ
ート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス
（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメ
チレン）ビス（トリメリテート無水物）などがあり、こ
れら２種以上を併用してもよい。
【００３６】上記芳香族テトラカルボン酸二無水物に
は、目的に応じて芳香族テトラカルボン酸二無水物以外
のテトラカルボン酸二無水物を芳香族テトラカルボン酸
二無水物の５０モル％を超えない範囲で用いることがで
きる。このようなテトラカルボン酸二無水物としては、
例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、ピラジン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェ
ン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、デカ
ヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸
二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７
−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，
５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シク
ロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビ
シクロ［２，２，１］ヘプタン−２，３−ジカルボン酸
無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無
水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テト
ラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
は、目的に応じて芳香族テトラカルボン酸二無水物以外
のテトラカルボン酸二無水物を芳香族テトラカルボン酸
二無水物の５０モル％を超えない範囲で用いることがで
きる。このようなテトラカルボン酸二無水物としては、
例えば、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，
３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、ピラジン−
２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェ
ン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、デカ
ヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸
二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７
−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカ
ルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−
テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，
５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シク
ロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（エキソ−ビ
シクロ［２，２，１］ヘプタン−２，３−ジカルボン酸
無水物）スルホン、ビシクロ−（２，２，２）−オクト
（７）−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無
水物、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テト
ラカルボン酸二無水物などが挙げられる。
【００３７】芳香族ジアミン化合物としては、例えば、
ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ
−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４′
−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェ
ニルケトン、３，４′−ジアミノジフェニルケトン、
４，４′−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス
（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−（３，４′
−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，
４′−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
３，３′−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン）］ビスアニリン、３，４′−［１，４−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン、
４，４′−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン）］ビスアニリン、２，２−ビス［４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホンなどがあり、これら２種以上を
併用してもよい。
ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ
−フェニレンジアミン、３，３′−ジアミノジフェニル
エーテル、４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、
３，４′−ジアミノジフェニルエーテル、３，３′−ジ
アミノジフェニルメタン、３，４′−ジアミノジフェニ
ルメタン、４，４′−ジアミノジフェニルメタン、３，
３′−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４′
−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３′−ジ
アミノジフェニルスルホン、３，４′−ジアミノジフェ
ニルスルホン、４，４′−ジアミノジフェニルスルホ
ン、３，３′−ジアミノジフェニルスルフィド、３，
４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４′−ジア
ミノジフェニルスルフィド、３，３′−ジアミノジフェ
ニルケトン、３，４′−ジアミノジフェニルケトン、
４，４′−ジアミノジフェニルケトン、２，２−ビス
（３−アミノフェニル）プロパン、２，２−（３，４′
−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−
アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノ
フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，
４′−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、
２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼ
ン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、
３，３′−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン）］ビスアニリン、３，４′−［１，４−フェニ
レンビス（１−メチルエチリデン）］ビスアニリン、
４，４′−［１，４−フェニレンビス（１−メチルエチ
リデン）］ビスアニリン、２，２−ビス［４−（３−ア
ミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス
［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニ
ル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４
−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパ
ン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ス
ルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニ
ル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）
フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル］スルホンなどがあり、これら２種以上を
併用してもよい。
【００３８】上記芳香族ジアミン化合物には、目的に応
じて芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を芳香
族ジアミン化合物の５０モル％を超えない範囲で用いる
ことができる。このようなジアミン化合物としては、例
えば、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロ
パン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペン
タン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘ
プタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノ
ノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミ
ノウンデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルポリシロキサンなどが挙げられ
る。
じて芳香族ジアミン化合物以外のジアミン化合物を芳香
族ジアミン化合物の５０モル％を超えない範囲で用いる
ことができる。このようなジアミン化合物としては、例
えば、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロ
パン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペン
タン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘ
プタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノ
ノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミ
ノウンデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テ
トラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３−アミノプ
ロピル）テトラメチルポリシロキサンなどが挙げられ
る。
【００３９】本発明における芳香族テトラカルボン酸二
無水物と芳香族ジアミン化合物とは、ほぼ等モルで反応
させることが膜特性の点で好ましい。
無水物と芳香族ジアミン化合物とは、ほぼ等モルで反応
させることが膜特性の点で好ましい。
【００４０】芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族
ジアミン化合物の反応は、有機溶媒中で行う。有機溶媒
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル
−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミ
ジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の
含窒素化合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の
硫黄化合物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクト
ン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−ア
セチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等の
ラクトン類、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、
ジエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプロ
ピル、ジブチル）エーテル、トリエチレングリコール
（又はジエチル、ジプロピル、ジブチル）エーテル、テ
トラエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプ
ロピル、ジブチル）エーテル等のエーテル類、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、アセトフェノン等のケトン類、ブタノール、オクチ
ルアルコール、エチレングリコール、グリセリン、ジエ
チレングリコールモノメチル（又はモノエチル）エーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチル（又はモノエチ
ル）エーテル、テトラエチレングリコールモノメチル
（又はモノエチル）エーテル等のアルコール類、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール等のフェノール類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテート等のエステル類、トルエ
ン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサン等の
炭化水素類、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、
モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類などが用
いられる。
ジアミン化合物の反応は、有機溶媒中で行う。有機溶媒
としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルア
セトアミド、ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル
−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミ
ジノン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の
含窒素化合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の
硫黄化合物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクト
ン、γ−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−ア
セチル−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等の
ラクトン類、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、
ジエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプロ
ピル、ジブチル）エーテル、トリエチレングリコール
（又はジエチル、ジプロピル、ジブチル）エーテル、テ
トラエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプ
ロピル、ジブチル）エーテル等のエーテル類、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、アセトフェノン等のケトン類、ブタノール、オクチ
ルアルコール、エチレングリコール、グリセリン、ジエ
チレングリコールモノメチル（又はモノエチル）エーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチル（又はモノエチ
ル）エーテル、テトラエチレングリコールモノメチル
（又はモノエチル）エーテル等のアルコール類、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール等のフェノール類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテート等のエステル類、トルエ
ン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサン等の
炭化水素類、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、
モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類などが用
いられる。
【００４１】これらは単独又は混合して用いられる。溶
解性、低吸湿性、低温硬化性、環境安全性等を考慮する
とラクトン類、エーテル類、ケトン類等を用いることが
好ましい。
解性、低吸湿性、低温硬化性、環境安全性等を考慮する
とラクトン類、エーテル類、ケトン類等を用いることが
好ましい。
【００４２】反応温度は８０℃以下、好ましくは０〜５
０℃で行う。反応が進行するにつれ反応液は徐々に増粘
する。この場合、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリア
ミド酸が生成する。このポリアミド酸を部分的にイミド
化してもよく、これもポリイミド樹脂の前駆体に含まれ
る。
０℃で行う。反応が進行するにつれ反応液は徐々に増粘
する。この場合、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリア
ミド酸が生成する。このポリアミド酸を部分的にイミド
化してもよく、これもポリイミド樹脂の前駆体に含まれ
る。
【００４３】ポリイミド樹脂は、上記反応物（ポリアミ
ド酸）を脱水閉環して得られる。脱水閉環は、１２０℃
〜２５０℃で熱処理する方法（熱イミド化）や脱水剤を
用いて行う方法（化学イミド化）で行うことができる。
１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応
で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。
この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を
共沸除去してもよい。
ド酸）を脱水閉環して得られる。脱水閉環は、１２０℃
〜２５０℃で熱処理する方法（熱イミド化）や脱水剤を
用いて行う方法（化学イミド化）で行うことができる。
１２０℃〜２５０℃で熱処理する方法の場合、脱水反応
で生じる水を系外に除去しながら行うことが好ましい。
この際、ベンゼン、トルエン、キシレン等を用いて水を
共沸除去してもよい。
【００４４】脱水剤を用いて脱水閉環を行う方法は、脱
水剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸
等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカ
ルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき
必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミ
ン、アミノピリジン、イミダゾール等の脱水触媒を用い
てもよい。脱水剤又は脱水触媒は、芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物１モルに対し、それぞれ１〜８モルの範囲
で用いることが好ましい。
水剤として無水酢酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸
等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジイミド等のカ
ルボジイミド化合物等を用いるのが好ましい。このとき
必要に応じてピリジン、イソキノリン、トリメチルアミ
ン、アミノピリジン、イミダゾール等の脱水触媒を用い
てもよい。脱水剤又は脱水触媒は、芳香族テトラカルボ
ン酸二無水物１モルに対し、それぞれ１〜８モルの範囲
で用いることが好ましい。
【００４５】本発明におけるポリアミドイミド樹脂又は
その前駆体は、前記ポリイミド又はその前駆体の製造に
おいて、芳香族テトラカルボン酸二無水物の代わりに、
トリメリット酸無水物又はトリメリット酸無水物のクロ
ライド等のトリメリット酸無水物誘導体などの３価のト
リカルボン酸無水物又はその誘導体を使用することによ
り製造することができる。また、芳香族ジアミン化合物
及びその他のジアミン化合物の代わりにアミノ基以外の
残基がそのジアミン化合物に対応するジイソシアネート
化合物を使用して製造することもできる。使用できるジ
イソシアネート化合物としては、前記芳香族ジアミン化
合物又はその他のジアミン化合物とホスゲン又は塩化チ
オニルを反応させて得られるべきものがある。
その前駆体は、前記ポリイミド又はその前駆体の製造に
おいて、芳香族テトラカルボン酸二無水物の代わりに、
トリメリット酸無水物又はトリメリット酸無水物のクロ
ライド等のトリメリット酸無水物誘導体などの３価のト
リカルボン酸無水物又はその誘導体を使用することによ
り製造することができる。また、芳香族ジアミン化合物
及びその他のジアミン化合物の代わりにアミノ基以外の
残基がそのジアミン化合物に対応するジイソシアネート
化合物を使用して製造することもできる。使用できるジ
イソシアネート化合物としては、前記芳香族ジアミン化
合物又はその他のジアミン化合物とホスゲン又は塩化チ
オニルを反応させて得られるべきものがある。
【００４６】本発明におけるポリアミド樹脂は、テレフ
タル酸、イソフタル酸、フタル酸等の芳香族ジカルボン
酸、これらのジクロライド、酸無水物等の誘導体と前記
した芳香族ジアミン化合物又はこれと他のジアミン化合
物を反応させることにより製造することができる。
タル酸、イソフタル酸、フタル酸等の芳香族ジカルボン
酸、これらのジクロライド、酸無水物等の誘導体と前記
した芳香族ジアミン化合物又はこれと他のジアミン化合
物を反応させることにより製造することができる。
【００４７】本発明におけるポリエステル樹脂として
は、上記のテレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸等の
芳香族ジカルボン酸、これらのジクロライド、酸無水物
等の誘導体と、１，４−ジヒドロキシベンゼン、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＡ、４，４′−ジヒドロキ
シビフェニル等の芳香族ジオール化合物を反応させて得
られるものがある。
は、上記のテレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸等の
芳香族ジカルボン酸、これらのジクロライド、酸無水物
等の誘導体と、１，４−ジヒドロキシベンゼン、ビスフ
ェノールＦ、ビスフェノールＡ、４，４′−ジヒドロキ
シビフェニル等の芳香族ジオール化合物を反応させて得
られるものがある。
【００４８】また、本発明におけるポリアミドイミド樹
脂としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物とイソフ
タル酸ジヒドラジドを必須成分として含有する芳香族ジ
アミン化合物とを反応させて得られるポリアミドイミド
樹脂が好ましく用いられる。芳香族テトラカルボン酸二
無水物及び芳香族ジアミン化合物としては前記のものが
用いられる。イソフタル酸ジヒドラジドの芳香族ジアミ
ン化合物中のモル比は１〜１００モル％とすることが好
ましい。１モル％未満では封止材構成樹脂に対する耐溶
解性が低下する傾向にあり、イソフタル酸ジヒドラジド
の含有量が多いと接着剤層の耐湿性が低下する傾向にあ
るので１０〜８０モル％がより好ましく、２０〜７０モ
ル％が特に好ましく用いられる。このポリアミドイミド
樹脂は芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミ
ン化合物との配合比、使用有機溶媒、合成法などを前記
ポリイミド樹脂の合成と同様にして得ることができる。
脂としては、芳香族テトラカルボン酸二無水物とイソフ
タル酸ジヒドラジドを必須成分として含有する芳香族ジ
アミン化合物とを反応させて得られるポリアミドイミド
樹脂が好ましく用いられる。芳香族テトラカルボン酸二
無水物及び芳香族ジアミン化合物としては前記のものが
用いられる。イソフタル酸ジヒドラジドの芳香族ジアミ
ン化合物中のモル比は１〜１００モル％とすることが好
ましい。１モル％未満では封止材構成樹脂に対する耐溶
解性が低下する傾向にあり、イソフタル酸ジヒドラジド
の含有量が多いと接着剤層の耐湿性が低下する傾向にあ
るので１０〜８０モル％がより好ましく、２０〜７０モ
ル％が特に好ましく用いられる。このポリアミドイミド
樹脂は芳香族テトラカルボン酸二無水物と芳香族ジアミ
ン化合物との配合比、使用有機溶媒、合成法などを前記
ポリイミド樹脂の合成と同様にして得ることができる。
【００４９】本発明における耐熱性樹脂は、有機溶剤に
溶解して粘性材料とすることが好ましい。有機溶剤とし
て、例えば「溶剤ハンドブック」（講談社、1976年刊
行）の143〜852頁に掲載されている溶剤が用いられる。
例えばＮ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、
ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−３，４，
５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の含窒素化
合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合
物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カ
プロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ
−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン
類、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレ
ングリコールジメチル（又はジエチル、ジプロピル、ジ
ブチル）エーテル、トリエチレングリコールジメチル
（又はジエチル、ジプロピル、ジブチル）エーテル、テ
トラエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプ
ロピル、ジブチル）エーテル等のエーテル類、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、アセトフェノン等のケトン類、ブタノール、オクチ
ルアルコール、エチレングリコール、グリセリン、ジエ
チレングリコールモノメチル（又はモノエチル）エーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチル（又はモノエチ
ル）エーテル、テトラエチレングリコールモノメチル
（又はモノエチル）エーテル等のアルコール類、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール等のフェノール類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテート等のエステル類、トルエ
ン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサン等の
炭化水素類、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、
モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネ
ート類などが用いられる。
溶解して粘性材料とすることが好ましい。有機溶剤とし
て、例えば「溶剤ハンドブック」（講談社、1976年刊
行）の143〜852頁に掲載されている溶剤が用いられる。
例えばＮ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、
ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−３，４，
５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノン、
１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン等の含窒素化
合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の硫黄化合
物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カ
プロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ
−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクトン
類、ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン、ジエチレ
ングリコールジメチル（又はジエチル、ジプロピル、ジ
ブチル）エーテル、トリエチレングリコールジメチル
（又はジエチル、ジプロピル、ジブチル）エーテル、テ
トラエチレングリコールジメチル（又はジエチル、ジプ
ロピル、ジブチル）エーテル等のエーテル類、メチルエ
チルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノ
ン、アセトフェノン等のケトン類、ブタノール、オクチ
ルアルコール、エチレングリコール、グリセリン、ジエ
チレングリコールモノメチル（又はモノエチル）エーテ
ル、トリエチレングリコールモノメチル（又はモノエチ
ル）エーテル、テトラエチレングリコールモノメチル
（又はモノエチル）エーテル等のアルコール類、フェノ
ール、クレゾール、キシレノール等のフェノール類、酢
酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブアセテート、
ブチルセロソルブアセテート等のエステル類、トルエ
ン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロヘキサン等の
炭化水素類、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、
モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、エチレ
ンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネ
ート類などが用いられる。
【００５０】また、本発明における粘性材料には、適度
なチキソトロピー性を付与することが好ましい。適度な
チキソトロピー性が付与された粘性材料としては、有機
溶剤、これに溶解されている耐熱性樹脂、および、溶液
中に分散している無機微粒子又は有機微粒子を含有させ
た耐熱樹脂ペーストからなるものがある。無機微粒子又
は有機微粒子を含有させることにより、チキソトロピー
性を付与することができる。有機溶剤としては、前記し
たものが使用できる。無機微粒子又は有機微粒子は、耐
熱性樹脂３０〜９９重量部に対し、無機微粒子又は有機
微粒子１〜７０重量部を両者の合計量が１００重量部に
なるよう配合することが好ましい。無機微粒子又は有機
微粒子が１重量部未満ではチキソトロピー性が不十分と
なり、解像性が得られにくくなる傾向がある。７０重量
部を超えると塗布性と作業性が低下する傾向にある。
なチキソトロピー性を付与することが好ましい。適度な
チキソトロピー性が付与された粘性材料としては、有機
溶剤、これに溶解されている耐熱性樹脂、および、溶液
中に分散している無機微粒子又は有機微粒子を含有させ
た耐熱樹脂ペーストからなるものがある。無機微粒子又
は有機微粒子を含有させることにより、チキソトロピー
性を付与することができる。有機溶剤としては、前記し
たものが使用できる。無機微粒子又は有機微粒子は、耐
熱性樹脂３０〜９９重量部に対し、無機微粒子又は有機
微粒子１〜７０重量部を両者の合計量が１００重量部に
なるよう配合することが好ましい。無機微粒子又は有機
微粒子が１重量部未満ではチキソトロピー性が不十分と
なり、解像性が得られにくくなる傾向がある。７０重量
部を超えると塗布性と作業性が低下する傾向にある。
【００５１】無機微粒子としては、例えば、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、酸化タンタル、ジルコニア、窒化珪
素、チタン酸バリウム、炭酸バリウム、チタン酸鉛、チ
タン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、
酸化ガリウム、スピネル、ムライト、コーディエライ
ト、タルク、チタン酸アルミニウム、イットリア含有ジ
ルコニア、硫酸バリウム、珪酸バリウム等の絶縁性無機
微粒子などが用いられる。
ルミナ、チタニア、酸化タンタル、ジルコニア、窒化珪
素、チタン酸バリウム、炭酸バリウム、チタン酸鉛、チ
タン酸ジルコン酸鉛、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛、
酸化ガリウム、スピネル、ムライト、コーディエライ
ト、タルク、チタン酸アルミニウム、イットリア含有ジ
ルコニア、硫酸バリウム、珪酸バリウム等の絶縁性無機
微粒子などが用いられる。
【００５２】耐熱樹脂ペーストの主成分の耐熱性樹脂
は、有機溶剤に可溶性のものが使用されるが、これに対
して、前記有機微粒子はその有機溶剤に加熱乾燥前には
不溶性のものが使用される。
は、有機溶剤に可溶性のものが使用されるが、これに対
して、前記有機微粒子はその有機溶剤に加熱乾燥前には
不溶性のものが使用される。
【００５３】有機微粒子としては、アミド結合、イミド
結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐熱性樹
脂の微粒子が好ましい。この耐熱性樹脂としては、耐熱
性と機械特性の観点から好ましくはポリイミド樹脂若し
くはその前駆体、ポリアミドイミド樹脂若しくはその前
駆体、又はポリアミド樹脂の微粒子が用いられる。
結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐熱性樹
脂の微粒子が好ましい。この耐熱性樹脂としては、耐熱
性と機械特性の観点から好ましくはポリイミド樹脂若し
くはその前駆体、ポリアミドイミド樹脂若しくはその前
駆体、又はポリアミド樹脂の微粒子が用いられる。
【００５４】上記ポリイミド樹脂若しくはその前駆体、
ポリアミドイミド樹脂若しくはその前駆体、又はポリア
ミド樹脂としては、前記に例示したポリイミド樹脂又は
その前駆体、ポリアミドイミド樹脂又はその前駆体、あ
るいはポリアミド樹脂の中から有機溶剤に加熱乾燥前に
は不溶性のものを選択して使用される。耐熱性樹脂の微
粒子は、微粒子の状態で耐熱樹脂ペーストの有機溶剤に
加熱乾燥前には不溶性のものが選択して使用される。
ポリアミドイミド樹脂若しくはその前駆体、又はポリア
ミド樹脂としては、前記に例示したポリイミド樹脂又は
その前駆体、ポリアミドイミド樹脂又はその前駆体、あ
るいはポリアミド樹脂の中から有機溶剤に加熱乾燥前に
は不溶性のものを選択して使用される。耐熱性樹脂の微
粒子は、微粒子の状態で耐熱樹脂ペーストの有機溶剤に
加熱乾燥前には不溶性のものが選択して使用される。
【００５５】微粒子化の方法としては、例えば、非水分
散重合法（特公昭６０−４８５３１号公報、特開昭５９
−２３００１８号公報）、沈澱重合法（特開昭５９−１
０８０３０号公報、特開昭６０−２２１４２５号公
報）、樹脂溶液から回収した粉末を機械粉砕する方法、
樹脂溶液を貧触媒に加えながら高せん断下に微粒子化す
る方法、樹脂溶液の噴霧溶液を乾燥して微粒子を得る方
法、溶剤又は樹脂溶液中で溶剤に対して溶解性の温度依
存性を持つ樹脂を析出微粒子化する方法などがある。
散重合法（特公昭６０−４８５３１号公報、特開昭５９
−２３００１８号公報）、沈澱重合法（特開昭５９−１
０８０３０号公報、特開昭６０−２２１４２５号公
報）、樹脂溶液から回収した粉末を機械粉砕する方法、
樹脂溶液を貧触媒に加えながら高せん断下に微粒子化す
る方法、樹脂溶液の噴霧溶液を乾燥して微粒子を得る方
法、溶剤又は樹脂溶液中で溶剤に対して溶解性の温度依
存性を持つ樹脂を析出微粒子化する方法などがある。
【００５６】有機微粒子の熱分解温度は、好ましくは２
５０℃以上であり、特に好ましくは３５０℃以上の耐熱
性樹脂微粒子が用いられる。
５０℃以上であり、特に好ましくは３５０℃以上の耐熱
性樹脂微粒子が用いられる。
【００５７】無機微粒子、有機微粒子は、それぞれ必要
に応じて２種以上用いられる。また、無機微粒子、有機
微粒子とを混合して用いても構わない。無機微粒子、有
機微粒子は、平均粒子径が４０μｍ以下のものが好まし
く用いられる。チキソトロピー性を有する耐熱樹脂ペー
ストを塗布する際の被塗布部材へのダメージが少なく、
かつイオン性不純物濃度を低くできる平均粒子径が２０
μｍ以下の前記アミド結合、イミド結合、エステル結合
又はエーテル結合を有する耐熱性樹脂の微粒子がより好
ましく用いられる。好ましくは０．１〜１０μｍのもの
が用いられる。
に応じて２種以上用いられる。また、無機微粒子、有機
微粒子とを混合して用いても構わない。無機微粒子、有
機微粒子は、平均粒子径が４０μｍ以下のものが好まし
く用いられる。チキソトロピー性を有する耐熱樹脂ペー
ストを塗布する際の被塗布部材へのダメージが少なく、
かつイオン性不純物濃度を低くできる平均粒子径が２０
μｍ以下の前記アミド結合、イミド結合、エステル結合
又はエーテル結合を有する耐熱性樹脂の微粒子がより好
ましく用いられる。好ましくは０．１〜１０μｍのもの
が用いられる。
【００５８】耐熱樹脂ペーストとしては、加熱乾燥前に
は耐熱性樹脂及び有機溶剤を含む均一層に対して有機微
粒子は不均一相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹
脂及び有機微粒子を必須成分として含む均一相が形成さ
れるように配合したものが好ましく用いられる。前記し
たように耐熱樹脂ペーストの主成分の耐熱性樹脂は、耐
熱樹脂ペーストに使用される有機溶剤に可溶性のものが
使用され、前記有機微粒子はその有機溶剤に加熱乾燥前
には不溶性のものが使用されるが、両者とも加熱乾燥す
るときの温度ではその有機溶剤に溶解する性質を有する
ことが好ましい。ここで、加熱乾燥とは、前記した被塗
布部材への膜作製時の乾燥を意味し、乾燥温度は５０〜
３５０℃が好ましい。
は耐熱性樹脂及び有機溶剤を含む均一層に対して有機微
粒子は不均一相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹
脂及び有機微粒子を必須成分として含む均一相が形成さ
れるように配合したものが好ましく用いられる。前記し
たように耐熱樹脂ペーストの主成分の耐熱性樹脂は、耐
熱樹脂ペーストに使用される有機溶剤に可溶性のものが
使用され、前記有機微粒子はその有機溶剤に加熱乾燥前
には不溶性のものが使用されるが、両者とも加熱乾燥す
るときの温度ではその有機溶剤に溶解する性質を有する
ことが好ましい。ここで、加熱乾燥とは、前記した被塗
布部材への膜作製時の乾燥を意味し、乾燥温度は５０〜
３５０℃が好ましい。
【００５９】また、加熱乾燥後には耐熱性樹脂及び有機
微粒子を必須成分として含む均一相が形成されるように
するために耐熱性樹脂と有機微粒子は相溶性を有するも
のを使用することが好ましい。耐熱性樹脂と有機微粒子
とは相溶する性質をもつものが好ましく用いられる。具
体的には、好ましくは耐熱性樹脂と有機微粒子との溶解
性パラメータの差が２．０以下、より好ましくは１．５
以下である組合せのものが用いられる。ここで、溶解性
パラメータは、Polym.Eng.Sci.,Vol.14の147〜154頁に
記載されているFedorsの方法に準じて計算される値［単
位：（MJ/m3）１／２］である。
微粒子を必須成分として含む均一相が形成されるように
するために耐熱性樹脂と有機微粒子は相溶性を有するも
のを使用することが好ましい。耐熱性樹脂と有機微粒子
とは相溶する性質をもつものが好ましく用いられる。具
体的には、好ましくは耐熱性樹脂と有機微粒子との溶解
性パラメータの差が２．０以下、より好ましくは１．５
以下である組合せのものが用いられる。ここで、溶解性
パラメータは、Polym.Eng.Sci.,Vol.14の147〜154頁に
記載されているFedorsの方法に準じて計算される値［単
位：（MJ/m3）１／２］である。
【００６０】このような有機微粒子を用いた耐熱性樹脂
組成物は、例えば特開平２−２８９６４６号公報、特開
平４−２４８８７１号公報、特開平４−８５３７９号公
報に記載されているものを用いることができる。有機微
粒子は材質的には前記した耐熱性樹脂が使用できるが、
前記したように耐熱接着剤液とするための有機溶剤に加
熱乾燥前には不溶性のものが使用される。
組成物は、例えば特開平２−２８９６４６号公報、特開
平４−２４８８７１号公報、特開平４−８５３７９号公
報に記載されているものを用いることができる。有機微
粒子は材質的には前記した耐熱性樹脂が使用できるが、
前記したように耐熱接着剤液とするための有機溶剤に加
熱乾燥前には不溶性のものが使用される。
【００６１】このような有機微粒子を用いた耐熱樹脂ペ
ーストは室温においても加熱乾燥時においても有機溶剤
に不溶な無機微粒子、有機微粒子を用いた耐熱樹脂ペー
ストに比べて、ピンホール、空隙などの欠陥がなく均一
で厚膜形成が可能であり、また機械強度、耐湿性に著し
く優れる乾燥膜を形成することができる。加熱乾燥前は
耐熱性樹脂及び有機溶剤を含む均一相に対して有機微粒
子は不均一相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹
脂、有機微粒子及び橋架け剤を必須成分として含む均一
相が形成されるようにした耐熱樹脂ペーストは特に好ま
しく用いられる。この耐熱樹脂ペーストは特に半導体チ
ップとリードフレームとの接着性、封止材との接着性、
半導体装置におけるはんだリフロー時の耐パッケージク
ラック性の点で特に好ましく用いられる。橋架け剤は、
加熱乾燥前には耐熱性樹脂及び溶剤と共に均一相を形成
していることが好ましい。橋架け剤は、加熱乾燥前に、
耐熱性樹脂と反応していてもよいが、加熱乾燥時に耐熱
性樹脂と反応することが好ましい。
ーストは室温においても加熱乾燥時においても有機溶剤
に不溶な無機微粒子、有機微粒子を用いた耐熱樹脂ペー
ストに比べて、ピンホール、空隙などの欠陥がなく均一
で厚膜形成が可能であり、また機械強度、耐湿性に著し
く優れる乾燥膜を形成することができる。加熱乾燥前は
耐熱性樹脂及び有機溶剤を含む均一相に対して有機微粒
子は不均一相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹
脂、有機微粒子及び橋架け剤を必須成分として含む均一
相が形成されるようにした耐熱樹脂ペーストは特に好ま
しく用いられる。この耐熱樹脂ペーストは特に半導体チ
ップとリードフレームとの接着性、封止材との接着性、
半導体装置におけるはんだリフロー時の耐パッケージク
ラック性の点で特に好ましく用いられる。橋架け剤は、
加熱乾燥前には耐熱性樹脂及び溶剤と共に均一相を形成
していることが好ましい。橋架け剤は、加熱乾燥前に、
耐熱性樹脂と反応していてもよいが、加熱乾燥時に耐熱
性樹脂と反応することが好ましい。
【００６２】前記したいずれの均一相においても加熱乾
燥後に残存する有機溶剤を含んでいてもよい。
燥後に残存する有機溶剤を含んでいてもよい。
【００６３】無機微粒子又は有機微粒子を耐熱性樹脂を
有機溶剤に溶解させた溶液中に分散させる方法として
は、通常、塗料分野で行われているロール練り、ボール
ミル練りなどが適用され、十分な分散がなされる方法で
あればよく特に制限はない。分散工程中に汚染するイオ
ン性不純物濃度を低くでき、低コスト化できる方法とし
て、前記耐熱性樹脂溶液中で有機微粒子を直接析出微粒
子化させる混練操作を必要としない分散法が特に好まし
く用いられる。
有機溶剤に溶解させた溶液中に分散させる方法として
は、通常、塗料分野で行われているロール練り、ボール
ミル練りなどが適用され、十分な分散がなされる方法で
あればよく特に制限はない。分散工程中に汚染するイオ
ン性不純物濃度を低くでき、低コスト化できる方法とし
て、前記耐熱性樹脂溶液中で有機微粒子を直接析出微粒
子化させる混練操作を必要としない分散法が特に好まし
く用いられる。
【００６４】前記した耐熱性樹脂として、ヒドロキシル
基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基を有するもの
を用いることができる。これらの基は、前記した耐熱性
樹脂においてその樹脂分子の末端に存在する場合もある
が、少なくとも末端でない分子中に存在するものを用い
ることが好ましい。このように樹脂が官能基を有する場
合、それらの官能基と反応性の官能基を有する橋架け剤
を併用することが好ましい。
基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基を有するもの
を用いることができる。これらの基は、前記した耐熱性
樹脂においてその樹脂分子の末端に存在する場合もある
が、少なくとも末端でない分子中に存在するものを用い
ることが好ましい。このように樹脂が官能基を有する場
合、それらの官能基と反応性の官能基を有する橋架け剤
を併用することが好ましい。
【００６５】そこで、前記の耐熱樹脂ペーストとして、
好適には次に示す耐熱樹脂ペーストを使用することがで
きる。すなわち、その耐熱樹脂ペーストは、（Ａ）分子
中にヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等の官
能基を有する耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子、（Ｃ）前
記ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能
基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤及び
（Ｄ）溶剤を含み、加熱乾燥前には（Ａ）耐熱性樹脂、
（Ｃ）橋架け剤及び（Ｄ）溶剤からなる均一相に対して
（Ｂ）有機微粒子が不均一相として存在し、加熱乾燥後
には（Ａ）耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子及び（Ｃ）橋
架け剤を必須成分として含む均一相が形成されるように
配合したことを特徴とする耐熱樹脂ペーストである。
好適には次に示す耐熱樹脂ペーストを使用することがで
きる。すなわち、その耐熱樹脂ペーストは、（Ａ）分子
中にヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等の官
能基を有する耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子、（Ｃ）前
記ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能
基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤及び
（Ｄ）溶剤を含み、加熱乾燥前には（Ａ）耐熱性樹脂、
（Ｃ）橋架け剤及び（Ｄ）溶剤からなる均一相に対して
（Ｂ）有機微粒子が不均一相として存在し、加熱乾燥後
には（Ａ）耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子及び（Ｃ）橋
架け剤を必須成分として含む均一相が形成されるように
配合したことを特徴とする耐熱樹脂ペーストである。
【００６６】橋架け剤としては、例えばエポキシ基、ヒ
ドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、メチロール
基、マレイミド基、オキサゾリン基、ビニル基、メタク
リロイル基、メトキシシラン基、エトキシシラン基の１
種又は２種以上を分子内に少なくとも２個以上有する化
合物がある。前記耐熱性樹脂と橋架け剤は両者の合計量
を１００重量部としたとき、前者７０〜９９．９重量部
に対して後者０．１〜３０重量部用いることが好まし
い。橋架け剤が０．１重量部未満であると、耐熱性樹脂
の橋架け度が不充分となるので封止材の成形温度下で封
止材構成樹脂に溶解し易くなり、はんだリフロー時のパ
ッケージクラックが生じ易くなる傾向がある。また、橋
架け剤が３０重量部を超えると、耐熱性樹脂の橋架け度
が過多になり半導体チップ又はリードフレームとの熱圧
着性が低下するため、せん断接着力が低下する傾向があ
る。すなわちゆるやかな橋架け度をもつものが好ましく
用いられる。橋架け剤としては、特に制約はないが好ま
しくはカップリング剤が用いられる。
ドロキシル基、アミノ基、カルボキシル基、メチロール
基、マレイミド基、オキサゾリン基、ビニル基、メタク
リロイル基、メトキシシラン基、エトキシシラン基の１
種又は２種以上を分子内に少なくとも２個以上有する化
合物がある。前記耐熱性樹脂と橋架け剤は両者の合計量
を１００重量部としたとき、前者７０〜９９．９重量部
に対して後者０．１〜３０重量部用いることが好まし
い。橋架け剤が０．１重量部未満であると、耐熱性樹脂
の橋架け度が不充分となるので封止材の成形温度下で封
止材構成樹脂に溶解し易くなり、はんだリフロー時のパ
ッケージクラックが生じ易くなる傾向がある。また、橋
架け剤が３０重量部を超えると、耐熱性樹脂の橋架け度
が過多になり半導体チップ又はリードフレームとの熱圧
着性が低下するため、せん断接着力が低下する傾向があ
る。すなわちゆるやかな橋架け度をもつものが好ましく
用いられる。橋架け剤としては、特に制約はないが好ま
しくはカップリング剤が用いられる。
【００６７】前記の官能基を有する耐熱性樹脂として
は、ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキシル基を有
する耐熱性樹脂が好ましく、これに対して前記の橋かけ
材はとしては、ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキ
シル基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤が
好ましい。ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキシル
基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤として
は、その化合物分子中に２個以上の官能基を有し、その
うちの少なくとも１個は前記分子中にヒドロキシル基、
アミノ基又はカルボキシル基を有する耐熱性樹脂と反応
し、残りの官能基は前記分子中にヒドロキシル基又はカ
ルボキシル基を有する耐熱性樹脂と反応するか官能基同
士で反応するものを用いることが好ましい。かかる２個
以上の官能基を有する限り、その分子構造、分子量など
に特に制限はない。
は、ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキシル基を有
する耐熱性樹脂が好ましく、これに対して前記の橋かけ
材はとしては、ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキ
シル基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤が
好ましい。ヒドロキシル基、アミノ基又はカルボキシル
基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架け剤として
は、その化合物分子中に２個以上の官能基を有し、その
うちの少なくとも１個は前記分子中にヒドロキシル基、
アミノ基又はカルボキシル基を有する耐熱性樹脂と反応
し、残りの官能基は前記分子中にヒドロキシル基又はカ
ルボキシル基を有する耐熱性樹脂と反応するか官能基同
士で反応するものを用いることが好ましい。かかる２個
以上の官能基を有する限り、その分子構造、分子量など
に特に制限はない。
【００６８】このようなヒドロキシル基と反応する官能
基としては、例えばエポキシ基、イソシアナート基、メ
チロール基などが挙げられる。カルボキシル基と反応す
る官能基としては、例えばエポキシ基、アミノ基、ビニ
ル基、オキサゾリン基などが挙げられる。官能基同士で
反応する基としては、メトキシシラン基、エトキシシラ
ン基などが挙げられる。耐熱樹脂ペーストの乾燥物にゆ
るやかな橋架け構造をもたせることができ、耐熱樹脂ペ
ーストの保存安定性に優れるカップリング剤が橋架け剤
として好ましく用いられる。カップリング剤としては、
例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリ
ング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられ
る。シランカップリング剤がより好ましく用いられる。
基としては、例えばエポキシ基、イソシアナート基、メ
チロール基などが挙げられる。カルボキシル基と反応す
る官能基としては、例えばエポキシ基、アミノ基、ビニ
ル基、オキサゾリン基などが挙げられる。官能基同士で
反応する基としては、メトキシシラン基、エトキシシラ
ン基などが挙げられる。耐熱樹脂ペーストの乾燥物にゆ
るやかな橋架け構造をもたせることができ、耐熱樹脂ペ
ーストの保存安定性に優れるカップリング剤が橋架け剤
として好ましく用いられる。カップリング剤としては、
例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリ
ング剤、アルミニウム系カップリング剤などが挙げられ
る。シランカップリング剤がより好ましく用いられる。
【００６９】ヒドロキシル基を分子中に有する耐熱性樹
脂としては、前記したポリイミド樹脂又はその前駆体、
ポリアミドイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミド樹脂
の合成において、ジアミン成分の一部としてヒドロキシ
ル基を有するジアミノヒドロキシ化合物を使用すること
により製造することができる。
脂としては、前記したポリイミド樹脂又はその前駆体、
ポリアミドイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミド樹脂
の合成において、ジアミン成分の一部としてヒドロキシ
ル基を有するジアミノヒドロキシ化合物を使用すること
により製造することができる。
【００７０】ジアミノヒドロキシ化合物としては、例え
ば１，２−ジアミノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，３
−ジアミノ−５−ヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミ
ノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，４−ジアミノ−６−
ヒドロキシベンゼン、１，５−ジアミノ−６−ヒドロキ
シベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシ
ベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベ
ンゼン、４−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノー
ル、３−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノール、
２−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノール、３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、
３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシビフェニ
ル、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ア
ミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−アミノフェニル）ケトン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）スルフィド、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）
エーテル、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノ
フェニル）スルホン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３−アミノフェニル）メタン、４−［（２，４−ジアミ
ノ−５−ピリミジニル）メチル］フェノール、ｐ−
（３，６−ジアミノ−ｓ−トリアジン−２−イル）フェ
ノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフ
ェニル）ジフルオロメタン、２，２−ビス（４−アミノ
−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニル）エーテル、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル）ジフルオロメタン、
ば１，２−ジアミノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，３
−ジアミノ−５−ヒドロキシベンゼン、１，３−ジアミ
ノ−４−ヒドロキシベンゼン、１，４−ジアミノ−６−
ヒドロキシベンゼン、１，５−ジアミノ−６−ヒドロキ
シベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジヒドロキシ
ベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−ジヒドロキシベ
ンゼン、４−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノー
ル、３−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノール、
２−（３，５−ジアミノフェノキシ）フェノール、３，
３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノビフェニル、
３，３′−ジアミノ−４，４′−ジヒドロキシビフェニ
ル、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ア
ミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−ヒ
ドロキシ−３−アミノフェニル）ケトン、２，２−ビス
（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）スルフィド、
２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）
エーテル、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノ
フェニル）スルホン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３−アミノフェニル）メタン、４−［（２，４−ジアミ
ノ−５−ピリミジニル）メチル］フェノール、ｐ−
（３，６−ジアミノ−ｓ−トリアジン−２−イル）フェ
ノール、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−アミノフ
ェニル）ジフルオロメタン、２，２−ビス（４−アミノ
−３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル）ケトン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキ
シフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノ−
３−ヒドロキシフェニル）エーテル、２，２−ビス（４
−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）スルホン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−ヒドロキシフェニ
ル）ジフルオロメタン、
【化１】 などが用いられる。
【００７１】溶解性及びヒドロキシル基濃度を高めるこ
とができ、経済性に優れる２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニルが好ましく用いられる。
とができ、経済性に優れる２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−３−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４
−ヒドロキシ−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプ
ロパン、３，３′−ジヒドロキシ−４，４′−ジアミノ
ビフェニルが好ましく用いられる。
【００７２】ジアミノヒドロキシ化合物の芳香族ジアミ
ン化合物中のモル比は１〜１００モル％とすることが好
ましい。１モル％未満では封止材構成樹脂に対する耐溶
解性が低下する傾向にあり、ジアミノヒドロキシ化合物
の含有量が多いと乾燥膜の吸湿率が大きくなる傾向にあ
るので５〜８０モル％がより好ましく、１０〜５０モル
％が特に好ましく用いられる。
ン化合物中のモル比は１〜１００モル％とすることが好
ましい。１モル％未満では封止材構成樹脂に対する耐溶
解性が低下する傾向にあり、ジアミノヒドロキシ化合物
の含有量が多いと乾燥膜の吸湿率が大きくなる傾向にあ
るので５〜８０モル％がより好ましく、１０〜５０モル
％が特に好ましく用いられる。
【００７３】カルボキシル基を分子中に有する耐熱性樹
脂は、前記したポリイミド樹脂又はその前駆体、ポリア
ミドイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミド樹脂の合成
において、ジアミン成分の一部として、カルボキシル基
を有するジアミン化合物を使用することにより製造する
ことができる。
脂は、前記したポリイミド樹脂又はその前駆体、ポリア
ミドイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミド樹脂の合成
において、ジアミン成分の一部として、カルボキシル基
を有するジアミン化合物を使用することにより製造する
ことができる。
【００７４】カルボキシル基を有するジアミン化合物と
しては、１分子内に少なくとも一つ以上のカルボキシル
基を有するジアミン化合物を用いることが好ましい、例
えば、１，２−ジアミノ−４−カルボキシベンゼン、
１，３−ジアミノ−５−カルボキシベンゼン、１，３−
ジアミノ−４−カルボキシベンゼン、１，４−ジアミノ
−６−カルボキシベンゼン、１，５−ジアミノ−６−カ
ルボキシベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジカル
ボキシベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−ジカルボ
キシベンゼン、４−（３，５−ジアミノフェノキシ）安
息香酸、３−（３，５−ジアミノフェノキシ）安息香
酸、２−（３，５−ジアミノフェノキシ）安息香酸、
３，３′−ジカルボキシ−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、３，３′−ジカルボキシ−４，４′−ジカルボキシ
ビフェニル、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミ
ノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ
−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス
（４−カルボキシ−３−アミノフェニル）ケトン、２，
２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフェニル）スル
フィド、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフ
ェニル）エーテル、２，２−ビス（４−カルボキシ−３
−アミノフェニル）スルホン、２，２−ビス（４−カル
ボキシ−３−アミノフェニル）メタン、４−［（２，４
−ジアミノ−５−ピリミジニル）メチル］安息香酸、ｐ
−（３，６−ジアミノ−ｓ−トリアジン−２−イル）安
息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフ
ェニル）ジフルオロメタン、２，２−ビス（４−アミノ
−３−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニ
ル）ケトン、２，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキ
シフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノ−
３−カルボキシフェニル）エーテル、２，２−ビス（４
−アミノ−３−カルボキシフェニル）スルホン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニ
ル）ジフルオロメタンなどが挙げられる。
しては、１分子内に少なくとも一つ以上のカルボキシル
基を有するジアミン化合物を用いることが好ましい、例
えば、１，２−ジアミノ−４−カルボキシベンゼン、
１，３−ジアミノ−５−カルボキシベンゼン、１，３−
ジアミノ−４−カルボキシベンゼン、１，４−ジアミノ
−６−カルボキシベンゼン、１，５−ジアミノ−６−カ
ルボキシベンゼン、１，３−ジアミノ−４，６−ジカル
ボキシベンゼン、１，２−ジアミノ−３，５−ジカルボ
キシベンゼン、４−（３，５−ジアミノフェノキシ）安
息香酸、３−（３，５−ジアミノフェノキシ）安息香
酸、２−（３，５−ジアミノフェノキシ）安息香酸、
３，３′−ジカルボキシ−４，４′−ジアミノビフェニ
ル、３，３′−ジカルボキシ−４，４′−ジカルボキシ
ビフェニル、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミ
ノフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−カルボキシ
−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス
（４−カルボキシ−３−アミノフェニル）ケトン、２，
２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフェニル）スル
フィド、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフ
ェニル）エーテル、２，２−ビス（４−カルボキシ−３
−アミノフェニル）スルホン、２，２−ビス（４−カル
ボキシ−３−アミノフェニル）メタン、４−［（２，４
−ジアミノ−５−ピリミジニル）メチル］安息香酸、ｐ
−（３，６−ジアミノ−ｓ−トリアジン−２−イル）安
息香酸、２，２−ビス（４−カルボキシ−３−アミノフ
ェニル）ジフルオロメタン、２，２−ビス（４−アミノ
−３−カルボキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）ヘキサフルオ
ロプロパン、ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニ
ル）ケトン、２，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキ
シフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノ−
３−カルボキシフェニル）エーテル、２，２−ビス（４
−アミノ−３−カルボキシフェニル）スルホン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニル）メタ
ン、２，２−ビス（４−アミノ−３−カルボキシフェニ
ル）ジフルオロメタンなどが挙げられる。
【００７５】耐熱性、汎用性、経済性に優れる１，３−
ジアミノ−５−カルボキシベンゼンが好ましく用いられ
る。芳香族テトラカルボン酸二無水物とカルボキシル基
を有するジアミン化合物を必須成分として含有する芳香
族ジアミン化合物とは、ほぼ等モルで反応させることが
膜特性の点で好ましい。カルボキシル基を有するジアミ
ン化合物の芳香族ジアミン化合物中のモル比は１〜１０
０モル％とすることが好ましい。１モル％未満では乾燥
膜の橋架け度が不十分になり易く封止材構成樹脂に対す
る耐溶解性及びはんだリフロー性が低下する傾向にあ
り、カルボキシル基を有するジアミン化合物の含有量が
多いと乾燥膜の耐湿性が低下する傾向にあるので５〜８
０モル％がより好ましく、１０〜５０モル％が特に好ま
しく用いられる。
ジアミノ−５−カルボキシベンゼンが好ましく用いられ
る。芳香族テトラカルボン酸二無水物とカルボキシル基
を有するジアミン化合物を必須成分として含有する芳香
族ジアミン化合物とは、ほぼ等モルで反応させることが
膜特性の点で好ましい。カルボキシル基を有するジアミ
ン化合物の芳香族ジアミン化合物中のモル比は１〜１０
０モル％とすることが好ましい。１モル％未満では乾燥
膜の橋架け度が不十分になり易く封止材構成樹脂に対す
る耐溶解性及びはんだリフロー性が低下する傾向にあ
り、カルボキシル基を有するジアミン化合物の含有量が
多いと乾燥膜の耐湿性が低下する傾向にあるので５〜８
０モル％がより好ましく、１０〜５０モル％が特に好ま
しく用いられる。
【００７６】アミノ基を分子中に有する耐熱性樹脂とし
ては、前記したポリイミド樹脂若しくはその前駆体、ポ
リアミドイミド樹脂若しくはその前駆体、ポリアミド樹
脂の合成においてジアミン成分の一部として、トリアミ
ノ化合物、テトラアミノ化合物を使用することにより製
造することができる。
ては、前記したポリイミド樹脂若しくはその前駆体、ポ
リアミドイミド樹脂若しくはその前駆体、ポリアミド樹
脂の合成においてジアミン成分の一部として、トリアミ
ノ化合物、テトラアミノ化合物を使用することにより製
造することができる。
【００７７】トリアミノ化合物としては、例えば、１，
３，５−トリアミノベンゼン、３，４，４′−トリアミ
ノビフェニル、３，５，４′−トリアミノビフェニル、
３，４，４′−トリアミノジフェニルエーテル、３，
５，４′−トリアミノジフェニルエーテル等が挙げられ
る。テトラアミノ化合物としては、例えば、３，３′，
４，４′−テトラアミノビフェニル、３，３′，４，
４′−テトラアミノジフェニルエーテル等が挙げられ
る。
３，５−トリアミノベンゼン、３，４，４′−トリアミ
ノビフェニル、３，５，４′−トリアミノビフェニル、
３，４，４′−トリアミノジフェニルエーテル、３，
５，４′−トリアミノジフェニルエーテル等が挙げられ
る。テトラアミノ化合物としては、例えば、３，３′，
４，４′−テトラアミノビフェニル、３，３′，４，
４′−テトラアミノジフェニルエーテル等が挙げられ
る。
【００７８】全アミン成分中、ジアミノ化合物９９〜７
５モル％に対して、トリアミノ化合物及びテトラアミノ
化合物の総量を１〜２５モル％とすることが好ましい。
トリアミノ化合物及びテトラアミノ化合物の総量が１モ
ル％未満では乾燥膜の橋架け度が不十分になり易く、封
止材構成樹脂に対する耐溶解性及びはんだリフロー性が
低下する傾向にあり、２５モル％を超えると樹脂合成時
にゲル化が生じ易い傾向にある。このゲル化を抑制する
方法として、アミン成分１モルに対して酸成分を０．５
〜１．０モル使用することが好ましく、膜の強度を考慮
すると０．８〜０．９８モル使用することがより好まし
い。
５モル％に対して、トリアミノ化合物及びテトラアミノ
化合物の総量を１〜２５モル％とすることが好ましい。
トリアミノ化合物及びテトラアミノ化合物の総量が１モ
ル％未満では乾燥膜の橋架け度が不十分になり易く、封
止材構成樹脂に対する耐溶解性及びはんだリフロー性が
低下する傾向にあり、２５モル％を超えると樹脂合成時
にゲル化が生じ易い傾向にある。このゲル化を抑制する
方法として、アミン成分１モルに対して酸成分を０．５
〜１．０モル使用することが好ましく、膜の強度を考慮
すると０．８〜０．９８モル使用することがより好まし
い。
【００７９】カルボキシル基又はアミノ基を有するポリ
イミド樹脂又はその前駆体は、テトラカルボン酸無水物
とジアミン化合物の反応によって得られ、分子末端にの
みカルボキシル基又はアミノ基を有するものを使用して
もよい。カルボキシル基とアミノ基の量は、上記原料の
配合比により調整できる。
イミド樹脂又はその前駆体は、テトラカルボン酸無水物
とジアミン化合物の反応によって得られ、分子末端にの
みカルボキシル基又はアミノ基を有するものを使用して
もよい。カルボキシル基とアミノ基の量は、上記原料の
配合比により調整できる。
【００８０】本発明におけるカップリング剤は、その化
合物分子中に２個以上の官能基を有し、そのうちの少な
くとも１個は前記分子中にヒドロキシル基、アミノ基又
はカルボキシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂と
反応し、残りの官能基は前記分子主鎖内にヒドロキシル
基、アミノ基又はカルボキシル基を有するポリイミド樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、これらの前駆体あるいはポ
リアミド樹脂と反応するか官能基同士で反応する必要が
ある。かかる２個以上の官能基を有する限り、その分子
構造、分子量などに特に制限はない。このようなカップ
リング剤としてシランカップリング剤、チタネートカッ
プリング剤、アルミニウム系カップリング剤等がある。
前記分子主鎖内にヒドロキシル基、アミノ基又はカルボ
キシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂と反応する
官能基としては、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、メ
タクリロイル基等がある。また、カップリング剤中の官
能基と自己反応する官能基としては、メトキシ基、エト
キシ基などが挙げられる。
合物分子中に２個以上の官能基を有し、そのうちの少な
くとも１個は前記分子中にヒドロキシル基、アミノ基又
はカルボキシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂と
反応し、残りの官能基は前記分子主鎖内にヒドロキシル
基、アミノ基又はカルボキシル基を有するポリイミド樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、これらの前駆体あるいはポ
リアミド樹脂と反応するか官能基同士で反応する必要が
ある。かかる２個以上の官能基を有する限り、その分子
構造、分子量などに特に制限はない。このようなカップ
リング剤としてシランカップリング剤、チタネートカッ
プリング剤、アルミニウム系カップリング剤等がある。
前記分子主鎖内にヒドロキシル基、アミノ基又はカルボ
キシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹
脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂と反応する
官能基としては、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、メ
タクリロイル基等がある。また、カップリング剤中の官
能基と自己反応する官能基としては、メトキシ基、エト
キシ基などが挙げられる。
【００８１】本発明におけるカップリング剤として好ま
しいのは、シランカップリング剤であり、例えばγ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリアセトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリ
メトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルメチレンジメトキシシラン等が挙げられる。
しいのは、シランカップリング剤であり、例えばγ−
（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジ
メトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビ
ニルトリアセトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリ
メトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メル
カプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−ウレイドプ
ロピルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピ
ルメチレンジメトキシシラン等が挙げられる。
【００８２】分子中にヒドロキシル基、アミノ基又はカ
ルボキシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂に対し
て分子内にエポキシ基とメトキシシラン基を持つシラン
カップリング剤を用いることが好ましく、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランを用いることがより好
ましい。このようなカップリング剤を配合した耐熱性樹
脂組成物を加熱乾燥して得られる耐熱樹脂ペーストは、
ゆるやかな橋架け構造を持つため、充分な耐熱性を有
し、例えば、半導体装置のための封止材の成形温度下で
封止材構成樹脂に溶解せず、さらに半導体チップ又はリ
ードフレームとの高度な接着性（特に熱圧着性）を兼ね
備えたものを得ることが容易である。
ルボキシル基を有するポリイミド樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、これらの前駆体あるいはポリアミド樹脂に対し
て分子内にエポキシ基とメトキシシラン基を持つシラン
カップリング剤を用いることが好ましく、γ−グリシド
キシプロピルトリメトキシシランを用いることがより好
ましい。このようなカップリング剤を配合した耐熱性樹
脂組成物を加熱乾燥して得られる耐熱樹脂ペーストは、
ゆるやかな橋架け構造を持つため、充分な耐熱性を有
し、例えば、半導体装置のための封止材の成形温度下で
封止材構成樹脂に溶解せず、さらに半導体チップ又はリ
ードフレームとの高度な接着性（特に熱圧着性）を兼ね
備えたものを得ることが容易である。
【００８３】前記耐熱樹脂ペーストにおける（Ｂ）有機
微粒子の説明として、前記耐熱接着剤におけるのと同様
の説明が準用される。また、次の通り、追加的に説明さ
れる。前記樹脂ペーストにおいて、耐熱性樹脂として
は、有機溶剤に可溶性のものが使用されるのに対して、
有機微粒子としては不溶性のものが使用されるが、両者
とも加熱乾燥する時の温度では、それぞれその有機溶剤
に溶解する性質を有するものであることが好ましい。
微粒子の説明として、前記耐熱接着剤におけるのと同様
の説明が準用される。また、次の通り、追加的に説明さ
れる。前記樹脂ペーストにおいて、耐熱性樹脂として
は、有機溶剤に可溶性のものが使用されるのに対して、
有機微粒子としては不溶性のものが使用されるが、両者
とも加熱乾燥する時の温度では、それぞれその有機溶剤
に溶解する性質を有するものであることが好ましい。
【００８４】（Ｂ）有機微粒子は、ペーストにチキソト
ロピー性を付与するために使用される。有機微粒子の平
均粒子径は、耐熱性樹脂又はそれと橋架け剤との反応物
に対する相溶性、溶剤に対する溶解性、印刷性を考慮す
ると、平均粒子径が２０μｍ以下であることが好まし
く、また、有機微粒子は高温での熱処理工程時、例えば
ワイヤーボンディング時にアウトガスが発生しにくい点
で１％熱重量減少温度が２５０℃以上の耐熱性樹脂微粒
子であることが好ましい。有機微粒子の平均粒子径は
０．１〜１０μｍ以下であることがより好ましく、５μ
ｍ以下であることが特に好ましい。また、有機微粒子と
しては、１％熱重量減少温度が３５０℃以上の耐熱性樹
脂微粒子であることがより好ましい。
ロピー性を付与するために使用される。有機微粒子の平
均粒子径は、耐熱性樹脂又はそれと橋架け剤との反応物
に対する相溶性、溶剤に対する溶解性、印刷性を考慮す
ると、平均粒子径が２０μｍ以下であることが好まし
く、また、有機微粒子は高温での熱処理工程時、例えば
ワイヤーボンディング時にアウトガスが発生しにくい点
で１％熱重量減少温度が２５０℃以上の耐熱性樹脂微粒
子であることが好ましい。有機微粒子の平均粒子径は
０．１〜１０μｍ以下であることがより好ましく、５μ
ｍ以下であることが特に好ましい。また、有機微粒子と
しては、１％熱重量減少温度が３５０℃以上の耐熱性樹
脂微粒子であることがより好ましい。
【００８５】（Ｂ）有機微粒子としては、アミド結合、
イミド結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐
熱樹脂の微粒子が好ましい。該耐熱樹脂としては、耐熱
性と機械特性の観点から好ましくはポリイミド樹脂若し
くはその前駆体、ポリアミドイミド樹脂若しくはその前
駆体、又はポリアミド樹脂の微粒子が用いられる。ま
た、（Ｂ）有機微粒子としては、前記に例示したヒドロ
キシル基、アミノ基若しくはカルボキシル基を有するポ
リイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミドイミド樹脂又
はその前駆体、あるいはポリアミド樹脂の中から選択し
て使用することができるが、これらの樹脂においてジア
ミン化合物として、ジアミノヒドロキシ化合物、トリア
ミノ化合物、テトラアミノ化合物、ジアミノカルボキシ
化合物は必ずしも必須成分として用いる必要はない。
イミド結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐
熱樹脂の微粒子が好ましい。該耐熱樹脂としては、耐熱
性と機械特性の観点から好ましくはポリイミド樹脂若し
くはその前駆体、ポリアミドイミド樹脂若しくはその前
駆体、又はポリアミド樹脂の微粒子が用いられる。ま
た、（Ｂ）有機微粒子としては、前記に例示したヒドロ
キシル基、アミノ基若しくはカルボキシル基を有するポ
リイミド樹脂又はその前駆体、ポリアミドイミド樹脂又
はその前駆体、あるいはポリアミド樹脂の中から選択し
て使用することができるが、これらの樹脂においてジア
ミン化合物として、ジアミノヒドロキシ化合物、トリア
ミノ化合物、テトラアミノ化合物、ジアミノカルボキシ
化合物は必ずしも必須成分として用いる必要はない。
【００８６】このようにして例示される耐熱性樹脂の微
粒子は、微粒子の状態で本発明における耐熱樹脂ペース
トの有機溶剤に加熱乾燥前には不溶性のものが選択して
使用される。発明における耐熱樹脂ペーストの有機溶剤
に関する説明は、前記した耐熱接着剤液における説明が
準用される。
粒子は、微粒子の状態で本発明における耐熱樹脂ペース
トの有機溶剤に加熱乾燥前には不溶性のものが選択して
使用される。発明における耐熱樹脂ペーストの有機溶剤
に関する説明は、前記した耐熱接着剤液における説明が
準用される。
【００８７】本発明の耐熱樹脂ペーストにおける有機微
粒子を構成する耐熱性樹脂と有機溶剤の組み合わせとし
ては、表１に示すものを例示することができる。これら
は本発明の実施態様を示す一例であり、特にこれらに制
限されるものではない。また、（Ａ）耐熱性樹脂と
（Ｂ）有機微粒子とは相溶する性質をもつものが好まし
く用いられる。具体的には、好ましくは（Ａ）耐熱性樹
脂と（Ｂ）有機微粒子との溶解性パラメータの差が２．
０以下、より好ましくは１．５以下である組合せのもの
が用いられる。ここで、溶解性パラメータは、Polym.En
g.Sci.,Vol.14の１４７〜１５４頁に記載されているFed
orsの方法に準じて計算される値［単位：（MJ/m3）１／
２］である。
粒子を構成する耐熱性樹脂と有機溶剤の組み合わせとし
ては、表１に示すものを例示することができる。これら
は本発明の実施態様を示す一例であり、特にこれらに制
限されるものではない。また、（Ａ）耐熱性樹脂と
（Ｂ）有機微粒子とは相溶する性質をもつものが好まし
く用いられる。具体的には、好ましくは（Ａ）耐熱性樹
脂と（Ｂ）有機微粒子との溶解性パラメータの差が２．
０以下、より好ましくは１．５以下である組合せのもの
が用いられる。ここで、溶解性パラメータは、Polym.En
g.Sci.,Vol.14の１４７〜１５４頁に記載されているFed
orsの方法に準じて計算される値［単位：（MJ/m3）１／
２］である。
【００８８】
【表１】
【００８９】本発明の耐熱樹脂ペーストにおいて、
（Ａ）分子中にヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシ
ル基等の官能基を有する耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子
と（Ｃ）前記ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル
基等の官能基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架
け剤の配合割合は（Ａ）１００重量部に対して、（Ｂ）
を１０〜３００重量部、（Ｃ）を１〜３０重量部とする
ことが好ましい。（Ｂ）を２０〜２００重量部、（Ｃ）
を５〜３０重量部とすることがより好ましく、（Ｂ）を
２０〜２００重量部、（Ｃ）を１０〜３０重量部とする
ことが特に好ましい。（Ｂ）の量が１０重量部未満であ
ると塗布する際のチキソトロピー性が不足し、塗布性又
は印刷性が損なわれる傾向にある。また３００重量部を
超えるとペーストの流動性が損なわれるので塗布性又は
印刷性が低下しやすい。（Ｃ）の量が１重量部未満であ
るとペースト乾燥物の橋架け度が不十分となるため耐熱
性向上効果が低下しやすくなり、耐溶剤溶解性が低下す
る傾向にあり、また、封止材の成形温度下で封止材構成
樹脂に溶解し易くはんだリフロー時の耐パッケージクラ
ック性が損なわれる傾向にある。また、３０重量部を超
えるとペースト乾燥物の橋架け度が高くなりすぎるため
耐溶剤溶解性の向上効果があまり増大しなくなる傾向に
あり、また、半導体チップ又はリードフレームとの接着
性（特に熱圧着性）が損なわれる傾向にある。
（Ａ）分子中にヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシ
ル基等の官能基を有する耐熱性樹脂、（Ｂ）有機微粒子
と（Ｃ）前記ヒドロキシル基、アミノ基、カルボキシル
基等の官能基と化学的に結合し得る官能基を有する橋架
け剤の配合割合は（Ａ）１００重量部に対して、（Ｂ）
を１０〜３００重量部、（Ｃ）を１〜３０重量部とする
ことが好ましい。（Ｂ）を２０〜２００重量部、（Ｃ）
を５〜３０重量部とすることがより好ましく、（Ｂ）を
２０〜２００重量部、（Ｃ）を１０〜３０重量部とする
ことが特に好ましい。（Ｂ）の量が１０重量部未満であ
ると塗布する際のチキソトロピー性が不足し、塗布性又
は印刷性が損なわれる傾向にある。また３００重量部を
超えるとペーストの流動性が損なわれるので塗布性又は
印刷性が低下しやすい。（Ｃ）の量が１重量部未満であ
るとペースト乾燥物の橋架け度が不十分となるため耐熱
性向上効果が低下しやすくなり、耐溶剤溶解性が低下す
る傾向にあり、また、封止材の成形温度下で封止材構成
樹脂に溶解し易くはんだリフロー時の耐パッケージクラ
ック性が損なわれる傾向にある。また、３０重量部を超
えるとペースト乾燥物の橋架け度が高くなりすぎるため
耐溶剤溶解性の向上効果があまり増大しなくなる傾向に
あり、また、半導体チップ又はリードフレームとの接着
性（特に熱圧着性）が損なわれる傾向にある。
【００９０】前記耐熱樹脂ペーストは、チキソトロピー
係数を１．１以上にすることが好ましい。１．１未満で
あると十分な解像性が得られにくい。チキソトロピー係
数、は、１．５〜７．０がより好ましく、２．０〜５．
０がさらに好ましい。また、粘度は１Pa・s〜１０００Pa
・sが好ましい。１Pa・s未満では十分な解像性が得られに
くく、１０００Pa・sを超えると転写性、塗布作業性が低
下する傾向にある。前記耐熱樹脂ペーストの粘度は、５
０Pa・s〜４００Pa・sがより好ましく、１００Pa・s〜４０
０Pa・sが特に好ましい。ここで、チキソトロピー係数は
Ｅ型粘度計（東京計器社製、ＥＨＤ−Ｕ型）を用いて試
料量０．４ｇ、測定温度２５℃で測定した、回転数１rp
mと１０rpmのみかけ粘度η１とη１０の比、η１／η１
０として表される。粘度は、回転数０．５rpmのみかけ
粘度η０．５で表される。
係数を１．１以上にすることが好ましい。１．１未満で
あると十分な解像性が得られにくい。チキソトロピー係
数、は、１．５〜７．０がより好ましく、２．０〜５．
０がさらに好ましい。また、粘度は１Pa・s〜１０００Pa
・sが好ましい。１Pa・s未満では十分な解像性が得られに
くく、１０００Pa・sを超えると転写性、塗布作業性が低
下する傾向にある。前記耐熱樹脂ペーストの粘度は、５
０Pa・s〜４００Pa・sがより好ましく、１００Pa・s〜４０
０Pa・sが特に好ましい。ここで、チキソトロピー係数は
Ｅ型粘度計（東京計器社製、ＥＨＤ−Ｕ型）を用いて試
料量０．４ｇ、測定温度２５℃で測定した、回転数１rp
mと１０rpmのみかけ粘度η１とη１０の比、η１／η１
０として表される。粘度は、回転数０．５rpmのみかけ
粘度η０．５で表される。
【００９１】前記耐熱樹脂ペーストは、その成分を有機
溶剤に溶解又は分散させて製造することができる。特
に、無機微粒子又は有機微粒子を含む場合は、耐熱性樹
脂の有機溶剤溶液に、無機微粒子又は有機微粒子を添加
し、分散させることが好ましい。また、有機微粒子を分
散させる場合、前記の有機微粒子の原料となる固形の耐
熱性樹脂を砕きながら添加しても良い。
溶剤に溶解又は分散させて製造することができる。特
に、無機微粒子又は有機微粒子を含む場合は、耐熱性樹
脂の有機溶剤溶液に、無機微粒子又は有機微粒子を添加
し、分散させることが好ましい。また、有機微粒子を分
散させる場合、前記の有機微粒子の原料となる固形の耐
熱性樹脂を砕きながら添加しても良い。
【００９２】有機溶剤に溶解している耐熱性樹脂及び有
機溶剤に分散している有機微粒子を含む前記耐熱樹脂ペ
ーストは、次の方法により、効率よく製造される。すな
わち、その耐熱樹脂ペーストの製造法は、（Ｉ）室温及
び加熱乾燥する時の温度で（III）の溶剤に溶解する耐
熱性樹脂Ａ、（II）（III）の溶剤に室温で溶解せず加
熱乾燥する時の温度で溶解する耐熱性樹脂Ｂ及び（II
I）溶剤を混合し、加熱して溶解させ、得られた溶液を
冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａと（II
I）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子を
析出、分散させることを特徴とする。
機溶剤に分散している有機微粒子を含む前記耐熱樹脂ペ
ーストは、次の方法により、効率よく製造される。すな
わち、その耐熱樹脂ペーストの製造法は、（Ｉ）室温及
び加熱乾燥する時の温度で（III）の溶剤に溶解する耐
熱性樹脂Ａ、（II）（III）の溶剤に室温で溶解せず加
熱乾燥する時の温度で溶解する耐熱性樹脂Ｂ及び（II
I）溶剤を混合し、加熱して溶解させ、得られた溶液を
冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａと（II
I）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子を
析出、分散させることを特徴とする。
【００９３】ここで、耐熱性樹脂Ａは前記した耐熱樹脂
ペーストの主要樹脂成分を形成するものであり、耐熱性
樹脂Ｂは前記した耐熱樹脂ペーストの有機微粒子となる
べきものである。従って、耐熱性樹脂Ａは、室温及び加
熱乾燥する時の温度で溶剤に溶解するものであり、耐熱
性樹脂Ｂは、室温では溶剤に溶解せず加熱乾燥する時の
温度で溶剤に溶解するものであり、耐熱樹脂ペースト膜
を形成し、加熱乾燥して膜パターンを形成する際に、加
熱乾燥後に耐熱性樹脂Ａと耐熱性樹脂Ｂは均一相として
存在するものが用いられる。
ペーストの主要樹脂成分を形成するものであり、耐熱性
樹脂Ｂは前記した耐熱樹脂ペーストの有機微粒子となる
べきものである。従って、耐熱性樹脂Ａは、室温及び加
熱乾燥する時の温度で溶剤に溶解するものであり、耐熱
性樹脂Ｂは、室温では溶剤に溶解せず加熱乾燥する時の
温度で溶剤に溶解するものであり、耐熱樹脂ペースト膜
を形成し、加熱乾燥して膜パターンを形成する際に、加
熱乾燥後に耐熱性樹脂Ａと耐熱性樹脂Ｂは均一相として
存在するものが用いられる。
【００９４】溶剤の安定性、溶剤に対する耐熱性樹脂Ｂ
の溶解性、生産性を考慮すると耐熱性樹脂Ｂがビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物を
５０モル％以上含有する芳香族テトラカルボン酸二無水
物と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパンを５０モル％以上含有する芳香族ジアミ
ンとを反応させて得られる芳香族ポリイミド樹脂であ
り、溶剤がγ−ブチロラクトンである組合せが溶剤の安
定性、溶剤に対する耐熱性樹脂Ｂの溶解性、生産性の点
から好ましく用いられる。上記の組み合わせの耐熱樹脂
ペーストの加熱乾燥温度は通常５０〜３５℃であり、こ
の範囲内で低温から高温へ段階的に昇温することが好ま
しい。
の溶解性、生産性を考慮すると耐熱性樹脂Ｂがビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物を
５０モル％以上含有する芳香族テトラカルボン酸二無水
物と２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェ
ニル］プロパンを５０モル％以上含有する芳香族ジアミ
ンとを反応させて得られる芳香族ポリイミド樹脂であ
り、溶剤がγ−ブチロラクトンである組合せが溶剤の安
定性、溶剤に対する耐熱性樹脂Ｂの溶解性、生産性の点
から好ましく用いられる。上記の組み合わせの耐熱樹脂
ペーストの加熱乾燥温度は通常５０〜３５℃であり、こ
の範囲内で低温から高温へ段階的に昇温することが好ま
しい。
【００９５】前記の耐熱樹脂ペーストの製造法におい
て、加熱溶解する温度は、（Ｉ）〜（III）の混合物が
ほぼ均一透明な溶液となる条件であれば特に制限はない
が、通常攪拌下、８０℃〜２５０℃で行うことが好まし
い。溶解に要する時間は適宜であるが０．１〜５時間、
好ましくは１〜５時間である。次いで加熱溶解した溶液
を冷却する条件は、（II）の耐熱性樹脂Ｂが（Ｉ）の耐
熱性樹脂Ａと（III）の溶剤との混合溶液中で微粒子化
し析出、分散する条件であれば特に制限はないが、通常
加熱溶解した温度未満の−２０℃〜１００℃であって、
攪拌下又は静置下で１時間〜６０日間放置する条件で行
うことが好ましい。短時間で微粒子化する冷却条件とし
て攪拌下０℃〜８０℃の一定温度下で５〜８０時間放置
する条件で行うことがより好ましい。加熱溶解した温度
から−２０℃〜１００℃に冷却する速度は任意でよい
が、急激な冷却は析出する微粒子の凝集を生じやすいの
で通常は攪拌下、０．１〜１０℃/minの速度で冷却する
ことが好ましい。製造雰囲気は、乾燥させた窒素ガスな
どの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
て、加熱溶解する温度は、（Ｉ）〜（III）の混合物が
ほぼ均一透明な溶液となる条件であれば特に制限はない
が、通常攪拌下、８０℃〜２５０℃で行うことが好まし
い。溶解に要する時間は適宜であるが０．１〜５時間、
好ましくは１〜５時間である。次いで加熱溶解した溶液
を冷却する条件は、（II）の耐熱性樹脂Ｂが（Ｉ）の耐
熱性樹脂Ａと（III）の溶剤との混合溶液中で微粒子化
し析出、分散する条件であれば特に制限はないが、通常
加熱溶解した温度未満の−２０℃〜１００℃であって、
攪拌下又は静置下で１時間〜６０日間放置する条件で行
うことが好ましい。短時間で微粒子化する冷却条件とし
て攪拌下０℃〜８０℃の一定温度下で５〜８０時間放置
する条件で行うことがより好ましい。加熱溶解した温度
から−２０℃〜１００℃に冷却する速度は任意でよい
が、急激な冷却は析出する微粒子の凝集を生じやすいの
で通常は攪拌下、０．１〜１０℃/minの速度で冷却する
ことが好ましい。製造雰囲気は、乾燥させた窒素ガスな
どの不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００９６】本発明における耐熱樹脂ペーストの製造方
法は、（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子が（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤との均一溶液中から直接析出し
微粒子化するので、従来法の例えば樹脂溶液から回収し
た粉末を機械粉砕する方法、樹脂溶液を貧溶媒に加えな
がら高せん断下に微粒子化する方法、樹脂溶液の噴霧油
滴を乾燥して微粒子を得る方法などにより微粒子を一度
固形粉末として回収し、これをロール練り、ボールミル
練りなどの機械混練で耐熱性樹脂組成物中に微粒子を分
散させる方法に比べて簡便なプロセスで、低コストで、
かつイオン性不純物濃度を低く製造できる点で優れてい
る。
法は、（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子が（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤との均一溶液中から直接析出し
微粒子化するので、従来法の例えば樹脂溶液から回収し
た粉末を機械粉砕する方法、樹脂溶液を貧溶媒に加えな
がら高せん断下に微粒子化する方法、樹脂溶液の噴霧油
滴を乾燥して微粒子を得る方法などにより微粒子を一度
固形粉末として回収し、これをロール練り、ボールミル
練りなどの機械混練で耐熱性樹脂組成物中に微粒子を分
散させる方法に比べて簡便なプロセスで、低コストで、
かつイオン性不純物濃度を低く製造できる点で優れてい
る。
【００９７】本発明の（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａ、（II）の
耐熱性樹脂Ｂと（III）の溶剤の配合割合は（Ｉ）の耐
熱性樹脂Ａ１００重量部に対して、（II）の耐熱性樹脂
Ｂを１０〜３００重量部、（III）の溶剤を５０〜３，
０００重量部とすることが好ましく、（II）の耐熱性樹
脂Ｂを２０〜２００重量部、（III）の溶剤を７５〜
２，０００重量部とすることがより好ましく、（II）の
耐熱性樹脂Ｂを２０〜２００重量部、（III）の溶剤を
１００〜１，０００重量部とすることが特に好ましい。
（II）の耐熱性樹脂Ｂの量が１０重量部未満であるとス
クリーン印刷する際のチキソトロピー性が不足し、印刷
性が損なわれる傾向にある。また、３００重量部を超え
るとペーストの流動性が損なわれるので印刷性が低下す
る傾向がある。（III）の溶剤の量が５０重量部未満で
あるとペーストの流動性が損なわれるので印刷性が低下
する傾向がある。また、３，０００重量部を超えるとペ
ーストの粘度が低くなるので厚膜形成がしにくくなり、
解像性が損なわれる傾向にある。
耐熱性樹脂Ｂと（III）の溶剤の配合割合は（Ｉ）の耐
熱性樹脂Ａ１００重量部に対して、（II）の耐熱性樹脂
Ｂを１０〜３００重量部、（III）の溶剤を５０〜３，
０００重量部とすることが好ましく、（II）の耐熱性樹
脂Ｂを２０〜２００重量部、（III）の溶剤を７５〜
２，０００重量部とすることがより好ましく、（II）の
耐熱性樹脂Ｂを２０〜２００重量部、（III）の溶剤を
１００〜１，０００重量部とすることが特に好ましい。
（II）の耐熱性樹脂Ｂの量が１０重量部未満であるとス
クリーン印刷する際のチキソトロピー性が不足し、印刷
性が損なわれる傾向にある。また、３００重量部を超え
るとペーストの流動性が損なわれるので印刷性が低下す
る傾向がある。（III）の溶剤の量が５０重量部未満で
あるとペーストの流動性が損なわれるので印刷性が低下
する傾向がある。また、３，０００重量部を超えるとペ
ーストの粘度が低くなるので厚膜形成がしにくくなり、
解像性が損なわれる傾向にある。
【００９８】また、本発明において、（Ｉ）の耐熱性樹
脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂ
を構成する原材料を仕込み、溶解した後（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中で（II）の耐熱性樹脂
Ｂが析出しない温度で反応させ、耐熱性樹脂Ｂを合成
し、次いで冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性樹脂
Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂの
微粒子を析出、分散させることも好ましい方法である。
（II）の耐熱性樹脂Ｂを構成する原材料としては、前記
したものが用いられる。
脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂ
を構成する原材料を仕込み、溶解した後（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中で（II）の耐熱性樹脂
Ｂが析出しない温度で反応させ、耐熱性樹脂Ｂを合成
し、次いで冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性樹脂
Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂの
微粒子を析出、分散させることも好ましい方法である。
（II）の耐熱性樹脂Ｂを構成する原材料としては、前記
したものが用いられる。
【００９９】また、本発明において、（II）の耐熱性樹
脂Ｂと（III）の溶剤の溶液中に（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａ
を構成する原材料を仕込み、溶解した後（II）耐熱性樹
脂Ｂと（III）の溶剤の溶液中で（II）の耐熱性樹脂Ｂ
の微粒子が析出しない温度で反応させ、耐熱性樹脂Ａを
合成し、次いで冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂
Ｂの微粒子を析出、分散させることも好ましい方法であ
る。（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａを構成する原材料としては、
前記したものが用いられる。
脂Ｂと（III）の溶剤の溶液中に（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａ
を構成する原材料を仕込み、溶解した後（II）耐熱性樹
脂Ｂと（III）の溶剤の溶液中で（II）の耐熱性樹脂Ｂ
の微粒子が析出しない温度で反応させ、耐熱性樹脂Ａを
合成し、次いで冷却することによって、（Ｉ）の耐熱性
樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂
Ｂの微粒子を析出、分散させることも好ましい方法であ
る。（Ｉ）の耐熱性樹脂Ａを構成する原材料としては、
前記したものが用いられる。
【０１００】これらの方法によれば耐熱樹脂ペーストを
一つの反応容器で一貫して製造することができるので工
程を簡略化できると共に作業環境からの塵などの異物混
入をより低減できる。
一つの反応容器で一貫して製造することができるので工
程を簡略化できると共に作業環境からの塵などの異物混
入をより低減できる。
【０１０１】本発明において（II）の耐熱性樹脂Ｂの微
粒子は、ペーストにチキソトロピー性を付与するために
使用される。（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子の最大粒子
径は、耐熱性樹脂Ａに対する耐熱性樹脂Ｂの相溶性、チ
キソトロピー性、薄膜形成性を考慮すると、最大粒子径
を１０μｍ以下に析出、分散させることが好ましく、
０．０５〜５μｍに析出、分散させることが特に好まし
い。最大粒子径が０．０５μｍ未満であると少量の微粒
子の含有量でペーストのチキソトロピー性が著しく増大
するため耐熱性樹脂Ｂの微粒子のペースト中の含有量が
低くなり樹脂分濃度を上げにくくなる。粒子径の制御
は、例えば、粒子を析出させるときの撹拌速度と温度に
より制御することができる。撹拌速度が大きいほど粒子
径が小さくなり、温度が高いほど粒子径が小さくなる。
温度は室温から１００℃の間で耐熱性樹脂Ｂが析出する
適宜の温度が選択されることが好ましい。
粒子は、ペーストにチキソトロピー性を付与するために
使用される。（II）の耐熱性樹脂Ｂの微粒子の最大粒子
径は、耐熱性樹脂Ａに対する耐熱性樹脂Ｂの相溶性、チ
キソトロピー性、薄膜形成性を考慮すると、最大粒子径
を１０μｍ以下に析出、分散させることが好ましく、
０．０５〜５μｍに析出、分散させることが特に好まし
い。最大粒子径が０．０５μｍ未満であると少量の微粒
子の含有量でペーストのチキソトロピー性が著しく増大
するため耐熱性樹脂Ｂの微粒子のペースト中の含有量が
低くなり樹脂分濃度を上げにくくなる。粒子径の制御
は、例えば、粒子を析出させるときの撹拌速度と温度に
より制御することができる。撹拌速度が大きいほど粒子
径が小さくなり、温度が高いほど粒子径が小さくなる。
温度は室温から１００℃の間で耐熱性樹脂Ｂが析出する
適宜の温度が選択されることが好ましい。
【０１０２】前記の耐熱樹脂ペーストの製造法におい
て、耐熱性樹脂Ａとして、前記した分子中にヒドロキシ
ル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基を有する耐
熱性樹脂を用いるときは、所望により（Ｉ）の耐熱性樹
脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂ
の微粒子を分散させたペースト化後に、前記ヒドロキシ
ル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基と化学的に
結合し得る官能基を有する橋架け剤を添加することがで
きる。その他、必要に応じて使用する添加剤は、（Ｉ）
の耐熱性樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐
熱性樹脂Ｂの微粒子を分散させたペースト化後に、添加
することが好ましい。
て、耐熱性樹脂Ａとして、前記した分子中にヒドロキシ
ル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基を有する耐
熱性樹脂を用いるときは、所望により（Ｉ）の耐熱性樹
脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐熱性樹脂Ｂ
の微粒子を分散させたペースト化後に、前記ヒドロキシ
ル基、アミノ基、カルボキシル基等の官能基と化学的に
結合し得る官能基を有する橋架け剤を添加することがで
きる。その他、必要に応じて使用する添加剤は、（Ｉ）
の耐熱性樹脂Ａと（III）の溶剤の溶液中に（II）の耐
熱性樹脂Ｂの微粒子を分散させたペースト化後に、添加
することが好ましい。
【０１０３】本発明における無機の粘性材料としては、
例えば無機化合物の高分子で同核高分子、異核高分子、
有機誘導体などの無機高分子が用いられる。具体的には
ポリシロキサン、ポリシラザン、水素シルセスキオキサ
ン、ボラゾールなどが挙げられる。本発明における無機
の粘性材料は、好ましくはチキソトロピー性を持つぺ一
ストが用いられる。無機微粒子又は有機微粒子を含有さ
せることにより、塗布時に必要なチキソトロピー性を付
与することができる。無機微粒子、有機微粒子として
は、前記の無機微粒子、有機微粒子が用いられる。ぺ一
ストの好ましいチキソトロピー性と粘度は、前記有機の
粘性材料と同様である。
例えば無機化合物の高分子で同核高分子、異核高分子、
有機誘導体などの無機高分子が用いられる。具体的には
ポリシロキサン、ポリシラザン、水素シルセスキオキサ
ン、ボラゾールなどが挙げられる。本発明における無機
の粘性材料は、好ましくはチキソトロピー性を持つぺ一
ストが用いられる。無機微粒子又は有機微粒子を含有さ
せることにより、塗布時に必要なチキソトロピー性を付
与することができる。無機微粒子、有機微粒子として
は、前記の無機微粒子、有機微粒子が用いられる。ぺ一
ストの好ましいチキソトロピー性と粘度は、前記有機の
粘性材料と同様である。
【０１０４】本発明の粘性材料には、基材との密着性を
向上させるために、有機アルミニウム化合物、有機シラ
ン化合物、有機チタン化合物、有機ジルコニア化合物等
を添加することができる。
向上させるために、有機アルミニウム化合物、有機シラ
ン化合物、有機チタン化合物、有機ジルコニア化合物等
を添加することができる。
【０１０５】有機アルミニウム化合物としては、特に制
限はなく、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウ
ムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルア
セトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニ
ウムジプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセト
ネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウム
トリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノ
イソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテー
ト、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチル
アセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキ
シド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウム
キレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ
−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、ア
ルミニウム−sec−ブチレート、アルミニウムエチレー
ト等のアルミニウムアルコレートなどを使用することが
でき、これらの１種又は２種以上を使用することもでき
る。
限はなく、例えば、エチルアセトアセテートアルミニウ
ムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルア
セトアセテート）、アルキルアセトアセテートアルミニ
ウムジプロピレート、アルミニウムモノアセチルアセト
ネートビス（エチルアセトアセテート）、アルミニウム
トリス（アセチルアセトネート）、アルミニウム＝モノ
イソプロポキシモノオレオキシエチルアセトアセテー
ト、アルミニウム−ジ−ｎ−ブトキシド−モノ−エチル
アセトアセテート、アルミニウム−ジ−イソ−プロポキ
シド−モノ−エチルアセトアセテート等のアルミニウム
キレート化合物、アルミニウムイソプロピレート、モノ
−sec−ブトキシアルミニウムジイソプロピレート、ア
ルミニウム−sec−ブチレート、アルミニウムエチレー
ト等のアルミニウムアルコレートなどを使用することが
でき、これらの１種又は２種以上を使用することもでき
る。
【０１０６】有機アルミニウム化合物の添加量は、耐熱
性樹脂又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５
〜５０重量部とすることが好ましい。この添加量が、
０．０５重量部未満では、密着性の向上が不十分となる
可能性があり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣
る傾向がある。
性樹脂又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５
〜５０重量部とすることが好ましい。この添加量が、
０．０５重量部未満では、密着性の向上が不十分となる
可能性があり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣
る傾向がある。
【０１０７】有機シラン化合物としては、特に制限はな
く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス
（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシる）エチルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ｎ−
β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキ
シジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−
アミノプロピル−メチル−ジエトキシシラン、３−ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピ
ルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ
−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−
トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾー
ルプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプ
ロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル
−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチ
ル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエト
キシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキ
シシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロ
ロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチ
ルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オク
チルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタク
リロイルオキシエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシ
ジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
オクタデシルジメチル［３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル］アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピル
メチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシ
ラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリ
ルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、
ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリ
イソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキ
シシランイソシアネートなどを使用することができ、こ
れらの１種又は２種以上を使用することもできる。
く、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス
（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキ
シプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプ
ロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキ
シシクロヘキシる）エチルトリメトキシシラン、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシド
キシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキ
シプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエ
チル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ｎ−
β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキ
シジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラ
ン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−
アミノプロピル−メチル−ジエトキシシラン、３−ウレ
イドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピ
ルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ
−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−
トリメトキシシラン、３−４，５−ジヒドロイミダゾー
ルプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプ
ロピル−トリメトキシシラン、３−メルカプトプロピル
−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−メチ
ル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエト
キシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス
（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキ
シシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロ
ロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチ
ルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン、オク
チルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラ
ン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリ（メタク
リロイルオキシエトキシ）シラン、メチルトリ（グリシ
ジルオキシ）シラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミ
ノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、
オクタデシルジメチル［３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル］アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピル
メチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメ
トキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシ
ラン、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリ
ルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、
ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリ
イソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキ
シシランイソシアネートなどを使用することができ、こ
れらの１種又は２種以上を使用することもできる。
【０１０８】有機シラン化合物の添加量は、耐熱性樹脂
又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜５０
重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．０５
重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能性が
あり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾向が
ある。
又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜５０
重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．０５
重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能性が
あり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾向が
ある。
【０１０９】有機チタン化合物としては、特に制限がな
く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチ
タネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェー
ト）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタ
ネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート、イソプロピルトリ（ｎ−アミノエ
チル−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピル
ビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオ
クチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、
テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）
ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミ
ルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオク
チルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネー
ト、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチ
ルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２
−エチルへキシル）チタネート、チタンアセチルアセト
ネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオク
チレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム
塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステ
ル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシ
チタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、
テトラエチルオルソチタネート、テトラプロピルオルソ
チタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステ
アリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレ
シルチタネートポリマー、ジ−イソプロポキシ−ビス−
（２，４−ペンタジオネート）−チタニウム（IV）、ジ
−イソプロピル−ビス−トリエタノールアミノ−チタネ
ート、オクチレングリコールチタネートＨＶ、テトラ−
ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタ
ンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタ
ンモノステアレートなどを使用することができ、これら
の１種又は２種以上を使用することもできる。
く、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネー
ト、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネ
ート、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチ
タネート、イソプロピルイソステアロイルジアクリルチ
タネート、イソプロピルトリ（ジオクチルホスフェー
ト）チタネート、イソプロピルトリクミルフェニルチタ
ネート、イソプロピルトリス（ジオクチルパイロホスフ
ェート）チタネート、イソプロピルトリ（ｎ−アミノエ
チル−アミノエチル）チタネート、テトライソプロピル
ビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオ
クチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、
テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）
ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ジクミ
ルフェニルオキシアセテートチタネート、ビス（ジオク
チルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネー
ト、テトライソプロピルチタネート、テトラ−ｎ−ブチ
ルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２
−エチルへキシル）チタネート、チタンアセチルアセト
ネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオク
チレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム
塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステ
ル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシ
チタンステアレート、テトラメチルオルソチタネート、
テトラエチルオルソチタネート、テトラプロピルオルソ
チタネート、テトライソブチルオルソチタネート、ステ
アリルチタネート、クレシルチタネートモノマー、クレ
シルチタネートポリマー、ジ−イソプロポキシ−ビス−
（２，４−ペンタジオネート）−チタニウム（IV）、ジ
−イソプロピル−ビス−トリエタノールアミノ−チタネ
ート、オクチレングリコールチタネートＨＶ、テトラ−
ｎ−ブトキシチタンポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタ
ンモノステアレートポリマー、トリ−ｎ−ブトキシチタ
ンモノステアレートなどを使用することができ、これら
の１種又は２種以上を使用することもできる。
【０１１０】有機チタン化合物の添加量は、耐熱性樹脂
又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜５０
重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．０５
重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能性が
あり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾向が
ある。
又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜５０
重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．０５
重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能性が
あり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾向が
ある。
【０１１１】有機ジルコニア化合物としては、特に制限
がなく、例えば、テトラプロピルジルコアルミネート、
テトラブチルジルコネート、テトラ（トリエタノールア
ミン）ジルコネート、テトライソプロピルジルコネー
ト、ジルコニウムアセチルアセトネート、アセチルアセ
トンジルコニウムブチレート、ジルコニウムラクテー
ト、ステアリン酸ジルコニウムブチレート、ΑＰＧ−Ｘ
（CAVEDON CHEMICAL CO.,INC. 製商品名）などを使用す
ることができ、これらの１種又は２種以上使用すること
もできる。
がなく、例えば、テトラプロピルジルコアルミネート、
テトラブチルジルコネート、テトラ（トリエタノールア
ミン）ジルコネート、テトライソプロピルジルコネー
ト、ジルコニウムアセチルアセトネート、アセチルアセ
トンジルコニウムブチレート、ジルコニウムラクテー
ト、ステアリン酸ジルコニウムブチレート、ΑＰＧ−Ｘ
（CAVEDON CHEMICAL CO.,INC. 製商品名）などを使用す
ることができ、これらの１種又は２種以上使用すること
もできる。
【０１１２】有機ジルコニア化合物の添加量は、耐熱性
樹脂又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜
５０重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．
０５重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能
性があり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾
向がある。
樹脂又は無機高分子１００重量部に対して、０．０５〜
５０重量部とすることが好ましい。この添加量が、０．
０５重量部未満では、密着性の向上が不十分となる可能
性があり、５０重量部を超えると、粘度安定性が劣る傾
向がある。
【０１１３】次に、本発明に用いる塗布装置について図
面を用いて詳述する。図１は、本発明に用いる塗布装置
の一例を示す概略図である。また、図２は、この塗布装
置における圧力弁制御チャートである。
面を用いて詳述する。図１は、本発明に用いる塗布装置
の一例を示す概略図である。また、図２は、この塗布装
置における圧力弁制御チャートである。
【０１１４】基板１は被塗布部材であり、θ軸回転テー
ブル２上に固定される。θ軸回転テーブル２はＸ軸移動
装置３とＹ軸移動装置４の上に配置し、θ軸回転テーブ
ル２、Ｘ軸移動装置３及びＹ軸移動装置４はコンピュー
タ制御されている。塗布される位置のＸ−Ｙ−θの座標
は予めプログラミングしておくことで任意に決めること
ができる。１つの基板上に複数のパターンを形成する場
合にはそれぞれのパターンの形状を座標データとして予
めプログラミングしておく。複数のパターンの寸法、形
状、膜厚は全く任意に設定することができる。また、い
くつものパターン群の記録を例えばフロッピーディスク
などの補助記憶装置を用いて、事前に作成しておけば品
種変えなどが簡便に行える。この移動装置（θ軸回転テ
ーブル２、Ｘ軸移動装置３及びＹ軸移動装置４）の精度
を例えば、１ミクロンの精度をもち、移動速度を例えば
２０mm／秒の性能を持たせることで、高速高精度で吐出
位置の移動を行うことができる。
ブル２上に固定される。θ軸回転テーブル２はＸ軸移動
装置３とＹ軸移動装置４の上に配置し、θ軸回転テーブ
ル２、Ｘ軸移動装置３及びＹ軸移動装置４はコンピュー
タ制御されている。塗布される位置のＸ−Ｙ−θの座標
は予めプログラミングしておくことで任意に決めること
ができる。１つの基板上に複数のパターンを形成する場
合にはそれぞれのパターンの形状を座標データとして予
めプログラミングしておく。複数のパターンの寸法、形
状、膜厚は全く任意に設定することができる。また、い
くつものパターン群の記録を例えばフロッピーディスク
などの補助記憶装置を用いて、事前に作成しておけば品
種変えなどが簡便に行える。この移動装置（θ軸回転テ
ーブル２、Ｘ軸移動装置３及びＹ軸移動装置４）の精度
を例えば、１ミクロンの精度をもち、移動速度を例えば
２０mm／秒の性能を持たせることで、高速高精度で吐出
位置の移動を行うことができる。
【０１１５】上記基板１上に少なくとも１つのディスペ
ンサーノズル５を配置し、粘性材料を充填した少なくと
も１つの円筒容器６とパイプを介して接続し、このノズ
ル５と円筒容器６をＺ軸昇降機７に固定する。このＺ軸
昇降機７の精度を、例えば１ミクロンの精度をもち、移
動速度を例えば１００mm／秒の性能を持たせることで、
高速高精度で吐出高さの移動を行うことができる。
ンサーノズル５を配置し、粘性材料を充填した少なくと
も１つの円筒容器６とパイプを介して接続し、このノズ
ル５と円筒容器６をＺ軸昇降機７に固定する。このＺ軸
昇降機７の精度を、例えば１ミクロンの精度をもち、移
動速度を例えば１００mm／秒の性能を持たせることで、
高速高精度で吐出高さの移動を行うことができる。
【０１１６】円筒容器６を加圧源、真空源及び大気開放
口にパイプを介して接続する３つの圧力制御弁、すなわ
ち、加圧源接続制御弁８、真空源接続制御弁９及び大気
開放制御弁１０と接続しこれらの弁を図２に示すような
圧力制御を高速で行うことで、粘性材料の吐出開始時お
よび終了時の圧力を調整し、昇降動作とのタイミングも
合わせて液切れの良い塗布を行うことができる。加圧源
接続制御弁８はパイプを介して加圧源（コンプレッサ
ー、ガスボンベ等）に接続され、真空源接続制御弁９は
パイプを介して減圧源（真空ポンプ等）を接続され、大
気開放制御弁１０はパイプを介して又は介せず大気に開
放されるようになっている。また、好ましくはそれぞれ
の容器で３つの圧力制御弁を独立に設け、ノズルの開口
部毎に吐出タイミングを変えることができ、様々なパタ
ーンの形成が可能になる。円筒容器６に粘性材料を入れ
た後、好ましくは、減圧下に脱泡される。
口にパイプを介して接続する３つの圧力制御弁、すなわ
ち、加圧源接続制御弁８、真空源接続制御弁９及び大気
開放制御弁１０と接続しこれらの弁を図２に示すような
圧力制御を高速で行うことで、粘性材料の吐出開始時お
よび終了時の圧力を調整し、昇降動作とのタイミングも
合わせて液切れの良い塗布を行うことができる。加圧源
接続制御弁８はパイプを介して加圧源（コンプレッサ
ー、ガスボンベ等）に接続され、真空源接続制御弁９は
パイプを介して減圧源（真空ポンプ等）を接続され、大
気開放制御弁１０はパイプを介して又は介せず大気に開
放されるようになっている。また、好ましくはそれぞれ
の容器で３つの圧力制御弁を独立に設け、ノズルの開口
部毎に吐出タイミングを変えることができ、様々なパタ
ーンの形成が可能になる。円筒容器６に粘性材料を入れ
た後、好ましくは、減圧下に脱泡される。
【０１１７】３つの圧力制御弁の制御は、例えば、次の
ように行われる。すなわち、最初は、３つの圧力制御弁
を閉じておき、加圧源接続制御弁８を開いて粘性材料に
圧力を印加し、一定量速度で材料をしながらノズルを移
動させて塗膜を形成する。印加圧は、通常、瞬時に所定
圧に達する。塗布の停止、中止又は中断時には、加圧源
接続制御弁８を閉じ、真空源接続制御弁９を短時間開い
た後閉じると同時に大気開放制御弁１０を開いて、円筒
容器６内の気圧が大気圧となった時点で大気開放制御弁
１０を閉じる。この操作は、いわゆるサックバックであ
る。サックバックの時間は非常に短く、例えば１０ミリ
秒程度の時間である。
ように行われる。すなわち、最初は、３つの圧力制御弁
を閉じておき、加圧源接続制御弁８を開いて粘性材料に
圧力を印加し、一定量速度で材料をしながらノズルを移
動させて塗膜を形成する。印加圧は、通常、瞬時に所定
圧に達する。塗布の停止、中止又は中断時には、加圧源
接続制御弁８を閉じ、真空源接続制御弁９を短時間開い
た後閉じると同時に大気開放制御弁１０を開いて、円筒
容器６内の気圧が大気圧となった時点で大気開放制御弁
１０を閉じる。この操作は、いわゆるサックバックであ
る。サックバックの時間は非常に短く、例えば１０ミリ
秒程度の時間である。
【０１１８】図３は、単一制御単一ノズルの一例を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、平筆のようなスリット状のノズルで、１本の太線の
描画ができる。ノズルの吐出口の大きさは奥行き０．０
１〜１mm、幅０．１〜５０mmが好ましい。奥行き又は幅
が小さすぎると、吐出時の印加圧力が大きくなりすぎ、
また、塗装速度が遅くなる。奥行きが大きくなりすぎる
と、粘性材料のタレが生じやすくなり、また、液切れが
悪くなる。幅が大きすぎると全幅にわたって粘性材料の
吐出速度が均一になりにくくなる。
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、平筆のようなスリット状のノズルで、１本の太線の
描画ができる。ノズルの吐出口の大きさは奥行き０．０
１〜１mm、幅０．１〜５０mmが好ましい。奥行き又は幅
が小さすぎると、吐出時の印加圧力が大きくなりすぎ、
また、塗装速度が遅くなる。奥行きが大きくなりすぎる
と、粘性材料のタレが生じやすくなり、また、液切れが
悪くなる。幅が大きすぎると全幅にわたって粘性材料の
吐出速度が均一になりにくくなる。
【０１１９】図４は、単一制御多点ノズルの一例を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、櫛型のノズルで、縞状のパターンが描画できる。ノ
ズルの孔の径は、０．０１〜１mmが好ましい。孔の径が
小さすぎると、吐出時の印加圧力が大きくなりすぎ、ま
た、塗装速度が遅くなる。また、孔の径が大きくなりす
ぎると、粘性材料のタレが生じやすくなり、また、液切
れが悪くなる。孔の間隔は目的に応じて適宜決定され
る。個々の孔の間隔を非常に小さくすると上記の単一制
御単一ノズルと同じ機能を有するようになり、また、充
分大きくすると、一度の操作で、ノズルの数の線を一度
に塗布できる。
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、櫛型のノズルで、縞状のパターンが描画できる。ノ
ズルの孔の径は、０．０１〜１mmが好ましい。孔の径が
小さすぎると、吐出時の印加圧力が大きくなりすぎ、ま
た、塗装速度が遅くなる。また、孔の径が大きくなりす
ぎると、粘性材料のタレが生じやすくなり、また、液切
れが悪くなる。孔の間隔は目的に応じて適宜決定され
る。個々の孔の間隔を非常に小さくすると上記の単一制
御単一ノズルと同じ機能を有するようになり、また、充
分大きくすると、一度の操作で、ノズルの数の線を一度
に塗布できる。
【０１２０】図５は、単一制御多点ノズルの他の一例を
示し、３つの平筆状で、一回の塗布動作で３本の太線の
描画ができる。塗膜が一つにならずに３つにするために
は、ノズルの孔の間隔を０．０１mm以上にすることが好
ましい。
示し、３つの平筆状で、一回の塗布動作で３本の太線の
描画ができる。塗膜が一つにならずに３つにするために
は、ノズルの孔の間隔を０．０１mm以上にすることが好
ましい。
【０１２１】図６は、多点制御多点ノズルの一例を示
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、例えば図５に示すの３点ノズルを個々に圧力制御で
きる型としたものであり、例えば中抜きのパターンを描
画することができる。個々のノズルの大きさは、図３の
単一制御単一ノズルのときと同様である。
し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図を示す。この装置
は、例えば図５に示すの３点ノズルを個々に圧力制御で
きる型としたものであり、例えば中抜きのパターンを描
画することができる。個々のノズルの大きさは、図３の
単一制御単一ノズルのときと同様である。
【０１２２】図７は、多点制御多点ノズルの他の一例を
示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は右側
面図を示す。この装置は、例えば、図３の多点ノズルを
個々に圧力制御できる型にしたものであり、個々のノズ
ルからの吐出量を個々に制御することができるので複雑
なパターンを描画できる。ノズルは、四角形をしてお
り、その大きさは一片の長さがが０．０１〜１mmである
ことが好ましい。孔が小さすぎると、吐出時の印加圧力
が大きくなりすぎ、また、塗装速度が遅くなる。また、
孔が大きくなりすぎると、粘性材料のタレが生じやすく
なり、また、液切れが悪くなる。孔の間隔は目的に応じ
て適宜決定される。個々の孔の間隔を非常に小さくする
と上記の単一制御単一ノズルと同じ機能を有するように
なり、また、充分大きくすると、一度の操作で、ノズル
の数の線を一度に塗布できる。
示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は右側
面図を示す。この装置は、例えば、図３の多点ノズルを
個々に圧力制御できる型にしたものであり、個々のノズ
ルからの吐出量を個々に制御することができるので複雑
なパターンを描画できる。ノズルは、四角形をしてお
り、その大きさは一片の長さがが０．０１〜１mmである
ことが好ましい。孔が小さすぎると、吐出時の印加圧力
が大きくなりすぎ、また、塗装速度が遅くなる。また、
孔が大きくなりすぎると、粘性材料のタレが生じやすく
なり、また、液切れが悪くなる。孔の間隔は目的に応じ
て適宜決定される。個々の孔の間隔を非常に小さくする
と上記の単一制御単一ノズルと同じ機能を有するように
なり、また、充分大きくすると、一度の操作で、ノズル
の数の線を一度に塗布できる。
【０１２３】図８は、多点制御多点ノズルの他の一例を
示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、を示す。この
装置は、例えば図６の３点ノズルの幅を変えたもので、
ノズル間のギャップや液の粘性を調整することで例えば
ボンディングパッドを一回の塗布動作で、パターン形成
することができる。
示し、（ａ）は正面図、（ｂ）は底面図、を示す。この
装置は、例えば図６の３点ノズルの幅を変えたもので、
ノズル間のギャップや液の粘性を調整することで例えば
ボンディングパッドを一回の塗布動作で、パターン形成
することができる。
【０１２４】このように、様々なノズルを装着すること
により、様々のパターンの描画が可能になる。このディ
スペンスノズル部を複数にすることで、さらに高速処理
も可能である。塗布された膜厚はノズルと基板間のギャ
ップと走行速度で決まるため、ノズル部にギャップを測
定する距離センサを備えることにより、平坦性のない基
板への適用も可能である。また、位置決めのセンシング
機能を付加すれば、位置決めがより簡便にできる。上記
の装置は一例に過ぎず、本発明を制約するものではな
い。
により、様々のパターンの描画が可能になる。このディ
スペンスノズル部を複数にすることで、さらに高速処理
も可能である。塗布された膜厚はノズルと基板間のギャ
ップと走行速度で決まるため、ノズル部にギャップを測
定する距離センサを備えることにより、平坦性のない基
板への適用も可能である。また、位置決めのセンシング
機能を付加すれば、位置決めがより簡便にできる。上記
の装置は一例に過ぎず、本発明を制約するものではな
い。
【０１２５】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い
するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い
【０１２６】実施例１ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び油水分離器付き冷
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
（以下、ＢΑＰＰと略す）７３．９０ｇ（０．１８モ
ル）、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物（以下、ＤＳＤＡと略す）１１９．５９ｇ
（０．３３４モル）、１，３−ジアミノ−５−カルボキ
シベンゼン１７．７８ｇ（０．１１７モル）、γ−ブチ
ロラクトン（以下、ＢＬと略す）３７７ｇを窒素ガスを
通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜６０℃で１時間反
応を進めた後、１９５℃に昇温し、同温度で５時間反応
を進めた。途中、留出する水を反応系外にすみやかに除
去した。得られた溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃度４０
重量％のポリイミド樹脂（数平均分子量１０，０００）
溶液を得た。
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに２，２−ビ
ス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン
（以下、ＢΑＰＰと略す）７３．９０ｇ（０．１８モ
ル）、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン
二無水物（以下、ＤＳＤＡと略す）１１９．５９ｇ
（０．３３４モル）、１，３−ジアミノ−５−カルボキ
シベンゼン１７．７８ｇ（０．１１７モル）、γ−ブチ
ロラクトン（以下、ＢＬと略す）３７７ｇを窒素ガスを
通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜６０℃で１時間反
応を進めた後、１９５℃に昇温し、同温度で５時間反応
を進めた。途中、留出する水を反応系外にすみやかに除
去した。得られた溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃度４０
重量％のポリイミド樹脂（数平均分子量１０，０００）
溶液を得た。
【０１２７】撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び油水
分離器付き冷却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコ
にＢΑＰＰ１０２．６４ｇ（０．２５モル）、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物
（以下、ＯＤＰΑと略す）７７．５５ｇ（０．２５モ
ル）及びＢＬ３３５ｇを窒素ガスを通しながら仕込ん
だ。撹拌下、５０〜６０℃で１時間反応を進めた後、１
９５℃に昇温し、同温度で５時間反応を進めた。途中、
留出する水を反応系外にすみやかに除去した。得られた
溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃度３０重量％とし、引き
続き２３℃で１ケ月放置したところ、塊状のフィラー用
ポリイミド樹脂（数平均分子量１５，０００）が析出し
た。
分離器付き冷却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコ
にＢΑＰＰ１０２．６４ｇ（０．２５モル）、ビス
（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物
（以下、ＯＤＰΑと略す）７７．５５ｇ（０．２５モ
ル）及びＢＬ３３５ｇを窒素ガスを通しながら仕込ん
だ。撹拌下、５０〜６０℃で１時間反応を進めた後、１
９５℃に昇温し、同温度で５時間反応を進めた。途中、
留出する水を反応系外にすみやかに除去した。得られた
溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃度３０重量％とし、引き
続き２３℃で１ケ月放置したところ、塊状のフィラー用
ポリイミド樹脂（数平均分子量１５，０００）が析出し
た。
【０１２８】撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに、上記の塊状
のフィラー用ポリイミド樹脂を上記溶剤の存在下にボー
ルミルで砕いてから、樹脂分濃度３０重量％でフィラー
用ポリイミドと溶剤の合計が２００ｇになるように入
れ、１８０℃に昇温した。同温度で１時間撹拌して均一
な溶液とした後、これに上記のポリイミド樹脂溶液（樹
脂分濃度４０重量％）３００ｇを加えて更に１８０℃で
１時間撹拌を続けた。約１時間で２３℃に冷却したもの
をそのまま２３℃で１ケ月放置したところポリイミド樹
脂溶液中にポリイミド樹脂微粒子（平均粒径：約４μ
ｍ）が析出、分散したペーストを得た。このペーストに
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（以下、
ＧＰＳと略す）２７ｇを加え、室温で十分に混合した
後、ＢＬ／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝７
５／２５（重量比）混合溶剤で希釈して樹脂分濃度３３
重量％とした。
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに、上記の塊状
のフィラー用ポリイミド樹脂を上記溶剤の存在下にボー
ルミルで砕いてから、樹脂分濃度３０重量％でフィラー
用ポリイミドと溶剤の合計が２００ｇになるように入
れ、１８０℃に昇温した。同温度で１時間撹拌して均一
な溶液とした後、これに上記のポリイミド樹脂溶液（樹
脂分濃度４０重量％）３００ｇを加えて更に１８０℃で
１時間撹拌を続けた。約１時間で２３℃に冷却したもの
をそのまま２３℃で１ケ月放置したところポリイミド樹
脂溶液中にポリイミド樹脂微粒子（平均粒径：約４μ
ｍ）が析出、分散したペーストを得た。このペーストに
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（以下、
ＧＰＳと略す）２７ｇを加え、室温で十分に混合した
後、ＢＬ／ジエチレングリコールジメチルエーテル＝７
５／２５（重量比）混合溶剤で希釈して樹脂分濃度３３
重量％とした。
【０１２９】得られたポリイミド樹脂ペーストの粘度
は、２５０Pa・s（２５℃）、チキソトロピー系数は、
３．３であった。
は、２５０Pa・s（２５℃）、チキソトロピー系数は、
３．３であった。
【０１３０】上記のポリイミド樹脂ペーストを８インチ
シリコンウェハ（チップ数２００個）上に図１で示すよ
うな精密塗布装置により、同図のディスペンスノズルと
して図３に示すような単一制御単一ノズルを用いて、２
００μｍのスクライブライン及びチップ周辺のワイヤボ
ンディングエリア以外のチップ表面に塗布した。上記の
単一制御単一ノズルの孔の大きさは、奥行き０．８mm、
幅０．４mmのものである。塗布条件は、塗布速度２０mm
/s、ノズルとウェハ間の距離７０μｍ、気体（空気）の
印加圧力０．７５kgf/cm2（ゲージ圧）で行った。ま
た、塗布停止及び中断時のサックバックの時間は１０ミ
リ秒で、減圧度の最大値は５０mmHgであった。
シリコンウェハ（チップ数２００個）上に図１で示すよ
うな精密塗布装置により、同図のディスペンスノズルと
して図３に示すような単一制御単一ノズルを用いて、２
００μｍのスクライブライン及びチップ周辺のワイヤボ
ンディングエリア以外のチップ表面に塗布した。上記の
単一制御単一ノズルの孔の大きさは、奥行き０．８mm、
幅０．４mmのものである。塗布条件は、塗布速度２０mm
/s、ノズルとウェハ間の距離７０μｍ、気体（空気）の
印加圧力０．７５kgf/cm2（ゲージ圧）で行った。ま
た、塗布停止及び中断時のサックバックの時間は１０ミ
リ秒で、減圧度の最大値は５０mmHgであった。
【０１３１】印刷したパターンを光学顕微鏡で観察した
結果、糸引き及びだれは観察されなかった。
結果、糸引き及びだれは観察されなかった。
【０１３２】また、このポリイミド樹脂ペーストが塗布
されたウエハを１４０℃で１５分、２００℃で１５分、
さらに２７０℃で６０分間加熱処理して膜厚１８±２μ
ｍと膜厚が均一で１８０μｍのスクライブラインが形成
されたポリイミド樹脂硬化膜付き半導体ウエハを得た。
されたウエハを１４０℃で１５分、２００℃で１５分、
さらに２７０℃で６０分間加熱処理して膜厚１８±２μ
ｍと膜厚が均一で１８０μｍのスクライブラインが形成
されたポリイミド樹脂硬化膜付き半導体ウエハを得た。
【０１３３】このポリイミド樹脂膜付きガラス板からポ
リイミド樹脂膜を剥がしたフィルムについて、セイコー
電子工業株式会社製熱物理試験機ＴＭＡ１２０型により
試料寸法３mm×２０mm、荷重８ｇ、昇温速度５℃/minで
ガラス転移温度（以下、Ｔｇと略す）を測定したところ
２６５℃であった。また、このフィルムは均一透明であ
った。
リイミド樹脂膜を剥がしたフィルムについて、セイコー
電子工業株式会社製熱物理試験機ＴＭＡ１２０型により
試料寸法３mm×２０mm、荷重８ｇ、昇温速度５℃/minで
ガラス転移温度（以下、Ｔｇと略す）を測定したところ
２６５℃であった。また、このフィルムは均一透明であ
った。
【０１３４】前記で得られたポリイミド樹脂膜付きウエ
ハをダイシングして１０mm×１０mm角のバッファコート
膜付き半導体チップとし、これに４２合金製リードフレ
ームを温度３００℃、圧力０．１MPa、時間５秒で圧着
し、該リードフレームと半導体チップをボンディングパ
ッド部を介して金製ボンディングワイヤで接合し、さら
にビフェニル型エポキシ樹脂封止材ＣＥＬ−９２００
（日立化成工業株式会社製）でトランスファ成形し、Ｌ
ＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体パッケージを得た。
これを用いて、回路作動試験を行った結果、リーク及び
オープン不良は一切なく、正常に作動した。この結果か
ら、前記、塗布による回路へのダメージまたは封止材硬
化時に発生するガスの影響等によるワイヤボンディング
不良は一切ないことが判明した。
ハをダイシングして１０mm×１０mm角のバッファコート
膜付き半導体チップとし、これに４２合金製リードフレ
ームを温度３００℃、圧力０．１MPa、時間５秒で圧着
し、該リードフレームと半導体チップをボンディングパ
ッド部を介して金製ボンディングワイヤで接合し、さら
にビフェニル型エポキシ樹脂封止材ＣＥＬ−９２００
（日立化成工業株式会社製）でトランスファ成形し、Ｌ
ＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体パッケージを得た。
これを用いて、回路作動試験を行った結果、リーク及び
オープン不良は一切なく、正常に作動した。この結果か
ら、前記、塗布による回路へのダメージまたは封止材硬
化時に発生するガスの影響等によるワイヤボンディング
不良は一切ないことが判明した。
【０１３５】引き続いて得られたパッケージを８５℃、
８５％ＲＨ（相対湿度）１６８時間吸湿させた後、赤外
線リフロー（２４０℃、１０秒）を行ったが、パッケー
ジクラック及びふくれの発生は一切なく、バッファコー
ト膜とリードフレーム接着剤を兼用できるポリイミド膜
がスクリーン印刷により形成できることが示された。
８５％ＲＨ（相対湿度）１６８時間吸湿させた後、赤外
線リフロー（２４０℃、１０秒）を行ったが、パッケー
ジクラック及びふくれの発生は一切なく、バッファコー
ト膜とリードフレーム接着剤を兼用できるポリイミド膜
がスクリーン印刷により形成できることが示された。
【０１３６】実施例２ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び油水分離器付き冷
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコにＢΑＰＰ８
９．０９ｇ（０．２１７モル）、ＤＳＤＡ１１９．５９
ｇ（０．３３４モル）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以
下、ＨΑＢ−６Ｆと略す）４２．８５ｇ（０．１１７モ
ル）、ＢＬ３７７ｇを窒素ガスを通しながら仕込んだ。
撹拌下、５０〜６０℃で１時間反応を進めた後、１９５
℃に昇温し、同温度で５時間反応を進めた。途中、留出
する水を反応系外にすみやかに除去した。得られた溶液
をＢＬで希釈して樹脂分濃度４０重量％のポリイミド樹
脂（数平均分子量１３，０００）溶液を得た。
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコにＢΑＰＰ８
９．０９ｇ（０．２１７モル）、ＤＳＤＡ１１９．５９
ｇ（０．３３４モル）、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
−３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン（以
下、ＨΑＢ−６Ｆと略す）４２．８５ｇ（０．１１７モ
ル）、ＢＬ３７７ｇを窒素ガスを通しながら仕込んだ。
撹拌下、５０〜６０℃で１時間反応を進めた後、１９５
℃に昇温し、同温度で５時間反応を進めた。途中、留出
する水を反応系外にすみやかに除去した。得られた溶液
をＢＬで希釈して樹脂分濃度４０重量％のポリイミド樹
脂（数平均分子量１３，０００）溶液を得た。
【０１３７】撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに実施例１の溶
剤を含む固形のフィラー用ポリイミド樹脂（樹脂分濃度
３０重量％）４００ｇを砕いて入れ１８０℃に昇温し
た。同温度で１時間撹拌して均一な溶液とした後、これ
に上記のポリイミド樹脂溶液（樹脂分濃度４０重量％）
３００ｇを加えて更に１８０℃で１時間撹拌を続けた。
約４時間で２３℃に冷却したものをそのまま２３℃で１
週間放置したところ、ポリイミド樹脂溶液中にポリイミ
ド樹脂微粒子（平均粒径：約２μｍ）が析出、分散した
ペーストを得た。このペーストにＧＰＳ４８ｇを加え、
室温で十分に混合した後、ＢＬで希釈して樹脂分濃度２
３重量％とした。得られたポリイミド樹脂ペーストの粘
度は１５Pa・s（２５℃）、チキソトロピー係数は２．８
であった。
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに実施例１の溶
剤を含む固形のフィラー用ポリイミド樹脂（樹脂分濃度
３０重量％）４００ｇを砕いて入れ１８０℃に昇温し
た。同温度で１時間撹拌して均一な溶液とした後、これ
に上記のポリイミド樹脂溶液（樹脂分濃度４０重量％）
３００ｇを加えて更に１８０℃で１時間撹拌を続けた。
約４時間で２３℃に冷却したものをそのまま２３℃で１
週間放置したところ、ポリイミド樹脂溶液中にポリイミ
ド樹脂微粒子（平均粒径：約２μｍ）が析出、分散した
ペーストを得た。このペーストにＧＰＳ４８ｇを加え、
室温で十分に混合した後、ＢＬで希釈して樹脂分濃度２
３重量％とした。得られたポリイミド樹脂ペーストの粘
度は１５Pa・s（２５℃）、チキソトロピー係数は２．８
であった。
【０１３８】上記のポリイミド樹脂ペーストを８インチ
シリコンウェハ（チップ数２００個）上に図１で示すよ
うな精密塗布装置により、同図のディスペンスノズルと
して図４に示すような単一制御多点ノズルを用いて、２
００μｍのスクライブライン及びチップ周辺のワイヤボ
ンディングエリア以外のチップ表面に塗布した。上記の
単一制御多点ノズルの孔の大きさは０．３５mmφ、孔の
個数は１０個、孔と孔のピッチ（中心点間の距離）０．
５mmであった。塗布条件は、塗布速度２０ｍｍ／ｓ、ノ
ズルとウェハ間の距離７０μｍ、気体（空気）の印加圧
力は０．３８ｋｇｆ／ｃｍ２で行った。また、塗布停止
及び中断時のサックバックの時間は１０ミリ秒で、減圧
度の最大値は５０mmHgであった。
シリコンウェハ（チップ数２００個）上に図１で示すよ
うな精密塗布装置により、同図のディスペンスノズルと
して図４に示すような単一制御多点ノズルを用いて、２
００μｍのスクライブライン及びチップ周辺のワイヤボ
ンディングエリア以外のチップ表面に塗布した。上記の
単一制御多点ノズルの孔の大きさは０．３５mmφ、孔の
個数は１０個、孔と孔のピッチ（中心点間の距離）０．
５mmであった。塗布条件は、塗布速度２０ｍｍ／ｓ、ノ
ズルとウェハ間の距離７０μｍ、気体（空気）の印加圧
力は０．３８ｋｇｆ／ｃｍ２で行った。また、塗布停止
及び中断時のサックバックの時間は１０ミリ秒で、減圧
度の最大値は５０mmHgであった。
【０１３９】印刷したパターンを光学顕微鏡で観察した
結果、糸引き及びだれは観察されなかった。また、塗布
パターンの位置精度は、±３０μｍと良好であった。
結果、糸引き及びだれは観察されなかった。また、塗布
パターンの位置精度は、±３０μｍと良好であった。
【０１４０】また、上記のポリイミド樹脂ペーストが塗
布されたウエハを１４０℃で１５分、２００℃で１５
分、さらに２７０℃で６０分間加熱処理して膜厚１８±
２μｍと膜厚が均一で１８０μｍのスクライブラインが
形成されたポリイミド樹脂硬化膜付き半導体ウエハを得
た。
布されたウエハを１４０℃で１５分、２００℃で１５
分、さらに２７０℃で６０分間加熱処理して膜厚１８±
２μｍと膜厚が均一で１８０μｍのスクライブラインが
形成されたポリイミド樹脂硬化膜付き半導体ウエハを得
た。
【０１４１】このポリイミド樹脂膜付きガラス板からポ
リイミド樹脂膜を剥がしたフィルムについて、実施例１
と同様にして測定したガラス転移温度は２５６℃であっ
た。また、このフィルムは均一透明であった。
リイミド樹脂膜を剥がしたフィルムについて、実施例１
と同様にして測定したガラス転移温度は２５６℃であっ
た。また、このフィルムは均一透明であった。
【０１４２】前記で得られたポリイミド樹脂膜付きウエ
ハをダイシングして１０mm×１０mm角のバッファコート
膜付き半導体チップとし、これに４２合金製リードフレ
ームを温度３００℃、圧力０．１MPa、時間５秒で圧着
し、該リードフレームと半導体チップをボンディングパ
ッド部を介して金製ボンディングワイヤで接合し、さら
にビフェニル型エポキシ樹脂封止材ＣＥＬ−９２００
（日立化成工業株式会社製）でトランスファ成形し、Ｌ
ＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体パッケージを得た。
これを用いて、回路作動試験を行った結果、リーク及び
オープン不良は一切なく、正常に作動した。この結果か
ら、前記、塗布による回路へのダメージまたは封止材硬
化時に発生するガスの影響等によるワイヤボンディング
不良は一切ないことが判明した。
ハをダイシングして１０mm×１０mm角のバッファコート
膜付き半導体チップとし、これに４２合金製リードフレ
ームを温度３００℃、圧力０．１MPa、時間５秒で圧着
し、該リードフレームと半導体チップをボンディングパ
ッド部を介して金製ボンディングワイヤで接合し、さら
にビフェニル型エポキシ樹脂封止材ＣＥＬ−９２００
（日立化成工業株式会社製）でトランスファ成形し、Ｌ
ＯＣ（Lead On Chip）構造の半導体パッケージを得た。
これを用いて、回路作動試験を行った結果、リーク及び
オープン不良は一切なく、正常に作動した。この結果か
ら、前記、塗布による回路へのダメージまたは封止材硬
化時に発生するガスの影響等によるワイヤボンディング
不良は一切ないことが判明した。
【０１４３】引き続いて得られたパッケージを８５℃、
８５％ＲＨ（相対湿度）１６８時間吸湿させた後、赤外
線リフロー（２４０℃、１０秒）を行ったが、パッケー
ジクラック及びふくれの発生は一切なく、バッファコー
ト膜とリードフレーム接着剤を兼用できるポリイミド膜
がスクリーン印刷により形成できることが示された。
８５％ＲＨ（相対湿度）１６８時間吸湿させた後、赤外
線リフロー（２４０℃、１０秒）を行ったが、パッケー
ジクラック及びふくれの発生は一切なく、バッファコー
ト膜とリードフレーム接着剤を兼用できるポリイミド膜
がスクリーン印刷により形成できることが示された。
【０１４４】比較例１ 実施例１で得られたポリイミド樹脂ぺースト（樹脂分濃
度３３重量％）にＢＬを加えて樹脂分濃度を１５重量％
に希釈した。このぺーストの粘度は０．５Pa・s、チキソ
トロピー係数は１．２であった。このぺーストを実施例
１と同様の精密塗布装置とデイスペンスノズルを用いて
８インチシリコンウェハ上に塗布しようとしたが、塗布
動作に入る前にぺーストがディスペンスノズルから液ダ
レしてしまうため、２００μｍのスクライブライン及び
チップ周辺のワイヤーボンディングエリアにもぺースト
が塗布されてしまった。また、実施例２と同様の精密塗
布装置とディスペンスノズルを用いたとき若干液ダレが
改善された程度に過ぎず、ほぼ同様の結果であった。
度３３重量％）にＢＬを加えて樹脂分濃度を１５重量％
に希釈した。このぺーストの粘度は０．５Pa・s、チキソ
トロピー係数は１．２であった。このぺーストを実施例
１と同様の精密塗布装置とデイスペンスノズルを用いて
８インチシリコンウェハ上に塗布しようとしたが、塗布
動作に入る前にぺーストがディスペンスノズルから液ダ
レしてしまうため、２００μｍのスクライブライン及び
チップ周辺のワイヤーボンディングエリアにもぺースト
が塗布されてしまった。また、実施例２と同様の精密塗
布装置とディスペンスノズルを用いたとき若干液ダレが
改善された程度に過ぎず、ほぼ同様の結果であった。
【０１４５】比較例２ 粘度が０．０３Pa・sのｇ線ポジ型フォトレジストＴＳＭ
Ｒ−８８００（東京応化製商品名）を実施例１と同様の
精密塗布装置とデイスペンスノズルを用いて８インチシ
リコンウェハ上に塗布しようとしたが、塗布動作に入る
前にぺーストがディスペンスノズルから液ダレしてしま
うため、２００μｍのスクライブライン及びチップ周辺
のワイヤーボンディングエリアにもぺーストが塗布され
てしまった。また、実施例２と同様の精密塗布装置とデ
ィスペンスノズルを用いたとき若干液ダレが改善された
程度に過ぎず、ほぼ同様の結果であった。
Ｒ−８８００（東京応化製商品名）を実施例１と同様の
精密塗布装置とデイスペンスノズルを用いて８インチシ
リコンウェハ上に塗布しようとしたが、塗布動作に入る
前にぺーストがディスペンスノズルから液ダレしてしま
うため、２００μｍのスクライブライン及びチップ周辺
のワイヤーボンディングエリアにもぺーストが塗布され
てしまった。また、実施例２と同様の精密塗布装置とデ
ィスペンスノズルを用いたとき若干液ダレが改善された
程度に過ぎず、ほぼ同様の結果であった。
【０１４６】比較例３ 撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び油水分離器付き冷
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコにＢΑＰＰ７
３．９０ｇ（０．１８モル）ＤＳＤＡ１１９．５９ｇ
（０．３３４モル）、１，３−ジアミノ−５−カルボキ
シベンゼン１７．７８ｇ（０．１１７モル）、ＢＬ２４
６ｇを窒素ガスを通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜
６０℃で１時間反応を進めた後、１９５℃に昇温し、同
温度で５時間反応を進めた。途中、留出する水を反応系
外にすみやかに除去した。得られた溶液をＢＬで希釈し
て樹脂分濃度４５重量％のポリイミド樹脂（数平均分子
量１０，０００）溶液を得た。
却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコにＢΑＰＰ７
３．９０ｇ（０．１８モル）ＤＳＤＡ１１９．５９ｇ
（０．３３４モル）、１，３−ジアミノ−５−カルボキ
シベンゼン１７．７８ｇ（０．１１７モル）、ＢＬ２４
６ｇを窒素ガスを通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜
６０℃で１時間反応を進めた後、１９５℃に昇温し、同
温度で５時間反応を進めた。途中、留出する水を反応系
外にすみやかに除去した。得られた溶液をＢＬで希釈し
て樹脂分濃度４５重量％のポリイミド樹脂（数平均分子
量１０，０００）溶液を得た。
【０１４７】撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び油水
分離器付き冷却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコ
にＢΑＰＰ１０２．６４ｇ（０．２５モル）、ＯＤＰΑ
７７．５５ｇ（０．２５モル）及びＢＬ２７０ｇを窒素
ガスを通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜６０℃で１
時間反応を進めた後、１９５℃に昇温し、同温度で５時
間反応を進めた。途中、留出する水を反応系外にすみや
かに除去した。得られた溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃
度４０重量％とし、引き続き２３℃で１ケ月放置したと
ころ、塊状のフィラー用ポリイミド樹脂（数平均分子量
１５，０００）が析出した。
分離器付き冷却管を備えた１０００mlの四つ口フラスコ
にＢΑＰＰ１０２．６４ｇ（０．２５モル）、ＯＤＰΑ
７７．５５ｇ（０．２５モル）及びＢＬ２７０ｇを窒素
ガスを通しながら仕込んだ。撹拌下、５０〜６０℃で１
時間反応を進めた後、１９５℃に昇温し、同温度で５時
間反応を進めた。途中、留出する水を反応系外にすみや
かに除去した。得られた溶液をＢＬで希釈して樹脂分濃
度４０重量％とし、引き続き２３℃で１ケ月放置したと
ころ、塊状のフィラー用ポリイミド樹脂（数平均分子量
１５，０００）が析出した。
【０１４８】撹拌機、温度計、窒素ガス導入管及び冷却
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに、上記の塊状
のフィラー用ポリイミド樹脂を上記溶剤の存在下にボー
ルミルで砕いてから、樹脂分濃度４０重量％でフィラー
用ポリイミドと溶剤の合計が１５０ｇになるように入
れ、１８０℃に昇温した。同温度で１時間撹拌して均一
な溶液とした後、これに上記のポリイミド樹脂溶液（樹
脂分濃度４５重量％）２６７ｇを加えて更に１８０℃で
１時間撹拌を続けた。約１時間で２３℃に冷却したもの
をそのまま２３℃で１ケ月放置したところポリイミド樹
脂溶液中にポリイミド樹脂微粒子（平均粒径：約４μ
ｍ）が析出、分散したペーストを得た。このペーストに
ＧＰＳ ２７ｇを加え、室温で十分に混合した後、ＢＬ
で希釈して樹脂分濃度４３重量％とした。
管を備えた１０００mlの四つ口フラスコに、上記の塊状
のフィラー用ポリイミド樹脂を上記溶剤の存在下にボー
ルミルで砕いてから、樹脂分濃度４０重量％でフィラー
用ポリイミドと溶剤の合計が１５０ｇになるように入
れ、１８０℃に昇温した。同温度で１時間撹拌して均一
な溶液とした後、これに上記のポリイミド樹脂溶液（樹
脂分濃度４５重量％）２６７ｇを加えて更に１８０℃で
１時間撹拌を続けた。約１時間で２３℃に冷却したもの
をそのまま２３℃で１ケ月放置したところポリイミド樹
脂溶液中にポリイミド樹脂微粒子（平均粒径：約４μ
ｍ）が析出、分散したペーストを得た。このペーストに
ＧＰＳ ２７ｇを加え、室温で十分に混合した後、ＢＬ
で希釈して樹脂分濃度４３重量％とした。
【０１４９】このぺーストの粘度は３０００Pa・s（２５
℃）、チキソトロピー係数は８以上であった。このぺー
ストを実施例１と同様の精密塗布装置とディスペンスノ
ズルを用いて８インチシリコンウェハ上に塗布したが、
ぺースト中に脱泡できない泡が多量に存在するため、ぺ
ーストが吐出される際にこの泡による圧損が生じ、連続
的な欠損のないパターン膜形成ができなかった。また、
粘度が高すぎるため作業性に著しく劣るものであった。
℃）、チキソトロピー係数は８以上であった。このぺー
ストを実施例１と同様の精密塗布装置とディスペンスノ
ズルを用いて８インチシリコンウェハ上に塗布したが、
ぺースト中に脱泡できない泡が多量に存在するため、ぺ
ーストが吐出される際にこの泡による圧損が生じ、連続
的な欠損のないパターン膜形成ができなかった。また、
粘度が高すぎるため作業性に著しく劣るものであった。
【０１５０】
【発明の効果】本発明におけるパターン膜の製造法によ
れば、パターン形成のためのフォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィー工程を省略でき、３００mm程度の大
口径シリコンウェハや大型ガラス基板における個々のチ
ップサイズの均一膜厚のパターン膜を形成でき、また、
印刷のマスクや版も必要ないため、マスクや版の劣化や
汚染がなく、被塗布部材を傷めたり、汚染したりする危
険性もなく、従来の方法では為し得なかった簡便さ、低
コスト、高歩留、高信頼性を持ち、しかも、液切れよく
パターン膜を生産性よく形成することができる。さら
に、例えば、半田ボールの位置決め用スペース等を確保
することができるパターン膜の形成もできる。また、太
さや間隔の様々な所望の縞状パターン膜の形成もでき
る。さらに、半導体製造プロセス中に印加させる高熱に
対して耐性のあるパターン膜の形成もできる。さらに、
吸湿を防ぎ、塗膜表面の変質により膜厚均一性を損なう
問題を解決したパターン膜の形成や解像性の優れたパタ
ーン膜の形成ができる。
れば、パターン形成のためのフォトレジストを用いたフ
ォトリソグラフィー工程を省略でき、３００mm程度の大
口径シリコンウェハや大型ガラス基板における個々のチ
ップサイズの均一膜厚のパターン膜を形成でき、また、
印刷のマスクや版も必要ないため、マスクや版の劣化や
汚染がなく、被塗布部材を傷めたり、汚染したりする危
険性もなく、従来の方法では為し得なかった簡便さ、低
コスト、高歩留、高信頼性を持ち、しかも、液切れよく
パターン膜を生産性よく形成することができる。さら
に、例えば、半田ボールの位置決め用スペース等を確保
することができるパターン膜の形成もできる。また、太
さや間隔の様々な所望の縞状パターン膜の形成もでき
る。さらに、半導体製造プロセス中に印加させる高熱に
対して耐性のあるパターン膜の形成もできる。さらに、
吸湿を防ぎ、塗膜表面の変質により膜厚均一性を損なう
問題を解決したパターン膜の形成や解像性の優れたパタ
ーン膜の形成ができる。
【０１５１】本発明における電子部品は、また、簡便、
低コスト、高歩留、高信頼性を持つパターン膜の製造法
により配線板またはフレキシブルなテープ状基板に膜を
形成して製造することができる。
低コスト、高歩留、高信頼性を持つパターン膜の製造法
により配線板またはフレキシブルなテープ状基板に膜を
形成して製造することができる。
【図１】本発明に用いる塗布装置の一例を示す概略図で
ある。
ある。
【図２】図１の塗布装置における圧力弁制御チャートで
ある。
ある。
【図３】単一制御単一ノズルの一例である。
【図４】単一制御多点ノズルの一例である。
【図５】単一制御多点ノズルの他の一例である。
【図６】多点制御多点ノズルの一例である。
【図７】多点制御多点ノズルの他の一例である。
【図８】多点制御多点ノズルの他の一例である。
１ 基板 ２ θ軸回転テーブル上 ３ Ｘ軸移動装置 ４ Ｙ軸移動装置 ５ ディスペンサーノズル ６ 円筒容器 ７ Ｚ軸昇降機 ８ 加圧源接続制御弁 ９ 真空源接続制御弁 １０ 大気開放制御弁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平井 圭三 茨城県日立市東町四丁目13番１号 日立化 成工業株式会社茨城研究所内
Claims (19)
- 【請求項１】 有機または無機の粘性材料を被塗布部材
に塗布するに際し、粘性材料のノズルからの吐出速度を
粘性材料に印加する気体の圧力を変化させることにより
調整しつつ塗布して所望のパターンを形成することを特
徴とするパターン膜の製造法。 - 【請求項２】 粘性材料の粘度が１〜１０００Pa・sであ
る請求項１記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項３】 粘性材料がチクソトロピック性を示すも
のであるである請求項１または２記載のパターン膜の製
造法。 - 【請求項４】 粘性材料の吐出するノズルかまたは被塗
布部材のいずれか一方または両方を平行または回転移動
させる請求項１〜３のいずれかに記載のパターン膜の製
造法。 - 【請求項５】 ノズルが、塗布走行方向に対し直角に幅
広の形状を有し、その底面に１個または複数個の吐出口
を有するものである請求項１記載のパターン膜の製造
法。 - 【請求項６】 ノズルが、奥行０．０１〜１mmで、且
つ、幅０．１〜５０mmのスリット状吐出口を１つまたは
複数個有するものである請求項１または５記載のパター
ン膜の製造法。 - 【請求項７】 ノズルが、孔の直径０．０１〜１mmの円
形吐出口を０．０１〜１mmの間隔で複数個有するもので
ある請求項１または５記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項８】 ノズルが、複数個の吐出口内の粘性材料
に、それぞれ独立に、圧力を印加することができる構造
を有する請求項１または５記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項９】 有機の粘性材料が、アミド結合、イミド
結合、エステル結合又はエーテル結合を有する耐熱性樹
脂を含有するものである請求項１記載のパターン膜の製
造法。 - 【請求項１０】 前記耐熱性樹脂が、分子中にヒドロキ
シル基、アミノ基又はカルボキシル基を有する耐熱性樹
脂７０〜９９．９重量部に対し、ヒドロキシル基、アミ
ノ基又はカルボキシル基と化学的に結合し得る官能基を
有する橋架け剤０．１〜３０重量部を両者の合計量が１
００重量部になるよう配合して得られる耐熱性樹脂組成
物である請求項９記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項１１】 前記耐熱性樹脂が、ポリイミド樹脂、
ポリアミドイミド樹脂又はこれらの前駆体である請求項
９又は１０記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項１２】 有機の粘性材料が、さらに有機溶剤を
含有するものである請求項９〜１１のいずれかに記載の
パターン膜の製造法。 - 【請求項１３】 有機の粘性材料が、前記耐熱性樹脂３
０〜９９重量部に対し、無機微粒子又は有機微粒子１〜
７０重量部を両者の合計量が１００重量部になるように
含有するものである請求項９〜１２のいずれかに記載の
パターン膜の製造法。 - 【請求項１４】 有機微粒子が、平均粒子径２０μｍ以
下のアミド結合、イミド結合、エステル結合又はエーテ
ル結合を有する耐熱性樹脂の微粒子である請求項１３記
載のパターン膜の製造法。 - 【請求項１５】 有機の粘性材料が、加熱乾燥前には耐
熱性樹脂及び有機溶剤を含む均一相に対して有機微粒子
は不均一相として存在し、加熱乾燥後には耐熱性樹脂及
び有機微粒子を必須成分として含む均一相が形成される
ものである請求項１３又は１４記載のパターン膜の製造
法。 - 【請求項１６】 有機の粘性材料の粘度が１００〜４０
０Pa・s、チキソトロピー係数が２．０〜５．０である請
求項９〜１５いずれかに記載のパターン膜の製造法。 - 【請求項１７】 パターン膜が半導体層間絶縁膜、平坦
化膜、バッファコート膜、ダイボンディング膜、ＬＯＣ
用緩衝膜、ＬＯＣ用接着膜、液晶配向膜又は異方性導電
膜である請求項１〜１６のずれかに記載のパターン膜の
製造法。 - 【請求項１８】 被塗布部材である電子または電気装置
用基板上に請求項１〜１７のずれかに記載のパターン膜
の製造法により膜を形成してなる電子部品。 - 【請求項１９】 電子または電気装置用基板が、ガラス
基板、配線板、フレキシブルなテープ、シリコンウェ
ハ、半導体チップ、リードフレームである請求項１８記
載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15653098A JPH11347478A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | パターン膜の製造法及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15653098A JPH11347478A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | パターン膜の製造法及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11347478A true JPH11347478A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=15629815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15653098A Pending JPH11347478A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | パターン膜の製造法及び電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11347478A (ja) |
Cited By (16)
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-
1998
- 1998-06-05 JP JP15653098A patent/JPH11347478A/ja active Pending
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