KR100262902B1 - 현상처리장치 및 현상처리방법 - Google Patents

현상처리장치 및 현상처리방법 Download PDF

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KR100262902B1
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노리미쓰 모리오카
요시오 기무라
고스케 요시하라
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다카시마 히로시
도오교오 에레구토론큐우슈우 가부시키가이샤
히가시 데쓰로
동경 엘렉트론주식회사
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Abstract

현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓인 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 척과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액노즐과, 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 스핀척과 실질적으로 같은 축에 설치되고, 그 직경이 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 책체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하고, 막형성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한, 바깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사하고, 또한, 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가진다.

Description

현상처리장치 및 현상처리방법
제1도는 반도체웨이퍼용의 도포현상처리 시스템을 나타내는 사시도.
제2도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리장치를 나타내는 블록 단면도.
제3도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리장치를 나타내는 단면도.
제4도는 액체밀폐 링의 평면도.
제5도는 액체밀폐 링의 확대단면도.
제6도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리장치에 있어서의 스핀척상의 웨이퍼, 액체밀폐 링, 및 제2의 세정액노즐을 각각 나타내는 부분단면도.
제7도는 본 발명의 실시형태에 관한 현상처리방법을 나타내는 플로우 챠트.
제8(a)도 내지 제8(d)도는 다른 실시형태의 현상처리방법을 설명하기 위한 현상처리장치를 모식적으로 나타낸 개요 단면도.
제9(a)도 및 제9(b)도는 웨이퍼 및 액체밀폐 링의 일부를 나타내는 확대단면도.
제10도는 액체밀폐 링의 꼭대기면의 폭 A과 현상액의 돌아돌아감 발생수 n(매)의 관계를 나타내는 특성선도.
제11도는 본 발명의 다른 실시형태에 관한 현상처리장치를 절결하여 내부를 나타내는 블록단면도.
제12도는 스핀척상의 웨이퍼, 액체밀폐 링, 및 제2의 세정액 노즐을 각각 나타내는 부분단면도.
제13도는 다른 형태의 액체밀폐 링을 부분적으로 절결하여 나타낸 사시도.
제14도는 다른 형태의 액체밀폐 링을 부분적으로 절결하여 나타낸 사시도.
제15도는 다른 형태의 액체밀폐 링을 부분적으로 절결하여 나타낸 사시도.
제16도는 본 발명의 다른 실시형태에 관한 현상처리방법을 나타내는 플로우 챠트.
제17(a)도 내지 제17(d)도는 다른 실시형태의 현상처리방법을 설명하기 위한 현상처리장치를 모식적으로 나타내는 개요 단면도.
제18(a)도 내지 제18(d)도는 다른 다른 실시형태의 현상처리방법을 설명하기 위한 현상처리장치를 모식적으로 나타내는 개요단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 레지스트 도포현상 처리시스템 3 : 카세트 스테이션
4 : 보조아암 5 : 아암로보트
6, 6a : 처리부 7 : 브러시 스크래버
7a : 수세장치 8 : 현상처리장치
9 : 베이킹 장치 11 : 어드히젼 처리장치
12 : 크리닝 장치 13 : 레지스트 도포장치
20 : 컵 21 : 스핀척
22 : 공급원 23 : 노즐
24 : 액체밀폐 링 24a : 액면
24b : 플랜지부 24c : 오목한 곳
24d : 볼트구멍 24e : 볼트
25 : 외부용기 26 : 내부용기
27 : 진공펌프 28 : 배기통로
29 : 폐액통로 31 : 세정액용 노즐
32 : 세정액용 노즐 33 : 모우터
34 : 승강기구 35 : 콘트롤러
36 : 챔버 40 : 꼭대기면
40a : 수직벽 40b : 경사벽
41 : 홈 42 : 안쪽 링부
43 : 바깥쪽 링부 44 : 배출구멍
50 : 현상액 59 : 간극
60 : 세정액(린스액)
본 발명은, 반도체웨이퍼와 같은 기판을 현상처리하는 현상처리장치 및 현상처리방법에 관한 것으로서, 특히 기판의 뒷면쪽으로의 현상액의 부착을 방지하는 현상처리장치 및 현상처리방법에 관한 것이다.
포토리소그래피 기술을 이용하여 반도체장치를 제조하는 경우에, 반도체웨이퍼의 한쪽에 포토레지스트를 도포하고, 포토레지스트에 회로패턴을 전사하고, 이것을 현상한다. 현상처리공정에 있어서는, 웨이퍼를 스핀회전시키면서 레지스트 도포면에 현상액을 가한다. 그러나, 현상액이 레지스트 도포면으로부터 뒷면으로 돌아들어가, 웨이퍼 뒷면이나 스핀척에 현상액이 부착하면, 이 부착현상액이 반송아암이나 얹어놓는대로 이행하여 이들을 오염한다고 하는 문제가 생긴다.
이러한 현상액의 웨이퍼 뒷면쪽으로의 돌아들어감을 방지하기 위하여, 종래의 장치에서는 웨이퍼 뒷면의 전체면에 걸쳐서 연속적으로 세정액을 분사하고 있다. 그러나, 종래의 장치에 있어서는, 웨이퍼 뒷면으로의 세정액의 연속분사에 의하여 레지스트 도포면(피처리면)측이 열적인 영향을 받으므로, 현상처리의 불균일(현상얼룩)이 생긴다.
일본국 특공평 3-34207호 공보 및 특개평 7-45514호 공보의 각각은, 웨이퍼뒷면의 둘레부에 고리형상의 미소한 간극을 형성하고, 이 고리형상의 미소간극에 현상액을 포착함으로써, 웨이퍼 뒷면의 중앙영역까지 현상액이 확대하는 것을 방지하는 장치를 개시하고 있다. 그러나, 이들 종래의 장치로는, 스핀척상에서는, 현상액을 고리형상의 미소간극으로부터 완전하게 제거하는 것이 불가능하므로, 현상액이 웨이퍼 뒷면의 둘레부에 부착 잔류하고 만다. 이 때문에, 스핀척으로부터 웨이퍼를 빼낸후에, 다음 공정에서 웨이퍼 뒷면을 세정할 필요가 있으므로, 수율이 저하한다.
본 발명의 목적으로 하는 것은, 기판의 뒷면(현상처리하지 않는 쪽의 면) 및 스핀척의 기판 얹어놓는면이 현상액에 의하여 오염되는 일이 없이, 높은 수율로 도포레지스트를 현상하는 것이 가능한 현상처리장치 및 현상처리방법을 제공함에 있다.
그런데, 특개평 6-310418호 공보는, 웨이퍼 뒷면의 둘레부에서 고리 형상으로 연속하는 액막을 형성하고, 이 액막에 혼입한 현상액을 세정액의 분사에 의하여 제거하는 기술을 개시하고 있다. 그러나, 동 공보기재의 기술에 있어서는, 액막에 혼입한 현상액을 완전하게 제거하는 것이 불가능하고, 현상액이 웨이퍼 뒷면에 잔류한다. 그래서, 본 발명자 등은, 세정액의 액막에 현상액이 혼입하기 어렵도록 액막형성수단의 구조에 대하여 계속하여 연구한 결과, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명에 관한 현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓는 면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓은 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은 축에 형성되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접하여 대면하고 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한 바깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사지고, 또한 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가지며, 상기 액막형성부는, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하고, 상기 제1의 벽부는, 상기 간극보다 안쪽의 영역에 현상액이 침입하는 것을 저지하고, 상기 제2의 벽부는, 상기 간극으로부터 현상액이 배출하는 것을 촉진한다.
또한, 현상처리장치는, 기판보다 작은 크기의 얹어놓은면을 가지며, 이 얹어놓은면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓은 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은 축에 형성되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접하여 대면하고 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 실질적으로 평탄한 면을 가지고, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성한다.
또한, 본 발명의 현상액 처리방법은, (a) 레지스트 도포면이 위를 향하도록 기판을 챔버내에서 스핀척에 의하여 유지함과 함께, 이 기판의 뒷면의 둘레부에 액막형성수단을 근접대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (b) 챔버내의 배기를 개시함과 함께, 기판을 제1의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (c) 기판의 회전을 정지시킴과 함게, 챔버내의 배기를 정지하고, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하여 챔버내에서 도포레지스트를 현상 하는 공정과, (d) 기판을 제2의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 가진다.
또한, 본 발명의 현상처리방법은, (a) 레지스트 도포면이 위를 향하도록 기판을 스핀척에 의하여 유지함과 함께, 이 기판의 뒷면의 둘레부에 액막형성수단을 근접 대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (b) 기판을 제1의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (c) 기판의 회전을 일시 정지시켜, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하면서 기판을 제2의 회전속도로 회전시키는 공정과, (d) 기판의 회전을 정지시켜, 기판정지상태로 현상액을 도포레지스트에 작용시키는 공정과, (e) 기판을 제3의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 가진다.
제10도에 나타낸 바와 같이, 액체밀폐 링의 꼭대기면의 폭 A(A2)가 5mm를 밑돌면, 액막이 깨져버려, 연속하는 액막이 형성되지 않게 된다. 한편, 폭 A(A2)이 15mm를 넘으면, 두꺼운 액막에 현상액이 과잉으로 혼입하고, 또한 많은 현상액이 기판의 뒷면쪽에 잔류하여 버린다. 이와같은 이유로부터 액체밀폐 링의 꼭대기면의 폭 A을 5∼15mm의 범위내로 할 필요가 있다.
또한, 기판과 액체밀폐링의 꼭대기면과의 간격 B이 0.5mm를 밑돌면, 고속스핀회전시에 기판이 액체밀폐 링의 꼭대기면에 접촉하고, 파티클이 발생하거나, 기판이 상처를 입게 되거나 한다. 한편, 간격 B이 1.5mm를 넘으면, 액막이 불안정하게 된다. 이러한 이류로부터 기판과 액체밀폐 링의 꼭대기면의 간격 B을 0.5∼1.5mm의 범위내로 할 필요가 있다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시의 형태에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서는 반도체웨이퍼용의 레지스트 도포현상처리 시스템에 본 발명의 현상처리장치를 이용한 경우에 대하여 설명한다.
제1도에 나타낸 바와 같이, 레지스트 도포현상 처리시스템(1)은 카세트 스테이션(3) 및 2개의 처리부(6),(6A)를 구비하고 있다. 카세트 스테이션(3)에는 웨이퍼 W의 반입반출과 위치결정을 행하는 보조아암(4)이 설치되어 있다. 제1의 처리부(6)는 복수의 처리유니트(7), (7A), (8), (9)와, 중앙통로 및 아암로보트(5)를 가진다. 이 제1처리부(6)에는 2대의 현상처리장치(8)가 설치되어 있다. 제2의 처리부(6A)는 복수의 처리유니트(9), (11), (12), (13)와, 중앙통로 및 아암로보트(5)를 가진다.
제1처리부(6)의 앞면측은 카세트 스테이션(3)에 연결되고, 로보트(5)에 의하여 반도체웨이퍼 W가 카세트 스테이션(3)으로부터 제1처리부(6)로 반입되도록 되어 있다. 제1 및 제2의 처리부(6), (6A)는 중계 스테이션(10)을 통하여 연결되고, 2대의 아암로보트(5)에 의하여 반도체웨이퍼 W가 받아넘겨지도록 되어 있다. 또한, 제2처리부(6A)의 뒷면측에는 노광장치(도시않됨)가 연결되어 있다.
제1처리부(6)의 중앙통로의 한쪽에는 브러시 스크래버(7), 수세장치(7A), 베이킹 장치(9)가 나란하게, 통로의 반대쪽에는 2대의 현상처리장치(8)가 늘어서 있다. 한편, 제2처리부(6A)의 중앙통로의 한쪽에는 어드히전 처리장치(11), 크리닝 장치(12), 2대의 베이킹장치(9)가 나란하게, 통로의 반대쪽에는 2대의 레지스트 도포장치(13)가 늘어서 있다. 또한, 어드히젼 처리장치(11)와 크리닝 장치(12)는, 상하로 겹쳐져 포개져 있다. 또한, 2대의 베이킹장치(9)에는 각각 유니트가 상하 2단으로 겹쳐져 포개져 있다.
다음에, 제2도 내지 제6도를 참조하면서 현상처리장치(8)에 대하여 설명한다.
현상처리장치(8)의 챔버(36)내에 스핀척(21)이 설치되어 있다. 스핀척(21)은 웨이퍼 W를 거의 수평으로 유지하기 위한 진공흡착기구(도시않됨)를 구비하고 있다. 스핀척(21)은 모우터(33)의 회전축에 연결되어 있다. 또한, 스핀척(21)은 승강기구(34)에 의하여 승강가능하게 지지되어 있다. 모우터(33), 승강기구(34), 진공펌프(27)의 각 전원 스위치는 콘트롤러(35)의 출력측에 접속되어 있다.
스핀척(21)은 원통형상의 컵(20)으로 주위를 둘러싸고 있다. 컵(20)의 바닥부에는 배기통로(28) 및 폐액통로(29)가 설치되어 있다. 배기통로(28)는 진공펌프(27)의 흡입구에 연이어 통하고 있다. 또한, 폐액통로(29)는 다른 펌프(도시않됨)의 흡입구에 연이어 통하고 있다.
컵(20)의 내부용기(26)는 외부용기(25)에 의하여 둘러싸여 있다. 외부용기(25)는 바닥을 가지는 통형상을 하고 있으며, 내부용기(26)는 링형상을 하고 있다. 내부용기(26)의 상부에 액체밀폐 링(24)이 볼트(24h)로 부착되어 있다. 제4도 및 제13도에 나타낸 바와 같이, 복수의 오목한 곳(24c)이 플랜지부 (24b)에 형성되고, 오목한 곳(24c)의 내부에 볼트구멍(24d)이 형성되어 있다. 또한, 제3도에 나타낸 바와 같이 컵(20)에는 부착 및 이탈이 가능하게 위 뚜겅(51)이 덮여져 있다.
현상액용 노즐(23) 및 제1의 세정액용 노즐(31)이 장치(8)의 상부에 설치되어 있다. 이들 노즐(23), (31)은, 홈 위치로부터 컵(20)의 바로 위까지의 영역을 각각 이동하도록 반송장치(도시않됨)에 의하여 지지되어 있으며, 이들은 사용하지 않을 때는 홈 위치에 위치하고, 사용할 때는 컵(20)의 바로 위에 위치한다. 또한, 현상액용 노즐(23)은 리니어 형상이며, 그 길이는 웨이퍼 W의 직경과 거의 같다.
노즐(23)은 플렉시블 파이프를 통하여 공급원(22)에 연이어 통하고 있다. 공급원(22)내에는 농도 및 온도가 제어된 현상액(50)가 수용되어 있다. 노즐(31)은 플렉시블 파이프를 통하여 공급원(30)에 연이어 통하고 있다. 공급원(30)내에는 세정액(린스액)(60)이 수용되어 있다.
한편, 제2의 세정액용 노즐(32)은 웨이퍼 W의 윗면쪽에 설치되어 있다. 노즐(32)은 파이프를 통하여 상술한 세정액 공급원(30)에 연이어 통하고 있다. 노즐(32)은 웨이퍼 W의 뒷면에 근접하여 설치되고, 그 분사구는 웨이퍼 뒷면의 둘레부로 향해져 있다. 노즐(32)은, 그 토출구 위치 및 방향을 미세조정할 수 있도록 컵(20)의 바닥부에 지지되어 있다.
모우터(33), 승강기구(34), 공급원(22), (30), 노즐(23), 제1 및 제2의 세정액용 노즐(31), (32)은, 각각 제어부(35)의 출력측에 접속되고, 각 동작이 제어되도록 되어 있다. 또한, 챔버(20)의 위쪽에는 온도/습도 조정기구(도시않됨)가 설치되어 있으며, 온도 및 습도를 조정한 가스기류를 챔버(20)내로 향하여 공급하도록 되어 있다.
제2의 세정액용 노즐(32)은 복수개를 설치하는 것이 바람직하고, 4개 이상을 설치하는 것이 보다 바람직하다. 노즐(32)의 갯수를 증가하면 증가할수록, 간극(59)에 고리형상으로 연속하는 액막을 신속하게 형성하는 것이 가능하기 때문이다.
다음에 제4도 내지 제6도 및 제9(a), 9(b)도를 참조하면서 액체밀폐링(24)에 대하여 설명한다.
액체밀폐 링(24)은 웨이퍼 W의 뒷면쪽으로 위치하고 있다. 액체밀폐 링(24)의 꼭대기면(40)은 웨이퍼 둘레부에 근접대면하고, 꼭대기면(40)과 웨이퍼 W의 뒷면의 사이에 거리 B의 고리형상의 간극(59)이 형성되어 있다. 세정액(60)의 액막을 안정화시키기 위하여, 간극(59)의 거리 B는 가능한한 작게한다. 그러나, 거리 B를 과도하게 작게 하면, 스핀회전시에 웨이퍼 W가 액면(24a)에 접촉할 우려가 있기 때문에, 거리 B는 0.5∼1.5mm의 범위로 하는 것이 바람직하다.
액체밀폐 링(24)은 동심원 형상의 안쪽 링부(42) 및 바깥쪽 링부(43)를 가진다. 안팎의 링부(42), (43)의 상부에는 오목볼록한 형상의 꼭대기면(40)이 형성되어 있다. 오목볼록형상면(40)은 2개의 수직벽(40a) 및 2개의 경사벽(40b)을 포함하고 있다. 수직벽(40a)은 수평면(웨이퍼 뒷면)에 대하여 직교하고, 바깥쪽을 향하고 있다. 제9(a)도에 나타낸 바와 같이, 수직벽(40a)은, 현상액(50)의 침입을 막고, 현상액(50)이 간극(59)으로부터 안쪽으로 침입하는 것을 저지한다.
한편, 경사벽(40b)은 수평면(웨이퍼 뒷면)에 대하여 완만하게 경사지고, 안쪽을 향하고 있다. 제9(b)도에 나타낸 바와 같이, 경사벽(40b)은, 간극(59)으로부터의 현상액(50)의 배출을 촉진한다. 또한, 수평면에 대한 경사벽(40b)의 기울기각 θ은 15 내지 30°의 범위내에 있는 것이 바람직하다. 또한, 오목볼록 꼭대기면(40)의 깊이 C는 1∼2mm 정도로 얇은 쪽이 바람직하다.
안팎 링부(42), (43)의 사이에는 홈(41)이 형성되어 있다. 홈(41)은 거의 일정한 폭 및 깊이를 가지며, 그 폭 A1은 3∼5mm이다. 홈(41)의 내에는 6개의 배출구멍(44)가 형성되어 있다. 배출구멍(44)의 바로 아래에는 내부용기(26)가 위치하고 있다. 간극(59)으로부터 현상액등을 제거하면, 그 폐액은 각 배출구멍(44)을 통하여 내부용기(26)의 위로 낙하하고, 내부용기(26)의 윗면을 따라서 폐액통로(29)로 유입하도록 되어 있다.
액막을 간극(59)에 연속으로 형성하기 위하여는, 안팎 링부(42), (43)의 꼭대기면(40)의 폭 A2을 각각 충분히 크게 할 필요가 있다. 이 경우에, 꼭대기면(40)의 폭 A2이 5mm를 밑돌면 액막이 불안정하게 되므로, 폭 A2의 하한치를 5mm로 하는 것이 바람직하다. 그러나, 꼭대기면(40)의 폭 A2이 15mm를 상회하면, 세정액(60)의 액막중으로의 현상액(50)의 혼입량이 증대하므로, 폭A2의 상한치를 15mm로 하는 것이 바람직하다. 본 실시예의 안팎 링부(42), (43)에는, 꼭대기면(40)의 폭 A2을 각각 5∼7mm로 하엿다. 또한, 액체밀폐 링(24)의 상부의 전체쪽 Ao은 15∼17mm로 하였다.
또한, 액체밀폐 링(24)은 예를 들면 염화비닐 또는 세라믹스와 같이 내수성 및 내식성이 우수한 재료로 만들어져 있다. 또한, 바깥쪽 링부(43)의 바깥 직경은 웨이퍼 W의 직경보다 약 10mm정도 작게 할 필요가 있다. 바깥 링부(43)의 꼭대기부(40)가 웨이퍼 W의 오리엔테이션 플랫보다 바깥쪽에 위치하면, 고리형상의 액막이 불완전하게 되며, 액막이 파괴되기 쉽기 때문이다.
또한, 상기 실시예의 얕은 오목볼록 형상의 꼭대기(40)만으로 본 발명을 한하는 것이 아니며, 제12도 내지 제15도에 나타낸 다른 형상의 꼭대기면(24a), (24e), (24f), (24g)을 채용하여도 좋다. 제12도에 나타낸 바와 같이 꼭대기면(24a)을 평탄하게 하여도 좋다. 또한, 제13도에 나타낸 바와 같이 꼭대기면(24e)에 3개의 사각형 단면의 홈을 형성하여도 좋다. 또한, 제14도에 나타낸 바와 같이 꼭대기면(24f)을 오목하게 하여도 좋다. 또한, 제15도에 나타낸 바와 같이 꼭대기면(24g)을 바깥쪽으로 향하여 아래쪽으로 내려가는 경사면으로 하여도 좋다. 꼭대기면(24g)의 경사각 θ은 1∼5°의 범위로 하는 것이 바람직하며, 2°로 하는 것이 가장 바람직하다. 이들 꼭대기면(24e), (24f), (24g), (40)은, 린스액(60)의 접촉면적이 크게 되므로, 간극(59)에 린스액(60)이 확실하게 유지되고, 고리형상의 액막이 안정화한다. 또한, 경사형의 꼭대기면(24g)에는, 액체밀폐링(24)의 바깥쪽으로 향하여 현상액(50)을 배출하기 쉽게 되어 있다.
다음에, 제7도 및 제8(a) 내지 8(d)도를 참조하면서 제1의 실시형태에 관한 현상처리방법에 대하여 설명한다.
웨이퍼 W에 포토레지스트를 도포하고, 이것을 노광한다. 메인아암(5)에 의하여 웨이퍼 W를 노광장치(도시않됨)로부터 현상처리장치(8)로 반송하고, 이것을 스핀척(21)상에 얹어놓는다. 이 때 메인아암(5)은 스핀척(21)에 대하여 웨이퍼 W를 위치결정하고, 스핀척(21)은 웨이퍼 W를 흡착유지한다(공정 S1). 다음에, 웨이퍼 W를 저속회전시키면서(공정 S2), 제2의 세정액 분사노즐(32)로부터 린스액(60)을 안쪽의 간격(59)으로 공급한다. 이 결과, 제8(a)도에 나타낸 바와 같이, 린스액(60)의 연속하는 액막이 안쪽의 간극(59)에 형성된다(공정 S3), 또한, 웨이퍼 W의 지름이 8인치인 경우에는, 공정 S2에서 웨이퍼 W의 회전속도를 10∼100rpm의 범위내에서 제어하는 것이 바람직하며, 30∼60rpm의 범위내에서 제어하는 것이 보다 바람직하다.
계속하여, 웨이퍼 W의 회전을 0.3초간만 정지시킨다(공정 S4). 일시 회전정지후, 제8(b)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W의 뒷면(레지스트 도포면)으로 향하여 노즐(23)로부터 현상액(50)을 공급시키면서(공정 S5), 웨이퍼 W를 30rpm으로 1초간만 저속회전시킨다(공정 S7). 이 결과, 현상액(50)은, 웨이퍼 (W)의 윗면전체로 균일하게 분산한다. 이 경우에, 현상액(50)의 공급시간은, 공정 S7의 저속회전시간과 같거나 또는 그것보다 짧게 하여도 좋다. 또한, 공정 S7의 저속회전시간은 2초로 하여도 좋다.
공정 S4과 공정 S6의 사이에는 컵(20)내의 배기를 개시한다(공정 S5). 이 배기개시의 타이밍은, 반드시 공정 S4과 공정 S6의 사이에 한하는 것은 아니며, 공정 S6의 앞이라면 언제라도 좋다. 또한, 배기펌프(27)와 함께 배액펌프(도시않됨)를 기동하고, 컵(20)내의 액을 외부로 배출한다.
제8(c)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W의 윗면에 현상액(50)의 막을 형성(액도포) 한 후에, 웨이퍼 W의 회전을 잠시 정지한다(공정 S8). 이 웨이퍼 회전정지의 사이에 포토레지스트는 현상된다. 현상시간은 예를 들면 50초간이다. 이 현상처리중에 있어서는, 챔버(36)내의 온도 및 습도가 미리 정해진 설정치로 되도록 자동제어한다.
이 현상처리공정 S8의 사이에, 현상액(50)이 웨이퍼 윗면으로부터 뒷면으로 돌아들어간다. 그러나, 바깥쪽의 간극(59)에 의하여 현상액(50)이 포착됨과 함께, 새롭게 돌아들어간 현상액(50)은 아래쪽으로 흘러떨어지므로, 바깥쪽 간극(59)으로부터 안쪽영역으로의 현상액(50)의 침입은 유효하게 저지된다. 또한, 현상액(50)이 홈(41)까지 침입하였다고 해도, 침입현상액(50)은 배출구멍(44)을 통하여 아래쪽으로 신속하게 배출된다. 또한, 홈(41)에 의하여 안쪽의 간극(59)과 바깥쪽의 간극(59)은 떨어져 있기 때문에, 안쪽의 간극(59)에 유지된 세정액(60)에 대하여 현상액(50)은 실질적으로 혼입하지 않는다. 제9(a)도에 나타낸 바와 같이, 액체밀폐 링(24)의 수직벽(40a)은, 현상액(50)의 침입을 막고, 현상액(50)이 간극(59)으로부터 안쪽으로 침입하는 것을 저지한다. 또한, 제9(b)도에 나타낸 바와같이 액체밀폐링(24)의 경사벽(40)는 간극(59)로부터의 현상액(50)의 배출을 촉진한다. 이 때문에, 안쪽의 간극(59)으로부터 안쪽으로 위치하는 웨이퍼 뒷면 및 스핀척(21)에는 전혀 현상액(50)이 부착하지 않는다.
현상처리공정 S8의 종료후, 웨이퍼 W를 2000rpm의 회전속도로 고속회전시켜서, 현상액(50)을 웨이퍼 W로부터 털어낸다(공정 S9). 제8(d)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W를 고속회전시키면서, 제1의 노즐(31)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 윗면에 공급함과 함께, 제2의 노즐(32)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 윗면으로 향하여 공급하여, 웨이퍼 W의 양면을 완전하게 세정한다(공정 S10). 이것에 의하여 현상액(50)은 웨이퍼 W 윗면과 간극(59)으로부터 완전하게 제거된다.
제10도는, 횡축으로 액체밀폐 링의 꼭대기면의 폭 A2(mm)을 취하고, 종축에 웨이퍼 뒤면의 중앙영역으로 현상액의 돌아들어감 발생수 n(매)을 취하고, 하기 위 조건하에서 샘플 웨이퍼를 이용하여 양자의 관계를 조사한 결과를 나타낸 그래프도이다.
[조건]
웨이퍼 W : 한쪽면에 레지스트를 도포한 6인치 지름 실리콘 웨이퍼
간극 B : 1 mm
현상액 : 웨이퍼 뒷면으로의 접촉각이 3°이하의 계면활성제가 들어간 현상액
현상액의 토출조건 : 1.8kg/cm2(28.0 cc)
웨이퍼 W의 처리매수 : 15매
세정액 : 순수한 물
제10도로부터 분명한 바와 같이, 액체밀폐 링 꼭대기면의 폭 A2이 5∼15mm인 범위내인 때, 현상액의 돌아들어감을 유효하게 저지하는 것이 가능하고, 6∼14mm의 범위내인 때의 돌아들어감의 발생수를 10매 이하로 하는 것이 가능하였다. 또한, 액체밀폐 링의 꼭대기면의 폭 A2가 8∼12mm의 범위내에서는 돌아들어감 발생수가 6매 이하로 하는 것이 가능한 것이 판명되었다. 또한, 폭 A2가 10mm인 때에는 돌아들어감 발생수가 5매였고, 돌아들어감 발생수가 가장 적었다. 또한, 폭 A2가 20mm인 경우에는 돌아들어감 발생수가 9매로 작았다. 그러나, 이 경우는 세정을 요하는 영역이 넓기때문에, 현상처리후의 뒷면세정이 불충분하게 되고, 현상액이 웨이퍼 뒷면에 남는다.
간극 B을 0.5∼1.5mm의 범위로 여러가지로 바꾸어서 마찬가지의 실험을 행한 바 다음의 결과를 얻었다. 폭 A2이 14mm인 액체밀폐 링(24)을 이용하여 간극 B을 0.5mm로 한 조건의 결과와, 폭 A2가 6mm인 액체밀폐 링(24)을 이용하여 간격 B을 1.5mm로 한 조건의 결과는, 상기 실험결과와 마찬가지로 되었다. 또한, 폭 A2이 15mm인 액체밀폐 링(24)을 이용하여 간극 B을 0.67mm로 한 조건의 결과와, 폭 A2가 5mm인 액체밀폐 링(24)을 이용하여 간극 B을 1.3mm로 한 조건의 결과와는, 상기의 실험결과와 거의 동일하게 되었다.
다음에, 제11도, 제12도, 제16도, 제17(a)∼17(d), 제18(a)∼18(d)도를 참조하면서 제2의 실시형태에 관한 현상처리장치에 대하여 설명한다. 또한, 이 제2실시형태가 상기의 제1실시형태와 같은 부분에 대한 설명은 생략한다.
제11도 및 제12도에 나타낸 바와 같이, 제2실시형태의 액체밀폐 링(24)은 평탄한 꼭대기면(24a)을 가지고 있다. 이 평탄한 꼭대기면(24a)이 웨이퍼 W의 뒷면에 대면하도록 액체밀폐 링(24)이 설치되어 있다. 꼭대기면(24a)과 웨이퍼 W의 뒷면의 사이에는 일정한 간극(59)이 형성되어 있다.
제12도에 나타낸 바와 같이, 노즐(32)의 액분사구는 웨이퍼 W의 뒷면의 위치 P3을 목표로 한다. 이 위치 P3는, 액체밀폐 링 꼭대기면(24a)의 안쪽위치 P1와 거의 같은 곳에 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 연속하는 액막이 간극(59)에 형성되기 쉽게 됨과 함께, 노즐(32)로부터의 세정액(60)의 분사에 의하여 현상액(50)을 간극(59)으로부터 확실하게 제거하는 것이 가능하게 된다. 또한 꼭대기면(24a)의 바깥쪽 위치 P2가 웨이퍼 W의 오리엔테이션 플랫보다 안쪽에 위치하도록, 액체밀폐 링(24)을 배치한다.
다음에, 제16도 및 제17(a)∼17(d)도를 참조하면서 제2의 실시형태에 관한 현상처리방법에 대하여 설명한다.
포토레지스트 도포면이 위로 되도록 웨이퍼 W를 스핀척(21)상에 얹어놓고, 이것을 흡착유지한다(공정 S21). 웨이퍼 W를 30rpm의 회전속도로 저속회전시키고(공정 S22), 챔버(36)내의 배기를 개시함과 함께(공정 S23), 제2노즐(32)로부터 린스액(60)을 간극(59)으로 공급한다(공정 S24). 이 결과, 제17(a)도에 나타낸 바와 같이, 린스액(60)의 연속하는 액막이 간극(59)에 형성된다. 이 연속액막을 형성할 때의 회전속도는 10∼100rpm의 범위내에 있는 것이 바람직하며, 30∼60rpm의 범위내에 있는 것이 보다 바람직하다.
계속하여, 웨이퍼 W의 회전을 정지시키고(공정 S25), 또한 챔버(36)내의 배기를 정지하고, 챔버(36)내를 기체밀폐상태로 한다(공정 S26).
제17(b)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W의 뒷면에 노즐(23)로부터 현상액(50)을 약 0.5초간 공급한다(공정 S27). 이것에 의하여 포토레지스트 도포면이 현상액(50)으로 덮힘과 함께, 챔버(36)내로 현상액(50)의 증기분위기가 형성된다.
이 현상액(50)의 증기분위기는 반드시 형성되는 것은 아니고, 이것이 형성되지 않은 경우라도 포토레지스트는 균일하게 현상된다. 여기서는 챔버(36)내가 기체밀폐된 상태로 되는 것이면 좋다. 기체밀폐적인 챔버(36)내에서는 웨이퍼 주위로 기류가 생기지 않으므로, 포토레지스트는 균일하게 현상된다.
제17(c)도에 나타낸 바와 같이, 이러한 현상액의 증기분위기하에서 웨이퍼 W를 약 60초간 방치하고, 도포 포토레지스트를 현상한다. 현상액(50)의 공급시간은, 0.5초간 보다 길게하여도 좋다. 또한, 챔버(36)내의 배기를 공정 S23 보다 더 이전에 개시하여도 좋다. 또한, 챔버(36)내의 배기를 공정 S26보다 한층 이전에 정지하여 좋다. 또한, 배기펌프(27)와 함게 배액펌프(도시않됨)를 기동하여, 컵(20)내의 액을 외부로 배출한다. 이 현상처리중에 있어서는, 챔버(36)내의 온도 및 습도가 미리 정해진 설정치로 되도록 자동제어한다.
이와 같이 웨이퍼 W의 회전을 정지하고, 챔버(36)내의 배기를 정지하고, 현상액(50)의 증기분위기하에서 현상처리를 행한다. 이것에 의하여 챔버(36)내에서는 기류의 움직임이 거의 없고, 이상적으로 균일한 현상처리를 달성할 수 있다. 또한, 이처리분위기의 온도, 습도는, 미리 정해진 설정치로 자동제어되고 있다.
이 현상처리 공정의 사이에, 현상액(50)이 웨이퍼 윗면으로부터 뒷면으로 돌아들어온다. 그러나, 간극(59)에 의하여 현상액(50)이 포착됨과 함께, 다시 새로운 돌아들어오는 현상액(50)은 아래쪽으로 흘러떨어지므로, 간극(59)보다 안쪽 영역으로의 현상액(50)의 침입은 유효하게 저지된다. 이 때문에, 간극(59)보다 안쪽에 위치하는 웨이퍼 뒷면 및 스핀척(21)에 현상액(50)이 부착하지 않는다.
현상처리공정의 종료후, 웨이퍼 W를 2000rpm의 회전속도로 고속회전시켜, 현상액(50)을 웨이퍼 W로부터 털어낸다(공정 S28). 제17(d)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W를 고속회전시키면서, 제1의 노즐(31)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 윗면에 공급함과 함께, 제2의 노즐(32)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 뒷면으로 향하여 공급하고, 웨이퍼 W의 양면을 함께 세정한다(공정 S29). 이것에 의하여 현상액(50)은 웨이퍼 W의 윗면과 간극(59)으로부터 완전히 제거된다.
다음에, 제18(a)∼18(d)도 및 제7도를 참조하면서 제3의 실시형태에 관한 현상처리방법에 대하여 설명한다. 제3의 실시형태는 상술한 제1의 실시형태와 실질적으로 동일한 현상처리방법이다. 단, 제3의 실시형태에서는 현상처리장치가 제1의 실시형태의 것과 다르다.
포토레지스트 도포면이 위로 되도록 웨이퍼 W를 스핀척(21)상에 얹어놓고, 이것을 흡착유지한다(공정 S1). 웨이퍼 W를 30rpm의 회전속도로 저속회전하면서(공정 S2), 제2노즐(32)로부터 린스액(60)을 간극(59)에 공급한다. 이 결과, 제18(a)도에 나타낸 바와 같이, 린스액(60)의 연속한 액막이 간극(59)에 형성된다(공정 S3). 이 연속액막을 형성할 때의 회전속도는 10∼100rpm의 범위내에 있는 것이 바람직하며, 30∼60rpm의 범위내에 있는 것이 보다 바람직하다.
계속하여, 웨이퍼 W의 회전을 0.3초간만 정지시킨다(공정 S4). 일시 회전정지후, 제18(b)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W의 윗면(레지스트 도포면)으로 향하여 노즐(23)로부터 현상액(50)을 공급하면서(공정 S6). 웨이퍼 W를 30 rpm으로 1초간만 저속회전시킨다(공정 S7). 이 결과 현상액(50)은 웨이퍼 W의 윗면 전체로 균일하게 분산한다. 이 경우에, 현상액(50)의 공급시간은, 공정 S7의 저속회전시간과 같거나 혹은 그것보다 짧아도 좋다. 또한, 공정 S7의 저속회전시간은 2초간으로 하여도 좋다.
공정 S4과 공정 S6의 사이에는 컵(20)내의 배기를 개시한다(공정 S5). 이 배기개시의 타이밍은, 반드시 공정 S4과 공정 S6의 사이만으로 한하지 않으며, 공정 S6의 전이라면 언제라도 좋다. 또한, 배기펌프(27)와 함께 배액펌프(도시않됨)을 기동하고, 컵(20)내의 액을 외부로 배출한다.
제18(c)도에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼 W의 윗면에 현상액(50)의 막을 형성(액도포) 한 후에, 웨이퍼 W의 회전을 잠시 정지한다(공정 S). 이 웨이퍼 회전정지의 사이에 포토레지스트가 현상된다. 현상시간은 예를 들면 50초간이다. 이 현상처리중에 있어서는, 챔버(36)내의 온도 및 습도가 미리 정해진 설정치로 되도록 자동제어한다.
이 현상처리공정(S8)의 사이에, 현상액(50)이 웨이퍼 윗면으로부터 뒷면으로 돌아들어간다. 그러나, 간극(59)에 의하여 현상액(50)이 포착됨과 함게, 더욱 새로운 돌아들어오는 현상액(50)은 아래쪽으로 흘러 떨어지므로, 간극(59)으로부터 안쪽 영역으로의 현상액(50)의 침입은 유효하게 저지된다. 이 때문에, 간극(59)으로부터 안쪽으로 위치하는 웨이퍼 뒷면 및 스핀척(21)에는 현상액(50)이 부착하지 않는다.
현상처리공정 S8의 종료후, 웨이퍼 W를 2000rpm의 회전속도로 고속회전시켜서, 현상액(50)을 웨이퍼 W로부터 털어낸다(공정 S9). 제18(d)도에 나타낸 바와 같아. 웨이퍼 W를 고속회전시키면서, 제1의 노즐(31)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 윗면에 스프레이함과 함께, 제2의 노즐(32)로부터 린스액(60)을 웨이퍼 W의 뒷면으로 향하여 스프레이 하고, 웨이퍼 W의 양면을 함께 세정한다(공정 S10). 이것에 의하여 현상액(50)은 웨이퍼 W 윗명과 간극(59)으로부터 완전히 제거된다.
또한, 상기 실시예에서는, 반도체웨이퍼의 현상처리에 본 발명을 적용한 경우에 대하여 설명하였으나, 본 발명을 LCD기판에 이용하여도 좋다.

Claims (19)

  1. 기판보다 작은 크기의 얹어놓는 면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 항하도록 얹어놓은 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은 축에 설치되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접대면하여 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 기판뒷면에 대하여 실질적으로 직교하고, 또한 바깥쪽을 향하는 제1의 벽부와, 기판뒷면에 대하여 완만하게 경사 지고, 또한 안쪽을 향하는 제2의 벽부를 가지며, 상기 액막형성부는, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하고, 상기 제1의 벽부는, 상기 간극보다 안쪽의 영역에 현상액이 침입하는 것을 저지하고, 상기 제2의 상기 간극으로부터 현상액이 배출하는 것을 촉진하는 것을 특징으로 하는 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 제2의 세정액 노즐은, 상기 액체밀폐 링보다 안쪽의 위치하는 현상처리장치.
  3. 제1항에 있어서, 기판의 뒷면으로 세정액을 가하기 위한 4개의 제2의 세정액 노즐이 상기 액체밀폐 링의 안쪽에 각각 배치되어 있는 현상처리장치.
  4. 제1항에 있어서, 액막형성부는, 그 폭이 5∼15mm의 범위로 형성되고, 상기 간극이 0.5∼1.5mm의 범위에 들어가도록 배치되는 현상처리장치.
  5. 제1항에 있어서, 액막형성부는, 제2의 세정액노즐로부터 간극으로 공급되는 세정액을 포착하고, 고리형상으로 세정액의 액막을 형성하는 현상처리장치.
  6. 제1항에 있어서, 제1 및 제2의 벽부는, 액막형성부에 오목한 부위 및 볼록한 부위를 형성하는 현상처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 기판은 오리엔테이션 플랫을 가지는 반도체웨이퍼이며, 상기 액막형성부는 오리엔테이션 플랫의 방사방향으로 안쪽의 위치에서 기판의 뒷면에 대면하고 있는 현상처리장치.
  8. 제1항에 있어서, 제2의 액막형성부는 상기 액막형성부의 바깥쪽에 동심원 형상으로 설치되며, 이 제2의 액막형성부는 기판 윗면으로부터 뒷면으로 돌아들어오는 현상액을 포착하는 현상처리장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2의 액막형성부의 사이에 홈이 형성되어 있는 현상처리장치.
  10. 제9항에 있어서, 폐액통로가 상기 컵의 하부에 형성되며, 이 폐액통로는 상기 홈에 연이어 통하고 있는 현상처리장치.
  11. 기판보다 작은 크기의 얹어놓는면을 가지며, 이 얹어놓는면에 레지스트 도포면이 위를 향하도록 얹어놓은 기판을 스핀회전시키는 스핀척과, 이 스핀척을 둘러싸는 컵과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하는 현상액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 레지스트 도포면에 세정액을 가하는 제1의 세정액 노즐과, 상기 스핀척상의 기판의 뒷면에 세정액을 가하는 제2의 세정액 노즐과, 상기 스핀척과 실질적으로 같은 축에 형성되고, 그 직경이 상기 스핀척의 얹어놓는면보다 크고, 또한 기판보다는 작은 액체밀폐 링과, 이 액체밀폐 링의 윗끝단에 설치되고, 상기 스핀척상의 기판 뒷면의 둘레부에 근접하여 대면하고 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 액막형성부를 구비하며, 상기 액막형성부는, 실질적으로 평탄한 면을 가지고, 상기 간극에서 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 액막형성부의 평탄면은, 기판의 뒷면과 실질적으로 평행인 현상처리장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 액막형성부의 평탄면은, 기판의 뒷면에 대하여 실질적으로 경사져 있는 현상처리장치.
  14. (a) 레지스트 도포면이 위를 향하도록 기판을 챔버내에서 스핀척에 의하여 유지함과 함게, 이 기판의 뒷면의 둘레부에 액막형성수단을 근접대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부와의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (b) 챔버내의 배기를 개시함과 함께, 기판을 제1의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (c) 기판의 회전을 정지시킴과 함께, 챔버내의 배기를 정지하고, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하여, 기체밀폐적인 챔버내에서 도포레지스트를 현상하는 공정과, (d) 기판을 제2의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 가지는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리방법.
  15. 제14항에 있어서, 간극에 형성되는 액막은, 그 폭이 5∼15mm의 범위내에 있는 현상처리방법.
  16. 제14항에 있어서, 간극이 0.5∼1.5mm의 범위내에 들어가도록 상기 액막형성수단을 기판뒷면에 근접대면시키는 현상처리방법.
  17. (p) 레지스트 도포면이 위를 향하도록 기판을 스핀척에 의하여 유지함과 함께, 이 기판의 윗면의 둘레부에 액막형성수단을 근접 대면시켜, 액막형성수단과 기판뒷면의 둘레부의 사이에 간극을 형성하는 공정과, (q) 기판을 제1의 회전속도로 회전시키면서 상기 간극에 세정액을 공급하고, 고리형상으로 연속하는 세정액의 액막을 형성하는 공정과, (r) 기판의 회전을 일시 정지시켜, 기판의 레지스트 도포면에 현상액을 가하면서 기판을 제2의 회전속도로 회전시키는 공정과, (s) 기판의 회전을 정지서켜, 기판정지상태로 현상액을 도포레지스트에 작용시키는 공정과, (t) 기판을 제3의 회전속도로 회전시키면서, 기판의 양면에 세정액을 가하여, 기판의 양면으로부터 현상액을 제거하는 공정을 가지는, 기판에 도포된 포토레지스트를 현상처리하는 현상처리방법.
  18. 제17항에 있어서, 간극에 형성하는 액막은, 그 폭이 5∼15mm의 범위내에 있는 현상처리방법.
  19. 제17항에 있어서, 간극이 0.5∼1.5mm의 범위내에 들어가도록, 상기 액막형성수단을 기판 뒷면에 근접대면시키는 현상처리방법.
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